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1. 发明授权

KR101868852B1 진공증착기법을 통해 고품격 멀티컬러 디자인을 갖는 패션 주얼리의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101868852B1
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：KR1020170169149
申请日：2017-12-11
申请人： 주식회사 알도
发明人： 김선일
IPC分类号： C23C14/00 , C23C14/08 , C23C14/10 , C23C14/16 , C23C14/30 , C23C14/34 , C23C14/58 , B05D5/08 , A44C27/00
CPC分类号： C23C14/0015 , A44C27/00 , B05D5/08 , B05D2518/10 , C23C14/081 , C23C14/083 , C23C14/10 , C23C14/16 , C23C14/30 , C23C14/34 , C23C14/58
摘要： 본발명에따른고품격멀티컬러디자인을갖는패션주얼리의제조방법은챔버내에금속, 귀금속및 비금속중 어느하나의재질을갖는모재를장입하고진공상태를형성하는단계; 상기챔버내로플라즈마형성을위한반응가스를공급하는단계; 상기챔버내부상에스퍼터내지전자빔증착을시행하여상기모재의표면상에산화물과금속의멀티레이어필름막을형성하는단계; 및상기산화물과금속멀티레이어필름막이코팅된모재의표면상에추가적으로발수코팅막을형성하는단계;를포함하고, 상기산화물과금속멀티레이어필름막및 발수코팅막을통해독특한디자인색상구현하는것과동시에표면의변색을방지한다.

2. 发明公开

KR1020180053874A 질화붕소 나노튜브 제조 장치 및 이를 이용한 질화붕소 나노튜브 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR1020180053874A
公开(公告)日：2018-05-24
申请号：KR1020160150965
申请日：2016-11-14
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 김명종 , 김준희 , 조현진 , 안석훈 , 장세규 , 김수민 , 손동익 , 서태훈
IPC分类号： C23C14/22 , C23C14/32 , C23C14/00 , C23C14/06 , C23C14/58 , C23C28/00 , C01B21/064
CPC分类号： C23C14/22 , C01B21/064 , C01P2004/13 , C23C14/0036 , C23C14/0057 , C23C14/0647 , C23C14/325 , C23C14/58 , C23C28/32 , C23C28/34
摘要： 반응챔버; 반응챔버내에위치하는음극전극봉; 음극전극봉과아크방전을일으키는양극전극봉으로서, 붕소섬유및 금속층을포함하는양극전극봉; 및반응챔버내에버퍼가스및 질소공급가스를주입하는가스주입구;를포함하는질화붕소나노튜브제조장치가제공된다.

3. 发明公开

KR1020170095982A 수직 자화형 자기 터널 접합 소자를 형성하는 방법, 및 수직 자화형 자기 터널 접합 소자의 제조 장치 审中-实审
标题翻译：形成垂直磁化型磁隧道结元件的方法和制造垂直磁化型磁隧道结元件的装置
公开(公告)号：KR1020170095982A
公开(公告)日：2017-08-23
申请号：KR1020177019593
申请日：2016-01-06
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 기타다,도루 , 나카무라,간토 , 고미,아츠시 , 후루카와,신지 , 스즈키,유스케
IPC分类号： H01L43/12 , H01L43/10 , H01L43/08 , H01F10/16 , H01F10/26 , C23C14/58 , H01L27/105
CPC分类号： H01L43/12 , C23C14/082 , C23C14/165 , C23C14/34 , C23C14/568 , C23C14/5853 , H01F10/16 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01F41/18 , H01L27/105 , H01L43/08 , H01L43/10 , C23C14/58 , H01F10/26
摘要： 수직자화형자기터널접합소자를형성하는방법이제공된다. 이방법은, 피처리체의제1 자성층상에터널배리어층을형성하는공정과, 터널배리어층이형성된피처리체를냉각하는공정과, 냉각하는공정후에, 터널배리어층상에제2 자성층을형성하는공정을포함한다.
摘要翻译：提供了一种形成垂直磁化型磁隧道结元件的方法。该方法包括形成冷却处理和隧道势垒层的步骤的一个工序中的加工，以形成所述物体的所述第一磁性层和，冷却的步骤之后在隧道势垒层的对象，以形成隧道势垒层上的第二磁性层它包括。

