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1. 发明公开

KR1020170060046A 희토류 박막 자석 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：稀土薄膜磁体及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170060046A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：KR1020177009863
申请日：2015-10-19
申请人： 제이엑스금속주식회사
发明人： 나카노마사키 , 후쿠나가히로토시 , 야나이다케시 , 사와타리히로노부
IPC分类号： H01F10/12 , H01F10/14 , H01F1/057 , H01F41/02 , H01F41/14 , C23C14/14 , C23C14/58
CPC分类号： C23C14/28 , C23C14/14 , C23C14/58 , C23C14/5806 , H01F1/057 , H01F10/14 , H01F41/02 , H01F41/14 , H01F41/32
摘要： Si 기판상에성막한 Nd-Fe-B를포함하는희토류박막자석이며, 상기희토류박막의막 두께가 70㎛이하인경우, Nd 함유량이원자수비로 0.15≤Nd/(Nd+Fe)≤0.25의조건식을만족시키고, 상기희토류박막의막 두께가 70㎛내지 115㎛(단, 70㎛는제외함)인경우, Nd 함유량이원자수비로 0.18≤Nd/(Nd+Fe)≤0.25의조건식을만족시키고, 상기희토류박막의막 두께가 115㎛내지 160㎛(단, 115㎛는제외함)인경우, Nd 함유량이원자수비로 0.20≤Nd/(Nd+Fe)≤0.25의조건식을만족시키는것을특징으로하는희토류박막자석. 본발명은막의박리나기판의파괴가발생하지않는, 최대막 두께 160㎛의희토류박막자석및 상기박막을안정되게성막할수 있는희토류박막자석의제조방법을제공하는것을과제로한다.
摘要翻译：其中，当稀土薄膜的膜厚为70μm或更小时，Nd含量以原子比计在0.15≤Nd/（Nd + Fe）≤0.25的范围内，其中稀土薄膜包含Nd- 当稀土薄膜的薄膜厚度为70〜115μm时，以原子比计满足Nd含量为0.18≤Nd/（Nd + Fe）≤0.25的条件表达式（Nd + Fe）≤0.25原子比，只要稀土薄膜的膜厚为115μm至160μm（其中115μm除外）稀土薄膜磁体。本发明将是零，并且提供一种制造能稳定成膜的稀土类磁铁与所述薄膜的薄膜不发生剥离基材膜的最大膜厚160㎛破坏薄膜的稀土类磁铁的制造方法。

2. 发明公开

KR1020150067381A 방향성 규소강 및 그의 제조방법 无效
标题翻译：定向硅钢及其制造方法
公开(公告)号：KR1020150067381A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：KR1020157013350
申请日：2012-12-11
申请人： 바오샨 아이론 앤 스틸 유한공사
发明人： 양,구오후아 , 류,지안동 , 리,구오바오 , 양,용지에 , 후,주오차오 , 헤이,홍슈 , 장,준 , 수,데준 , 순,후안데 , 우,메이홍
IPC分类号： C22C38/02 , C22C38/04 , C22C38/06 , C22C38/00 , C21D8/12
CPC分类号： H01F1/14775 , C21D3/04 , C21D6/008 , C21D8/1216 , C21D8/1222 , C21D8/1233 , C21D8/1255 , C21D8/1261 , C21D8/1283 , C21D9/46 , C22C38/001 , C22C38/02 , C22C38/04 , C22C38/06 , C23C8/02 , C23C8/26 , H01F1/14783 , H01F1/16 , H01F1/18 , H01F41/02 , H01F41/32
摘要： 본발명은우수한자기특성을가지는방향성규소강및 그의제조방법을개시한다. 본발명은, 방향성규소강제품내의 D

