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1. 发明授权

KR101765572B1 도금 처리 장치, 도금 처리 방법 및 기억 매체 有权
标题翻译：电镀处理装置，电镀处理方法和存储介质
公开(公告)号：KR101765572B1
公开(公告)日：2017-08-07
申请号：KR1020137033422
申请日：2012-06-07
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 이나토미유이치로 , 타나까타카시 , 구로다오사무 , 이와시타미츠아키 , 사이토유스케
IPC分类号： C23C18/16 , C23C18/31
CPC分类号： B05C11/1039 , C23C18/1619 , C23C18/1632 , C23C18/165 , C23C18/168 , C23C18/1682 , C23C18/1683 , C23C18/32
摘要： 도금액중의암모니아성분의농도를일정하게유지하여도금액을순환하여사용할수 있는도금처리장치를제공한다. 도금처리장치(20)는, 기판(2)을회전보지하는기판회전보지기구(110)와, 기판(2)으로도금액(35)을공급하는도금액공급기구(30)를구비하고있다. 이중 도금액공급기구(30)는, 기판(2)으로공급되는도금액(35)을저류하는공급탱크(31)와, 도금액(35)을기판(2)에토출하는토출노즐(32)과, 공급탱크(31)의도금액(35)을토출노즐(32)로공급하는도금액공급관(33)을가지고있다. 또한공급탱크(31)에는, 암모니아가스저류부(170)가접속되고, 공급탱크(31)에저류된도금액(35) 중의암모니아성분의농도를목적의농도범위로유지한다.
摘要翻译：本发明提供一种即使在镀液中的氨成分的浓度保持一定的情况下也能够使氨成分的量循环的镀覆装置。电镀处理单元20还设置有货币供给机构30供给的基板旋转机构不110中，在基板2 eurodo量35，其，不旋转的衬底（2）。双重电镀液供应机构30包括用于存储供应到基板2的电镀液35的供应箱31，用于将电镀液35排放到基板2的排放喷嘴32，以及用于将供应箱31的除臭剂35供应到排放喷嘴32的除臭剂供应管33。氨气储存部分170连接到供应罐31，并且储存在供应罐31中的电镀液35中的氨成分浓度保持在目标浓度范围内。

2. 发明公开

KR1020030014688A 무전해 도금 장치 및 그 방법 无效
标题翻译：电镀镀层的装置和方法
公开(公告)号：KR1020030014688A
公开(公告)日：2003-02-19
申请号：KR1020027016597
申请日：2002-04-04
申请人： 소니 주식회사
发明人： 세가와유지 , 사토스조 , 야스다제냐 , 이시하라마사오 , 노가미다케시
IPC分类号： C23C18/16
CPC分类号： C23C18/1678 , C23C18/1619 , C23C18/1669 , C23C18/1676 , C23C18/1682 , H01L21/288 , H01L21/7681 , H01L21/76814 , H01L21/76843 , H01L21/76849 , H01L21/76874 , H01L21/76877
摘要： A device and a method for electroless plating capable of uniformly and accurately performing electroless plating by suppressing the secular change of plating solution; the device capable of forming a conductive film on a plated surface by applying an electroless treatment thereon under a specified gas atmosphere, comprising a plating solution tank (21) installed so that the plated surface of a plated object (W) faces the inner surface thereof to separate the plated surface from an outside atmosphere and a plating solution feeding means (26) for feeding the plating solution onto the plated surface in such a manner that the impact of the plating solution on the plated surface of the plated object (W) can be relieved.
摘要翻译：一种能够通过抑制电镀溶液的长期变化均匀且精确地进行无电镀的化学镀的装置和方法; 该装置能够在规定的气体气氛下对其表面进行无电解处理，在电镀面上形成导电膜，其特征在于，具有镀敷液槽（21），镀敷液体（21）安装成镀敷物（W）的镀面与其内表面将电镀表面与外部气氛分开，以及电镀液供给装置（26），用于将电镀液供给到电镀表面上，使得电镀液对电镀对象（W）的电镀表面的冲击可以放心

