专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明公开

KR1020170095982A 수직 자화형 자기 터널 접합 소자를 형성하는 방법, 및 수직 자화형 자기 터널 접합 소자의 제조 장치 审中-实审
标题翻译：形成垂直磁化型磁隧道结元件的方法和制造垂直磁化型磁隧道结元件的装置
公开(公告)号：KR1020170095982A
公开(公告)日：2017-08-23
申请号：KR1020177019593
申请日：2016-01-06
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 기타다,도루 , 나카무라,간토 , 고미,아츠시 , 후루카와,신지 , 스즈키,유스케
IPC分类号： H01L43/12 , H01L43/10 , H01L43/08 , H01F10/16 , H01F10/26 , C23C14/58 , H01L27/105
CPC分类号： H01L43/12 , C23C14/082 , C23C14/165 , C23C14/34 , C23C14/568 , C23C14/5853 , H01F10/16 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01F41/18 , H01L27/105 , H01L43/08 , H01L43/10 , C23C14/58 , H01F10/26
摘要： 수직자화형자기터널접합소자를형성하는방법이제공된다. 이방법은, 피처리체의제1 자성층상에터널배리어층을형성하는공정과, 터널배리어층이형성된피처리체를냉각하는공정과, 냉각하는공정후에, 터널배리어층상에제2 자성층을형성하는공정을포함한다.
摘要翻译：提供了一种形成垂直磁化型磁隧道结元件的方法。该方法包括形成冷却处理和隧道势垒层的步骤的一个工序中的加工，以形成所述物体的所述第一磁性层和，冷却的步骤之后在隧道势垒层的对象，以形成隧道势垒层上的第二磁性层它包括。

2. 发明授权

KR101422421B1 높은 전력 충격 마그네트론 스퍼터링을 사용하여 메모리를 형성하는 방법 및 시스템 有权
标题翻译：使用高功率脉冲磁控溅射形成存储器的方法和系统
公开(公告)号：KR101422421B1
公开(公告)日：2014-07-22
申请号：KR1020137001756
申请日：2011-06-21
申请人： 마이크론 테크놀로지, 인크.
发明人： 후,용준,제프 , 맥티어,에버렛,에이. , 스미스3세,존,에이. , 샌드후,구르테즈,에스.
IPC分类号： H01L21/203 , H01L21/8247 , H01L27/115
CPC分类号： H01J37/3467 , C23C14/08 , C23C14/082 , C23C14/088 , C23C14/3407 , C23C14/3485 , C23C14/35 , H01J37/3417 , H01J37/3426 , H01J2237/3322 , H01L21/02192 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1625
摘要： 높은 전력 충격 마그네트론 스퍼터링(HIPIMS)를 사용하여 메모리를 형성함이 설명된다. 하나 또는 둘 이상의 방법 실시 예가 높은 전력 충격 마그네트론 스퍼터링(HIPIMS)를 사용하여 한 구조상에 저항 메모리 재료를 형성함을 포함하며, 이때 상기 저항 메모리 재료가 약 섭씨 400도 이하 온도의 환경에서 상기 구조상에 형성된다.

3. 发明公开

KR1020170138976A 스퍼터링 타깃 및 그것을 이용한 자기 메모리의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：溅射靶材及使用其制造磁性记忆体的方法
公开(公告)号：KR1020170138976A
公开(公告)日：2017-12-18
申请号：KR1020170165267
申请日：2017-12-04
申请人： 우베 마테리알즈 가부시키가이샤 , 도시바 메모리 가부시키가이샤
发明人： 다이보우타다오미 , 키타가와에이지 , 노마켄지 , 카이타다시 , 야마카와코지 , 나가세토시히코 , 니시야마카츠야 , 우에다코지 , 와타나베다이스케 , 요다히로아키 , 사노사토루 , 니시무라요시히로 , 와타나베타카유키 , 카토유죠 , 우에키아키라
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/08 , H01L43/12 , H01L27/22
CPC分类号： C23C14/082 , C23C14/3414 , G11C11/161 , H01L27/228 , H01L43/12 , C23C14/081
摘要： 자기터널접합소자의 MR비를향상시키는것이가능한스퍼터링타깃및 그것을이용한자기메모리의제조방법을제공하는것을과제로한다. 상기과제를해결하기위한본 발명의구성은, MgO를주성분으로하고두께가 3㎜이하인타킷본체(10)를구비하는것을특징으로하는스퍼터링타깃, 및그것을이용한, MR비를향상시킬수 있는자기메모리의제조방법이다.
摘要翻译：提供了一种能够提高磁隧道结元件的MR比的溅射靶以及使用该溅射靶制造磁存储器的方法。本发明的用于解决上述问题的结构主要由MgO和包含3㎜的溅射靶是少takit体10的厚度，并且，使用的，可以改善MR比的磁存储器 Lt。

