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1. 发明授权

KR101456311B1 열전대 회로 및 그 형성 방법 및 그 형성 시스템 有权
标题翻译：热电偶电路及其形成方法及系统
公开(公告)号：KR101456311B1
公开(公告)日：2014-11-03
申请号：KR1020097015231
申请日：2007-11-07
申请人： 코닝 인코포레이티드
发明人： 아델스베르그,리,엠. , 드로스다크,존,엠. , 그르제식,파울,알. , 크눗슨,터디,에이. , 리네만,다비드,엠. , 레이만,케빈,비.
IPC分类号： G01K7/02 , G01N25/00
CPC分类号： G01K7/021 , G01K7/04
摘要： 감소된 수준의 열전대 이동을 나타내는 열전대 회로가 개시되어 있다. 상기 열전대는 일반적으로 제 1 및 제 2 열전 물질로부터 각각 형성된 제 1 및 제 2 열전 소자를 포함한다. 상기 제 1 및 제 2 열전 소자는 각각 제 1 및 제 2 탭 소자 중간체를 통해 전기적 전도성 기판과 연결된다. 제 1 및 제2 탭 소자는 바람직하게는 상기 각각의 제 1 및 제 2 열전 물질로부터 형성되고, 제 1 및 제 2 탭 소자가 서로서로 물리적으로 연결되지 않도록 공간적으로 이격적 배열된 상태로 기판과 연결된다. 또한 개시된 열전대 회로를 제조 및 사용하기 위한 시스템 및 방법이 개시되어 있다.
열전대 회로, 근단, 원단, 연결, 열전 소자, 탭 소자, 열전 물질

2. 发明授权

KR101443196B1 온도 검출 장치, 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 有权
标题翻译：温度检测装置，基板加工装置及制造半导体装置的方法
公开(公告)号：KR101443196B1
公开(公告)日：2014-09-19
申请号：KR1020120070036
申请日：2012-06-28
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 코스기테츠야 , 우에노마사아키 , 야마구치히데토
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/205 , H01L21/22
CPC分类号： H01L22/10 , C23C16/0209 , G01K1/12 , G01K7/026 , G01K7/04 , G01K13/02 , G01K2013/024 , H01L21/67248 , H01L22/30 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 경시 변화에 의해 열전대 소선이 단선하거나, 열전대 접합부의 위치 어긋남을 억제할 수 있는 온도 검출 장치를 제공한다.
연직(鉛直) 방향으로 연장[延在]하여 설치되고, 연직 방향의 관통공을 포함하는 절연관; 상단에 열전대 접합부를 포함하는 열전대 소선으로서, 상기 절연관의 상기 관통공에 삽입 및 통과[揷通]되고, 상기 절연관의 하단(下端)으로부터 나온 연직 방향의 부분이 수평 방향으로 방향을 바꾸는 열전대 소선(素線); 및 상기 절연관의 하방에 설치된 공간으로서, 상기 절연관의 하단으로부터 나온 상기 열전대 소선의 열팽창이 구속되는 것을 억제하는 버퍼 영역;을 포함하고, 상기 절연관의 상단면과 상기 열전대 접합부 사이의 상기 열전대 소선에 상기 절연관의 상단면에 지지되는 피(被)지지부를 설치한 온도 처리 장치로서, 상기 절연관의 하단을 지지하는 절연관 스토퍼;를 더 포함하고, 상기 절연관 스토퍼에 설치된 연직 방향의 관통공에 상기 열전대 소선을 통과시키도록 온도 검출 장치를 구성한다.

3. 发明公开

KR1020080002761A 온도 예측 시스템 및 방법 无效
标题翻译：温度预测系统及方法
公开(公告)号：KR1020080002761A
公开(公告)日：2008-01-04
申请号：KR1020077020858
申请日：2006-03-24
申请人： 케어퓨전 303, 인크.
发明人： 버터필드,로버트,디.
IPC分类号： G01K7/42
CPC分类号： G01K7/42 , G01K7/04 , G01K1/02 , G01K7/22 , G01K13/002 , G01K2219/00
摘要： A thermometer system and method that rapidly predict body temperature based on the temperature signals received from a temperature sensing probe when it comes into contact with the body. A nonlinear, multi-parameter curve fitting process is performed and depending on the errors in the curve fit, parameters are changed or a prediction of the temperature is made. Criteria exist for the differences between the curve fit and the temperature data. The processor switches to a Continuous Monitor State if the curve fit over a limited number of time frames is unacceptable. Determining the start time on which the measurement time frame for prediction is based is performed by tissue contact threshold coupled with a prediction time delay.
摘要翻译：一种温度计系统和方法，其基于当与身体接触时从温度感测探头接收的温度信号来快速预测体温。执行非线性，多参数曲线拟合过程，并且根据曲线拟合中的误差，改变参数或者进行温度预测。曲线拟合和温度数据之间存在差异的标准。如果曲线拟合在有限数量的时间范围内，则处理器切换到连续监视状态是不可接受的。确定用于预测的测量时间帧所基于的开始时间通过与预测时间延迟相结合的组织接触阈值来执行。