3. 发明公开

KR1020100031054A 캡 메탈 형성 방법 有权
标题翻译： CAP金属成型方法
公开(公告)号：KR1020100031054A
公开(公告)日：2010-03-19
申请号：KR1020090022787
申请日：2009-03-17
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 타나까타카시 , 사이토유스케 , 이와시타미츠아키
IPC分类号： H01L21/288 , C23C18/38
CPC分类号： C23C18/1628 , C23C18/1632 , C23C18/1678 , C23C18/1682 , C23C18/31 , C23C18/38
摘要： PURPOSE: A cap metal forming method is provided to supply a cap metal having a uniform membrane thickness, and to reduce the used amount of an electroless plating solution by restricting production of by-products. CONSTITUTION: A cap metal forming method includes the following steps: horizontally maintaining a substrate on a rotatable maintenance device built in an inner chamber(120); supplying gas into the inner chamber and an outer chamber(110); forming pressure gradient between the inner chamber and the outer chamber; supplying plating liquid on the predetermined location of the surface of the substrate; and forming the cap metal at least one or more regions.
摘要翻译：目的：提供一种帽金属成形方法来提供具有均匀膜厚度的帽金属，并且通过限制副产物的生产来减少化学镀溶液的使用量。构成：帽金属成形方法包括以下步骤：将衬底水平地保持在内置于内腔（120）中的可旋转维护装置上; 向内腔供应气体和外腔（110）; 在内室和外室之间形成压力梯度; 在所述基板表面的预定位置上供应电镀液; 以及形成所述帽金属至少一个或多个区域。

4. 发明授权

KR100221105B1 마스터 디스크의 무전해 적층방법 및 장치 失效
标题翻译：电磁沉积方法和主磁盘的装置
公开(公告)号：KR100221105B1
公开(公告)日：1999-09-15
申请号：KR1019910002251
申请日：1991-02-11
申请人： 필립스앤드듀퐁옵티컬캄파니
发明人： 페트루스에기디우스아코부스레기르쎄 , 파울루스게르하르두스요한네스데뵈르 , 야코부스헨리쿠스바텐
IPC分类号： G11B7/26
CPC分类号： C23C18/1676 , C23C18/1653 , C23C18/1669 , C23C18/1678 , C23C18/168 , C23C18/1682 , C23C18/1889
摘要： 본 방법은 금속화될 평평한 기판, 특히 평 디스크, 예를들면 광학 디스크의 재생을 위해 사용될 마스터 디스크(1)의, 상부면상에 금속화 유체로부터 금속층(7)을 무전해 적층시키기 위해 발명되었다. 상기 방법에 따라 상기 기판의 상부면은 먼저 친수성으로 되며, 만약 필요하다면, 상기 기판이 수평위치에 지지된 후 다량의 금속화 유체는 안정된 유체층(16)이 상기 기판의 에지에 접함에 따라 이미 친수성으로 된 상부면상에 제공되며, 다음에 상기 기판의 유체로부터 상기 금속의 적층이 일어나고 상기 유체층은 상기 표면으로부터 완전히 제거된다.

5. 发明公开

KR1020100135671A 도금막을 가지는 폴리머부재의 제조방법 无效
标题翻译：用于生产具有镀膜的聚合物成员的方法
公开(公告)号：KR1020100135671A
公开(公告)日：2010-12-27
申请号：KR1020100057091
申请日：2010-06-16
申请人： 맥셀 홀딩스 가부시키가이샤
发明人： 오타히로노리 , 유사아츠시 , 아노데츠야
IPC分类号： C23C18/16 , B29C45/46
CPC分类号： C23C18/208 , C23C18/1682 , C23C18/30 , C23C18/32
摘要： PURPOSE: A manufacturing method of a polymer member having a plating layer, capable of plating layer formation, is provided to remove an electroless plating treatment step using pressurized carbon dioxide. CONSTITUTION: A manufacturing method of a polymer member having a plating layer comprises next steps. A polymer member in which catalyst component is dispersed is formed by using the pressurized fluids in which the catalyst component including metal is dissolved in pressurized carbon dioxide. The polymer member in which the catalyst component is dispersed is dipped under the upper pressure in the alcohol treatment liquid. A manufacturing device of a polymer member having a plating layer comprises a pressurized fluid supply unit(100) and an injection mold(200).
摘要翻译：目的：提供具有能够镀层形成的镀层的具有镀层的聚合物构件的制造方法，以使用加压二氧化碳除去化学镀处理步骤。构成：具有镀层的聚合物构件的制造方法包括以下步骤。通过使用其中包含金属的催化剂组分溶解在加压二氧化碳中的加压流体形成其中分散有催化剂组分的聚合物构件。将其中分散有催化剂组分的聚合物构件在上述压力下浸入醇处理液中。具有镀层的聚合物构件的制造装置包括加压流体供应单元（100）和注射模具（200）。

