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1. 发明授权

KR101781073B1 성막 장치 및 성막 방법 有权
标题翻译：成膜装置和成膜方法
公开(公告)号：KR101781073B1
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：KR1020110110886
申请日：2011-10-28
申请人： 캐논 가부시끼가이샤
发明人： 나카가와요시유키 , 나카노신고 , 후쿠다나오토
IPC分类号： C23C14/24 , C23C14/54
CPC分类号： C23C16/52 , C23C14/24 , C23C14/546 , C23C16/46
摘要： 성막대상물위에형성되는박막의두께관리를정확한정밀도로행할수가있는성막장치및 그성막방법을제공한다. 성막장치(1)는성막원(21)을소정의성막대기위치와소정의성막위치와의사이에이동시키는이동부(성막원유닛(20))를포함하고, 상기이동부가, 성막원(21)에대한상대위치를유지하도록측정용수정진동자(22) 및교정용수정진동자(23)를보유한다. 교정용수정진동자(23)를이용해서측정용수정진동자의모니터값을교정하는교정공정은, 상기성막대상물위에막을형성하는성막공정의중간에행해진다.
摘要翻译：本发明提供一种能够正确管理成膜对象物上形成的薄膜的厚度的成膜装置以及成膜方法。成膜装置1具备使成膜源21在规定的粘贴位置与规定的成膜位置之间移动的移动部（成膜源部20）并且保持测量石英晶体振荡器22和石英晶体振荡器23以保持相对于彼此的相对位置。在用于在成膜对象物上形成膜的成膜工序中，进行使用了石英振子23的测定用石英振子的监视值的校正工序。

2. 发明公开

KR1020170028980A 막후 모니터 및 막후 측정 방법 审中-实审
标题翻译：薄膜厚度监测和薄膜厚度测定方法
公开(公告)号：KR1020170028980A
公开(公告)日：2017-03-14
申请号：KR1020177003477
申请日：2015-07-29
申请人： 가부시키가이샤 아루박
发明人： 이토,아츠시
IPC分类号： C23C14/54 , C23C14/52 , C23C14/12 , H01L51/56 , G01B7/06 , G01B17/02 , H05B33/10
CPC分类号： C23C14/52 , G01B7/06 , G01B17/02 , H01L51/50 , H05B33/10 , C23C14/546 , C23C14/12 , H01L51/56
摘要： [과제] 금속막등의비교적딱딱한막의막후와유기막등의비교적부드러운막의막후를각각정밀하게측정할수 있는막후모니터및 막후측정방법을제공한다. [해결수단] 증착원을가지는성막장치에설치된수정진동자의공진주파수변화에따라증착막의막후를측정하는막후측정방법에있어서, 상기수정진동자의공진주파수부근을전기적으로소인함으로써컨덕턴스의최대치의 1/2을부여하는반값주파수 F1, F2 (F1
摘要翻译：提供了膜厚度监测器和膜厚度测定方法，其中比较硬的膜例如金属膜的厚度和相对软的膜（例如有机膜）的厚度可以用高准确性。膜厚测定方法是基于设置在具有气相沉积源的成膜装置中的石英晶体振荡器的谐振频率的变化来确定气相沉积膜的厚度，并且包括：进行电扫描围绕石英晶体振荡器的谐振频率，从而获得两个半值频率（F1，F2）（F1

3. 发明公开

KR1020140054043A 성막 장치 및 성막 방법 无效
标题翻译：胶片形成装置和胶片形成方法
公开(公告)号：KR1020140054043A
公开(公告)日：2014-05-08
申请号：KR1020147003510
申请日：2012-08-08
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 카마다토미코 , 하야시테루유키 , 오노유지
IPC分类号： C23C14/54 , H01L51/50 , H05B33/10 , H01L21/205
CPC分类号： C23C14/12 , C23C14/228 , C23C14/546 , H01L51/001
摘要： 성막 처리에서 막 두께 측정에 이용되는 수정 진동자의 장기 수명화를 도모하는 것에 있다. 또한, 복수 종류의 재료 가스를 이용하여 성막을 행할 시, 개별의 재료 가스에 대한 성막량과 혼합 가스에 대한 성막량의 관계성에 기초하여 막 두께 제어를 행하는 것이 가능한 성막 장치 및 성막 방법을 제공한다. 기판에 박막을 성막시키는 성막 장치로서, 캐리어 가스 및 재료 가스를 공급하는 감압 가능한 재료 공급부와, 상기 기판의 상면에 재료 가스를 분사시키는 헤드를 구비하고, 상기 재료 공급부와 상기 헤드는 재료 가스 공급로를 개재하여 연통하고, 상기 재료 가스 공급로에는, 재료 가스 공급로로부터 분기하는 분기 유로가 설치되고, 상기 분기 유로에는 재료 가스의 성막량을 측정하는 측정 장치가 접속되어 있는 성막 장치가 제공된다.