4. 发明授权

KR100373956B1 열전대열 형태의 열전기 센서 失效
标题翻译： 열전대열형태의열전기센서
公开(公告)号：KR100373956B1
公开(公告)日：2003-02-26
申请号：KR1020000068921
申请日：2000-11-20
申请人： 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
发明人： 노무라다다시 , 요시노유키오
IPC分类号： G01K7/02
CPC分类号： G01J5/14 , G01J5/12 , G01K7/04 , H01L35/00 , H01L35/32 , H01L35/325
摘要： 감응 조정용(sensitivity adjustment) 열전기 패턴(thermoelectric pattern)이 열전대열(thermopile)을 구성하는 복수의 열전기 패턴에 대하여 직렬로 접속하고, 감응 조정을 위하여 열전기 패턴의 냉 접점(cold junction)을 단락시키기 위한 패턴이 형성되고, 상기 단락회로 패턴은 선택적으로 잘려지도록 하는 방식으로 열전대열 형태(thermopile-type)의 열전기 센서(thermoelectric sensor)의 출력을 조정하는 것이 가능하다.
摘要翻译：可以调整热电堆型热电传感器的输出，使得用于灵敏度调整的热电模式与构成热电堆短路模式的多个热电模式串联连接，以便短路形成用于灵敏度调整的热电模式，并且选择性地切断短路模式。

5. 发明公开

KR1020010031714A 수명이 긴 고온 공정 챔버 无效
标题翻译：高温处理室，使用寿命长
公开(公告)号：KR1020010031714A
公开(公告)日：2001-04-16
申请号：KR1020007004777
申请日：1998-11-02
申请人： 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드
发明人： 웬거트,존,에프. , 라아이즈마커스,아이보 , 할핀,마이크 , 야콥스,로렌 , 메이어,마이클,제이. , 반빌센,프랭크 , 굿맨,매트 , 바렛,에릭 , 우드,에릭 , 사무엘스,블레이크
IPC分类号： C23C16/44
CPC分类号： H01L21/67115 , C23C16/4401 , C23C16/481 , G01K1/12 , G01K7/04 , C23C16/45591 , C23C16/4585 , C23C16/482 , H01L21/68785
摘要： 챔버를상부구역과하부구역으로분할하는, 중앙에위치한서셉터(20)에인접하고온도조절링(22)을둘러싼전방및 후방챔버분할판(16, 18)을갖는전체적으로수평방향의석영 CVD 챔버(10)가개시된다. 이에의해 CVD 공정부품의수명및 이와관련된처리능력이개선된다. 미사용반응가스의일부를끌어들이기위한게터플레이트(30)는상기분할판과상기챔버상부벽과전체적으로평행하게연장하고양자사이에서이격위치한서셉터의하류에위치한다. 이게터플레이트는또 챔버벽상의증착을최소화하여세척단계의효율을개선시킨다. 재복사열 흡수기도챔버의측벽근처에위치하여더 차가운챔버벽 영역을가열시킨다. 게터플레이트와재복사열 흡수기와더불어서셉터와서라운드링은모두화학증착된고체 SiC로만들어져챔버의수명을개선한다. 또한, 상기서셉터에인접한열전쌍(34)에 SiC 덮개가마련되어열전쌍이석영덮개보다더 많은공정의주기를견딜수 있게해준다. SiC 덮개는챔버전체에있는석영부품에제공되어석영의투명성상실을막아줄수도있다. 정지시간을줄여주고공정사이클의세척단계의시간을줄여주므로처리능력이개선된다.

