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1. 发明授权

KR101819825B1 플렉시블 전극 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101819825B1
公开(公告)日：2018-01-18
申请号：KR1020160073440
申请日：2016-06-13
申请人： 아주대학교산학협력단
发明人： 김창구 , 이혜민 , 박창진
IPC分类号： H01B13/00 , H01B5/14 , H01B7/04 , H01B13/22
CPC分类号： H01L21/28 , C23C18/165 , C23C18/2086 , C23C18/405 , C23C28/322 , C23C28/345 , H01L21/02172 , H01L21/02266 , H01L21/02631 , H01L21/44 , H01L21/76874 , H01L51/0097 , H01L51/5203
摘要： 플렉시블전극의제조방법이개시된다. 플렉시블전극의제조방법은플라스틱기판을세정하는단계, 플라스틱기판상에스퍼터링공정을통해금속산화물시드층을형성하는단계및 금속산화물시드층상에금속무전해도금층을형성하는단계를구비한다.

2. 发明授权

KR101770537B1 상호 접속부를 위한 자기―정렬 배리어 및 캡핑 층 有权
公开(公告)号：KR101770537B1
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：KR1020167027439
申请日：2010-10-20
申请人： 프레지던트 앤드 펠로우즈 오브 하바드 칼리지
发明人： 고돈로이제라드 , 브한다리하리쉬비. , 아우융 , 린유보
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/285 , C23C16/18 , C23C16/34 , C23C16/40 , H01L21/288
CPC分类号： H01L23/53238 , C23C16/18 , C23C16/34 , C23C16/401 , H01L21/28506 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/288 , H01L21/2885 , H01L21/76814 , H01L21/76826 , H01L21/76829 , H01L21/76831 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L21/76835 , H01L21/76843 , H01L21/76849 , H01L21/76853 , H01L21/76862 , H01L21/76867 , H01L21/76871 , H01L21/76873 , H01L21/76874 , H01L21/76876 , H01L21/76877 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 집적회로에서구리배선을위한집적회로의상호접속구조물및 그제조방법이제공된다. Mn, Cr 또는 V 함유층은상기배선으로부터확산되는구리에대한배리어를형성함으로써, 정상보다이른균열로부터절연체를보호하고, 구리에의한열화로부터트랜지스터를보호한다. 또한 Mn, Cr 또는 V 함유층은구리와절연체간의강한접착을촉진시켜, 장치를사용하는동안구리의전자이동에의한불량을보호하고주변의산소또는물에의한부식으로부터구리를보호할뿐만아니라, 제조및 사용하는동안에장치의기계적완전함을유지한다. 이러한집적회를형성할때, 본발명의일 구체예는절연체표면에서 Mn, Cr, V 또는 Co의증착을줄이거나또는심지어저해하면서, 구리표면에는 Mn, Cr, V 또는 Co를선택적으로증착하는방법을제공한다. Mn, Cr 또는 V 함유전구체와요오드또는브롬함유전구체를사용하는구리의촉매에의한증착이또한제공된다.

3. 发明公开

KR1020160132775A 도금 처리 방법 및 기억 매체 审中-实审
标题翻译：涂层方法和记录介质
公开(公告)号：KR1020160132775A
公开(公告)日：2016-11-21
申请号：KR1020160057074
申请日：2016-05-10
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 미즈타니노부타카 , 이와시타미츠아키 , 타나까타카시
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L21/288 , C23C18/1637 , C23C18/1651 , C23C18/1834 , C23C18/1844 , C23C18/32 , C23C18/34 , C23C18/38 , C23C18/50 , C23C18/54 , C25D3/38 , C25D7/123 , H01L21/76843 , H01L21/76874 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/53238
摘要： 알칼리성이며또한착화제를포함하는무전해도금액을이용하여알루미늄또는그 합금으로이루어지는 Al층상에무전해도금을실시한다. 도금처리방법은, 표면(예를들면 TSV(12)의저부표면)에알루미늄또는알루미늄합금으로이루어지는 Al층(22)이노출되어있는기판(10)을준비하는공정과, 이후, 기판에대하여진케이트처리를실시하여, Al층의표면에진케이트피막(30)을형성하는공정과, 이후, 알칼리성이며또한착화제를포함하는무전해도금액(예를들면 Co계도금액)을이용하여, Al층의표면에제 1 무전해도금층(예를들면 Co 배리어층(14a))을형성하는제 1 무전해도금공정을구비한다.
摘要翻译：在由铝或铝合金制成的Al层上进行化学镀处理，使用碱性且含有络合剂的无电镀液。电镀方法包括制备具有暴露由铝或铝合金制成的Al层22的表面（例如，TSV 12的底表面）的基板10; 通过在基板上进行锌酸盐处理，在Al层的表面上形成锌酸盐膜30; 以及碱性并含有络合剂的化学镀液（例如Co系电镀液）在Al层的表面上形成第一非电解镀层（例如Co阻挡层14a）。