4. 发明公开

KR1020130136385A 증발 재료를 코팅하는 방법 审中-实审
标题翻译：涂有蒸发材料的方法
公开(公告)号：KR1020130136385A
公开(公告)日：2013-12-12
申请号：KR1020130059515
申请日：2013-05-27
申请人： 라이카 미크로시스테메 게엠베하
发明人： 부르징거파울 , 랑안톤
IPC分类号： C23C14/24 , C23C14/54
CPC分类号： C23C16/4485 , C23C14/0605 , C23C14/26 , C23C14/546
摘要： The present invention relates to an apparatus depositing a material layer on a sample inside a vacuum chamber and comprising: a sample stage (100) for arranging at least one sample (103a, 103b, 103c, 103d); evaporation sources (101, 201) connected to a current source for thread-shaped evaporation samples (102, 202); a quartz oscillator (105) for measuring the thickness of a deposition layer; and an evaluation device (113) connected to the quartz oscillator (105); and an electronic control system (112) which is formed to deliver the current, which is provided by two types of current pulses having the length of less than one second, to the evaporation sources (101, 201), wherein the evaluation device (113) is formed to consider the transient attenuating action of the quartz oscillator (105). The present invention also relates to a method for coating evaporated material using the apparatus depositing a material layer on a sample inside a vacuum chamber.
摘要翻译：本发明涉及一种在真空室内的样品上沉积材料层的装置，包括：用于布置至少一个样品（103a，103b，103c，103d）的样品台（100）; 连接到用于螺纹形蒸发样品（102,202）的电流源的蒸发源（101,201）; 用于测量沉积层的厚度的石英振荡器（105）; 以及连接到所述石英振荡器（105）的评估装置（113）。以及电子控制系统（112），其形成为将由两种长度小于一秒的电流脉冲提供的电流传送到蒸发源（101,201），其中评估装置（113））形成以考虑石英振荡器（105）的瞬态衰减动作。本发明还涉及使用在真空室内的样品上沉积材料层的装置来涂覆蒸发材料的方法。

5. 发明公开

KR1020120047810A 진공 증착장치 无效
标题翻译：真空蒸发沉积系统
公开(公告)号：KR1020120047810A
公开(公告)日：2012-05-14
申请号：KR1020110110895
申请日：2011-10-28
申请人： 캐논 가부시끼가이샤
发明人： 후쿠다나오토 , 나카가와요시유키 , 나카노신고
IPC分类号： C23C14/24 , H01L51/56
CPC分类号： C23C14/546 , C23C14/24
摘要： PURPOSE: A vacuum deposition apparatus is provided to improve the production yield of an organic EL device by correcting a deposition rate of a deposition material on a substrate with high precision. CONSTITUTION: A vacuum deposition apparatus comprises a vacuum chamber, a substrate holder unit, an evaporation source(30), a film thickness sensor for monitoring(20), a film thickness controller(61), a control system(60), and a film thickness sensor for correction(10). The control system includes a temperature controller(62) for reducing the difference between the deposition rate measured by the film thickness sensor for monitoring and the target deposition rate. The film thickness sensor for correction outputs a correction value for correcting the deposition rate obtained by the film thickness sensor for monitoring to the control system. The distance from either one of the film thickness sensors needed to improve measurement precision to the center of the opening of the evaporation source is that from the other.
摘要翻译：目的：提供一种真空沉积装置，通过以高精度校正基板上的沉积材料的沉积速率来提高有机EL器件的产量。构成：真空沉积装置包括真空室，衬底保持器单元，蒸发源（30），用于监测的膜厚度传感器（20），膜厚控制器（61），控制系统（60）和用于校正的膜厚传感器（10）。控制系统包括一个温度控制器（62），用于减少由用于监测的膜厚度传感器测量的沉积速率与目标沉积速率之差。用于校正的膜厚度传感器输出用于校正由用于监视的膜厚度传感器获得的沉积速率的校正值到控制系统。从测量精度到蒸发源的开口中心所需要的任何一个膜厚度传感器所需的距离是彼此之间的距离。

