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1. 发明授权

KR101610966B1 레지스트 도포 현상 방법 有权
标题翻译：耐腐蚀应用与开发方法
公开(公告)号：KR101610966B1
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：KR1020100034697
申请日：2010-04-15
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 시라이시고우스케 , 이나토미유이치로
IPC分类号： H01L21/312
CPC分类号： G03B27/54 , G03F7/40 , H01L21/67115 , H01L21/6715 , H01L21/6719
摘要： 본발명은에칭내성을향상시킬수 있는레지스트막처리장치를제공하는것을과제로한다. 레지스트막처리장치(60)는현상에의해패턴화된레지스트막에자외영역광을조사하는광원(UV)과, 상기광원(UV)에의해자외영역광이조사된상기레지스트막을가열하도록구성된가열부(62H)와, 상기가열부(62H)에의해가열되었거나또는가열되고있는상기레지스트막을, 벤젠환을함유하는용제를포함하는용제기체에노출시키도록구성된용제처리부(83)를구비한다.

2. 发明公开

KR1020140100481A 도금 처리 장치, 도금 처리 방법 및 기억 매체 审中-实审
标题翻译：电镀设备，镀层方法和储存介质
公开(公告)号：KR1020140100481A
公开(公告)日：2014-08-14
申请号：KR1020147014272
申请日：2012-11-12
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 이나토미유이치로 , 타나까타카시 , 이와시타미츠아키
IPC分类号： C23C18/16 , C23C18/31
CPC分类号： C23C18/1678 , C23C18/1619 , C23C18/1628 , C23C18/1632 , C23C18/1651 , C23C18/1676 , C23C18/1682 , C23C18/42 , C23C18/54
摘要： 도금 처리 장치(20)는, 기판(W)을 보지하는 기판 보지 기구(110)와, 기판 보지 기구(110)에 보지된 기판(W)을 향해 도금액(35)을 토출하는 토출 기구(21)와, 토출 기구(21)에 접속되고, 토출 기구(21)로 도금액(35)을 공급하는 도금액 공급 기구(30)를 구비하고 있다. 가스 공급 기구(170)는, 공기보다 비열 용량이 높은 가열용 가스(G)를 가열하여 기판 보지 기구(110)에 보지된 기판(W)을 향해 공급한다. 적어도 토출 기구(21), 도금액 공급 기구(30) 및 가스 공급 기구(170)는 제어 기구(160)에 의해 제어된다.

3. 发明公开

KR1020110074681A 기판 처리 방법, 이 기판 처리 방법을 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 기록 매체 및 기판 처리 장치 有权
标题翻译：基板处理方法，用于执行基板处理方法和基板处理装置的存储存储程序
公开(公告)号：KR1020110074681A
公开(公告)日：2011-07-01
申请号：KR1020100132492
申请日：2010-12-22
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 이나토미유이치로
IPC分类号： G03F7/30 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/67051 , H01L21/02052 , H01L21/67028 , H01L21/0274 , G03F1/60 , G03F7/3007 , G03F7/70491 , G03F7/70925
摘要： PURPOSE: A method for processing substrates, a recording media recording a program implementing the method, an apparatus for processing the substrates are provided to reduce cost required for processing the substrates by reducing the used amount of a hydrophobizing agent. CONSTITUTION: Rinse liquid is supplied to a substrate on which resist patterns are formed(S12). The rinse liquid is eliminated from the substrate under vapor containing first processing liquid which hydrophobizes the resist patterns. The substrate is rotated to eliminate the rinse liquid(S13). Second processing liquid is supplied to the substrate. The surface tension of the second processing liquid is smaller than that of the rinse liquid. While the rinse liquid is eliminated, the second processing liquid is eliminated.
摘要翻译：目的：提供一种处理衬底的方法，记录实施该方法的程序的记录介质，用于处理衬底的设备，以通过减少疏水化剂的使用量来降低处理衬底所需的成本。构成：将冲洗液供给到其上形成有抗蚀剂图案的基板（S12）。在含有使抗蚀剂图案疏水化的第一处理液体的蒸气下，从基材中除去漂洗液。旋转基板以消除冲洗液（S13）。向基板供给第二处理液。第二处理液的表面张力小于冲洗液的表面张力。当冲洗液体被消除时，第二处理液体被消除。

