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1. 发明授权

KR100809858B1 결정질 반도체 재료 제조 방법 및 반도체 장치 제조 방법 失效
标题翻译：晶体半导体材料制造方法和半导体器件制造方法
公开(公告)号：KR100809858B1
公开(公告)日：2008-03-04
申请号：KR1020010050655
申请日：2001-08-22
申请人： 소니 주식회사
发明人： 히라가토루 , 노구치타카시 , 우스이세츠오 , 모리요시후미
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/02686 , C30B1/023 , C30B13/00 , C30B29/06 , H01L21/02532 , H01L21/2026
摘要： 결정성을 보다 향상시킬 수 있는 결정질 반도체 재료 제조 방법 및 그것을 이용한 반도체 장치 제조 방법을 제공한다.
기판(11) 상에 보호막(12)을 통해 Si로 이루어지는 비정질막을 형성한다. 이어서, 이 비정질막에 단파장 에너지 빔을 조사하여 제 1 가열 처리를 행하여, 준단결정으로 이루어지는 결정질막(14)을 형성한다. 계속해서, 결정질막(14)에 단파장 에너지 빔(E
2 )을 조사하여 제 2 가열 처리를 행하여, 결정질막(14)의 입자계(14b) 및 그 근방만을 선택적으로 용융하고 재결정화한다. 이로써, 결정성이 개선된 결정질막(15)이 얻어진다.
준단결정 반도체 재료, 비정질 반도체 재료, 재결정화, 결정질막, 임자계

2. 发明授权

KR100325493B1 고성능폴리-실리콘게르마늄박막트랜지스터및그제조방법 失效
公开(公告)号：KR100325493B1
公开(公告)日：2002-08-13
申请号：KR1019960008244
申请日：1996-03-26
申请人： 소니 주식회사 , 매사츄세츠 인스티튜트 오브 테크놀러지
发明人： 노구치타카시 , 리프라파엘 , 차이쥴리 , 탕앤드류제이
IPC分类号： H01L29/786
摘要： 본 발명은 활성 영역이 폴리-Si
1-x Ge
x 합금 물질과 실리콘의 채널층을 포함하고, 상기 실리콘의 채널층이 폴리-Si
1-x Ge
x 합금 물질과 게이트 사이에 삽입되는, 게이트와 활성 영역을 갖는 고성능 박막 트랜지스터와, 그 고성능 박막 트랜지스터를 제조하는 방법에 관한 것이다.

3. 发明公开

KR1020020015667A 결정질 반도체 재료 제조 방법 및 반도체 장치 제조 방법 失效
标题翻译：制造晶体半导体材料的方法和制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020020015667A
公开(公告)日：2002-02-28
申请号：KR1020010050655
申请日：2001-08-22
申请人： 소니 주식회사
发明人： 히라가토루 , 노구치타카시 , 우스이세츠오 , 모리요시후미
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/02686 , C30B1/023 , C30B13/00 , C30B29/06 , H01L21/02532 , H01L21/2026
摘要： PURPOSE: A method for fabricating a crystalline semiconductor material is provided to lower an energy potential of a grain boundary and to decrease a scattering barrier of a carrier, by more improving crystallinity of the grain boundary and its neighboring region. CONSTITUTION: A short-wavelength energy beam is irradiated to an amorphous film as the first heat treatment. A crystalline film made of quasi-single crystal is formed. Another short-wavelength energy beam is irradiated to the crystalline film as the second heat treatment to selectively fuse and recrystallize only the grain boundary of the crystalline film and the neighboring region.
摘要翻译：目的：提供一种制造晶体半导体材料的方法，通过更多地改善晶界及其相邻区域的结晶度，降低晶界的能量势和降低载流子的散射势垒。构成：作为第一热处理，将短波长能量束照射到非晶膜。形成由准单晶构成的结晶膜。作为第二热处理，将另一短波长能量束照射到结晶膜，以仅选择性地熔融结晶膜和相邻区域的晶界并重结晶。

4. 发明授权

KR100849835B1 기상 성장 방법, 반도체 제조 방법, 및 반도체 장치의제조 방법 有权
标题翻译：蒸气生长法，半导体制造方法以及半导体装置的制造方法
公开(公告)号：KR100849835B1
公开(公告)日：2008-08-01
申请号：KR1020027010849
申请日：2001-12-20
申请人： 소니 주식회사
发明人： 야마가타히데오 , 코우모토타케요시 , 아츠미켄지 , 네고로요이치 , 히라타타츠스히로 , 노구치타카시
IPC分类号： H01L29/737
摘要： 본 발명은 반도체 기판 상에 실리콘-게르마늄 혼정층을 퇴적 형성하는 기상 성장 방법으로, 실리콘 원료 가스 분압이 시간에 비례하여 증대하도록 실리콘 원료 가스를 반응로 내에 도입하여 감압 하에서 상기 반도체 기판 상에 실리콘층에 의한 제 1 반도체층을 형성하는 제 1 단계와, 실리콘 원료 가스와 게르마늄 원료 가스를 원하는 게르마늄 농도가 되도록 도입하여 감압 하에서 상기 제 1 반도체층 상에 실리콘-게르마늄 혼정층에 의한 제 2 반도체층을 형성하는 제 2 단계와, 감압 하에서 실리콘 원료 가스를 도입하여 상기 제 2 반도체층 상에 실리콘층에 의한 제 3 반도체층을 형성하는 제 3 단계를 채용함에 따라 미스 피트 전위의 개선이 도모된 반도체층을 얻을 수 있도록 한다.
산화실리콘층, 반도체층, 콜렉터 동작 영역, 콜렉터 전극 추출 영역, 절연층, 기상 성장 방법