4. 发明公开

KR1020170008724A 산화물 소결체, 스퍼터링용 타겟 및 그것을 이용하여 얻어지는 산화물 반도체 박막 审中-实审
标题翻译：氧化物烧结体，溅射靶和氧化物半导体薄膜
公开(公告)号：KR1020170008724A
公开(公告)日：2017-01-24
申请号：KR1020167024995
申请日：2015-05-20
申请人： 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤
发明人： 나카야마도쿠유키 , 니시무라에이이치로 , 마츠무라후미히코 , 이와라마사시
IPC分类号： C04B35/03 , C04B35/64 , C23C14/34 , C23C14/08 , H01L21/02 , H01L21/324
CPC分类号： H01L29/78693 , C04B35/01 , C04B35/03 , C04B35/6261 , C04B35/645 , C04B2235/3206 , C04B2235/3286 , C04B2235/5436 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6585 , C04B2235/72 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C23C14/08 , C23C14/082 , C23C14/34 , C23C14/3414 , H01J37/3426 , H01J2237/332 , H01L21/02422 , H01L21/02565 , H01L21/0257 , H01L21/02592 , H01L21/02631 , H01L21/02667 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/7869
摘要： 본발명은, 스퍼터링법에의해산화물반도체박막으로한 경우에, 낮은캐리어농도, 높은캐리어이동도를얻을수 있는산화물소결체, 및그것을이용한스퍼터링용타겟을제공한다. 이산화물소결체는, 인듐, 갈륨및 마그네슘을산화물로서함유한다. 갈륨의함유량이 Ga/(In+Ga) 원자수비로 0.08 이상 0.20 미만이고, 마그네슘의함유량이 Mg/(In+Ga+Mg) 원자수비로 0.0001 이상 0.05 미만이며, 1200℃이상 1550℃이하에서소성하는것이바람직하다. 이산화물소결체를스퍼터링용타겟으로서형성한결정질의산화물반도체박막은, 캐리어농도 1.0×10cm미만이고, 캐리어이동도 10 ㎠Vsec이상을얻을수 있다.
摘要翻译：本发明，在将氧化物半导体薄膜通过溅射法，并提供了一个低载流子浓度，得到的氧化物烧结体的高载流子迁移，以及使用它的溅射靶的情况。氧化物烧结体含有铟，镓和镁作为氧化物。和镓的含量小于镓/（在+ Ga）的至少由0.20，镁的含量的Mg /（在+ GA + Mg）的小于0.0001 0.05原子比，并且在超过1200℃以下1550℃烘焙原子比0.08 优选。晶体质量的氧化物半导体层，以形成烧结体作为氧化钛的溅射靶是，小于1.0×10厘米载流子浓度，就可以得到载流子迁移超过10㎠Vsec。

5. 发明公开

KR1020150135530A Li 함유 산화물 타겟 접합체 无效
标题翻译：含LI的氧化物目标组件
公开(公告)号：KR1020150135530A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：KR1020157031160
申请日：2014-04-28
申请人： 가부시키가이샤 코베루코 카겐
发明人： 다케토미유이치 , 가나마루모리요시 , 요시다신타로
IPC分类号： C23C14/34 , C04B35/01 , C04B35/447 , C04B35/645 , C04B37/02
CPC分类号： H01J37/3417 , C04B35/01 , C04B35/447 , C04B35/645 , C04B37/026 , C04B2235/3203 , C04B2235/3275 , C04B2235/6565 , C04B2235/72 , C04B2235/721 , C04B2235/96 , C04B2235/963 , C04B2237/12 , C04B2237/34 , C04B2237/402 , C04B2237/407 , C23C14/082 , C23C14/085 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , H01J37/3429 , H01J37/3435 , H01J37/3491
摘要： Li 함유산화물스퍼터링타겟과, Al계나 Cu계등의백킹플레이트를, 본딩재를개재해서타겟접합체로할 때의휨이나깨짐의발생을억제할수 있는 Li 함유산화물타겟접합체를제공한다. 본발명의 Li 함유산화물타겟접합체는, Li 함유산화물스퍼터링타겟과백킹플레이트가본딩재를개재해서접합된타겟접합체이고, Li 함유산화물스퍼터링타겟의굽힘강도는 20MPa 이상이다.

