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1. 发明公开

KR1020150067382A 박막 형성장치, 스퍼터링 캐소드 및 박막 형성방법 审中-实审
标题翻译：薄膜形成装置，溅射阴极和形成薄膜的方法
公开(公告)号：KR1020150067382A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：KR1020157013365
申请日：2012-10-23
申请人： 신크론 컴퍼니 리미티드
发明人： 미야우치미츠히로 , 무라타다카노리 , 스가와라다쿠야 , 시오노이치로 , 지앙유송 , 하야시다츠야 , 나가에에키슈
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/10 , C23C14/00 , C23C14/56
CPC分类号： C23C14/56 , C23C14/0042 , C23C14/0047 , C23C14/0089 , C23C14/0652 , C23C14/10 , C23C14/352 , C23C14/562 , H01J37/321 , H01J37/3244 , H01J37/32752 , H01J37/3405 , H01J37/3411 , H01J37/3417 , H01J37/3429 , H01J37/3476
摘要： 본발명의과제는대형기판에높은성막레이트로광학다층막을형성할수 있는박막형성장치, 스퍼터링캐소드및 박막형성방법을제공하는것에있다. 상기과제를해결하기위해본 발명의박막형성장치는진공조(21) 내에서스퍼터링에의해기판(43) 상에금속화합물의박막을형성하는박막형성장치(1)로서, 상기진공조(21) 내에금속또는도전성이있는금속화합물로이루어지는타겟(63a, b)과, 그타겟(63a, b)과상호전자기적및 압력적으로서로영향을주도록설치되어반응성가스의활성종을생성하는활성종원을구비하고, 상기활성종원은상기반응성가스를공급하는가스원(76, 77)과, 에너지를진공조내에공급하여상기반응성가스를플라즈마상태로여기하는에너지원(80)을구비하며, 상기에너지원(80)은상기진공조(21)와의사이에상기에너지를진공조(21) 내에공급하기위한유전체창을구비하고, 그유전체창은상기기판(43)에대해평행하게또는상기기판(43)에대해 90° 미만의각도로타겟(63a, b) 측으로경사지게배치되는것을특징으로한다.
摘要翻译：本发明提供薄膜形成装置，溅射阴极以及能够在大尺寸基板上以高成膜速度形成多层光学薄膜的薄膜形成方法。薄膜形成装置1通过溅射在真空室21中的基板43上形成金属化合物的薄膜。真空室21在其内部设置有由金属或导电金属化合物构成的靶63a和b，以及用于产生反应性气体的活性种类的活性物质源，其被布置成与靶63a产生相互的电磁和压力相互作用和b。活性物质源设置有用于供应反应性气体的气体源76和77，以及用于向真空室供应能量以将反应气体激发到等离子体状态的能量源80。能量源80在其与真空室21之间设置有用于将能量供应到真空室21中的电介质窗口。介电窗口与基板43平行布置，或者以朝向目标63a倾斜的方式和b侧与基板43成小于90°的角度。

2. 发明公开

KR1020130071415A 탄화규소 박막의 성막방법 无效
标题翻译：沉积硅碳膜的方法
公开(公告)号：KR1020130071415A
公开(公告)日：2013-06-28
申请号：KR1020127016689
申请日：2011-08-02
申请人： 신크론 컴퍼니 리미티드
发明人： 스가와라다쿠야 , 아오시마히카루 , 지앙유송 , 시오노이치로 , 나가에에키슈
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/58
CPC分类号： C23C14/35 , C23C14/0078 , C23C14/0635 , C23C14/3464 , C23C14/5826 , G02B1/10
摘要： 투과율과 막강도가 높아, 광학용도로 사용 가능한 탄화규소 박막을, 단시간에, 그리고 안전하게, 또한 내열성이 낮은 기판에 대해서도 효율적으로 형성할 수 있는 성막방법을 제공한다.
본 발명 방법은, 진공 용기(11) 내에서 반응 프로세스영역(60)과 성막 프로세스영역(20, 40)이 각각 공간적으로 분리하여 배치되어, 각 영역(20, 40, 60)에서의 처리가 독립적으로 제어 가능하게 구성된 성막장치(1)를 사용하여, 이동하고 있는 기판(S) 상에 탄화규소의 박막을 성막하는 방법으로서, 먼저, 불활성 가스의 분위기하, 영역(20)에서 규소 타겟(29a, 29b)을 스퍼터링하는 동시에, 영역(40)에서 탄소 타겟(49a, 49b)을 스퍼터링한다. 이것에 의해 규소와 탄소를 포함하는 중간 박막을 기판(S) 상에 형성한다. 다음으로, 영역(60)에서, 불활성 가스와 수소의 혼합가스의 분위기하에서 발생시킨 플라즈마를 중간 박막에 폭로하여, 당해 중간 박막을 초박막으로 막 변환시킨다. 그 후, 초박막에 대해 중간 박막의 형성과 초박막으로의 막 변환을 반복한다.