4. 发明公开

KR1020090065475A 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 有权
标题翻译：基板加工方法和基板加工系统
公开(公告)号：KR1020090065475A
公开(公告)日：2009-06-22
申请号：KR1020080128883
申请日：2008-12-17
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 이나토미유이치로
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20
CPC分类号： B05C11/023 , G03F7/40 , H01L21/0273 , H01L21/67028 , H01L21/67051 , H01L21/67034
摘要： A substrate processing method and a substrate processing apparatus are provided to improve processing accuracy and to shorten a processing time by forming a uniform surface of a resist pattern. A water molecule attachment process is performed to attach water molecules on a surface of a resist pattern formed on a surface of a semiconductor wafer(W) which is processed by an exposure process and a developing process. The solvent steam of the resist having a water-soluble property is supplied to the surface of the resist pattern on which the water molecules are attached. A smoothing process is performed to expand the surface of the resist pattern by using the solvent steam coupled with the water molecules. The attached water molecules and solvents are removed by drying the resist pattern on the smoothened wafer.
摘要翻译：提供基板处理方法和基板处理装置，以通过形成抗蚀剂图案的均匀表面来提高加工精度并缩短加工时间。执行水分子附着过程以将水分子附着在通过曝光处理和显影处理处理的半导体晶片（W）的表面上形成的抗蚀剂图案的表面上。具有水溶性的抗蚀剂的溶剂蒸汽被供给到附着有水分子的抗蚀剂图案的表面。通过使用与水分子结合的溶剂蒸汽来进行平滑化处理以使抗蚀剂图案的表面膨胀。通过干燥平滑晶片上的抗蚀剂图案来除去附着的水分子和溶剂。

5. 发明授权

KR101826302B1 도금 처리 방법, 도금 처리 시스템 및 기억 매체 有权
标题翻译：镀覆方法镀覆系统和存储介质
公开(公告)号：KR101826302B1
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：KR1020147025422
申请日：2013-02-22
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 미즈타니노부타카 , 타나까타카시 , 이나토미유이치로 , 사이토유스케 , 이와시타미츠아키
IPC分类号： C23C28/02 , C23C14/24 , C23C16/44 , C23C18/18 , C23C18/50 , H01L21/288
CPC分类号： H01L21/76867 , C23C14/024 , C23C14/046 , C23C14/24 , C23C16/0272 , C23C16/045 , C23C18/1619 , C23C18/1632 , C23C18/165 , C23C18/1651 , C23C18/1653 , C23C18/1692 , C23C18/1694 , C23C18/1844 , C23C18/1893 , C23C18/38 , C23C28/322 , C23C28/34 , H01L21/288 , H01L21/76841 , H01L21/76843 , H01L21/76873 , H01L21/76874 , H01L21/76898
摘要： 기판과의밀착성을향상시킬수 있는도금처리방법을제공한다. 기판에대하여도금처리를실시하는도금처리방법은, 기판(2)에대하여진공증착처리를실시하여기판(2) 상에진공증착처리층(2A)을형성하는공정과, 기판(2)의진공증착처리층(2A) 상에밀착층(21) 및촉매흡착층(22)을순차형성하는공정과, 기판(2)의촉매흡착층(22) 상에배리어막으로서기능하는제 1 도금층(23a)과, 제 2 도금층(23b)을가지는도금층적층체(23)를형성하는공정을구비하고있다. 진공증착처리층(2A)에의해기판(2) 표면을원활화시킬수 있어, 진공증착처리층(2A)은밀착성을높이는하지층으로서기능한다.
摘要翻译：电镀方法可以提高与基材的粘合性。在衬底上执行电镀工艺的电镀方法包括通过在衬底2上执行真空沉积工艺在衬底2上形成真空沉积层2A; 在衬底2的真空沉积层2A上形成粘附层21和催化剂吸附层22; 在基板2的催化剂吸附层22上形成具有作为阻挡膜的第1镀层23a和第2镀层23b的镀层叠层体23.通过形成真空蒸镀层2A，能够使基板2平滑化，成为基底层的真空蒸镀层2A能够提高密合性。