4. 发明公开

KR1020160115748A 밀착층 형성 방법, 밀착층 형성 시스템 및 기억 매체 审中-实审
标题翻译：粘合层成型方法粘合层成型系统和记录介质
公开(公告)号：KR1020160115748A
公开(公告)日：2016-10-06
申请号：KR1020160033944
申请日：2016-03-22
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 호시노토모히사 , 하마다마사토 , 타나까타카시 , 이나토미유이치로 , 사이토유스케
IPC分类号： C23C18/04 , C23C18/16
CPC分类号： H01L21/76874 , C23C18/1653 , C23C18/1893 , C23C18/32 , C23C18/38 , C23C18/50 , H01L21/288 , H01L21/67051 , H01L21/76843 , H01L21/76873 , H01L21/76898 , C23C18/04 , C23C18/1619 , C23C18/1633
摘要： 기판표면에박막의밀착층을형성한다. 기판에대하여밀착층을형성하는밀착층형성방법은, 기판(2)을회전시키면서기판(2) 상에커플링제를공급하는공정을구비한다. 기판(2)은 300 rpm 이하의저속으로회전하고, 이상태로 IPA에의해희석된커플링제가기판(2) 상에공급된다.
摘要翻译：可以在基板的表面上形成由薄膜形成的粘附层。在基板上形成粘合层的粘合层形成方法包括在将基板2旋转的同时将耦合剂提供到基板2上。基板2以等于或小于300rpm的低速旋转，并且用 IPA被提供到基板2上。

5. 发明公开

KR1020160078882A 배선층 형성 방법, 배선층 형성 시스템 및 기억 매체 审中-实审
标题翻译：接线层形成方法，接线层形成系统和记录介质
公开(公告)号：KR1020160078882A
公开(公告)日：2016-07-05
申请号：KR1020150180254
申请日：2015-12-16
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 이와시타미츠아키 , 타나까타카시
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/3205
CPC分类号： H01L23/481 , C23C18/1651 , C23C18/1653 , C25D5/022 , C25D7/123 , H01L21/288 , H01L21/76843 , H01L21/76865 , H01L21/76874 , H01L21/76898 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 기판표면의배선층외방에위치하는배리어층및 시드층을에칭처리에의해용이하게제거한다. 기판(2)의표면및 오목부(2a) 내면에배리어층(23) 및시드층(24)으로이루어지는메탈층(25)을형성하고, 이메탈층상에레지스트패턴을형성한다. 이어서, 레지스트패턴(26)의개구(26a)로부터도금액을공급하여오목부(2a) 내에배선층(27)을형성하고, 기판(2)의표면상의메탈층(25)을에칭에의해제거한다. 메탈층(25)은무전해도금처리에의해형성되어있다.
摘要翻译：通过蚀刻处理容易地去除位于基板表面的布线的外侧的阻挡层和种子层。形成在基板（2）的表面和凹部（2a）的内表面上的阻挡层（23）和种子层（24）的金属层。在金属层上形成抗蚀剂图案。并且，从开口（26a）从抗蚀剂图案（26）供给电镀液。在凹部（2a）中形成有配线层（27）。通过蚀刻去除衬底（2）表面上的金属层（26）。金属层（26）通过无电解电镀工艺形成。

