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1. 发明授权

KR100833761B1 다결정 실리콘 막 생산 공정 有权
标题翻译：生产聚硅氧烷膜的方法
公开(公告)号：KR100833761B1
公开(公告)日：2008-05-29
申请号：KR1020020010374
申请日：2002-02-27
申请人： 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼
发明人： 다께다가즈오 , 사이또마사까즈 , 다까사끼유끼오 , 아베히로노부 , 오오꾸라마꼬또 , 기무라요시노부 , 시바다께오
IPC分类号： H01L21/477
CPC分类号： H01L21/02686 , C30B13/00 , C30B29/06 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/2026 , H01L29/6675 , H01L29/78672
摘要： 본 발명은 기판 상에 설정된 실리콘 막을 광 조사함으로써 다결정 실리콘 막을 형성하는 단계와, 샘플의 평면에서의 평균 결정립 크기가 500 ㎚ 이상인 기판 샘플을 선택하는 단계를 포함하는 다결정 실리콘 막 생산 공정을 제공한다. 본 발명에 따르면, 고품질의 폴리-실리콘 TFT 액정 디스플레이를 안정적으로 생산할 수 있게 된다.
기판, 광원, 광 검출기 유닛, 폴리-실리콘 막, a-Si 막,

2. 发明公开

KR1020040004039A 박막 반도체 장치 및 그 제조 방법과 화상 표시 장치 失效
标题翻译：薄膜半导体器件，其制造和图像显示器件
公开(公告)号：KR1020040004039A
公开(公告)日：2004-01-13
申请号：KR1020030012276
申请日：2003-02-27
申请人： 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼
发明人： 박성기 , 야마구찌신야 , 하따노무쯔꼬 , 시바다께오
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L21/02609 , H01L21/02675 , H01L21/02691 , H01L21/2026 , H01L27/1281 , H01L27/1285 , H01L29/045 , H01L29/66772 , H01L29/78654 , H01L29/78696
摘要： PURPOSE: To realize a thin film semiconductor device and an image display device in which a TFT having high performance and reduced in the variety of characteristics of the same is formed on an insulation substrate. CONSTITUTION: The thin film semiconductor device is provided with the insulation substrate and an island region of an isolated mono-crystalline thin film provided on the insulation substrate. The isolated island region of mono-crystalline thin film is formed on the whole surface or a specified region of the insulation substrate utilizing an aggregation phenomenon due to the surface tension of molten semiconductor while the active region of a thin film transistor is formed in the island region.
摘要翻译：目的：为了实现薄膜半导体器件和图像显示器件，其中在绝缘衬底上形成具有高性能且各种特性降低的TFT。构成：薄膜半导体器件设置有绝缘基板和设置在绝缘基板上的隔离单晶薄膜的岛状区域。利用由于熔融半导体的表面张力引起的聚集现象，在绝缘基板的整个表面或特定区域上形成单晶薄膜的隔离岛区域，同时在该岛形成薄膜晶体管的有源区地区。

3. 发明公开

KR1020020050085A 박막 트랜지스터 无效
标题翻译：薄膜晶体管
公开(公告)号：KR1020020050085A
公开(公告)日：2002-06-26
申请号：KR1020010052723
申请日：2001-08-30
申请人： 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼
发明人： 이또가도시히꼬 , 시바다께오 , 오꾸라마꼬또 , 가네꼬도시끼
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L29/66757 , H01L29/78621
摘要： PURPOSE: To provide a thin-film transistor(TFT) of high reliability wherein the problem is dissolved where damage caused by doping is generated in a gate insulating film, when an LDD of a TFT is formed, so that reliability is decreased when the TFT is formed at a low temperature, and to provide an LCD of long life time. CONSTITUTION: When the LDD is formed by ion implantation or ion doping, a concentration profile of impurities in poly-Si is so controlled that a peak exists in a region except a center of depth of poly-Si. Consequently, damage to be generated in a gate oxide film in the vicinity of an interface with poly-Si, by which damage reliability of the TFT is largely controlled can be reduced. When doping is performed to an LDD of a TFT having a structure, wherein a gate electrode is overlapped with the LDD, doping to the LDD is performed independently of doping to a source/drain. By this method, a concentration profile of the LDD can be controlled, so that reduction of interface damage which is owed to the control of the concentration profile can be realized simultaneously.
摘要翻译：目的：提供一种高可靠性的薄膜晶体管（TFT），其中当在栅极绝缘膜中产生由掺杂产生的损伤时，问题被解决，当形成TFT的LDD时，使TFT的TFT可靠性降低形成在低温下，并提供长寿命的LCD。构成：当通过离子注入或离子掺杂形成LDD时，多晶硅中杂质的浓度分布被如此控制，使得在多晶硅深度以外的区域中存在峰。因此，可以降低在与多晶硅的界面附近的栅极氧化膜中产生的损害，由此可以大大地控制TFT的损伤可靠性。当对具有结构的TFT（其中栅电极与LDD重叠）的LDD进行掺杂时，独立于对源极/漏极的掺杂来执行对LDD的掺杂。通过该方法，可以控制LDD的浓度分布，可以同时实现对浓度分布的控制的界面损伤的降低。