3. 发明公开

KR1020130032253A 박막 형성장치 有权
标题翻译：薄膜成型装置
公开(公告)号：KR1020130032253A
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：KR1020120103105
申请日：2012-09-18
申请人： 신크론 컴퍼니 리미티드
发明人： 지앙유송 , 시오노이치로 , 미야우치미츠히로 , 아오야마다카아키 , 하야시다츠야 , 나가에에키슈
IPC分类号： C23C14/50
CPC分类号： C23C14/042 , C23C14/04 , C23C14/24 , C23C14/50 , C23C14/505 , C23C16/04 , C23C16/042 , C23C16/4584
摘要： PURPOSE: A thin film forming apparatus is provided to be equipped with an opening to expose a filmed part wherein the holding surface of a substrate holding member functions as a mask, thereby controlling the shape or the size of the beam portion based on the shape or the size of the opening. CONSTITUTION: A thin film forming apparatus includes a substrate holding unit. The substrate holding unit comprises a substrate holding member, a supporting member and a rotating member. The substrate holding member holds multiple substrates to expose a filmed part by overlapping a part of unfilmed parts of a substrate with other substrates. The supporting member supports the substrate holding member. The rotating member rotates the supporting member. The substrate holding member has multiple holding surfaces(11d), multiple steps(11e) and multiple openings(11f). The multiple holding surfaces hold multiple substrates and installed between a filmed circle and the multiple substrates. The multiple steps are formed between multiple holding surfaces to contact respectively to the end parts of the multiple substrates. The multiple openings are formed on the holding surfaces corresponding to the filmed portion when the multiple are in contact respectively with the end parts of the multiple substrates.
摘要翻译：目的：提供一种薄膜形成装置，其具有用于暴露成膜部件的开口，其中基板保持部件的保持表面用作掩模，从而基于形状或形状来控制光束部分的形状或尺寸开口的大小。构成：薄膜形成装置包括基板保持单元。基板保持单元包括基板保持构件，支撑构件和旋转构件。基板保持构件通过将基板的未部分部分与其它基板重叠而保持多个基板以暴露成膜部分。支撑构件支撑基板保持构件。旋转构件使支撑构件旋转。基板保持构件具有多个保持表面（11d），多个台阶（11e）和多个开口（11f）。多个保持表面保持多个基板并且安装在成像圆和多个基板之间。在多个保持表面之间形成多个台阶以分别接触多个基板的端部。当多个开关分别与多个基板的端部部分接触时，多个开口形成在与成膜部分相对应的保持表面上。

4. 发明公开

KR1020110014657A 바이어스 스퍼터장치 有权
标题翻译：偏移喷雾装置
公开(公告)号：KR1020110014657A
公开(公告)日：2011-02-11
申请号：KR1020107028578
申请日：2009-06-16
申请人： 신크론 컴퍼니 리미티드
发明人： 스가와라사토시 , 에나미야스히로 , 다카하시가즈키 , 구마가와스스무 , 지앙유송 , 시오노이치로 , 다카사카요시히로
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/50 , H01L21/285
CPC分类号： C23C14/505 , C23C14/345 , H01J37/32706 , H01J37/32733 , H01J37/34
摘要： [과제] 본 발명은 성막면에 부착되는 이물질의 발생을 저감할 수 있는 자전·공전기구를 갖는 바이어스 스퍼터장치를 제공하는 것을 과제로 한다.
[해결수단] 상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 바이어스 스퍼터장치는, 자전·공전기구를 갖는 기판홀더(12)를 구비한 바이어스 스퍼터장치(1)에 있어서, 기판홀더(12)는 공전부재(21)와 자전홀더(23)를 가져서 되고, 자전홀더(23)에 취부된 각각의 기판(14)의 이면측에는, 기판(14)으로부터 0.5~10 ㎜ 이간된 위치에, 기판(14)과 동등 사이즈의 원판형상의 기판전극(30)이 설치되어 있는 것을 특징으로 한다.