3. 发明公开

KR1020140100467A 분자선 에피택시에 의해 금속 산화물상에 그라핀의 직접 성장 审中-实审
标题翻译：通过分子束外延直接生成金属氧化物
公开(公告)号：KR1020140100467A
公开(公告)日：2014-08-14
申请号：KR1020147011851
申请日：2012-12-06
申请人： 유니버시티 오브 노스 텍사스
发明人： 켈버제프리
IPC分类号： H01F41/30
CPC分类号： C30B23/025 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/188 , C30B23/02 , C30B23/066 , C30B29/02 , H01F41/32 , H01L21/02381 , H01L21/02395 , H01L21/02488 , H01L21/02527 , H01L21/02658 , H01L29/1606 , H01L29/82
摘要： 1000 K에서 Co
3 O
4 (111)상에 그라핀의 직접성장이 그라파이트 소스로부터 분자선 에피택시에 의해 달성되었다. 오제 분광법은 0.4 - 3 일분자층들로부터 평균 카본 피복에서 sp
2 카본 곡선모습 특성을 보여주고 있다. 낮은 에너지 전자회절(LEED)은 그라핀의 2.5(±0.1)Å의 격자상수와 함께 sp2 카본 필름의 규칙성을 (111)로 나타낸다. 그라핀 회절 스폿들의 6-폴드 대칭이 0.4, 1 및 3 일분자층에서 관찰되었다. LEED 데이터는 또한 ~1800 Å의 평균 영역크기를 보여주고, Co
3 O
4 (111) 기질과 어울리지 않는 계면을 보여주는데, 여기서 후자는 2.8(±0.1)Å의 격자상수를 나타낸다. 코어레벨 광전자방출은 기대된 ir부터 ir*까지의 위성구성과 함께 특질상 비대칭 C(1s) 구성을 보여 주지만, 그러나 284.9(±0.1) eV의 세 일분자층 필름을 위한 결합에너지와 함께 실질적 그라핀에서 산화물로의 전하 전이를 알려준다.
摘要翻译：通过从石墨源的分子束外延实现石墨烯在1000K下在Co 3 O 4（111）上的直接生长。俄歇光谱显示了特征sp2碳线形，平均碳覆盖从0.4-3单层。低能电子衍射（LEED）表示石墨烯的晶格常数为2.5（±0.1）的sp2碳膜的（111）排序。在0.4,1和3单层膜上观察到石墨烯衍射斑点的六折对称性。 LEED数据还表明平均畴大小为〜1800，与Co3O4（111）衬底呈现不相称的界面，后者表现出2.8（±0.1）的晶格常数。核心级光电子发射显示出特征不对称的C（1s）特征，具有预期的lr至lr *卫星特征，但对于284.9（±0.1）eV的三个单层膜具有结合能，表明实质上的石墨烯 - 氧化物电荷转让。

4. 发明公开

KR1020130055165A 수직자화 박막 구조체 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：完全磁化薄膜结构及其制造方法
公开(公告)号：KR1020130055165A
公开(公告)日：2013-05-28
申请号：KR1020110120757
申请日：2011-11-18
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 최경민 , 민병철 , 신경호
IPC分类号： H01F10/18 , B32B15/04 , H01F41/14 , H01F41/22
CPC分类号： G11B5/645 , G11B5/65 , G11B5/66 , G11B5/72 , G11B5/84 , H01F10/123 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01F41/32 , H01L43/10 , H01L43/12
摘要： PURPOSE: A perpendicular magnetized thin film structure and a manufacturing method thereof are provided to convert a magnetic layer into a L10 crystal structure and secure a vertical magnetic anisotropy. CONSTITUTION: A base layer is provided(S10). A magnetic layer is provided on the base layer(S20). A metal layer is provided on the magnetic layer(S30). The base layer, the magnetic layer, and the metal layer are treated with heat(S40).
摘要翻译：目的：提供垂直磁化薄膜结构及其制造方法，以将磁性层转换为L10晶体结构并确保垂直磁各向异性。构成：提供基层（S10）。在基底层上设置有磁性层（S20）。在磁性层上设置有金属层（S30）。加热处理基层，磁性层和金属层（S40）。