6. 发明授权

KR101765572B1 도금 처리 장치, 도금 처리 방법 및 기억 매체 有权
标题翻译：电镀处理装置，电镀处理方法和存储介质
公开(公告)号：KR101765572B1
公开(公告)日：2017-08-07
申请号：KR1020137033422
申请日：2012-06-07
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 이나토미유이치로 , 타나까타카시 , 구로다오사무 , 이와시타미츠아키 , 사이토유스케
IPC分类号： C23C18/16 , C23C18/31
CPC分类号： B05C11/1039 , C23C18/1619 , C23C18/1632 , C23C18/165 , C23C18/168 , C23C18/1682 , C23C18/1683 , C23C18/32
摘要： 도금액중의암모니아성분의농도를일정하게유지하여도금액을순환하여사용할수 있는도금처리장치를제공한다. 도금처리장치(20)는, 기판(2)을회전보지하는기판회전보지기구(110)와, 기판(2)으로도금액(35)을공급하는도금액공급기구(30)를구비하고있다. 이중 도금액공급기구(30)는, 기판(2)으로공급되는도금액(35)을저류하는공급탱크(31)와, 도금액(35)을기판(2)에토출하는토출노즐(32)과, 공급탱크(31)의도금액(35)을토출노즐(32)로공급하는도금액공급관(33)을가지고있다. 또한공급탱크(31)에는, 암모니아가스저류부(170)가접속되고, 공급탱크(31)에저류된도금액(35) 중의암모니아성분의농도를목적의농도범위로유지한다.
摘要翻译：本发明提供一种即使在镀液中的氨成分的浓度保持一定的情况下也能够使氨成分的量循环的镀覆装置。电镀处理单元20还设置有货币供给机构30供给的基板旋转机构不110中，在基板2 eurodo量35，其，不旋转的衬底（2）。双重电镀液供应机构30包括用于存储供应到基板2的电镀液35的供应箱31，用于将电镀液35排放到基板2的排放喷嘴32，以及用于将供应箱31的除臭剂35供应到排放喷嘴32的除臭剂供应管33。氨气储存部分170连接到供应罐31，并且储存在供应罐31中的电镀液35中的氨成分浓度保持在目标浓度范围内。

7. 发明公开

KR1020160150028A 도금 처리 방법 및 도금 처리 부품 그리고 도금 처리 시스템 审中-实审
标题翻译：镀层方法镀层组件和镀层系统
公开(公告)号：KR1020160150028A
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：KR1020160074608
申请日：2016-06-15
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 이나토미유이치로 , 타나까타카시 , 미즈타니노부타카
IPC分类号： C23C18/16 , C23C18/48 , C23C18/32 , C23C18/50
CPC分类号： C23C18/50 , C23C18/1651 , C23C18/1653 , C23C18/1893 , C23C18/32 , C23C18/38 , H01L21/288 , H01L21/76843 , H01L21/76873 , H01L21/76898 , H01L2221/1089 , C23C18/48
摘要： 무전해도금으로형성한도금층의박리를방지하여, 도금처리에대한신뢰성및 도금처리에의해제조한부품에대한신뢰성을향상시키는것이다. 본발명에서는, 도금처리방법, 도금처리방법에따라제조한도금처리부품, 도금처리방법에따라도금처리부품을제조하는도금처리시스템(1)에있어서, 무전해도금에의해형성한제 1 무전해도금층(38)의표면에무전해도금에의해구리합금으로이루어지는제 2 무전해도금층(39)을형성하는것으로했다. 상기제 1 무전해도금층(38)은구리의확산을방지하는배리어층이며, 코발트또는코발트합금으로이루어지는것으로해도된다. 또한, 상기제 2 무전해도금층(39)은표면에구리를전해도금하기위한시드층이며, 구리와니켈의합금으로이루어지는것으로해도된다.
摘要翻译：通过抑制通过无电镀形成的镀层之间的剥离，可以提高电镀工艺的可靠性和通过电镀工艺制造的部件的可靠性。在电镀方法中，通过电镀方法制造的镀覆部件和通过电镀法制造镀覆部件的电镀系统1，由铜合金制成并通过无电镀形成的第二无电镀层39 形成在通过无电镀形成的第一化学镀层38的表面上。第一化学镀层38是阻止铜的扩散而形成的阻挡层，由钴或钴合金构成。第二无电解镀层39是在其表面形成铜的电解镀层的种子层，由铜和镍的合金构成。

