专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

KR101500963B1 이온빔 조사 장치 有权
标题翻译：离子束辐射装置
公开(公告)号：KR101500963B1
公开(公告)日：2015-03-10
申请号：KR1020130126644
申请日：2013-10-23
申请人： 닛신 이온기기 가부시기가이샤
发明人： 히사다신야 , 타나카코헤이 , 타무라시게히사 , 나카야마코토
IPC分类号： H01J37/317
CPC分类号： C23C14/48 , C23C14/50 , H01J37/20 , H01J37/3171 , H01J2237/022 , H01J2237/1825 , H01J2237/20228 , H01J2237/31705
摘要： 웨이퍼 처리실에서 파티클이 발생하는 것을 방지할 뿐만 아니라 웨이퍼 처리실에 파티클이 확산되는 것을 방지하고, 웨이퍼 처리실 내의 웨이퍼에 파티클이 부착되는 것을 방지한다.
웨이퍼(W)를 지지하는 웨이퍼 지지기구(2)를 수용하고, 웨이퍼 지지기구(2)에 지지된 웨이퍼(W)에 이온빔을 조사하기 위한 웨이퍼 처리실(20)과, 웨이퍼 처리실(20)의 아래쪽에 마련되어 웨이퍼 지지기구(2)를 대략 수평방향으로 이동시키기 위한 반송기구(3)를 수용하는 반송기구 수용실(30)을 구비하고, 웨이퍼 처리실(20)과 반송기구 수용실(30) 사이를 구분하는 칸막이벽(4)에 웨이퍼 지지기구(2) 및 반송기구(3)를 연결하는 연결 부재(5)를 웨이퍼 지지기구(2)와 함께 이동시키기 위한 개구(4a)가 반송기구(3)의 이동방향을 따라 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.

2. 发明授权

KR101018555B1 이온 빔 안내관 有权
标题翻译：离子束导管
公开(公告)号：KR101018555B1
公开(公告)日：2011-03-03
申请号：KR1020080099719
申请日：2008-10-10
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 라이딩,제프리 , 알콧,그레고리로버트 , 스프래곤,리 , 미첼,로버트 , 힐켄,마틴 , 캐슬,매튜 , 파레이,마빈
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01J37/16 , H01J37/026 , H01J37/3171 , H01J2237/004 , H01J2237/0213 , H01J2237/022 , H01J2237/31705
摘要： 본원발명은 이온 주입장치, 특히 주입처리 실행되고 있는 반도체 웨이퍼에 인접한 주입장치에 위치하는 이온 주입장치의 이온 빔에 대한 안내관에 관한 것이다. 이러한 안내관은 주로 주입과정 동안에 웨이퍼 중성화에 사용되는 대전 입자를 제한하기 위해 제공된다. 바람직하게, 상기 안내관은 바깥쪽으로 테이퍼되는 중심 구멍을 가지며, 이로써 이온 빔이 상기 안내관을 통과하는 동안의 빔 가격 문제를 경감시키게 된다.
이온 주입장치, 이온 빔, 빔 가격

3. 发明公开

KR1020080082614A 기체의 도입을 통한 이온 주입 공정 중에 오염을 완화하여표면 특성을 수정하는 시스템 및 방법 有权
标题翻译：通过引入气体在离子植入过程中减轻污染和修饰表面特性的系统和方法
公开(公告)号：KR1020080082614A
公开(公告)日：2008-09-11
申请号：KR1020087012922
申请日：2006-11-10
申请人： 액셀리스 테크놀로지스, 인크.
发明人： 리스로널드 , 콘드라텐코서구엘 , 라그룸주 , 웨인라이트루이스 , 카이개리
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/265 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J2237/006 , H01J2237/022 , H01J2237/31705 , H01L21/26513
摘要： A contamination mitigation or surface modification system for ion implantation processes includes a gas source, a controller, a valve, and a process chamber. The gas source provides delivery of a gas, be it atmospheric or reactive, to the valve and is controlled by the controller. The valve is located on or about the process chamber and controllably adjusts flow rate and/or composition of the gas to the process chamber. The process chamber holds a target device, such as a target wafer and permits interaction of the gas with an ion beam to mitigate contamination of the target wafer and/or to modify the existing properties of the processing environment or target device to change a physical or chemical state or characteristic thereof. The controller selects and adjusts composition of the gas and flow rate according to contaminants present within the ion beam, or lack thereof, as well total or partial pressure analysis.
摘要翻译：用于离子注入工艺的污染减轻或表面改性系统包括气源，控制器，阀和处理室。气体源提供气体（无论是大气还是反应性）到阀门的输送，并由控制器控制。阀位于处理室上或周围，并且可控地调节气体与处理室的气体和/或组成。处理室保持诸如目标晶片的目标装置，并且允许气体与离子束的相互作用以减轻目标晶片的污染和/或修改处理环境或目标装置的现有属性以改变物理或化学状态或其特性。控制器根据存在于离子束内的污染物或其缺乏以及全部或分压分析来选择和调整气体和流速的组成。

