基本信息:
- 专利标题： 반도체용 실리콘 단결정 잉곳 및 웨이퍼
- 专利标题（英）：Silicon monocrystalline ingot and wafer for semiconductor
- 专利标题（中）：硅半导体单晶硅和晶体管
- 申请号：KR1020130056958 申请日：2013-05-21
- 公开(公告)号：KR1020140136659A 公开(公告)日：2014-12-01
- 发明人： 홍영호 , 박현우
- 申请人： 에스케이실트론 주식회사
- 申请人地址： **, Imsu-ro, Gumi-si, Gyeongsangbuk-do
- 专利权人： 에스케이실트론 주식회사
- 当前专利权人： 에스케이실트론 주식회사
- 当前专利权人地址： **, Imsu-ro, Gumi-si, Gyeongsangbuk-do
- 代理人： 박영복
- 主分类号： C30B13/00
- IPC分类号： C30B13/00 ; C30B15/00 ; C30B29/06
摘要：
실시 예의 반도체용 실리콘 단결정 잉곳 및 웨이퍼는 인터스티셜 우세 무결함 영역에 포함된 결정 결함 중 10 ㎚ 내지 30 ㎚ 크기의 결정 결함을 우세하게 갖는 전이 영역을 포함하고, 잉곳 및 웨이퍼에 대해 적어도 한 번의 열처리를 수행하기 이전의 초기 산소 농도와 적어도 한 번의 열처리를 수행한 이후의 최종 산소 농도 차가 0.5 ppma 이하이다.
摘要（中）：
根据本发明的一个实施例，用于半导体的单晶硅锭和晶片包括主要具有尺寸为10-30nm的晶体缺陷的过渡区域，其包括在间隙主要的无缺陷区域中的晶体缺陷中。 在至少一个热处理工艺之后的初始氧浓度与在至少一个热处理工艺之后的最终氧浓度之间的差异相对于锭和晶片为0.5ppma或更小。
摘要（英）：
Embodiment of a semiconductor silicon single crystal ingot and the wafer is Interstitial lead-free at least one comprises a crystal defect 10 ㎚ to transition region having predominantly the crystal defects 30 ㎚ size of including a defective area, and for ingots and wafers performing a heat treatment before the final initial oxygen concentration of the oxygen concentration and at least one heat treatment after performing the difference less than 0.5 ppma.
公开/授权文献:
- KR101472349B1 반도체용 실리콘 단결정 잉곳 및 웨이퍼 公开/授权日：2014-12-12