5. 发明授权

KR101312752B1 성막방법 및 성막장치 有权
标题翻译：沉积薄膜沉积系统的方法
公开(公告)号：KR101312752B1
公开(公告)日：2013-09-27
申请号：KR1020127001275
申请日：2011-09-30
申请人： 신크론 컴퍼니 리미티드
发明人： 시오노이치로 , 미야우치미츠히로 , 지앙유송
IPC分类号： C23C14/02 , C23C14/22
CPC分类号： B05D1/00 , C23C14/022 , C23C14/06 , C23C14/22 , C23C14/546
摘要： 본 발명은, 실용에 견딜 수 있는 것은 물론, 내마모성이 보다 높여진 발유막을 효율적으로 성막할 수 있는 성막방법을 제공하는 것을 과제로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해 본 발명의 성막장치는, 복수의 기판(14)을 보유·유지(保持)하기 위한 기체 보유·유지면을 갖는 기판 홀더(12)가 진공용기(10) 내에 회전 가능하게 배설(配設)된 성막장치(1)에 있어서, 상기 기체 보유·유지면의 일부 영역만을 향해 이온빔이 조사 가능해지는 구성, 배치 및/또는 방향으로 진공용기(10) 내에 설치된 이온원(38)과, 상기 기체 보유·유지면의 전영역을 향해 발유막의 성막재료가 공급 가능해지는 배치 및 방향으로 진공용기(10) 내에 설치된 증착원(34)을 가지며, 증착원(34)의 작동 개시 전에 이온원(38)의 작동을 정지시키도록 구성한 것인 것을 특징으로 한다.

6. 发明授权

KR101068278B1 증착장치 및 박막 디바이스의 제조방법 失效
标题翻译：沉积装置和薄膜器件的制造方法
公开(公告)号：KR101068278B1
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：KR1020107028582
申请日：2009-06-16
申请人： 신크론 컴퍼니 리미티드
发明人： 시오노이치로 , 지앙유송 , 혼다히로미츠 , 무라타다카노리
IPC分类号： C23C14/48 , C23C14/22 , G02B5/28
CPC分类号： C23C14/30 , C23C14/083 , C23C14/10 , C23C14/22 , G02B1/115 , G02B5/285 , H01J37/32422
摘要： [과제] 본 발명은 성막조건의 경시적인 변화를 억제할 수 있는 증착장치(1)를 제공하는 것을 과제로 한다.
[해결수단] 상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 증착장치는, 접지된 진공용기(10) 내에 지지된 기판홀더(12)와, 기판홀더(12)에 보유·유지(保持)된 기판(14)과, 기판(14)에 이간하여 대향하는 증발원(34, 36)과, 기판(14)에 대해 이온을 조사하는 이온총(38)과, 기판(14)에 대해 전자를 조사하는 뉴트럴라이저(40)를 구비하며, 이온총(38) 및 뉴트럴라이저(40)에는, 각각, 조사이온 가이드부재(50) 및 조사전자 가이드부재(52)가 취부되어 있는 것을 특징으로 한다.
摘要翻译：发明内容本发明的目的在于提供一种能够抑制成膜条件随时间变化的蒸镀装置（1）。

7. 发明公开

KR1020110053207A 성막방법 및 발유성 기재 有权
标题翻译：成膜方法和油脂基
公开(公告)号：KR1020110053207A
公开(公告)日：2011-05-19
申请号：KR1020107006280
申请日：2009-08-24
申请人： 신크론 컴퍼니 리미티드
发明人： 시오노이치로 , 나가에에키슈 , 지앙유송 , 스가와라다쿠야
IPC分类号： C23C14/58 , C03C17/42 , C23C14/02
CPC分类号： C23C16/56 , C03C17/42 , C03C2217/76 , C03C2217/77 , C03C2218/32 , C09D1/00 , C09D5/00 , C23C14/0652 , C23C14/08 , C23C14/12 , C23C14/22 , C23C14/221 , C23C14/24 , C23C14/541 , C23C14/5833 , Y10T428/265
摘要： 본 발명의 성막방법은, 기판(101)의 표면에 기판(101)의 경도보다 높은 경도를 갖는 제1 막(103)을 성막하는 제1 성막공정, 제1 막(103)에 에너지를 갖는 입자를 조사하는 제1 조사공정, 및 제1 조사공정 후의 제1 막(103)의 표면에 발유성(撥油性) 막(105)을 성막하는 제2 성막공정을 갖는다. 본 발명에 의하면, 실용에 견딜 수 있는 내마모성을 구비한 발유성 막을 갖는 발유성 기재를 제조할 수 있는 성막방법을 제공할 수 있다.