4. 发明授权

KR100855134B1 이온 빔내로 끌려오는 입자들을 제거하기 위한 장치 및 방법 有权
标题翻译：用于去除在离子束中进入的颗粒的系统和方法
公开(公告)号：KR100855134B1
公开(公告)日：2008-08-28
申请号：KR1020037003083
申请日：2001-08-21
申请人： 액셀리스 테크놀로지스, 인크.
发明人： 해링턴에릭리안 , 벤베니스트빅터머리스 , 그라프마이클앤소니 , 래쓰멜로버트데이
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01J3/40 , H01J37/026 , H01J37/3002 , H01J37/3171 , H01J2237/004 , H01J2237/022 , H01J2237/31705
摘要： 오염입자들이 이온빔과함께 운반되는 것을 저지하기 위한 장치는 이온빔 (16)의 이동경로(20)에 대해 전기장(28)을 발생시키는 전기장 발생기(12,14)를 포함한다. 이온빔(16)과 전기장(28)영역내에 위치하는 입자(66)는 이온빔(16)과 일치하는 극성으로 하전되는데, 이 전기장(28)에 의하여 하전된 입자(66)가 이온빔(16)밖으로 밀려날 수 있다.
이온 주입기, 웨이퍼, 이온 소스, 분석자석, 플라즈마, 오염입자

5. 发明公开

KR1020080075507A 이온 주입 장치의 빔 라인 내부 부재용 흑연 부재 有权
标题翻译：用于离子植入装置的光束内部成员的石墨成员
公开(公告)号：KR1020080075507A
公开(公告)日：2008-08-18
申请号：KR1020087012686
申请日：2006-10-12
申请人： 토요 탄소 가부시키가이샤
发明人： 사이토기요시 , 요코야마후미아키 , 스즈키히토시 , 안도아츠코 , 도조데츠로 , 시노하라세이지
IPC分类号： H01J37/317 , C01B31/04 , C04B35/52
CPC分类号： H01J37/3171 , C04B35/522 , C04B35/532 , C04B2235/5436 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , H01J37/16 , H01J2237/0213 , H01J2237/022 , H01J2237/31705
摘要： A graphite member for beam-line internal member of ion implantation apparatus of large current low energy type that is capable of strikingly reducing the amount of particles mingled in wafer surface. There is provided a graphite member for beam-line internal member of ion implantation apparatus, which exhibits a bulk density of 1.80 Mg/m^3 or higher and an electrical resistivity of 9.5muOmega.m or below. Preferably, in the Raman spectrum of natural fracture surface of the graphite member, the R value obtained by dividing the D band intensity at 1370 cm^-1 by the G band intensity at 1570 cm^-1 is 0.20 or below.
摘要翻译：一种用于大电流低能型离子注入装置的束线内部构件的石墨构件，其能够显着地减少在晶片表面中混合的颗粒的量。提供了离子注入装置的束线内部构件的石墨构件，其堆积密度为1.80Mg / m 3或更高，电阻率为9.5mOmega.m以下。优选地，在石墨构件的天然断裂面的拉曼光谱中，通过将1370cm -1处的D带强度除以1570cm -1处的G带强度而获得的R值为0.20以下。