6. 发明授权

KR101621852B1 반도체 소자 및 이의 제조 방법 有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR101621852B1
公开(公告)日：2016-05-19
申请号：KR1020140173755
申请日：2014-12-05
申请人： 연세대학교 산학협력단 , 인천대학교 산학협력단
发明人： 김형준 , 김수현 , 윤재홍 , 이한보람
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/28
CPC分类号： H01L23/53266 , H01L21/28562 , H01L21/76843 , H01L21/76873 , H01L21/76874 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L21/3205 , H01L21/28 , H01L2924/00
摘要： 본발명은반도체소자및 이의제조방법에관한것으로, 기판; 기판상의도전성라인; 및기판과도전성라인사이의시드층을포함하는반도체소자로서, 시드층은코발트티타늄나이트라이드를포함하는반도체소자를개시한다.
摘要翻译：本发明涉及通过具有种子层性质和扩散防止层特性的多功能单薄膜种子层同时降低布线处理成本的半导体装置，能够提高半导体元件的生产率，其制造方法。半导体元件包括：基板; 在基板上的导电线; 以及在所述基板和所述导电线之间的种子层。种子层包括钴氮化钛。

7. 发明公开

KR1020140143202A 핵생성 억제를 사용하는 텅스텐 피처 충진 审中-实审
标题翻译： TUNGSTEN功能填充与核心抑制
公开(公告)号：KR1020140143202A
公开(公告)日：2014-12-15
申请号：KR1020147029798
申请日：2013-03-20
申请人： 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드
发明人： 찬드라쉐카아난드 , 젱에스터 , 후마윤라쉬나 , 다넥마이클 , 가오주웬 , 왕드어치
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/205 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/76877 , C23C16/045 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/321 , H01L21/76862 , H01L21/76874 , H01L21/76879 , H01L21/76898 , H01L27/1052 , H01L27/10891
摘要： 텅스텐 핵생성을 억제하는 바를 포함하는, 텅스텐으로 피처들을 충진하는 방법들, 및 이와 관련된 시스템들 및 장치가 본 명세서에서 기술된다. 일부 실시예들에서, 방법들은 피처 프로파일을 따라서 선택적 억제를 수반한다. 피처에서의 텅스텐 핵생성을 선택적으로 억제하는 단계는 기판을 다이렉트 플라즈마 (direct plasma) 또는 원격 플라즈마에 노출하는 단계를 포함한다. 특정 실시예들에서, 기판은 선택적 억제 동안에 바이어스될 수 있다. 억제 프로파일을 튜닝하기 위해서 바이어스 전력, 노출 시간, 플라즈마 전력, 프로세스 압력 및 플라즈마 밀도를 포함하는 프로세스 파라미터들이 사용될 수 있다. 본 명세서에서 기술되는 방법들은 텅스텐 비아들에서와 같이 수직 피처들 및 수직 NAND 워드라인과 같은 수평 피처들을 충진하는데 사용될 수 있다. 이 방법들은 컨포멀한 보텀-업 (bottom-up) 또는 인사이드-아웃 (inside-out) 충진을 위해서 사용될 수도 있다. 애플리케이션의 실례들은 로직 및 메모리 컨택트 충진, DRAM 매립형 워드라인 충진, 수직으로 집적된 메모리 게이트/워드라인 충진, 및 실리콘 관통 비아들 (TSV) 로의 3D 집적을 포함한다.

8. 发明授权

KR101422387B1 차세대 CMOS 이미지센서 제조방법 有权
标题翻译：下一代CMOS图像传感器的制造方法
公开(公告)号：KR101422387B1
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：KR1020130005002
申请日：2013-01-16
申请人： 포항공과대학교 산학협력단
发明人： 최경근
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14687 , H01L21/02178 , H01L21/02189 , H01L21/0228 , H01L21/76856 , H01L21/76874 , H01L27/14636 , H01L27/1469
摘要： The present invention relates to a technology related to fabrication of a next generation image sensor, and more particularly to a method of fabricating a next generation CMOS image sensor through which wafer-level package (WLP) performance of an image sensor can be improved through a low temperature process at 300 °C or lower. The present invention provides a method of fabricating a next generation CMOS image sensor for performing a WLP process by manufacturing a sensor unit and applying a TSV technology, wherein a non-electrolytic gold NiB thin film is deposited on an aluminum pad exposed through a via hole formed through the TSV technology, an insulating film on a side surface of the via hole, and a hard mask at an upper portion of a wafer of the CMOS image sensor.
摘要翻译：本发明涉及一种与下一代图像传感器的制造相关的技术，更具体地涉及一种制造下一代CMOS图像传感器的方法，通过该方法可以通过图像传感器的晶片级封装（WLP）性能来提高图像传感器的性能在300℃以下的低温处理。本发明提供一种制造下一代CMOS图像传感器的方法，用于通过制造传感器单元并施加TSV技术来执行WLP处理，其中非电解金NiB薄膜沉积在通过通孔暴露的铝焊盘上通过TSV技术形成，在通孔的侧面上具有绝缘膜，以及在CMOS图像传感器的晶片的上部的硬掩模。

