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1. 发明公开

KR1020170101191A 빔 감속을 가지는 이온 주입기의 빔 각도 조정을 위한 시스템 및 방법 审中-实审
标题翻译：光束减速离子注入机光束角调整的系统和方法
公开(公告)号：KR1020170101191A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：KR1020177013752
申请日：2015-12-28
申请人： 액셀리스 테크놀러지스, 인크.
发明人： 밴더버그,보 , 아이즈너,에드워드
IPC分类号： H01J37/147 , H01J37/317 , H01J37/05 , H01J37/09
CPC分类号： H01J37/1475 , H01J37/05 , H01J37/09 , H01J37/1478 , H01J37/3171 , H01J2237/0458 , H01J2237/057 , H01J2237/152 , H01J2237/24528 , H01J2237/30455 , H01J2237/30472 , H01J2237/31701
摘要： 이온주입시스템은질량분석과각도보정을위해질량분석기를사용한다. 이온소스는빔 경로를따라이온빔을생성한다. 질량분석기는이온빔의질량분석및 각도보정을수행하는이온소스의하류에위치한다. 개구조립체내의분해개구부는질량분석기의하류및 빔경로를따라위치한다. 상기분해개구부는선택된질량분해능및 상기이온빔의빔 포락선에따른크기및 형상을갖는다. 각도측정시스템은분해개구부의하류에위치하고이온빔의입사각값을얻는다. 제어시스템은각도측정시스템으로부터의이온빔의입사각값에따라질량분석기에대한자기장조정을도출한다.
摘要翻译：离子注入系统使用质谱仪进行质量分析和角度校正。离子源沿着光束路径产生离子束。质谱仪位于离子源的下游，以执行离子束的质量分析和角度校正。孔组件中的分裂开口位于质量分析器的下游并且沿着光束路径。根据离子束的束包络，分解开口具有选择的质量分辨率和尺寸和形状。角度测量系统位于分解开口的下游并获得离子束的入射角度值。控制系统根据来自角度测量系统的离子束的入射角导出用于质谱仪的磁场调节。

2. 发明授权

KR101668822B1 이온 소스 有权
标题翻译：离子源
公开(公告)号：KR101668822B1
公开(公告)日：2016-10-24
申请号：KR1020117025073
申请日：2010-04-22
申请人： 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크.
发明人： 고데,루도비 , 라도바노브,스베틀라나 , 밀러,티모시,제이.
IPC分类号： H01J37/08 , H01J37/09 , H01J27/02
CPC分类号： H01J37/08 , H01J27/024 , H01J37/09 , H01J2237/0451 , H01J2237/0453 , H01J2237/0456 , H01J2237/065 , H01J2237/08 , H01J2237/083 , H01J2237/31 , H01J2237/31701 , Y10S438/961
摘要： 이온소스는추출개구를갖는아크챔버와, 플라즈마쉬스조절기를포함한다. 플라즈마쉬스조절기는플라즈마와, 추출개구에근접한플라즈마쉬스사이의경계의형상을제어하도록구성된다. 플라즈마쉬스조절기는아크챔버내에위치된한 쌍의절연체들로서, 추출개구에근접하게위치된갭에의해서로이격되어있는한 쌍의절연체들을포함할수 있다. 높은전류밀도를갖는양호하게집속된이온빔은이온소스에의해생성될수 있다. 높은전류밀도이온빔은관련된처리의스루풋을향상시킬수 있다. 또한, 이온빔의방사도가제어될수 있다.

3. 发明授权

KR101645503B1 이온 조사 장치, 이온 조사 방법 有权
标题翻译：离子辐照装置和离子辐射方法
公开(公告)号：KR101645503B1
公开(公告)日：2016-08-05
申请号：KR1020157023726
申请日：2015-02-27
申请人： 울박, 인크
发明人： 유즈,타쿠미 , 테라사와,토시히로
IPC分类号： H01J37/08 , H01J49/00 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/04 , H01J37/09 , H01J37/1472 , H01J37/3171 , H01J2237/0213 , H01J2237/028 , H05H1/16 , H05H7/04
摘要： 이온원으로부터이온가속장치(16)에입사되고, 이온가속관(24) 내를비행하는정이온을이온가속관(24)의내부에배치한복수의가속전극(2a~2h)에의해가속하여, 조사대상물에조사한다. 이온가속관(24)내에는, 자석장치(5)를복수배치하고, 각자석장치(5)가각각형성하는자력선의방향을, 인접하는자석장치(5)에서 0도보다크고, 90도이하의각도로다르게하고, 각자력선을이온가속관(24)내에서, 한방향으로회전시킨다. 이온가속관(24)내에서역진하는전자를자력선과교차시키고, 전자로역진시키면서, 비행축으로부터의거리를증가시킨다. 전자는이온가속관(24)내의부재와충돌하고, 고에너지가되기전에정지하므로, 고에너지 X선은발생하지않는다.