4. 发明公开

KR1020080053905A 박막 트랜지스터 장치, 화상 표시 장치 및 그 제조 방법 无效
标题翻译：薄膜晶体管器件，图像显示器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020080053905A
公开(公告)日：2008-06-16
申请号：KR1020070128073
申请日：2007-12-11
申请人： 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼
发明人： 시바다께오 , 안도마사히꼬 , 가와사끼마사히로 , 후지모리,마사아끼
IPC分类号： H01L29/78
CPC分类号： H01L27/286 , G02F1/13454 , G09G3/3225 , G09G2300/0426 , G09G2380/02 , H01L27/283 , H01L27/3274 , H01L27/3276 , H01L51/0545 , H01L2251/5338
摘要： A thin film transistor device, an image display device, and a manufacturing method thereof are provided to reduce a manufacturing cost by reducing the number of processes. A thin film transistor device includes a matrix array part(6) having a plurality of circuit blocks and a peripheral integrated circuit part(4a,4b) formed with a plurality of circuit blocks arranged on the periphery of the matrix array part. A circuit element of the matrix array part is composed of an organic semiconductor TFT device. The peripheral integrated circuitry is formed with at least one of a Si transistor device and a poly Si-TFT device. The circuit element and at least one of the Si transistor device and the poly Si-TFT device are installed on a same substrate(7). An electrode of the organic semiconductor TFT device is connected to an electrode of at least one of the Si transistor device and the poly Si-TFT device by using a wiring layer(5).
摘要翻译：提供薄膜晶体管器件，图像显示器件及其制造方法，通过减少处理次数来降低制造成本。薄膜晶体管器件包括具有多个电路块的矩阵阵列部分（6）和形成有布置在矩阵阵列部分周围的多个电路块的外围集成电路部分（4a，4b）。矩阵阵列部分的电路元件由有机半导体TFT器件组成。外围集成电路由Si晶体管器件和多晶硅TFT器件中的至少一种形成。电路元件和至少一个Si晶体管器件和多晶硅TFT器件安装在同一衬底（7）上。有机半导体TFT器件的电极通过使用布线层（5）连接到Si晶体管器件和多晶硅TFT器件中的至少一个的电极。

5. 发明公开

KR1020030051152A 화상 표시 장치 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：图像显示装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020030051152A
公开(公告)日：2003-06-25
申请号：KR1020020039650
申请日：2002-07-09
申请人： 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼
发明人： 시바다께오 , 하따노무쯔꼬 , 야마구찌신야 , 박성기
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： G02F1/13454 , G02F2202/104 , H01L27/12 , H01L27/1285 , H01L29/04 , H01L29/78621 , H01L29/78675
摘要： PURPOSE: To provide a circuit-containing thin film transistor type image display device having circuits constituted of high performance thin film transistors on a display pixel block and a peripheral circuit block and small circuit special purpose area and to provide a simple method for manufacturing the same. CONSTITUTION: The image display device comprises a display pixel block and peripheral circuit blocks including four corners of the display device on a substrate. The image display device further comprises a circuit made of the thin film transistors in which the longitudinal direction of crystal grains and the current direction of a polycrystalline silicon film anisotropically crystal grown and provided on the entire or partial surface of the display pixel block and the circuit block coincide in such a manner that the directions are aligned in the horizontal or vertical direction in the block, and the blocks in which the horizontal and vertical directions are allowed to be disposed in a mixed state as seen on the same straight line.
摘要翻译：目的：提供一种具有电路的薄膜晶体管型图像显示装置，其具有由显示像素块上的高性能薄膜晶体管构成的电路，外围电路块和小电路专用区域，并提供简单的制造方法。构成：图像显示装置包括显示像素块和包括在基板上的显示装置的四个角的外围电路块。图像显示装置还包括由薄膜晶体管构成的电路，其中晶体的纵向方向和多晶硅膜的各向异性晶体的电流方向生长并提供在显示像素块的整个或部分表面上，并且电路块重合，使得方向在块中的水平或垂直方向上对齐，并且允许水平和垂直方向的块在相同直线上看到的混合状态下排列。