5. 发明授权

KR101868763B1 희토류 박막 자석 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101868763B1
公开(公告)日：2018-06-18
申请号：KR1020177009863
申请日：2015-10-19
申请人： 제이엑스금속주식회사
发明人： 나카노마사키 , 후쿠나가히로토시 , 야나이다케시 , 사와타리히로노부
IPC分类号： H01F10/12 , H01F10/14 , H01F1/057 , H01F41/02 , H01F41/14 , C23C14/14 , C23C14/58
CPC分类号： C23C14/28 , C23C14/14 , C23C14/58 , C23C14/5806 , H01F1/057 , H01F10/126 , H01F10/14 , H01F41/14 , H01F41/32
摘要： Si 기판상에성막한 Nd-Fe-B를포함하는희토류박막자석이며, 상기희토류박막의막 두께가 70㎛이하인경우, Nd 함유량이원자수비로 0.15≤Nd/(Nd+Fe)≤0.25의조건식을만족시키고, 상기희토류박막의막 두께가 70㎛내지 115㎛(단, 70㎛는제외함)인경우, Nd 함유량이원자수비로 0.18≤Nd/(Nd+Fe)≤0.25의조건식을만족시키고, 상기희토류박막의막 두께가 115㎛내지 160㎛(단, 115㎛는제외함)인경우, Nd 함유량이원자수비로 0.20≤Nd/(Nd+Fe)≤0.25의조건식을만족시키는것을특징으로하는희토류박막자석. 본발명은막의박리나기판의파괴가발생하지않는, 최대막 두께 160㎛의희토류박막자석및 상기박막을안정되게성막할수 있는희토류박막자석의제조방법을제공하는것을과제로한다.

6. 发明公开

KR1020160033953A 고주파수용 자성 시트 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：用于高频应用的磁片及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160033953A
公开(公告)日：2016-03-29
申请号：KR1020140124836
申请日：2014-09-19
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 김진모 , 김학관 , 서정욱 , 나은혜 , 김인규
IPC分类号： H01F10/32 , H01F7/02
CPC分类号： H01F10/32 , H01F1/0313 , H01F7/02 , H01F41/32
摘要： 고주파수용자성시트가제공된다. 이고주파수용자성시트는면 방향스핀자기모멘트를갖는자성체시트및 자성체시트내에복수로구비되되, 적어도하나의특정방향으로극성을갖는영구자석들을포함한다.
摘要翻译：本发明的目的是提供一种具有改进的高频特性的高频磁片，并提供一种制造该方法。用于高频的磁性片包括：具有表面方向旋转磁矩的磁性片; 以及设置在所述磁性片中的多个永磁体，具有至少一个特定方向的极性。

7. 发明公开

KR1020140005067A 절연수단을 갖는 유입식 변압기 有权
标题翻译：具有绝缘装置的油封式变压器
公开(公告)号：KR1020140005067A
公开(公告)日：2014-01-14
申请号：KR1020120073087
申请日：2012-07-04
申请人： 엘에스산전 주식회사
发明人： 배병현
IPC分类号： H01F27/02 , H01F27/12 , H01F41/32
CPC分类号： H01F27/025 , H01F27/12 , H01F41/32
摘要： The present invention relates to a hydraulic transformer including an insulation unit. According to an embodiment of the present invention, the hydraulic transformer includes an electrical box filled with insulating oil; low-voltage winding and high-voltage winding included in the electrical box and separated from each other; and one or more insulation members arranged between the low-voltage winding and the high-voltage winding. The insulation member is a lamination body in which a press board and an insulation film are laminated.
摘要翻译：本发明涉及一种包括绝缘单元的液压变压器。根据本发明的实施例，液压变压器包括填充有绝缘油的电气箱; 低压绕组和高压绕组包含在电气箱中并相互分离; 以及设置在低压绕组和高压绕组之间的一个或多个绝缘构件。绝缘构件是层叠有压板和绝缘膜的层压体。