4. 发明公开

KR1020160003079A 하전 입자선 장치 有权
标题翻译：充电颗粒光束装置
公开(公告)号：KR1020160003079A
公开(公告)日：2016-01-08
申请号：KR1020157033515
申请日：2014-03-19
申请人： 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
发明人： 후지따,마사시 , 쯔노다,마사히로 , 오누끼,가쯔노리 , 아이바라,가쯔야 , 신도,세이이찌 , 니시모리,다까아끼
IPC分类号： H01J37/09 , H01J37/18 , H01L21/67
CPC分类号： H01J37/165 , H01J37/09 , H01J37/18 , H01J2237/0262 , H01J2237/0264 , H01J2237/0266 , H01J2237/26 , H01L21/6719 , H01L21/67201
摘要： 본발명은, 진공밸브와같은차폐부재의개방상태에있어서도, 외부의전자파영향을억제하는하전입자선장치의제공을목적으로한다. 상기목적을달성하기위해, 진공챔버(111)를구비한하전입자선장치에있어서, 상기진공챔버는시료반송경로를포위하는개구부(104)를갖고, 상기진공챔버(111)와, 대기측에배치된도전부재(106) 사이를도통함과함께, 상기개구부(104)를포위하는도전재(118)를구비한하전입자선장치를제안한다. 본발명에따르면반송경로를경유한시료실에의전자파(117)의도달을억제하는것이가능하게된다.

5. 发明公开

KR1020150016350A 관찰 장치 및 광축 조정 방법 无效
标题翻译：观察装置和光轴调整方法
公开(公告)号：KR1020150016350A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：KR1020147036131
申请日：2013-07-01
申请人： 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
发明人： 오미나미유스케 , 고노미마미 , 가와니시신스케 , 이토스케히로
IPC分类号： H01J37/18 , H01J37/20 , H01J37/04 , H01J37/16
CPC分类号： H01J37/18 , H01J37/04 , H01J37/09 , H01J37/16 , H01J37/20 , H01J37/228 , H01J37/261 , H01J37/28 , H01J37/3178 , H01J2237/045 , H01J2237/164 , H01J2237/1825 , H01J2237/2602 , H01J2237/2605
摘要： 종래의 하전 입자선 장치는, 모두 대기압하 또는 대기압과 거의 동등한 압력의 가스 분위기하에서의 관찰 전용으로 제조된 장치이며, 통상의 고진공형 하전 입자 현미경을 사용해서 대기압 또는 대기압과 거의 동등한 압력의 가스 분위기하에서의 관찰을 간편하게 행할 수 있는 장치는 존재하지 않았다. 또한, 종래의 방법에서는, 이러한 분위기하에 놓인 시료의 동일 개소에 대해서 하전 입자선과 광에 의한 관찰을 동시에 행할 수는 없었다.
그래서, 본 발명에서는, 1차 하전 입자선을 시료에 조사(照射)하는 하전 입자 광학 경통(鏡筒)과, 하전 입자 광학 경통의 내부를 진공 처리하는 진공 펌프와, 시료가 재치(載置)된 공간과 하전 입자 광학 경통을 격리하도록 배치되며, 1차 하전 입자선을 투과 또는 통과시키는 착탈 가능한 격막과, 격막 및 시료에 대해서 하전 입자 광학 경통의 반대측에 배치되며, 하전 입자 광학 경통의 광축의 연장상에 광축의 적어도 일부를 갖는 광학 현미경을 구비한다.

6. 发明公开

KR1020150010994A 하전 입자 리소그래피 시스템 및 빔 생성기 审中-实审
标题翻译：充电颗粒光刻系统和光束发生器
公开(公告)号：KR1020150010994A
公开(公告)日：2015-01-29
申请号：KR1020147035222
申请日：2013-05-14
申请人： 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이.
发明人： 반빈,알렉산더헨드릭빈센트 , 어반어스,윌리엄헹크
IPC分类号： H01J37/30 , H01J37/317 , H01J37/09
CPC分类号： H01J37/09 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/147 , H01J37/3007 , H01J37/302 , H01J37/3174 , H01J37/3177 , H01J2237/002 , H01J2237/026 , H01J2237/0262 , H01J2237/0264 , H01J2237/16 , H01J2237/182 , H01J2237/188
摘要： 본 발명은 타겟을 노출시키기 위한 하전 입자 리소그래피 시스템에 관한 것이다. 시스템은 하전 입자 빔을 생성하기 위한 하전 입자 빔 생성기; 하전 입자 빔으로부터 복수의 빔릿들을 형성하기 위한 애퍼처 어레이(6); 및 타겟의 표면상에 빔릿들을 투영하기 위한 빔릿 프로젝터(12)를 포함한다. 하전 입자 빔 생성기는 발산하는 하전 입자 빔을 생성하기 위한 하전 입자 소스(3); 발산하는 하전 입자 빔을 굴절시키기 위한 시준기 시스템(5a, 5b, 5c, 5d; 72;300); 및 시준기 시스템으로부터 열을 제거하기 위한 냉각 어레인지먼트(203)를 포함하며, 냉각 어레인지먼트는 시준기 시스템의 적어도 일부분을 둘러싸는 본체를 포함한다.
摘要翻译：本发明涉及用于曝光目标物的带电粒子光刻系统。该系统包括用于产生带电粒子束的带电粒子束发生器; 用于从带电粒子束形成多个子束的孔径阵列（6）以及用于将子束投影到目标表面上的小射束投影仪（12）。带电粒子束发生器包括用于产生发散带电粒子束的带电粒子源（3）用于折射发散带电粒子束的准直器系统（5a，5b，5c，5d; 72; 300）以及用于从准直器系统去除热的冷却装置（203），所述冷却装置包括围绕准直器系统的至少一部分的主体。