6. 发明公开

KR20180005179A 양방향 열 전기 냉각기를 포함하는 POP(PACKAGE-ON-PACKAGE) 디바이스 审中-公开
标题翻译：具有双向加热电冷却器的包装（POP）装置
公开(公告)号：KR20180005179A
公开(公告)日：2018-01-15
申请号：KR20177032567
申请日：2016-05-10
IPC分类号： H01L23/34 , H01L23/498 , H01L25/065 , H01L25/10
CPC分类号： G06F1/206 , G01K7/04 , G05D23/1906 , H01L23/34 , H01L23/3677 , H01L23/38 , H01L23/49811 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2225/1094 , H01L2924/15174 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： PoP(package-on-package) 디바이스는제1 패키지, 제2 패키지, 및양방향 TEC(thermal electric cooler)를포함한다. 제1 패키지는제1 기판, 및제1 기판에커플링된제1 다이를포함한다. 제2 패키지는제1 패키지에커플링된다. 제2 패키지는제2 기판, 및제2 기판에커플링된제2 다이를포함한다. TEC는제1 다이와제2 기판사이에위치된다. TEC는제1 패키지와제2 패키지사이에서앞뒤로동적으로열을발산하도록적응된다. TEC는제1 시간기간에제1 다이로부터제2 다이로열을발산하도록적응된다. TEC는제2 시간기간에제2 다이로부터제1 다이로열을발산하도록추가로적응된다. TEC는제2 기판을통해제1 다이로부터제2 다이로열을발산하도록적응된다.
摘要翻译：层叠封装（PoP）器件包括第一封装，第二封装和双向热电冷却器（TEC）。第一封装包括第一衬底和耦合到第一衬底的第一管芯。第二包装被连接到第一包装。第二封装包括第二衬底和耦合到第二衬底的第二管芯。 TEC位于第一管芯和第二基板之间。 TEC适用于在第一包装和第二包装之间动态地来回散热。 TEC适于在第一小时期间从第一模具辐射第二模具。 TEC还适于在第二时间段期间从第二管芯辐射第一管芯。 TEC适于从第一管芯通过第二衬底辐射第二管芯。

7. 发明授权

KR101503570B1 열처리 장치 및 열처리 장치의 온도 측정 방법 有权
标题翻译：热处理装置及其温度测量方法
公开(公告)号：KR101503570B1
公开(公告)日：2015-03-17
申请号：KR1020120016426
申请日：2012-02-17
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 간노소이찌
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L21/67248 , F27D19/00 , F27D21/0014 , F27D21/04 , G01K1/026 , G01K7/04 , G01K7/42 , G01K13/00 , H01L21/67109
摘要： 본 발명의 과제는, 열전대의 설치 비용 저감을 도모하고, 또한 열전대로부터의 신호를 교정할 필요가 없는 열처리 장치를 제공하는 것이다.
기준 영역 A
1 의 노 내 온도 센서(50)는 R 열전대 또는 S 열전대로 이루어지는 제1 열전대(81)와, 그 이외의 열전대로 이루어지는 제2 열전대(82)를 갖고, 다른 영역 A
2 , … A
10 의 노 내 온도 센서(50)는 제2 열전대(82)를 갖는다. 기준 영역 A
1 의 제2 열전대(82)와 다른 영역 A
2 , … A
10 의 제2 열전대(82)는, 기전력차 회로(83)에 접속되고, 이 기전력차 회로(83)에 의해 기준 영역 A
1 과 다른 영역 A
2 , … A
10 사이의 온도차가 구해진다. 기준 영역 A
1 의 제1 열전대(81)에 의해 기준 영역 A
1 의 온도가 구해지고, 이 기준 영역 A
1 의 온도와 기전력차 회로(83)에서 구한 온도차에 의해, 각 다른 영역 A
2 , … A
10 의 온도가 구해진다.