6. 发明公开

KR1020090084817A 무전해 도금 방법 无效
标题翻译：电镀法
公开(公告)号：KR1020090084817A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：KR1020097007632
申请日：2007-10-24
申请人： 에스.이.에스 카부시키가이샤 , 미야타 세이죠
发明人： 시미즈데츠야 , 다지마히사요시 , 미야타세이죠 , 소네마사토
IPC分类号： C23C18/31 , H01L21/288
CPC分类号： C23C18/00 , C23C18/1682 , C23C18/1685 , C23C18/31 , H01L21/288 , H01L21/76877
摘要： This invention provides an electroless plating method comprising electrolessly plating the surface of a metal base sample (22) using a supercritical fluid or a subcritical fluid in such a state that a metal powder is dispersed in an electroless plating liquid (19). According to this method, a homogeneous and thick plating layer is formed in a short time by taking advantage of an induction eutectoid phenomenon. In the electroless plating method, the metal powder may have an average particle diameter of not less than 1 nm and not more than 100 mum, and the electroless plating method may also be applied to a damascene process or a dual damascene process which is a method for forming a fine metal wiring within a semiconductor element. The above constitution can provide an electroless plating method which can realize the formation of an even film by electroless plating in a short time using a subcritical fluid or a supercritical fluid by taking advantage of an induction eutectoid phenomenon. ® KIPO & WIPO 2009
摘要翻译：本发明提供了一种化学镀方法，其包括使金属粉末分散在无电镀液体（19）中的状态下，使用超临界流体或亚临界流体对金属基体样品（22）的表面进行电镀。根据该方法，通过利用感应共析现象，在短时间内形成均匀且厚的镀层。在化学镀方法中，金属粉末的平均粒径可以不小于1nm且不大于100μm，并且化学镀方法也可以应用于作为方法的大马士革法或双镶嵌法用于在半导体元件内形成精细的金属布线。上述结构可以提供一种化学镀方法，其可以通过利用诱导共析现象利用亚临界流体或超临界流体在短时间内通过无电解电镀实现均匀的膜的形成。 ®KIPO＆WIPO 2009

7. 发明授权

KR100694562B1 기판 도금방법 및 장치 失效
标题翻译：抛光方法和装置
公开(公告)号：KR100694562B1
公开(公告)日：2007-03-13
申请号：KR1020017001685
申请日：1999-08-11
申请人： 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼
发明人： 혼고아키히사 , 오구레나오아키 , 이노우에히로아키 , 센다이사토시 , 이케가미데츠마 , 미시마고지 , 오쿠야마슈이치 , 나가이미즈키 , 기미즈카료이치 , 마루야마메구미
IPC分类号： C23C18/38
CPC分类号： H01L21/76843 , C23C18/1632 , C23C18/1653 , C23C18/1682 , C23C18/38 , C25D3/38 , C25D7/123 , C25D17/001 , H01L21/2885 , H01L21/76873 , H01L21/76874 , H01L21/76877 , H01L2221/1089 , H05K3/107 , H05K3/241 , H05K3/423
摘要： 본 발명은 간단한 공정으로 반도체기판(W)에 형성된 미세 오목부(42)에 보이드나 오염이 적은 도금 금속을 효율 좋게 충전하여 배선을 행할 수 있는 기판 도금방법 및 장치를 제공하는 것을 목적으로 하며, 반도체기판의 배선용 오목부에 도금 금속(43)을 충전하기 위한 기판 도금방법에 있어서, 기판(W)상에 초기막(41)을 형성하는 무전해 도금공정과, 상기 초기막을 급전층(feeding layer)으로 하여 전해 도금을 행하여 상기 오목부를 충전하는 전해 도금공정을 행하도록 하였다.