6. 发明公开

KR1020120047809A 성막 장치 및 성막 방법 有权
标题翻译：胶片形成装置和胶片形成方法
公开(公告)号：KR1020120047809A
公开(公告)日：2012-05-14
申请号：KR1020110110888
申请日：2011-10-28
申请人： 캐논 가부시끼가이샤
发明人： 나카가와요시유키 , 나카노신고 , 후쿠다나오토
IPC分类号： C23C14/24 , C23C14/54
CPC分类号： C23C14/24 , C23C14/546
摘要： PURPOSE: A film deposition apparatus and method are provided to restrict the temperature rise of a crystal oscillator for correction by blocking radiant heat using a shutter. CONSTITUTION: A film deposition apparatus comprises an evaporation source, a moving unit, a crystal oscillator for measurement(22), a crystal oscillator for correction(23). The moving unit moves the evaporation source relative to an object between a set film deposition standby position and a set film deposition position. The crystal oscillator for measurement measures the amount of a film deposition material formed on the object. The crystal oscillator for correction corrects the amount of the film deposition material measured by the crystal oscillator for measurement. The crystal oscillator for measurement and the crystal oscillator for correction are fixed above a set film deposition standby position of the evaporation source.
摘要翻译：目的：提供一种成膜装置和方法，通过使用快门挡住辐射热来限制用于校正的晶体振荡器的温度上升。构成：成膜装置包括蒸发源，移动单元，用于测量的晶体振荡器（22），用于校正的晶体振荡器（23）。移动单元相对于物体在设定的膜沉积备用位置和设定的膜沉积位置之间移动蒸发源。用于测量的晶体振荡器测量形成在物体上的成膜材料的量。用于校正的晶体振荡器校正由用于测量的晶体振荡器测量的成膜材料的量。用于测量的晶体振荡器和用于校正的晶体振荡器固定在蒸发源的设定的膜沉积备用位置上方。

7. 发明公开

KR1020180094555A 증착률 센서용 초퍼 및 그 연결 부재 有权
公开(公告)号：KR1020180094555A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：KR1020170020817
申请日：2017-02-16
申请人： 주식회사 야스
发明人： 탁성훈 , 김덕 , 김이도 , 최지윤 , 정광호
IPC分类号： C23C14/54 , G01N29/02
CPC分类号： C23C14/546 , G01N29/022 , G01N2291/0256
摘要： 본발명의목적은증착률센서에설치되는다양한종류의초퍼를공정별로좀 더용이하게선별하여장착할수 있게하고, 추가적으로초퍼의조립과분해를좀 더쉽게할 수있도록새로운초퍼유닛을설계하는것이다. 상기목적에따라본 발명은, 슬릿수가다르게형성된각각의초퍼별로맞춤식결합을하는초퍼어댑터를제공하여잘못된초퍼가선택될경우, 초퍼어댑터와결합될수 없게함으로써공정에맞는초퍼를정확하게설치할수 있게하였다. 즉, 초퍼어댑터에는초퍼종류별로배타적인결합을할 수있도록높이또는방위각을달리한핀을설치하여잘못된초퍼는애초에장착이불가능하게하였다. 또한, 본발명은, 초퍼와초퍼어댑터가서로몸체의조립형상을통해조립식으로결합되는것을일차적인결합방식으로하고, 초퍼를초퍼어댑터에고정하는볼트의체결부를디스크형상의초퍼상부에추가배치함으로써회전중 조립이풀리지않도록이중고정하였고, 조립과분해를좀 더용이하게할 수있게하였다.