8. 发明公开

KR1020140103238A 온도 검출 장치, 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 有权
标题翻译：温度检测装置，基板加工装置及制造半导体装置的方法
公开(公告)号：KR1020140103238A
公开(公告)日：2014-08-26
申请号：KR1020140088798
申请日：2014-07-15
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 코스기테츠야 , 우에노마사아키 , 야마구치히데토
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/205 , H01L21/22
CPC分类号： H01L22/10 , C23C16/0209 , G01K1/12 , G01K7/026 , G01K7/04 , G01K13/02 , G01K2013/024 , H01L21/67248 , H01L22/30 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： The present invention provides a temperature detecting apparatus capable of preventing a thermocouple bare wire from being cut and a position of a thermocouple junction part from being dislocated due to temporal variation. The temperature detecting apparatus includes: an insulation pipe which is extended in the vertical direction and includes a vertical through hole; a thermocouple bare wire which includes a thermocouple junction part installed on the top end thereof, is inserted and passes through the through hole of the insulation pipe, and changes a direction of a vertical part protruding from the bottom end of the insulation pipe into the horizontal direction; and a buffer region which is a space formed at the lower side of the insulation pipe to suppress the restraint of the thermal expansion of the thermocouple bare wire protruding from the bottom end of the insulation pipe. The temperature detecting apparatus includes an insulation pipe stopper, which is a temperature processing device including a supported part supported on the top end of the insulation pipe at the thermocouple bare wire between the top surface of the insulation pipe and the thermocouple junction part and supports the bottom end of the insulation pipe. The thermocouple bare wire passes through the vertical through hole formed at the insulation pipe stopper.
摘要翻译：本发明提供一种温度检测装置，其能够防止热电偶裸线被切断，并且热电偶连接部的位置由于时间变化而不会脱位。温度检测装置包括：绝缘管，其在垂直方向上延伸并包括垂直通孔; 包括安装在其顶端的热电偶连接部的热电偶裸线被插入并穿过绝缘管的通孔，并且将从绝缘管的底端突出的垂直部分的方向改变为水平方向; 以及缓冲区域，其是形成在绝缘管的下侧的空间，以抑制从绝缘管的底端突出的热电偶裸线的热膨胀的限制。温度检测装置包括绝热管塞，该绝热管塞是一个温度处理装置，它包括支撑在绝缘管顶端的绝缘管顶端上的绝缘管顶表面与热电偶连接部分之间的热电偶裸线绝缘管底端。热电偶裸线穿过形成在绝缘管塞上的垂直通孔。

9. 发明公开

KR1020120044895A 횡단 축선을 따라 이격된 2개의 탭을 구비한 써모커플과 그 방법 无效
标题翻译：在横向轴和方法上安装两个平板的隔热板
公开(公告)号：KR1020120044895A
公开(公告)日：2012-05-08
申请号：KR1020110109904
申请日：2011-10-26
申请人： 코닝 인코포레이티드
发明人： 바우드리얼트,다니엘알. , 얼리히,케네쓰피. , 리에,데이비디디.
IPC分类号： G01K7/02 , G01K7/14
CPC分类号： G01K7/04
摘要： PURPOSE: A thermocouple with two tabs spaced along a transverse axis and a method for deciding a temperature of a part of an electrical conductive substrate are provided to accurately decode a temperature by a drift thermocouple when excessive EFF noise is diminished and to diminish changes caused by signal noise. CONSTITUTION: A method for deciding a temperature of a part of an electrical conductive substrate(207) is like next. A thermocouple comprising a first thermoelectric element(303) and second thermoelectric element(307) is provided. The first thermoelectric element is formed from a first thermoelectric material and comprises a first apical portion(303a) and a first distal portion(303b). The second thermoelectric element is formed from a second thermoelectric material and comprises a second apical portion(307a) and a second distal portion(307b). Each apical portion of first and second thermoelectric elements is respectively connected to a part of an electrical conductivity substrate so that a thermocouple circuit is formed. An electric current flows through electrical conductivity substrate so that the electrical conductivity substrate is heated.
摘要翻译：目的：提供一个具有横向轴线间隔开两个突出部分的热电偶以及用于确定导电基底的一部分温度的方法，以便当过度的EFF噪声减小时，通过漂移热电偶精确解码温度，并减少由信号噪声。构成：用于决定导电性基板（207）的一部分的温度的方法如下。提供了包括第一热电元件（303）和第二热电元件（307）的热电偶。第一热电元件由第一热电材料形成，并且包括第一顶部部分（303a）和第一远端部分（303b）。第二热电元件由第二热电材料形成并且包括第二顶部部分（307a）和第二远端部分（307b）。第一和第二热电元件的每个顶端部分分别连接到导电性基板的一部分，从而形成热电偶电路。电流流过导电性基板，使导电性基板被加热。

10. 发明授权

KR100402299B1 기판웨이퍼처리장치및이장치의작동방법 失效
公开(公告)号：KR100402299B1
公开(公告)日：2003-11-14
申请号：KR1019980009155
申请日：1998-03-18
申请人： 지멘스 악티엔게젤샤프트
发明人： 케르쉬,알프레트 , 샤프바우어,토마스
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： H01L21/67248 , G01K7/04
摘要： An apparatus for processing a substrate wafer wherein the apparatus includes a reaction chamber, a wafer holder intended to hold the substrate wafer, and a susceptor. A temperature sensor, preferably a thermocouple with two junctions, is provided for measuring the difference between the temperatures at the site of the susceptor and at a site between the susceptor and the substrate wafer.
摘要翻译：一种用于处理衬底晶片的设备，其中该设备包括反应室，旨在保持衬底晶片的晶片保持器以及基座。提供温度传感器，优选具有两个连接点的热电偶，用于测量基座处和基座晶片之间的温度差。

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