8. 发明公开

KR20180004002A 기판 액 처리 장치, 기판 액 처리 방법 및 기록 매체 审中-公开
标题翻译：基板液体处理装置基板液体处理方法和记录介质
公开(公告)号：KR20180004002A
公开(公告)日：2018-01-10
申请号：KR20170080640
申请日：2017-06-26
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/02
CPC分类号： C23C18/163 , C23C18/1676 , C23C18/1682 , C23C18/18
摘要： 기판상의처리액의온도를신속하게상승시켜처리액의열화를방지시킬수 있고, 또한기판의액 처리를균일화할 수있는기판액 처리장치를제공한다. 기판액 처리장치(1)는, 기판(W)을유지하는기판유지부(52)와, 기판유지부(52)에유지된기판(W)의상면에처리액(L1)을공급하는처리액공급부(53)와, 기판(W)을덮는덮개체(6)를구비하고있다. 덮개체(6)는, 기판(W)의상방에배치되는천장부(61)와, 천장부(61)로부터하방으로연장되는측벽부(62)와, 천장부(61)에마련된기판(W) 상의처리액(L1)을가열하는가열부(63)를가지고있다. 덮개체(6)의측벽부(62)는, 기판(W) 상의처리액(L1)을가열할때에기판(W)의외주측에배치된다.
摘要翻译：基板液处理装置1具备：保持基板W的基板保持部52; 处理液供给部53，其向由基板保持部52保持的基板W的上表面供给处理液L1; 以及覆盖基板W的罩主体6.在此，罩主体6具备：配置在基板W的上方的顶棚单元61;从顶棚单元61向下方延伸的侧壁单元62;以及设置在天花板上的加热单元63 单元61构成，对基板W上的处理液L1进行加热。盖基板6的侧壁单元62在基板W上的处理液L1被加热时配置在基板W的外周侧。

9. 发明授权

KR101391533B1 무전해 도금 장치 및 무전해 도금 방법 有权
标题翻译：电沉积装置和电镀法
公开(公告)号：KR101391533B1
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：KR1020120129552
申请日：2012-11-15
申请人： 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 , 가부시키가이샤 스크린 홀딩스
发明人： 칸다히로유키 , 츠지노쥰이치로오 , 미네준코 , 구보타마코토 , 나카다츠토무 , 아라이겐이치로오
IPC分类号： H01L21/288 , C23C18/31
CPC分类号： C23C18/163 , C23C18/1628 , C23C18/1632 , C23C18/1642 , C23C18/1651 , C23C18/1669 , C23C18/1675 , C23C18/168 , C23C18/1682 , C23C18/1683 , C23C18/32 , C23C18/54 , H01L21/76838 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/742 , H01L2224/0401 , H01L2224/05567 , H01L2224/05624 , H01L2224/11464 , H01L2224/742 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/05552
摘要： 무전해도금장치는, 생산성이높은뱃치처리방식을채용하면서, 도금액을포함하는약액의반출량을저감시켜세정공정에서의세정시간을단축시키고, 또한도금액순환라인의내부등의플러싱을용이하고또한신속하게행할수 있다. 이무전해도금장치는, 도금전처리를행하는도금전처리조를갖는도금전처리모듈과, 기판표면에무전해도금을행하는도금조를갖는도금모듈과, 도금전처리모듈과도금모듈사이에서기판을반송하는모듈간기판반송장치를갖고, 도금전처리조는, 도금전처리액의온도조절기능을구비한도금전처리액순환라인을갖고, 도금조는, 필터와도금액의온도조절기능을구비한도금액순환라인을갖고, 도금액순환라인은, 도금액순환라인및 도금조의내부를플러싱하는플러싱라인에접속되어있다.

10. 发明公开

KR1020140033135A 도금 처리 장치, 도금 처리 방법 및 기억 매체 有权
标题翻译：电镀设备，镀层方法和存储介质
公开(公告)号：KR1020140033135A
公开(公告)日：2014-03-17
申请号：KR1020137033422
申请日：2012-06-07
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 이나토미유이치로 , 타나까타카시 , 구로다오사무 , 이와시타미츠아키 , 사이토유스케
IPC分类号： C23C18/16 , C23C18/31
CPC分类号： B05C11/1039 , C23C18/1619 , C23C18/1632 , C23C18/165 , C23C18/168 , C23C18/1682 , C23C18/1683 , C23C18/32
摘要： 도금액 중의 암모니아 성분의 농도를 일정하게 유지하여 도금액을 순환하여 사용할 수 있는 도금 처리 장치를 제공한다. 도금 처리 장치(20)는, 기판(2)을 회전 보지하는 기판 회전 보지 기구(110)와, 기판(2)으로 도금액(35)을 공급하는 도금액 공급 기구(30)를 구비하고 있다. 이 중 도금액 공급 기구(30)는, 기판(2)으로 공급되는 도금액(35)을 저류하는 공급 탱크(31)와, 도금액(35)을 기판(2)에 토출하는 토출 노즐(32)과, 공급 탱크(31)의 도금액(35)을 토출 노즐(32)로 공급하는 도금액 공급관(33)을 가지고 있다. 또한 공급 탱크(31)에는, 암모니아 가스 저류부(170)가 접속되고, 공급 탱크(31)에 저류된 도금액(35) 중의 암모니아 성분의 농도를 목적의 농도 범위로 유지한다.

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