7. 发明公开

KR1020130094747A 전자빔 묘화 장치 및 전자빔 묘화 방법 有权
标题翻译：电子束写入装置和电子束写入方法
公开(公告)号：KR1020130094747A
公开(公告)日：2013-08-26
申请号：KR1020130015714
申请日：2013-02-14
申请人： 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지
发明人： 토우야타카나오 , 나카야마타카히토
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20
CPC分类号： G21K5/08 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/09 , H01J37/12 , H01J37/3174 , H01L21/0274 , G03F1/78 , H01J3/02 , H01J37/305
摘要： PURPOSE: An electron beam writing device and an electron beam writing method reduce the drift of an electron beam due to reflected electrons or secondary electrons by applying a positive voltage to an electrostatic lens. CONSTITUTION: A sample (216) is placed on an XY stage (105). An electron body tube (102) includes an electron gun (201) and a lens. The lens includes an electrode aligned in an axial direction of an electron beam (200). A shielding plate (211) is placed between the XY stage and the electron body tube, and reduces reflected electrons or secondary electrons which are generated by irradiating the electron beam to the sample. An electrostatic lens (210) is placed immediately above the shielding plate and changes a focal position of the electron beam. A voltage supply unit (135) applies a positive voltage constantly to the electrostatic lens. [Reference numerals] (110) Control calculator; (112) Writing data processing unit; (120) Deflection control circuit; (121) Deflection amount calculator; (124) Deflection signal generating unit; (130,131,132,133) DAC amplifier unit; (135) Voltage supply means; (143) Detector; (145) Laser length measurement unit
摘要翻译：目的：电子束写入装置和电子束写入方法通过向静电透镜施加正电压来减少由反射电子或二次电子引起的电子束漂移。构成：样品（216）放置在XY台（105）上。电子体管（102）包括电子枪（201）和透镜。透镜包括沿电子束（200）的轴向排列的电极。屏蔽板（211）被放置在XY平台和电子体管之间，并且减少通过向样品照射电子束而产生的反射电子或二次电子。静电透镜（210）被放置在屏蔽板的正上方并改变电子束的焦点位置。电压供给单元（135）将恒定的正电压施加到静电透镜。（附图标记）（110）控制计算器; （112）写入数据处理单元; （120）偏转控制电路; （121）变形量计算器; （124）偏转信号发生单元; （130,131,132,133）DAC放大器单元; （135）供电装置; （143）检测器; （145）激光长度测量单元

8. 发明公开

KR1020130094744A 전자빔 묘화 장치 및 전자빔 묘화 방법 有权
标题翻译：电子束写入装置和电子束写入方法
公开(公告)号：KR1020130094744A
公开(公告)日：2013-08-26
申请号：KR1020130015156
申请日：2013-02-13
申请人： 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지
发明人： 토우야타카나오 , 나카야마타카히토
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20
CPC分类号： H01J37/3007 , H01J37/09 , H01J2237/12 , H01J2237/31776 , H01L21/0274 , G03F1/76 , H01J37/305 , H01J37/317
摘要： PURPOSE: An electron beam writing device and an electron beam writing method reduce the drift of an electron beam due to reflected electrons or secondary electrons by applying a negative voltage to an electrostatic lens. CONSTITUTION: A sample (216) is placed on an XY stage (105). An electron lens including an electrode aligned in an axial direction of an electron beam is placed on an electron body tube (102). A shielding plate (211) is placed between the XY stage and the electron body tube, and reduces reflected electrons or secondary electrons which are generated by irradiating the electron beam to the sample. An electrostatic lens (210) is placed immediately above the shielding plate and changes a focal position of the electron beam. A voltage supply unit (135) applies a negative voltage constantly to the electrostatic lens. [Reference numerals] (110) Control calculator; (112) Writing data processing unit; (120) Deflection control circuit; (121) Deflection amount calculation unit; (124) Deflection signal generating unit; (130,131,132,133) DAC amplifier unit; (135) Voltage supply means; (143) Detector; (145) Laser length measurement unit
摘要翻译：目的：电子束写入装置和电子束写入方法通过向静电透镜施加负电压来减少由反射电子或二次电子引起的电子束漂移。构成：样品（216）放置在XY台（105）上。将包括在电子束的轴向排列的电极的电子透镜放置在电子体管（102）上。屏蔽板（211）被放置在XY平台和电子体管之间，并且减少通过向样品照射电子束而产生的反射电子或二次电子。静电透镜（210）被放置在屏蔽板的正上方并改变电子束的焦点位置。电压供给单元（135）将恒定的负电压施加到静电透镜。（附图标记）（110）控制计算器; （112）写入数据处理单元; （120）偏转控制电路; （121）变形量计算单元; （124）偏转信号发生单元; （130,131,132,133）DAC放大器单元; （135）供电装置; （143）检测器; （145）激光长度测量单元