4. 发明公开

KR1020170060046A 희토류 박막 자석 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：稀土薄膜磁体及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170060046A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：KR1020177009863
申请日：2015-10-19
申请人： 제이엑스금속주식회사
发明人： 나카노마사키 , 후쿠나가히로토시 , 야나이다케시 , 사와타리히로노부
IPC分类号： H01F10/12 , H01F10/14 , H01F1/057 , H01F41/02 , H01F41/14 , C23C14/14 , C23C14/58
CPC分类号： C23C14/28 , C23C14/14 , C23C14/58 , C23C14/5806 , H01F1/057 , H01F10/14 , H01F41/02 , H01F41/14 , H01F41/32
摘要： Si 기판상에성막한 Nd-Fe-B를포함하는희토류박막자석이며, 상기희토류박막의막 두께가 70㎛이하인경우, Nd 함유량이원자수비로 0.15≤Nd/(Nd+Fe)≤0.25의조건식을만족시키고, 상기희토류박막의막 두께가 70㎛내지 115㎛(단, 70㎛는제외함)인경우, Nd 함유량이원자수비로 0.18≤Nd/(Nd+Fe)≤0.25의조건식을만족시키고, 상기희토류박막의막 두께가 115㎛내지 160㎛(단, 115㎛는제외함)인경우, Nd 함유량이원자수비로 0.20≤Nd/(Nd+Fe)≤0.25의조건식을만족시키는것을특징으로하는희토류박막자석. 본발명은막의박리나기판의파괴가발생하지않는, 최대막 두께 160㎛의희토류박막자석및 상기박막을안정되게성막할수 있는희토류박막자석의제조방법을제공하는것을과제로한다.
摘要翻译：其中，当稀土薄膜的膜厚为70μm或更小时，Nd含量以原子比计在0.15≤Nd/（Nd + Fe）≤0.25的范围内，其中稀土薄膜包含Nd- 当稀土薄膜的薄膜厚度为70〜115μm时，以原子比计满足Nd含量为0.18≤Nd/（Nd + Fe）≤0.25的条件表达式（Nd + Fe）≤0.25原子比，只要稀土薄膜的膜厚为115μm至160μm（其中115μm除外）稀土薄膜磁体。本发明将是零，并且提供一种制造能稳定成膜的稀土类磁铁与所述薄膜的薄膜不发生剥离基材膜的最大膜厚160㎛破坏薄膜的稀土类磁铁的制造方法。

5. 发明公开

KR1020170036675A 가스 배리어성 적층 필름 审中-实审
标题翻译：气体阻隔层压膜
公开(公告)号：KR1020170036675A
公开(公告)日：2017-04-03
申请号：KR1020177000610
申请日：2015-07-23
申请人： 미쯔비시 케미컬 주식회사
发明人： 오제키고타 , 다카노데츠노리 , 오카와라지하루
IPC分类号： C08J7/04 , C23C14/10 , C23C16/40 , C08J5/18 , C08G18/76 , C08K5/5415 , C09D1/00 , C09D175/04
CPC分类号： C08J7/045 , B32B9/00 , B32B27/00 , B32B27/40 , C08J2367/02 , C08J2475/04 , C08K5/5415 , C08L75/04 , C09D175/04 , C23C14/10 , C23C14/58 , C23C16/401 , C23C16/42 , C23C16/56
摘要： 플라스틱기재 (A) 와, 플라스틱기재 (A) 의적어도편면에형성된산화규소층 (B) 와, 산화규소층 (B) 의표면에도공액을도공하여형성된코트층 (C) 를갖는가스배리어성적층필름으로서, 상기도공액이, 폴리우레탄계수지 (c1) 과실란커플링제 (c2) 를혼합하여이루어지고, (c1) 과 (c2) 의반응물을주성분으로서포함하고, 또한그 반응물의수 평균분자량이 10 만∼ 100 만인것으로함으로써, 우수한가스배리어성, 내수성및 접착성을실현할수 있다.
摘要翻译：和形成在一侧上的气体阻隔等级层的塑料基板（A），在塑料基板（A）唯一地至少具有通过施加共轭到所述氧化硅层（B）的表面形成的涂布层（C），和氧化硅层（B）（C1）和（c2）作为主要组分，反应物的数均分子量为100,000 至100万，可以实现优异的气体阻隔性，耐水性和粘附性。