6. 发明公开

KR1020110025575A 피디피용 저전압 보호막 재료 및 그 제조방법 失效
标题翻译：低电压保护材料及其制造PDP的方法
公开(公告)号：KR1020110025575A
公开(公告)日：2011-03-10
申请号：KR1020090083701
申请日：2009-09-04
申请人： (주)씨앤켐
发明人： 김정석 , 정석 , 김유한 , 김용석 , 윤상훈
IPC分类号： C01F17/00 , C23C14/14 , C23C14/24 , H01J11/22
CPC分类号： C23C14/081 , C01F11/02 , C01P2002/50 , C23C14/082 , H01J17/49
摘要： PURPOSE: A low voltage protective film material for a plasma display panel and a method for manufacturing the same are provided to improve light emitting efficiency by reducing a discharging voltage. CONSTITUTION: The ternary solid solution oxide is based on a binary metal oxide(MO) in a rock-salt crystal structure. The binary metal oxide contains an alkaline earth metal oxide. A monovalence metal oxide(L_2O) and a tervalence metal oxide(N_2O_3) containing an alkaline metal oxide are contained as an alloy element. L is selected form a group including 'Li, Na, K, Ag, and Cu. M is selected from a group including Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Co, and Fe. N is selected from a group including Al, Co, Fe, As, Cr, Ga, V, Ti, Ir, Mo, Nb, Sc, Pd, In, Er, Y, Dy, Eu, Ce, U, and Bi.
摘要翻译：目的：提供一种用于等离子体显示面板的低电压保护膜材料及其制造方法，以通过降低放电电压来提高发光效率。构成：三元固溶体氧化物基于岩盐晶体结构中的二元金属氧化物（MO）。二元金属氧化物含有碱土金属氧化物。含有单价金属氧化物（L_2O）和含有碱金属氧化物的三价金属氧化物（N_2O_3）作为合金元素。 L选自由Li，Na，K，Ag，Cu组成的组。 M选自Be，Mg，Ca，Sr，Ba，Co和Fe组成的组。 N选自Al，Co，Fe，As，Cr，Ga，V，Ti，Ir，Mo，Nb，Sc，Pd，In，Er，Y，Dy，Eu，Ce，U和Bi。

7. 发明授权

KR101900215B1 수직 자화형 자기 터널 접합 소자를 형성하는 방법, 및 수직 자화형 자기 터널 접합 소자의 제조 장치 有权
公开(公告)号：KR101900215B1
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：KR1020177019593
申请日：2016-01-06
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 기타다,도루 , 나카무라,간토 , 고미,아츠시 , 후루카와,신지 , 스즈키,유스케
IPC分类号： H01L43/12 , H01L43/10 , H01L43/08 , H01F10/16 , H01F10/26 , C23C14/58 , H01L27/105
CPC分类号： H01L43/12 , C23C14/082 , C23C14/165 , C23C14/34 , C23C14/568 , C23C14/5853 , H01F10/16 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01F41/18 , H01L27/105 , H01L43/08 , H01L43/10
摘要： 수직자화형자기터널접합소자를형성하는방법이제공된다. 이방법은, 피처리체의제1 자성층상에터널배리어층을형성하는공정과, 터널배리어층이형성된피처리체를냉각하는공정과, 냉각하는공정후에, 터널배리어층상에제2 자성층을형성하는공정을포함한다.

8. 发明公开

KR1020170110009A 유전체막 및 전자 부품 审中-实审
标题翻译：介质膜和电子部件
公开(公告)号：KR1020170110009A
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：KR1020170030323
申请日：2017-03-10
申请人： 티디케이가부시기가이샤
发明人： 우치야마히로키 , 마사오카라이타로우 , 후지쇼헤이 , 시로카와마이코
IPC分类号： H01G4/10 , H01G4/30
CPC分类号： C01F11/02 , C01F5/02 , C01P2002/74 , C04B35/03 , C04B35/04 , C04B35/057 , C04B35/486 , C04B35/62218 , C04B2235/3205 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3236 , C04B2235/3239 , C04B2235/3244 , C04B2235/3248 , C04B2235/3255 , C04B2235/3284 , C04B2235/762 , C23C14/082 , C23C14/185 , C23C14/3414 , H01G4/085 , H01G4/10 , H01G4/1227 , H01G4/33 , H01L21/02175 , H01L21/02194 , H01L21/02266 , H01L28/55
摘要： 높은비유전율과 Q값, 및절연파괴전압을갖는유전체막및 그유전체조성물을사용한전자부품을제공하는것을목적으로한다. NaCl형결정구조를갖는알칼리토류금속산화물을주성분으로하는유전체막에있어서, 상기유전체막은면직방향으로 (111) 배향한기둥형상구조를갖고, 상기유전체막의 Cu-Kα X선회절차트에서, (111)의회절피크의반치폭이 0.3°내지 2.0°인것을특징으로한다.
摘要翻译：本发明提供相对介电常数高，Q值高，绝缘击穿电压高的电介质膜以及使用该电介质组合物的电子部件。其中介电膜具有在平面方向上（111）方向取向的柱状结构，并且在介电膜的Cu-KαX射线衍射图中，（111 ）圆锥部分的峰的半宽度为0.3至2.0。