8. 发明公开

KR1020120105051A 무방향성 전자기 강판 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：非导电电磁钢板及其制造方法
公开(公告)号：KR1020120105051A
公开(公告)日：2012-09-24
申请号：KR1020127021052
申请日：2011-02-15
申请人： 신닛테츠스미킨 카부시키카이샤
发明人： 야마자끼슈이찌 , 구보따다께시 , 구로사끼요오스께 , 후지꾸라마사히로 , 시마즈다까히데
IPC分类号： C23C22/00 , C21D8/12 , C21D9/46 , C22C38/00
CPC分类号： H01F1/14783 , C21D1/26 , C21D6/002 , C21D6/005 , C21D6/008 , C21D8/12 , C21D8/1244 , C21D8/1283 , C21D8/1288 , C21D9/46 , C22C38/02 , C22C38/04 , C22C38/06 , C22C38/34 , C23C8/10 , C23C8/18 , C23C22/07 , C23C22/50 , C23C22/74 , C23C24/00 , C23C28/00 , H01F1/18 , H01F41/32
摘要： 무방향성 전자기 강판은, 지철(1)과, 지철(1)의 표면 상에 형성된 1g／㎡ 이상 6g／㎡ 이하의 응력 부여형의 절연 피막(2)을 갖는다. 지철(1)의 표면에, Si, Al 및 Cr으로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 산화물을 함유하고, 두께가 0.01㎛ 이상 0.5㎛ 이하의 산화물층(3)이 형성되어 있다.

9. 发明公开

KR1020110133595A 자기 터널 접합 디바이스 및 제조 有权
标题翻译：磁性隧道连接装置和制造
公开(公告)号：KR1020110133595A
公开(公告)日：2011-12-13
申请号：KR1020117023292
申请日：2010-03-02
申请人： 퀄컴 인코포레이티드
发明人： 이,강호 , 추,시아오춘 , 리,시아 , 강,승,에이치.
IPC分类号： H01L43/08 , H01L43/12 , H01F10/32
CPC分类号： H01L43/02 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G06F17/5068 , H01F10/3254 , H01F10/329 , H01F41/309 , H01F41/32 , H01L27/228 , H01L43/08 , H01L43/12
摘要： A magnetic tunneling junction device and fabrication method is disclosed. In a particular embodiment, a non-transitory computer-readable medium includes processor executable instructions. The instructions, when executed by a processor, cause the processor to initiate deposition of a capping material on a free layer of a magnetic tunneling junction structure to form a capping layer. The instructions, when executed by the processor, cause the processor to initiate oxidization of a first layer of the capping material to form a first oxidized layer of oxidized material.

10. 发明授权

KR101889226B1 연성 자성체 적층시트 및 그 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101889226B1
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：KR1020170113449
申请日：2017-09-05
申请人： 삼성전기주식회사 , (주)동성테크
发明人： 김상대 , 김성회 , 김민규 , 김봉균
IPC分类号： H01F1/12
CPC分类号： H01F1/12 , H01F41/32
摘要： 본발명은제1 접착층(120); 상기제1 접착층(120)의저면에적층되는방열시트(130); 상기방열시트(130)의저면에적층되는제2 접착층(121); 상기제2 접착층(121)의저면에적층되는자성체(140); 상기제1 접착층(120)의상면에적층되는제3 접착층(122); 상기자성체(140)의저면에적층되는제4 접착층(123); 및상기제3 접착층(122)의상면에적층되는보호필름(150);을포함하고, 상기제1 접착층(120), 방열시트(130), 제2 접착층(121) 및자성체(140)는제3 접착층(122) 및제4 접착층(123)에의해밀봉된구조를가지되상기제3 접착층(122) 및제4 접착층(123)은상기제1 접착층(120), 방열시트(130), 제2 접착층(121) 및자성체(140)의외곽경계면을둘러싸도록상호부착되어형성되는연성자성체적층시트및 그제조방법을제공한다.

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