6. 发明公开

KR1020030019050A 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：薄膜晶体管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020030019050A
公开(公告)日：2003-03-06
申请号：KR1020020003086
申请日：2002-01-18
申请人： 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼
发明人： 호리꼬시가즈히꼬 , 오가따기요시 , 다무라다꾸오 , 나까하라미와꼬 , 오꾸라마꼬또 , 오리쯔끼료우지 , 나까노야스시 , 시바다께오
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L29/66757 , H01L29/4908 , H01L29/78603
摘要： PURPOSE: To provide a thin-film transistor having high reliability and good characteristics at a process temperature
摘要翻译：目的：通过使用低价格的非退火玻璃作为基板，在工艺温度<= 500℃下提供具有高可靠性和良好特性的薄膜晶体管。构成：通过使用臭氧氧化掺杂有硼（B）或磷（P）的多晶硅膜的表面，以在多晶硅的表面上形成4-20nm的氧化硅膜。通过这种处理，栅极绝缘层/沟道层的界面结构变得可控，从而可以在无退火玻璃基板上制造具有较小特性变化的薄膜晶体管。

7. 发明公开

KR1020020064620A 박막 반도체 장치 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：薄膜晶体管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020020064620A
公开(公告)日：2002-08-09
申请号：KR1020010009646
申请日：2001-02-26
申请人： 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼
发明人： 야마구찌신야 , 시바다께오 , 하따노무쯔꼬 , 박성기
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L29/78696 , H01L29/66757 , H01L29/78675 , H01L29/78684 , Y10S438/933
摘要： PURPOSE: To provide a technique for materializing a polycrystalline thin film having crystal structure capable of materializing high mobility as regards a positive hole carrier, by suppressing the grain boundary dispersion and lessening the surface irregularity in a cryogenic poly-Si thin film to serve as the element material of a thin film transistor, so as to materialize an image display of high performance and large area at low cost. CONSTITUTION: A thin film transistor device can materialize high mobility TFT by introducing Ge into the polycrystalline Si film, and varying Ge composition ratio between a crystal grain 7 and a crystal grain boundary 8 by the phase separation accompanying the crystallization thereby suppressing the carrier scattering factors at the crystal grain boundary 8, and besides by suppressing the surface irregularity, making use of the volume difference of the crystals.
摘要翻译：目的：提供一种能够实现具有能够实现空穴载流子高迁移率的晶体结构的多晶薄膜的技术，通过抑制晶界分散和减少低温多晶硅薄膜中的表面不规则性，以作为薄膜晶体管的元件材料，从而以低成本实现高性能和大面积的图像显示。构成：薄膜晶体管器件可以通过将Ge引入多晶Si膜中并且通过伴随结晶的相分离改变晶粒7和晶界8之间的Ge组成比来实现高迁移率TFT，从而抑制载流子散射因子在晶界8处，并且通过抑制表面不规则性，利用晶体的体积差。

8. 发明授权

KR100894945B1 화상 표시 장치 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：图像显示装置及其制造方法
公开(公告)号：KR100894945B1
公开(公告)日：2009-04-27
申请号：KR1020020039650
申请日：2002-07-09
申请人： 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼
发明人： 시바다께오 , 하따노무쯔꼬 , 야마구찌신야 , 박성기
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： G02F1/13454 , G02F2202/104 , H01L27/12 , H01L27/1285 , H01L29/04 , H01L29/78621 , H01L29/78675
摘要： 표시 화소 블록과 주변의 회로 블록에, 고성능 박막 트랜지스터로 구성된 회로가 있으며, 그 회로 전유 면적이 적은 회로 내장 박막 트랜지스터 방식의 화상 표시 장치와, 그 간편한 제조 방법을 제공하는 것에 있다. 기판 위에 표시 화소 블록과 표시 장치의 4코너도 포함한 주변의 회로 블록을 갖는 화상 표시 장치로서, 상기 표시 화소 블록 및 회로 블록의 전면 혹은 일부에, 이방적으로 결정 성장한 다결정 실리콘막에서의 결정 입자의 길이 방향과 전류 방향이 일치한 박막 트랜지스터로 이루어지는 회로를 설치하고, 그 방향이 블록 내부에서 수평 방향 또는 수직 방향으로 일치되어 있으며, 해당 수평 방향과 수직 방향으로 일치된 블록이 동일 직선 상에서 볼 때 혼재되는 배치를 허용한다.
화소 TFT, 회로 블록, 결정 성장, 어레이 블록, 배치 방향, 결정 입자