8. 发明授权

KR101643107B1 진공 증착 장치 有权
标题翻译：真空蒸发器沉积装置
公开(公告)号：KR101643107B1
公开(公告)日：2016-07-26
申请号：KR1020157000967
申请日：2012-11-13
申请人： 미츠비시 쥬고교 가부시키가이샤
发明人： 시게오카노부유키
IPC分类号： C23C14/24 , C23C14/54 , G01B21/08
CPC分类号： C23C14/24 , C23C14/546
摘要： 본발명의진공증착장치는, 타겟이배치되는위치를향해배치되는증발원과, 증발원을포위하며, 증착재가방출되는방출구를갖는증발원커버와, 증발원커버의주위에배치되는방착판과, 증발원으로부터방출되는증착재에의한막두께를검출하는막두께센서와, 재반사되어막두께센서에조사할수 있는위치에마련되며, 막두께센서에조사할수 있는열을억제하는열반사억제수단을구비한다.

9. 发明公开

KR1020160055304A 증착 감지 센서 및 그를 이용한 증착 속도 측정 장치와 박막 증착 장비 审中-实审
标题翻译：沉积传感器和沉积速度测量装置和薄膜沉积装置
公开(公告)号：KR1020160055304A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：KR1020140154269
申请日：2014-11-07
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 홍석민 , 유준호
IPC分类号： C23C14/54 , C23C14/52
CPC分类号： C23C14/546 , H01L51/56
摘要： 본발명은석영크리스탈; 상기석영크리스탈의일면상에구비된제1 전극; 상기석영크리스탈의타면상에구비된제2 전극; 및상기제1 전극상에구비되어증착물질이상기제1 전극상에증착되는것을방지하는보호층을포함하여이루어진증착감지센서를제공한다.
摘要翻译：本发明的目的是提供一种沉积检测传感器和沉积速度测量装置; 以及使用该薄膜沉积装置的薄膜沉积装置，其通过防止第一电极上的裂纹来精确地测量薄膜的沉积速度。沉积检测传感器包括：石英晶体; 设置在所述石英晶体的一个表面上的第一电极; 设置在所述石英晶体的另一个表面上的第二电极; 以及设置在第一电极上以防止沉积材料沉积在第一电极上的保护层。

10. 发明公开

KR1020160026545A 증착량 측정센서 제어 장치 및 제어 방법 无效
标题翻译：用于控制传感器测量沉积量的装置和方法
公开(公告)号：KR1020160026545A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：KR1020140115640
申请日：2014-09-01
申请人： 주식회사 선익시스템
发明人： 박영신 , 최재수 , 오영만 , 이순철 , 송기민 , 안주일 , 이형진
IPC分类号： C23C14/54 , C23C14/24
CPC分类号： C23C14/546 , C23C14/12 , C23C14/26 , H01L51/56
摘要： 본발명은, 제1센서에증착된증발물질의증착량을측정하는단계; 상기제1센서에증착되는증발물질의증착량에기초하여결정되는교체조건에따라제2센서의가동시점을결정하는단계; 상기가동시점에서상기제2센서에증착된증발물질의증착량을측정하는단계; 상기제1센서의증발물질증착률과상기제2센서의증발물질증착률을비교하여, 상기제2센서의증발물질증착률과상기제1센서의증발물질증착률의차이가미리설정된허용오차이내인지여부를판단하는단계; 상기제2센서의증발물질증착률과상기제1센서의증발물질증착률의차이가미리설정된허용오차이내인지여부에따라, 상기제2센서를통해상기기판에증착되는증발물질의증착량의측정여부를결정하는단계를포함하는, 증착량측정센서제어방법이제공된다.
摘要翻译：本发明提供一种控制传感器以测量沉积量的方法。该方法包括：测量沉积在第一传感器上的蒸发材料的沉积量的步骤; 根据基于沉积在第一传感器上的蒸发材料的沉积量确定的替换条件来确定第二传感器的操作时间点的步骤; 在操作时间点测量沉积在第二传感器上的蒸发材料的沉积量的步骤; 比较第一传感器的蒸发材料沉积速率与第二传感器的蒸发材料沉积速率的步骤，以及确定第二传感器的蒸发材料沉积速率与第一传感器的蒸发材料沉积速率之间的差是否下降在预设的允许误差范围内; 以及根据第二传感器的蒸发材料沉积速率与第一传感器的蒸发材料沉积速率之间的差是否下降来决定是否通过第二传感器测量沉积在基板上的蒸发材料的沉积量的步骤在预设的允许误差范围内。

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