5. 发明公开

KR1020020093037A 플랫 패널 디스플레이의 제조 방법 失效
标题翻译：平板显示器的制造方法
公开(公告)号：KR1020020093037A
公开(公告)日：2002-12-12
申请号：KR1020027013664
申请日：2001-04-11
申请人： 소니 주식회사
发明人： 노구치타카시 , 우스이세츠오 , 나카지마히데하루
IPC分类号： G02F1/1333
摘要： 화소부의 TFT와 주사부의 TFT를 높은 신뢰성을 가지고 제조하고 제작하는 것을 가능하게 하는 플랫 패널 디스플레이의 제조 방법으로, 화소부 및 구동부로 이루어지는 기판 상에 어몰퍼스 실리콘 박막을 형성하는 박막 형성 공정과, 어몰퍼스 실리콘 박막 중 화소부에 형성된 어몰퍼스 실리콘 박막에 레이저 빔을 조사하지 않고, 구동부에 형성된 어몰퍼스 실리콘 박막에 레이저 빔을 조사하여, 구동부에 형성된 어몰퍼스 실리콘 박막에 포함되는 수소를 방출시키는 탈수소 어닐 처리 공정과, 탈수소 어닐 처리 공정 후, 어몰퍼스 실리콘 박막 중, 구동부에 형성된 어몰퍼스 실리콘 박막에, 레이저 빔을 더 조사함으로써, 구동부에 형성된 어몰퍼스 실리콘 박막을 다결정 실리콘 박막으로 변화시키는 결정화 어닐 처리 공정을 구비한다.

6. 发明公开

KR1020020089356A 기상 성장 방법, 반도체 제조 방법, 및 반도체 장치의제조 방법 有权
标题翻译：气相生长方法，半导体制造方法以及半导体装置的制造方法
公开(公告)号：KR1020020089356A
公开(公告)日：2002-11-29
申请号：KR1020027010849
申请日：2001-12-20
申请人： 소니 주식회사
发明人： 야마가타히데오 , 코우모토타케요시 , 아츠미켄지 , 네고로요이치 , 히라타타츠스히로 , 노구치타카시
IPC分类号： H01L29/737
摘要： 본 발명은 반도체 기판 상에 실리콘-게르마늄 혼정층을 퇴적 형성하는 기상 성장 방법으로, 실리콘 원료 가스 분압이 시간에 비례하여 증대하도록 실리콘 원료 가스를 반응로 내에 도입하여 감압 하에서 상기 반도체 기판 상에 실리콘층에 의한 제 1 반도체층을 형성하는 제 1 단계와, 실리콘 원료 가스와 게르마늄 원료 가스를 원하는 게르마늄 농도가 되도록 도입하여 감압 하에서 상기 제 1 반도체층 상에 실리콘-게르마늄 혼정층에 의한 제 2 반도체층을 형성하는 제 2 단계와, 감압 하에서 실리콘 원료 가스를 도입하여 상기 제 2 반도체층 상에 실리콘층에 의한 제 3 반도체층을 형성하는 제 3 단계를 채용함에 따라 미스 피트 전위의 개선이 도모된 반도체층을 얻을 수 있도록 한다.

7. 发明公开

KR1019960036149A 고성능폴리-실리콘게르마늄박막트랜지스터및그제조방법 失效
标题翻译：高性能多晶硅锗薄膜晶体管及其制造方法
公开(公告)号：KR1019960036149A
公开(公告)日：1996-10-28
申请号：KR1019960008244
申请日：1996-03-26
申请人： 소니 주식회사 , 매사츄세츠 인스티튜트 오브 테크놀러지
发明人： 노구치타카시 , 리프라파엘 , 차이쥴리 , 탕앤드류제이
IPC分类号： H01L29/786
摘要： 본 발명은 활성 영역이 폴리-Si
1 -xGex 합금 물질과 실리콘의 채널층을 구비하며, 상기 실리콘의 채널층이 폴리-Si
1 -xGex 합금 물질과 게이트 사이에 삽입되는, 게이트를 활성 영역을 가지는 고성능 박막 트랜지스터와, 그와 같은 고성능 박막 트랜지스터를 제조하는 방법에 관한 것이다.