9. 发明公开

KR1020140055961A 반도체 소자의 제조방법, 반도체 소자 有权
标题翻译：制造半导体器件的方法和半导体器件
公开(公告)号：KR1020140055961A
公开(公告)日：2014-05-09
申请号：KR1020130100888
申请日：2013-08-26
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 쓰나미다이스케 , 니시자와코이치로
IPC分类号： H01L21/288
CPC分类号： H01L21/76874 , C23C18/1651 , C23C18/1653 , C23C18/31 , C23C18/34 , C23C18/36 , C23C18/54 , C25D3/16 , C25D3/18 , C25D3/38 , C25D3/50 , C25D5/10 , C25D7/123 , C25D15/00 , H01L21/288 , H01L21/4875 , H01L21/76843 , H01L21/76873 , H01L21/76898 , H01L23/36 , H01L23/49811 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要： The purpose of the present invention is to provide a semiconductor device and a manufacturing method thereof which has a layer having excellent coating quality between a substrate and a metal layer and suppresses that Cu etc which is a component of the metal layer is diffused to the substrate. The manufacturing method of the semiconductor device comprises; a step of attaching a metal catalyst (12a) to the surface of the substrate by dipping the substrate (10) in a liquid including a metal ion; a step of forming an electroless plating layer on the substrate by dipping the substrate in which the metal catalyst is attached in a electroless plating liquid; a step of forming an electroplating layer (16) on the electroless plating layer using the electroless plating layer as a feeding layer by dipping the substrate in an electroplating liquid; and a step of forming a metal layer (18) on the electroplating layer with Cu or Ag. The electroplating layer is formed of a different material with the metal layer.
摘要翻译：本发明的目的是提供一种半导体器件及其制造方法，其具有在基板和金属层之间具有优异涂层质量的层，并抑制作为金属层的成分的Cu等扩散到基板。半导体器件的制造方法包括：通过将基板（10）浸渍在包含金属离子的液体中来将金属催化剂（12a）附着到基板的表面上的步骤; 通过将其中附着有金属催化剂的基板浸渍在无电镀液中而在基板上形成化学镀层的步骤; 通过将基板浸渍在电镀液中，使用化学镀层作为进料层在化学镀层上形成电镀层（16）的步骤; 以及用Cu或Ag在电镀层上形成金属层（18）的步骤。电镀层由与金属层不同的材料形成。

10. 发明授权

KR101319844B1 무전해 단계 및 전력 공급 단계를 포함하는 습식 화학적 증착에 의해 금속층을 패터닝된 절연 층 위에 형성하는 방법 有权
标题翻译：通过湿法化学沉积形成图案的金属层，包括电解和电源相
公开(公告)号：KR101319844B1
公开(公告)日：2013-10-17
申请号：KR1020087018866
申请日：2006-12-13
申请人： 어드밴스드 마이크로 디바이시즈, 인코포레이티드
发明人： 프라우세악셀 , 베너수사네 , 노퍼마르쿠스
IPC分类号： H01L21/288 , H01L21/28 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/288 , C23C18/1653 , C23C18/1671 , C23C18/31 , C25D5/18 , C25D5/34 , H01L21/2885 , H01L21/76843 , H01L21/76856 , H01L21/76873 , H01L21/76874 , H01L21/76877
摘要： 인 시추(in situ) 무전해 증착과 전기도금 증착을 수행함에 의해, 매우 신뢰할만한 금속화 층들이 제공될 수 있고, 시드 층을 형성하는 종래의 화학적 기상 증착(CVD), 원자 층 증착(ALD), 물리적 기상 증착(PVD) 기술들에 의해 나타난 오염물질과 소자 스케일링에 대한 제한조건들이 극복될 수 있다. 일부 실시예들에서는, 습식 화학적 증착 공정에 기반하여 배리어 층이 또한 증착된다.

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