6. 发明公开

KR1020160096683A 희토류 박막 자석 및 그 제조 방법 및 희토류 박막 자석 형성용 타깃 审中-实审
标题翻译：稀土薄膜磁铁，其生产方法和形成稀土薄膜磁铁的目标
公开(公告)号：KR1020160096683A
公开(公告)日：2016-08-16
申请号：KR1020167018416
申请日：2015-03-03
申请人： 제이엑스금속주식회사
发明人： 나카노마사키 , 후쿠나가히로토시 , 야나이다케시 , 이타쿠라마사루 , 사와타리히로노부
IPC分类号： H01F1/057 , H01F10/14 , H01F41/02 , H01F41/18 , C22C38/00 , C23C14/16 , C23C14/24 , C23C14/58
CPC分类号： H01F1/0045 , C22C33/003 , C22C38/00 , C22C38/002 , C22C38/005 , C22C45/02 , C23C14/16 , C23C14/28 , C23C14/5806 , H01F1/053 , H01F10/126 , H01F41/0253 , H01F41/205 , H01F1/057 , C23C14/24 , C23C14/58 , H01F10/14 , H01F41/02 , H01F41/18
摘要： 본발명은, Nd, Fe, B를필수성분으로하는희토류박막자석이며, α-Fe상과 NdFeB상이 3차원적으로교호배열된조직으로이루어지고, 각상의평균결정입경이 10∼30㎚인것을특징으로하는희토류박막자석. 양산성, 재현성이우수하고, 양호한자기특성을갖는희토류박막자석및 그제조방법및 당해박막을제작하기위한타깃을제공하는것을과제로한다.
摘要翻译：本发明提供一种以Nd，Fe，B为必要成分的稀土类薄膜磁铁，其特征在于稀土类薄膜磁铁具有三维交替配置α-Fe相和Nd2Fe14B相的结构，各相的平均结晶粒径为10〜30nm。本发明的目的是提供一种具有优异的批量生产率和再现性以及良好的磁性能的稀土类薄膜磁铁，并提供其生产方法和制造该薄膜的目的。

7. 发明公开

KR1020160002932A 추가의 단색 복사 소스를 구비하는 UV 조사 디바이스 审中-实审
标题翻译：具有附加单色辐射源的紫外线辐射装置
公开(公告)号：KR1020160002932A
公开(公告)日：2016-01-08
申请号：KR1020157032711
申请日：2014-04-14
申请人： 오엘리콘 썰피스 솔루션즈 아게, 츠르바크
发明人： 샤에페르,루에디기어 , 카스파르,마틴
IPC分类号： B05D3/06 , B05D3/02 , B05D7/02 , B05D7/00
CPC分类号： C23C14/58 , B05D3/0209 , B05D3/067 , B05D7/02 , B05D7/53 , B05D7/57 , B05D2490/50
摘要： 본발명은자신의표면이적어도부분적으로제1 페인트층과제2 페인트층 사이에배치된 PVD 코팅을포함하는코팅으로커버되고, 제1 페인트층이표면상에베이스코트층을형성하고제2 페인트층이 PVD 코팅상에탑 코트두께를갖는탑 코트층을형성하며, 적어도탑 코트층이 UV-경화성페인트로생산되는구성요소에관한것이다. PVD 코팅의계면으로부터시작하여, 탑코트두께보다작은영역내에서탑 코트층은이러한영역에접속된탑 코트층의부분내에서보다 UV 광에의해유도되는더 낮은정도의교차-결합을갖는다. 본발명은특히이러한구성요소를생산하기위한방법에관한것이다.

8. 发明公开

KR1020150062954A 인쇄용 블랭킷 및 이의 제조방법 有权
标题翻译：用于印刷和制造相同的纸板
公开(公告)号：KR1020150062954A
公开(公告)日：2015-06-08
申请号：KR1020140161695
申请日：2014-11-19
申请人： 주식회사 엘지화학
发明人： 김주연 , 구범모 , 이승헌 , 명지은
IPC分类号： B41N10/04
CPC分类号： B41N10/04 , B41N2210/04 , C23C14/58 , B32B3/26 , B41N1/00 , B41N10/02
摘要： 본명세서는인쇄용블랭킷및 이의제조방법을제공한다.
摘要翻译：在本发明中，提供了一种用于印刷的毯子及其制造方法，其中所提供的用于印刷的毯子包括支撑层; 缓冲层; 以及形成在缓冲层上的表面印刷层。缓冲层具有形成在支撑层上的第一缓冲层和形成在第一缓冲层上的第二缓冲层，分布在第一缓冲层上的印刷用橡皮布占整个缓冲层的空白空间的至少90％。