8. 发明授权

KR100795323B1 플랫 패널 디스플레이의 제조 방법 失效
标题翻译：平板显示器的生产方法
公开(公告)号：KR100795323B1
公开(公告)日：2008-01-21
申请号：KR1020027013664
申请日：2001-04-11
申请人： 소니 주식회사
发明人： 노구치타카시 , 우스이세츠오 , 나카지마히데하루
IPC分类号： G02F1/1333
摘要： 화소부의 TFT와 주사부의 TFT를 높은 신뢰성을 가지고 제조하고 제작하는 것을 가능하게 하는 플랫 패널 디스플레이의 제조 방법으로, 화소부 및 구동부로 이루어지는 기판 상에 비정질 실리콘 박막을 형성하는 박막 형성 공정과, 비정질 실리콘 박막 중 화소부에 형성된 비정질 실리콘 박막에 레이저 빔을 조사하지 않고, 구동부에 형성된 비정질 실리콘 박막에 레이저 빔을 조사하여, 구동부에 형성된 비정질 실리콘 박막에 포함되는 수소를 방출시키는 탈수소 어닐 처리 공정과, 탈수소 어닐 처리 공정 후, 비정질 실리콘 박막 중, 구동부에 형성된 비정질 실리콘 박막에, 레이저 빔을 더 조사함으로써, 구동부에 형성된 비정질 실리콘 박막을 다결정 실리콘 박막으로 변화시키는 결정화 어닐 처리 공정을 구비한다.
화소부, 구동부, 비정질 실리콘 박막, 어닐 처리 공정, 레이저

9. 发明授权

KR100681162B1 반도체 장치 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR100681162B1
公开(公告)日：2007-02-09
申请号：KR1020000070639
申请日：2000-11-25
申请人： 소니 주식회사
发明人： 마치다아키오 , 고사인다람팔 , 노구치타카시 , 우수이세추오
IPC分类号： H01L31/0445 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/204 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L31/03921 , H01L31/056 , H01L31/202 , Y02E10/52 , Y02P70/521
摘要： 유기 고분자 재료로 만들어진 기체와, 산화물 전극막과, 적어도 한 종류의 IV족 원소를 각각 포함하는 상기 산화물 전극막 상의 반도체 박막을 포함하는, 박막 태양 전지와 같은 반도체 장치를 제조하기 위하여, 산화물 전극막과 접촉하는 반도체 박막들 중 하나는, 예컨대, 수소 가스를 포함하지 않은 대기와 같은 비환원성 대기에서 스퍼터링에 의해 적층된다. 이로써, 3nm이하의 입자형 생성물이 산화물 전극막 및 반도체 박막 간의 계면에 실질적으로 포함되지 않는다는 것을 보장한다. 따라서, 비정질 반도체 박막과 같은 반도체 박막은 그의 표면 상에 ITO 막과 같은 산화물 전극막을 갖는 플라스틱 기판 상에 강화된 밀착력으로 적층될 수 있다.
산화물 전극막, 반도체 박막, 입자형 생성물, 비환원성 대기

10. 发明公开

KR1020010051955A 반도체 장치 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020010051955A
公开(公告)日：2001-06-25
申请号：KR1020000070639
申请日：2000-11-25
申请人： 소니 주식회사
发明人： 마치다아키오 , 고사인다람팔 , 노구치타카시 , 우수이세추오
IPC分类号： H01L31/0445 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/204 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L31/03921 , H01L31/056 , H01L31/202 , Y02E10/52 , Y02P70/521
摘要： PURPOSE: To provide a semiconductor device, in which a thin semiconductor film, such as a thin amorphous semiconductor film, etc., is formed with tight adhesion on a plastic substrate on the surface of which an oxide electrode film, such as an ITO film, etc., is formed, and to provide a method of manufacturing the device. CONSTITUTION: At manufacturing a semiconductor device, for example, a thin film solar battery having a substrate 3 made of a high polymeric organic material, an oxide electrode film 5 formed on the substrate 3, and thin semiconductor films 6, 7, and 8 containing at least one kind of group IV element and formed on the electrode film 5, the thin semiconductor film 6, which is in contact with the electrode film 5, is formed by sputtering in a nonreducing atmosphere, for example, containing no hydrogen gas, so that no granular product of 3 nm or larger diameter is substantially contained in the interface between the films 5 and 6.
摘要翻译：目的：提供一种半导体器件，其中在诸如ITO薄膜的氧化物电极膜的表面上的塑料基板上形成具有薄的半导体膜，例如薄的非晶半导体膜等，等，并且提供一种制造该装置的方法。构成：在制造半导体器件时，例如，具有由高分子有机材料制成的衬底3的薄膜太阳能电池，形成在衬底3上的氧化物电极膜5和薄的半导体膜6,7和8，其包含在电极膜5上形成的至少一种IV族元素，与电极膜5接触的薄膜半导体膜6通过例如不含氢气的非还原气氛中的溅射形成，因此在膜5和6之间的界面中基本上不包含3nm或更大直径的颗粒产物。

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