8. 发明授权

KR101568460B1 현상 처리 방법 有权
标题翻译：发展方法
公开(公告)号：KR101568460B1
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：KR1020127006391
申请日：2010-08-20
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 이나토미유이치로 , 이와시타미츠아키
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F7/3021 , G03F7/405 , H01L21/6715
摘要： 레지스트패턴이현상된후, 린스액이공급된기판상에, 레지스트패턴을소수화하는소수화제가하이드로플루오로에테르로희석되어이루어지는처리액을공급하는처리액공급공정과, 처리액의공급을정지하고, 기판의회전을대략정지한상태에서, 레지스트패턴의소수화처리를안정화시키는소수화처리안정화공정과, 처리액이공급된기판위로부터처리액을제거하는처리액제거공정을포함한다. 소수화제는트리메틸실릴디메틸아민이다.

9. 发明公开

KR1020150059118A 도금의 전처리 방법 및 기억 매체 审中-实审
标题翻译：用于镀层和储存介质的预处理方法
公开(公告)号：KR1020150059118A
公开(公告)日：2015-05-29
申请号：KR1020140162646
申请日：2014-11-20
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 타나까타카시 , 이나토미유이치로 , 이와이카즈토시 , 이와시타미츠아키
IPC分类号： H01L21/288
CPC分类号： C23C28/34 , C23C18/02 , C23C18/04 , C23C18/06 , C23C18/1275 , C23C18/165 , C23C18/1651 , C23C18/1851 , C23C18/1865 , C23C18/1868 , C23C18/1893 , C23C18/32 , C23C18/38 , C23C28/00 , C23C28/021 , C23C28/321 , H01L21/288 , H01L21/76874 , H01L21/76898
摘要： 고애스펙트비의오목부의내측의표면및 오목부의외측의기판표면에서, 충분한밀착성을가지는균일한도금을형성하는것이가능해지는전처리방법을제공한다. 전처리방법은, 제 1 커플링제를이용하여, 기판의적어도오목부의내측의표면에제 1 결합층(21a)을형성하는제 1 결합층형성공정과, 제 1 결합층형성공정후에, 제 2 커플링제를이용하여, 기판의적어도오목부의외측의표면에제 2 결합층(21b)을형성하는제 2 결합층형성공정을구비한다.
摘要翻译：提供一种预处理方法，其能够形成在高纵横比的凹部内的表面上具有足够粘合性的均匀电镀以及凹部的外部基板的表面。预处理方法包括：通过使用第一偶联剂在基板的至少凹部的表面内形成第一接合层（21a）的第一接合层工艺; 以及通过使用第二偶联剂在所述基板的至少所述凹部的外表面上形成第二接合层（21b）的第二接合层形成工序。

10. 发明授权

KR101006800B1 기판의 처리막의 표면 거침을 개선하는 방법 및 기판 처리장치 有权
标题翻译：改善基板加工薄膜表面粗糙度的方法及加工基板的设备
公开(公告)号：KR101006800B1
公开(公告)日：2011-01-10
申请号：KR1020057023316
申请日：2004-05-31
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 이나토미유이치로
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/02 , G03F7/38
CPC分类号： H01L21/0273 , G03F7/40 , H01L21/67109 , H01L21/6715 , H01L21/67178
摘要： 본 발명은 기판의 처리막의 표면 거침을 개선하는 방법 및 기판의 처리장치에 관한 것으로서 도포현상 처리시스템에 있어서 표면에 레지스트막이 형성되고 노광 현상처리된 웨이퍼(W)를 소정의 온도로 조절한다. 온도조절된 웨이퍼(W)의 레지스트막의 표면에 대해 용제 기체를 공급하고 레지스트막의 표면을 용해시킨다. 그 후 웨이퍼(W)를 가열하고 레지스트막 안의 용제를 휘발시키고 레지스트막을 구워 건조한다. 이와 같이 함으로써 레지스트막의 표면의 요철이 균등해지고 레지스트막의 표면 거침이 개선시켜 웨이퍼 상에 형성된 레지스트막의 표면 거침을 개선하는 기술을 제공한다.

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