9. 发明授权

KR101236563B1 하전된 빔 덤프 및 입자 어트랙터 有权
标题翻译：充电梁和颗粒吸引器
公开(公告)号：KR101236563B1
公开(公告)日：2013-02-22
申请号：KR1020077030938
申请日：2006-06-02
申请人： 액셀리스 테크놀로지스, 인크.
发明人： 반더포트존 , 후앙용장
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/08 , H01J37/304
CPC分类号： H01J37/244 , H01J37/045 , H01J37/09 , H01J37/302 , H01J37/3171 , H01J2237/022 , H01J2237/026 , H01J2237/028 , H01J2237/30433 , H01J2237/31705
摘要： 이온 주입 동안 오염을 완화시키는 시스템, 방법 및 장치가 제공된다. 이온 소스, 최종 스테이션, 및 상기 이온 소스와 최종 스테이션 사이에 배치된 질량 분석기가 제공되며, 여기서 이온 빔은 이온 소스로부터 형성되고 질량 분석기를 통하여 최종 스테이션으로 이동한다. 집진기, 입자 어트랙터, 및 차폐물을 포함하는 이온 빔 덤프 어셈블리는 질량 분석기와 관련되며, 상기 입자 어트랙터의 전위는 오염 입자를 끌어당겨서 집진기 내에서 제한하도록 동작 가능하며, 상기 차폐물은 질량 분석기 내의 이온 빔의 전위로부터 입자 어트랙터의 전위를 차폐하도록 동작 가능하다.
이온 주입 시스템, 이온 소스, 최종 스테이션, 집진기, 입자 어트랙터.

10. 发明授权

KR101190114B1 이온 빔 조사 시스템 有权
标题翻译：离子束照射系统
公开(公告)号：KR101190114B1
公开(公告)日：2012-10-11
申请号：KR1020050099007
申请日：2005-10-20
申请人： 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤
发明人： 가바사와미츠아키 , 츠키하라미츠쿠니 , 소가베히로시
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J27/024 , H01J37/023 , H01J37/05 , H01J37/09 , H01J37/1474 , H01J37/1478 , H01J37/15 , H01J37/3007 , H01J2237/0213 , H01J2237/022 , H01J2237/0458 , H01J2237/047 , H01J2237/0492 , H01J2237/061 , H01J2237/0835 , H01J2237/1536 , H01J2237/24405 , H01J2237/24507 , H01J2237/30477 , H01J2237/31705
摘要： 조사(照射) 시스템은, 빔 생성 소스, 질량 분석 장치, 빔 변환기, 빔을 왕복 스윙하는 스캐닝용 편향기, 빔 평행화 장치, 가속/감속 장치, 및 에너지 필터링 장치로 구성된다. 본 발명에 의하면, 전계 및 자계 양자를 생성하여 궤도를 밴딩하는 하이브리드 각도 에너지 필터가, 에너지 필터링 장치로서 제공된다. 조사용 이온 종에 따라서 서로 스위칭 가능한, 각각 복수의 에너지 슬릿을 가지는, 한쌍의 다면 에너지 슬릿 유닛이, 하이브리드 각도 에너지 필터의 하류측에 더욱 구비된다.
중성 파티클, 다른 종류의 도펀트, 다른 에너지의 이온, 금속, 및 먼지 파티클과 같은 컨테머네이션이, 양적으로 극히 적은 조건 하에서, 저에너지에서 고에너지까지의 고전류 빔을, 대상 웨이퍼에 선택적으로 조사하는 것이 가능하다.
이온 빔, 조사, 정밀도, 향상, 각도, 크기, 보정, 주입, 웨이퍼

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