6. 发明公开

KR1020080016900A 하전된 빔 덤프 및 입자 어트랙터 有权
标题翻译：充电梁和颗粒吸引器
公开(公告)号：KR1020080016900A
公开(公告)日：2008-02-22
申请号：KR1020077030938
申请日：2006-06-02
申请人： 액셀리스 테크놀로지스, 인크.
发明人： 반더포트존 , 후앙용장
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/08 , H01J37/304
CPC分类号： H01J37/244 , H01J37/045 , H01J37/09 , H01J37/302 , H01J37/3171 , H01J2237/022 , H01J2237/026 , H01J2237/028 , H01J2237/30433 , H01J2237/31705
摘要： A system, method, and apparatus for mitigating contamination during ion implantation are provided. An ion source (112), end station (117), and mass analyzer (106) positioned between the ion source and the end station are provided, wherein an ion beam (110) is formed from the ion source and travels through the mass analyzer to the end station. An ion beam dump assembly comprising a particle collector, particle attractor, and shield are associated with the mass analyzer, wherein an electrical potential of the particle attractor is operable to attract and constrain contamination particles within the particle collector, and wherein the shield is operable to shield the electrical potential of the particle attractor from an electrical potential of an ion beam within the mass analyzer.
摘要翻译：提供了一种用于减少离子注入期间污染的系统，方法和装置。提供了一种位于离子源和终端之间的离子源（112），端站（117）和质量分析器（106），其中离子束（110）由离子源形成并且通过质量分析器到终点站。包括粒子收集器，颗粒吸引子和屏蔽的离子束转储组件与质量分析器相关联，其中，所述粒子吸引子的电位可操作以吸引和约束所述颗粒收集器内的污染颗粒，并且其中所述屏蔽件可操作为屏蔽质子分析仪内离子束电位的吸引子的电位。

7. 发明公开

KR20180036986A 높은 처리량을 갖는 저온의 이온 주입 시스템 및 이온 주입 방법 审中-公开
标题翻译：低温离子注入系统和高通量离子注入方法
公开(公告)号：KR20180036986A
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：KR20187004672
申请日：2016-07-22
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/18 , H01J37/20 , H01L21/265 , H01L21/67 , H01L21/683
CPC分类号： H01J37/20 , H01J37/185 , H01J37/3171 , H01J2237/184 , H01J2237/2001 , H01J2237/31705 , H01L21/26593 , H01L21/67109 , H01L21/67213 , H01L21/6831
摘要： 이온주입시스템은프로세스환경을갖는프로세스챔버, 및프로세스챔버내의척에의해지지되는작업물내로이온을주입하도록형성된이온주입장치를갖는다. 로드락 챔버는프로세스(진공) 공간을대기환경으로부터격리시키고, 로드락 작업물지지대는그 내부의작업물을지지한다. 격리챔버는내부에사전냉각환경이정의된프로세스챔버에결합된다. 격리게이트밸브는사전냉각환경을프로세스환경으로부터선택적으로격리시키는데, 격리챔버는작업물을지지하고냉각하기위한사전냉각작업물지지대를포함한다. 격리게이트밸브는작업물이격리챔버를출입하는유일한통로이다. 압축가스는작업물의신속한냉각을위해, 프로세스압력보다큰 사전냉각압력으로사전냉각환경을선택적으로가압한다. 작업물이송암은로드락 챔버, 격리챔버및 척사이에서작업물을이송한다. 제어기는격리게이트밸브, 사전냉각작업물지지대및 압축가스소스의제어를통해사전냉각압력에서사전냉각온도로격리챔버내의작업물을선택적으로냉각한다.
摘要翻译：离子注入系统具有配置成将离子注入工件的离子注入装置通过在处理室中的卡盘和具有处理环境中的处理室的支持。负载锁定室将过程（真空）空间与大气环境隔离开来，负载锁定工作支撑件支撑其内部的工作。隔离室连接到处理室，在该处理室中定义了预冷环境。分离的闸阀，以选择性分离，分离的腔室包括预冷却用于支撑和冷却工件到预冷却从处理环境中的环境的工件支撑。隔离闸阀是工件离开隔离室的唯一通道。加压气体选择性地对预冷环境加压，预冷压力大于工艺压力，以便快速冷却工件。工件在加载锁定室，隔离室和卡盘之间转移工件。所述控制器选择性冷却在通过隔离闸阀的控制在预冷却温度下从预冷却的压力隔离的腔室中的工件，预冷却的工件支撑，并且压缩气体源。