8. 发明授权

KR101317536B1 광학식 막두께계 및 광학식 막두께계를 구비한 박막 형성장치 有权
标题翻译：光学薄膜厚度计和薄膜成型设备配有光学薄膜厚度计
公开(公告)号：KR101317536B1
公开(公告)日：2013-10-15
申请号：KR1020127002789
申请日：2010-06-29
申请人： 신크론 컴퍼니 리미티드
发明人： 사이교쿠요 , 히나타요헤이 , 오타키요시유키 , 지앙유송
IPC分类号： G01B11/06 , C23C14/54
CPC分类号： G01B11/06 , C23C14/34 , C23C14/547 , G01B11/0625
摘要： 높은 정밀도로 광학 막두께 및 분광 특성의 계측이 가능한 광학식 막두께계 및 광학식 막두께계를 구비한 박막 형성장치를 제공한다. 광학식 막두께계는, 투광기(11)와, 반사미러(17)와, 수광기(19)와, 분광기(20)로 구성되어 있고, 측정광의 입사방향에 대해 실기판(實基板)(S)의 반대측에, 측정광의 광축에 대해 거의 수직으로 반사면이 배설된 반사미러(17)를 구비하고 있다. 또한, 실기판(S)은, 측정광의 광축에 대해 소정의 기울기 각도(α)를 가지고 배설된다. 측정광(출사광과 반사광)이 실기판(S)을 2회 투과하게 되어, 투과율(광량)의 변화량을 크게 할 수 있어, 막두께 측정의 제어 정밀도를 향상시킬 수 있다. 또한, 투과 위치의 차이에 따른 측정 오차의 발생을 방지할 수 있으며, 또한, 측정 기판을 소정의 경로를 통과하여 2회 투과하지 않은 측정광이 수광기(19)측에서 검출되지 않게 되기 때문에, 높은 정밀도로 광학 막두께 및 분광 특성의 계측을 할 수 있다.

9. 发明公开

KR1020120093824A 자장발생장치, 마그네트론 캐소드 및 스퍼터장치 无效
标题翻译：磁场发生器，MAGNETRON CATHODE和溅射装置
公开(公告)号：KR1020120093824A
公开(公告)日：2012-08-23
申请号：KR1020127003574
申请日：2011-08-30
申请人： 신크론 컴퍼니 리미티드 , 중국과학기술대학
发明人： 공웨이 , 린지징 , 리밍 , 시에빈 , 왕하이치엔 , 지앙유송 , 나가에에키슈
IPC分类号： C23C14/35 , C03C17/245 , C23C14/34
CPC分类号： C23C14/351 , C23C14/35 , H01F7/081 , H01J25/50 , H01J37/3405 , H01J37/3452 , H01J37/3461
摘要： 본 발명은 타겟의 이용률을 높이는 것을 과제로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 자장발생장치는, 타겟(8)의 배면(背面)에 배치되어, 타겟(8)의 표면(8a)에 자력선(11)에 기초하는 자장을 발생시키는 자장발생장치(10)에 있어서, 타겟(8)의 면에 대해 평행한 방향(X방향)에 극축을 갖는 환상의 외주 자석체(144)와, 외주 자석체(144)의 내측에 배치되어, 외주 자석체(144)의 극축의 방향과 평행한 방향(X방향)에 극축을 갖는 중심 자석체(142)와, 외주 자석체(144) 및 중심 자석체(142)를 배면으로부터 지지하는 요크판(12)과, 타겟(8)의 표면(8a)의 자계분포를 변동시키는 도자판(16)을 갖는다. 도자판(16)은, 외주 자석체(144) 및 중심 자석체(142) 사이에 배치되어 있다. 또한 도자판(16)은, 요크판(12)에 의해 배면으로부터 지지되도록 배치되어 있다.

10. 发明授权

KR101077706B1 광학 필터의 제조방법 有权
标题翻译：光学滤光片的制造方法
公开(公告)号：KR101077706B1
公开(公告)日：2011-10-27
申请号：KR1020117004260
申请日：2009-09-14
申请人： 신크론 컴퍼니 리미티드
发明人： 시오노이치로 , 사토도시히코 , 도가시야스히사 , 지앙유송 , 스가와라다쿠야
IPC分类号： C23C14/02 , C23C14/06 , C23C14/34 , G02B5/20
CPC分类号： C23C14/0078 , C03C17/001 , C03C2218/31 , H01J37/32082
摘要： 본발명은세정에의해기판표면에부착된이물질을, 박막형성전에제거함으로써, 양호한막질을갖는광학필터의제조방법을제공하는것을과제로한다. 상기과제를해결하기위해, 본발명의광학필터의제조방법은, 수분을포함한용액을사용하여기판(S)을세정하는세정공정(P1)과, 세정공정(P1)에의해세정된기판(S)의표면을산소가스의플라즈마에의해플라즈마처리하는전처리공정(P3)과, 전처리공정(P3)에의해플라즈마처리된기판(S)의표면에박막을형성하는박막형성공정(P4, P5)을행함으로써, 기판표면에부착된이물질을효과적으로제거할수 있으며, 또한, 전처리공정(P3)에서는, 플라즈마를발생시키는영역에산소가스만이도입되고, 또한, 도입되는산소가스유량은, 박막형성공정에서도입되는산소가스유량보다도많게함으로써, 세정공정에있어서기판(S)의표면에 OH기결합을매개로하여부착된이물질을, 박막형성공정(P4, P5) 전에효과적으로제거하여, 막빠짐부의발생을방지하는것을특징으로한다.

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