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1. 发明授权

KR102480609B1 텅스텐 CMP용 조성물 有权
公开(公告)号：KR102480609B1
公开(公告)日：2022-12-26
申请号：KR1020167027719
申请日：2015-03-09
IPC分类号： C09G1/02 , C09K3/14 , B01J23/745 , H01L21/321 , H01L21/306 , H01L21/304
摘要： 텅스텐층을갖는기판을연마하기위한화학적기계적연마조성물은수계액체담체, 액체담체에분산되어있고적어도 6 mV의영구양전하를갖는콜로이드성실리카마모제, 및액체담체중의용액으로의다가양이온성아민화합물을포함한다. 텅스텐층을포함하는기판의화학적기계적연마방법은기판을상기에기재된연마조성물과접촉시키고, 연마조성물을기판에대하여상대적으로움직이게하고, 기판을마모시켜기판으로터텅스텐의일부를제거함으로써기판을연마하는것을포함한다.

2. 发明授权

KR102477528B1 화학 기계적 연마 패드 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102477528B1
公开(公告)日：2022-12-15
申请号：KR1020160078574
申请日：2016-06-23
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/321 , B24B37/24 , B24B37/26
摘要： 연마표면을갖는화학기계적연마층을포함하고; 화학기계적연마층이 (a) 아민-이산화탄소부가생성물; 및폴리올, 폴리아민및 알코올아민중 적어도하나를포함하는폴리측 (P) 액체성분과, (b) 다작용성이소시아네이트를포함하는이소측 (I) 액체성분을조합시켜서형성되며; 화학기계적연마층의다공율(porosity)이≥ 10 용적%이고; 화학기계적연마층의쇼어 D 경도가

3. 发明授权

KR102467700B1 고압 처리에 의한 텅스텐 탈플루오린화를 위한 어닐링 시스템 有权
公开(公告)号：KR102467700B1
公开(公告)日：2022-11-17
申请号：KR1020227004404
申请日：2018-05-23
IPC分类号： H01L21/67 , C23C16/14 , C23C16/56 , H01L21/321 , H01L21/768 , H10B69/00
摘要： 작업부재상의텅스텐막을처리하는공정들과관련된방법들및 시스템들은, 챔버내에작업부재를지지하는것, 챔버내로수소가스를도입하는것, 적어도 5 기압의압력을설정하는것, 및챔버내의압력이적어도 5 기압인동안작업부재상의텅스텐막을수소가스에노출시키는것을포함한다.

4. 发明授权

KR102464633B1 화학적-기계적 연마 조성물의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102464633B1
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：KR1020177001862
申请日：2015-06-25
IPC分类号： C09G1/02 , C09G1/04 , C09K3/14 , H01L21/3105 , H01L21/306 , H01L21/321 , B24B1/00
摘要： 화학적-기계적연마조성물의제조방법은, 아미노실란화합물이연마제입자내에혼입되도록아미노실란화합물을포함하는액체중에서콜로이드성실리카연마제입자를성장시키는것을포함한다. 상기와같은콜로이드성실리카연마제입자를포함하는분산액을추가로가공하여, 아미노실란화합물이그 안에혼입된콜로이드성실리카입자를포함하는화학적-기계적연마조성물을수득할수 있다.

5. 发明授权

KR102464630B1 콜로이드성 실리카 화학적-기계적 연마 조성물 有权
公开(公告)号：KR102464630B1
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：KR1020177001860
申请日：2015-06-25
IPC分类号： C09G1/02 , C09G1/04 , C09K3/14 , H01L21/306 , H01L21/3105 , H01L21/321
摘要： 화학적-기계적연마조성물은약 1.5 내지약 7 범위의 pH를갖는액체캐리어중에분산된콜로이드성실리카연마제입자를포함한다. 콜로이드성실리카연마제입자는그 안에혼입된아미노실란화합물또는포스포늄실란화합물을포함한다. 조성물은 TEOS와같은규소산소물질을포함하는기판을연마하는데사용될수 있다.

6. 发明授权

KR102460674B1 세척액 조성물 有权
公开(公告)号：KR102460674B1
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：KR1020197021606
申请日：2017-12-26
IPC分类号： C11D3/28 , C11D3/30 , C11D3/36 , C11D7/26 , C11D7/32 , C11D7/36 , C11D11/00 , C11D17/08 , H01L21/321

9. 发明授权

KR102442309B1 소자 분리 구조의 형성 방법 有权
公开(公告)号：KR102442309B1
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：KR1020150097610
申请日：2015-07-09
IPC分类号： H01L21/762 , H01L27/108 , H01L21/02 , H01L21/308 , H01L21/321
摘要： 소자분리구조형성방법으로, 제1 및제2 영역의기판상에하드마스크를형성한다. 상기하드마스크를이용하여상기기판을식각하여, 상기제1 영역에제1 액티브패턴들과제2 영역에제2 액티브패턴들을형성하고, 상기제1 액티브패턴들사이에제1 폭의제1 트렌치와상기제2 액티브패턴들사이에상기제1 폭보다좁은제2 폭의제2 트렌치를형성한다. 상기하드마스크상에, 상기제2 트렌치를채우면서상기제1 트렌치의표면을따라컨포멀하게제1 산화막을형성한다. 상기제1 산화막상에상기제1 트렌치의표면을따라컨포멀하게폴리실리콘막을형성한다. 상기폴리실리콘막상에상기제1 트렌치를채우는스핀온유전막을형성한다. 그리고, 상기스핀온유전막및 상기폴리실리콘막을산소를포함하는반응분위기에서열처리하여산화물로변환시켜상기제1 트렌치내에각각제2 및제3 산화막을형성한다. 상기소자분리구조를포함하는반도체소자는우수한전기적특성을가질수 있다.

10. 发明公开

KR1020220103894A 반도체 디바이스용 층간 유전체 구조물 내의 라이너 구조물 审中-实审
公开(公告)号：KR1020220103894A
公开(公告)日：2022-07-25
申请号：KR1020220085647
申请日：2022-07-12
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/66 , H01L27/092 , H01L21/02 , H01L21/321 , H01L21/768

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