9. 发明公开

KR1020150045554A 공정 온도 편차를 낮춘 박막 제조 방법 및 시스템 无效
标题翻译：具有低工艺温度偏差的薄膜的制造方法及其系统
公开(公告)号：KR1020150045554A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：KR1020130124657
申请日：2013-10-18
申请人： 엘티박막주식회사
发明人： 서인자 , 서용운 , 최동규
IPC分类号： C23C14/22 , C23C14/58
CPC分类号： C23C14/22 , C23C14/58
摘要： 본발명은박막제조방법및 시스템에관한것으로서, 구체적으로는복수의공정으로나누어박막을형성함으로써박막형성에따른공정온도의편차를낮춘박막제조방법및 시스템에관한것이다. 본발명은 (a) 피처리기판의온도가소정의박막형성시작온도까지올라가도록가열하는단계; (b) 상기피처리기판의온도가소정의공정상한온도에이를때까지박막을형성하는단계; (c) 박막형성을멈추고상기피처리기판의온도를소정의박막형성시작온도까지냉각시키는단계; 및 (d) 필요한두께의박막이형성될때까지상기 (b) 단계와 (c) 단계를반복하는단계를포함하며, 상기박막을형성함에있어, 그박막소스로부터유기되는열에의하여상기피처리기판의온도가상승하는것을특징으로하는박막형성방법을개시하며, 본발명에의하여피처리기판상에박막을형성함에있어복수의공정으로나누어박막을형성함으로써, 박막의형성에따른공정온도의편차를줄이고, 저온소재피처리기판에서도박막형성이가능하며, 고출력박막소스를사용하여잔류불순물의상대적영향을줄여서고품질의박막을제조할수 있는박막제조방법및 시스템을개시하는효과를갖는다.
摘要翻译：本发明涉及制造薄膜的方法和系统。更具体地，本发明涉及制造薄膜的方法和系统，其通过多个分段方法形成薄膜，以减少由薄膜形成导致的加工温度的差异。本发明包括：（a）增加经受处理的板的温度直至温度达到薄膜形成的预定温度的步骤; （b）在所述板的温度达到预定的上限温度之前形成薄膜的步骤; （c）停止形成薄膜并将所述板冷却到形成薄膜的预定温度的步骤; 和（d）重复步骤（b）和步骤（c）的步骤，直到形成所需厚度的膜。本发明开始制造薄膜的方法，其特征在于，用来自薄膜源的热进行处理的所述板的温度升高，形成所述薄膜。根据本发明，通过多个工艺形成薄膜，以减少由薄膜形成引起的加工温度的差异，并且能够在由低温材料制成的板上形成薄膜。此外，本发明通过使用高功率薄膜源减少残留杂质的相对影响，从而制造高质量薄膜。

10. 发明公开

KR1020140074310A 성막방법 및 성막장치 审中-实审
公开(公告)号：KR1020140074310A
公开(公告)日：2014-06-17
申请号：KR1020147008105
申请日：2012-09-26
申请人： 신크론 컴퍼니 리미티드
发明人： 시오노이치로 , 하야시다츠야 , 지앙유송 , 나가에에키슈 , 미야우치미츠히로 , 사모리싱고
IPC分类号： C23C14/00 , C23C14/02 , C23C14/24 , C23C14/54 , C23C14/58
CPC分类号： C23C14/58 , C23C14/0031 , C23C14/022 , C23C14/24 , C23C14/541 , C23C14/546
摘要： 실용에 견딜 수 있는 것은 물론 내마모성능이 보다 높아진 방오막을 효율적으로 성막할 수 있는 성막장치를 제공한다. 복수의 기판(14)을 유지하기 위한 기체 유지면을 갖는 기판 홀더(12)가 진공용기(10) 내에 회전 가능하게 배설된 성막장치(1)에 있어서, 회전 정지하고 있을 때의 기판 홀더(12)를 향하여 작동시킨 경우에, 상기 기체 유지면의 일부 영역인 제1 영역(A3)에 대해 그 제1 영역 이외의 다른 영역(나머지 영역)보다도 많은 양의 성막재료를 공급 가능해지는 구성으로 진공용기(10) 내에 설치된 증착원(34)과, 회전 정지하고 있을 때의 기판 홀더(12)를 향하여 작동시킨 경우에, 그 기체 유지면의 일부 영역인 제2 영역(A2)만을 향하여 에너지 입자가 조사 가능해지는 구성, 배치 및/또는 방향으로 진공용기(10) 내에 설치된 이온원(38)을 갖는 구성의 성막장치(1)이다.

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