9. 发明公开

KR1020160056376A 금속 산화막을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 자기 메모리 장치 审中-实审
标题翻译：形成金属氧化物层的方法和包括其的磁性存储器件
公开(公告)号：KR1020160056376A
公开(公告)日：2016-05-20
申请号：KR1020140155548
申请日：2014-11-10
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김기웅 , 박용성 , 이윤재 , 이준명 , 임우창
IPC分类号： H01L43/08 , H01L43/12 , G11C11/15
CPC分类号： H01L43/12 , C23C14/08 , C23C14/081 , C23C14/082 , C23C14/083 , C23C14/165 , C23C14/185 , C23C14/34 , C23C14/3492 , C23C14/5853 , G11C11/161 , H01F10/3286 , H01F41/307
摘要： 금속산화막을형성하는방법및 이를포함하는자기메모리장치가제공된다. 이방법은, 자성막상에금속막을증착하는단계및 금속막을산화시키는단계를포함하는공정사이클이적어도한번실시되는, 후-산화공정을포함할수 있다.
摘要翻译：提供一种形成金属氧化物层的方法和包括该方法的磁存储器件。形成金属氧化物层的方法包括进行至少一个工艺循环的后氧化工艺，包括以下步骤：在磁性层上沉积金属层; 并且氧化金属层，从而容易地控制磁性层的下部与金属氧化物层之间的界面的性质，并减少对磁性层的下部的损伤。因此，可以制备具有改善的结晶性和低RA性能的金属氧化物层。

10. 发明公开

KR1020130025341A 스퍼터링 타깃 및 그것을 이용한 자기 메모리의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：溅射目标，以及使用该方法制造磁记忆的方法
公开(公告)号：KR1020130025341A
公开(公告)日：2013-03-11
申请号：KR1020120095927
申请日：2012-08-30
申请人： 도시바 메모리 가부시키가이샤 , 우베 마테리알즈 가부시키가이샤
发明人： 키타가와에이지 , 다이보우타다오미 , 노마켄지 , 카이타다시 , 야마카와코지 , 나가세토시히코 , 니시야마카츠야 , 우에다코지 , 와타나베다이스케 , 요다히로아키 , 사노사토루 , 니시무라요시히로 , 와타나베타카유키 , 카토유죠 , 우에키아키라
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/08 , H01L43/12 , H01L27/22
CPC分类号： C23C14/082 , C23C14/3414 , G11C11/161 , H01L27/228 , H01L43/12 , C23C14/081
摘要： PURPOSE: A sputtering target and a manufacturing method of a magnetic memory using the same are provided to cheaply prepare a target main body without a screw hole in the target main body. CONSTITUTION: A sputtering target comprises a target main body(10) with a thickness of 3mm or less, containing MgO as main ingredient. The sputtering target is used for a magnetic tunnel junction device. The target main body is supported on a baking plate(12). The thickness(h1) of the target main body and the thickness(h2) of the baking plate satisfy equation1, h1+h2 = t2. A hole for mounting a jig is formed near the edge of the upper side of the target main body. The jig fixes the sputtering target at a sputtering device.
摘要翻译：目的：提供一种溅射靶和使用其的磁性存储器的制造方法，以便在目标主体中无需螺孔便宜地准备目标主体。构成：溅射靶包括厚度为3mm以下的靶主体（10），其以MgO为主要成分。溅射靶用于磁性隧道结装置。目标主体被支撑在烘烤板（12）上。目标主体的厚度（h1）和烘烤板的厚度（h2）满足式1，h1 + h2 <= 5mm。背板由不锈钢，铝合金和W合金之一制成。目标主体的外径和烘烤板的外径满足式2，T1> = t2。在目标主体的上侧的边缘附近形成有用于安装夹具的孔。夹具将溅射靶固定在溅射装置上。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式