9. 发明授权

KR100839684B1 액정 표시 장치 失效
标题翻译：液晶显示器
公开(公告)号：KR100839684B1
公开(公告)日：2008-06-19
申请号：KR1020060081089
申请日：2006-08-25
申请人： 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼
发明人： 가와사끼마사히로 , 시바다께오 , 이마제끼슈우지 , 안도마사히꼬
IPC分类号： G02F1/1337 , G02F1/136
CPC分类号： G02F1/1368 , G02F1/133723 , G02F1/133784 , G02F2202/02
摘要： 배향막의 형성 시에 발생하는 유기 반도체막의 열화를 방지하여, 고성능의 유기 박막 트랜지스터를 이용한 액정 표시 장치를 염가로 제공한다. 게이트 전극, 게이트 절연막, 소스·드레인 전극, 반도체층으로 구성되는 박막 트랜지스터 및, 배선, 화소 전극의 각 부재를 갖는 박막 트랜지스터 기판과, 이 기판과의 사이에서 액정층을 협지하는 대향 기판을 갖는 액정 표시 장치에서, 반도체층과 액정층 사이에 액정층의 분자 배향을 제어하는 기능을 갖는 배향막을 개재시키지 않는다.
박막 트랜지스터, 포토 리소그래피, 소성, 러빙 처리
摘要翻译：防止在形成取向膜时形成的有机半导体膜劣化，并且以低成本提供使用高性能有机薄膜晶体管的液晶显示装置。的栅电极，一栅绝缘膜，源＆middot;具有漏电极的薄膜晶体管基板，薄膜组成的半导体层的晶体管和布线的，像素电极中的每个成员，并且具有对置基板夹持本身和基片之间的液晶层在液晶显示装置中，具有控制液晶层的分子取向的功能的取向膜不介于半导体层和液晶层之间。

10. 发明公开

KR1020080013747A 표시 장치 无效
标题翻译：显示设备
公开(公告)号：KR1020080013747A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：KR1020070078076
申请日：2007-08-03
申请人： 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼
发明人： 가와사끼마사히로 , 안도마사히꼬 , 시바다께오 , 이마제끼슈지 , 후지모리마사아끼 , 마쯔오까히데유끼
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/136
CPC分类号： G02F1/1368 , G09G3/20 , G09G2300/04 , H01L27/124 , H01L27/1292 , G02F1/136286 , H01L27/1214
摘要： A display device is provided to realize high precision and high performance in a screen printing, a micro-printing, and an ink-jet, thereby lowering the manufacturing cost. An active matrix type display device comprises a plurality of signal lines(107'), a plurality of scanning lines(102'), and a plurality of pixels. The plurality of the signal lines are arranged at right angles to the plurality of the signal lines. The plurality of the pixels is surrounded by the signal lines and the scanning lines. Thin film transistors are arranged in each of the plurality of the pixels and the pixels are arranged with a matrix shape. The thin film transistor includes a substrate, a gate electrode(102), a gate insulating film, a source electrode(106) and a drain electrode(107), and a semiconductor layer(109). The semiconductor layer is laid across the plurality of the pixels, and is arranged with a linear shape in parallel to the signal line.
摘要翻译：提供了一种在丝网印刷，微印刷和喷墨中实现高精度和高性能的显示装置，从而降低了制造成本。有源矩阵型显示装置包括多条信号线（107'），多条扫描线（102'）和多个像素。多个信号线被布置成与多个信号线成直角。多个像素被信号线和扫描线包围。薄膜晶体管布置在多个像素中的每一个中，像素以矩阵形状排列。薄膜晶体管包括基板，栅极（102），栅极绝缘膜，源极（106）和漏极（107）以及半导体层（109）。将半导体层铺设在多个像素上，并且与信号线平行地配置成线状。

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