8. 发明公开

KR1020160101067A 이온 주입 시스템을 위한 미량 금속들 오염을 저감시킨 이온 소스 审中-实审
标题翻译：减少跟踪金属污染离子源的离子植入系统
公开(公告)号：KR1020160101067A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：KR1020167019225
申请日：2014-12-19
申请人： 액셀리스 테크놀러지스, 인크.
发明人： 셰이,체-젠 , 콜빈,네일
IPC分类号： H01J37/08 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/0213 , H01J2237/0268 , H01J2237/082 , H01J2237/31705
摘要： 이온주입시스템을위한이온소스챔버(120)는, 이온화영역을적어도부분적으로한정하는하우징으로서, 이러한이온화영역을통해고에너지전자들이캐소드(124)로부터이동하여하우징의내부내로분사된가스분자들을이온화하는, 하우징; 하우징내부의하나또는그 초과의내부벽들을규정하는라이너섹션(133, 135, 137, 139)으로서, 각라이너섹션은이온주입시스템의작동동안에이온화영역에노출된내부로향하는표면을포함하는, 라이너섹션; 캐소드주위에배치된캐소드실드(153); 캐소드로부터이격된리펠러(180); 이온소스챔버로부터이온들을방출하기위한소스구멍(126)을포함하는플레이트(128)를포함하며, 리펠러, 라이너섹션, 캐소드실드; 플레이트, 또는소스구멍을규정하는플레이트내의인서트중 적어도하나는탄화규소를포함하고, 이탄화규소는과잉탄소를갖는화학식 SiC의비화학양론적소결재료이다.

9. 发明授权

KR101306541B1 빔 정지 및 빔 조정 방법 有权
标题翻译：梁停止和光束调谐方法
公开(公告)号：KR101306541B1
公开(公告)日：2013-09-17
申请号：KR1020077030940
申请日：2006-06-02
申请人： 액셀리스 테크놀로지스, 인크.
发明人： 반더포트존 , 후앙용장
IPC分类号： H01J37/244 , H01J37/317 , H01J37/08 , H01J37/36
CPC分类号： H01J37/244 , H01J37/045 , H01J37/09 , H01J37/302 , H01J37/3171 , H01J2237/022 , H01J2237/026 , H01J2237/028 , H01J2237/30433 , H01J2237/31705
摘要： 이온 주입과 관련된 오염을 완화하는 시스템, 방법, 및 장치가 제공된다. 이온 소스, 최종 스테이션, 및 상기 이온 소스와 최종 스테이션 사이에 배치된 질량 분석기가 제공되며, 여기서 이온 빔은 소스로부터 형성되고, 빔 정지 어셈블리의 위치에 기초하여, 질량 분석기를 통하여 최종 스테이션으로 선택적으로 이동한다. 빔 정지 어셈블리는 선택적으로 이온 빔이 질량 분석기에 진입하고/진입하거나 상기 질량 분석기를 빠져나가지 못하도록 하여, 이온 주입 시스템의 기동과 같은 전이 기간 동안 불안정한 이온 소스와 관련된 오염을 최소화한다.
이온 주입, 이온 소스, 최종 스테이션, 질량 분석기, 이온 빔.

10. 发明授权

KR101194203B1 이온 주입 장치의 빔 라인 내부 부재용 흑연 부재 有权
标题翻译：用于离子植入装置的光束内部成员的石墨成员
公开(公告)号：KR101194203B1
公开(公告)日：2012-10-29
申请号：KR1020087012686
申请日：2006-10-12
申请人： 토요 탄소 가부시키가이샤
发明人： 사이토기요시 , 요코야마후미아키 , 스즈키히토시 , 안도아츠코 , 도조데츠로 , 시노하라세이지
IPC分类号： H01J37/317 , C01B31/04 , C04B35/52
CPC分类号： H01J37/3171 , C04B35/522 , C04B35/532 , C04B2235/5436 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , H01J37/16 , H01J2237/0213 , H01J2237/022 , H01J2237/31705
摘要： 본 발명은 웨이퍼 표면에서 혼합된 입자량을 현저하게 감소시킬 수 있는 고전류 저에너지형의 이온 주입 장치의 빔 라인 내부 부재용 흑연 부재를 제공한다. 1.80 Mg/m
3 이상의 벌크 밀도 및 9.5 μΩ?m 이하의 전기 저항률을 나타내는, 이온 주입 장치의 빔 라인 내부 부재용 흑연 부재가 제공된다. 바람직하게는, 흑연 부재의 자연 파단면의 라만 스텍트럼에서, R 값은 1370 cm
－
1 의 D 밴드 강도를 1570 cm
－
1 의 G 밴드 강도로나눔으로써 얻어진다.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式