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1. 发明公开

KR1020160003777A 압전체 박막 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：压电薄膜及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160003777A
公开(公告)日：2016-01-11
申请号：KR1020157033570
申请日：2014-05-22
申请人： 가부시키가이샤 덴소 , 내셔날 인스티튜트 오브 어드밴스드 인더스트리얼 사이언스 앤드 테크놀로지
发明人： 데시가하라아키히코 , 가노가즈히코 , 아키야마모리토 , 니시쿠보게이코
IPC分类号： H01L41/316 , C23C14/06
CPC分类号： H01L41/18 , C23C14/0052 , C23C14/06 , C23C14/0641 , C23C14/18 , C23C14/185 , C23C14/34 , C23C14/3464 , C23C14/46 , H01L41/187 , H01L41/316
摘要： 스퍼터링에의해얻어지고, 또한스칸듐알루미늄질화물로이루어지는압전체박막(1)이다. 그탄소원자의함유율이 2.5at% 이하이다. 압전체박막(1)의제조에있어서는, 적어도질소가스를포함하는분위기하에서, 탄소원자의함유율이 5at% 이하인스칸듐알루미늄합금타깃재(10)로부터스칸듐과알루미늄을기판상(21)에동시에스퍼터링한다. 또한, 합금타깃재의대향면에대해비스듬히이온빔(31)을조사하여스퍼터링할수도있다. 또한, Sc 타깃재와 Al 타깃재로부터알루미늄과스칸듐을기판상에동시에스퍼터링할수도있다. 이에의해, 우수한압전특성을발휘하는압전체박막및 그제조방법을제공할수 있다.
摘要翻译：通过溅射形成压电薄膜（1），并且基本上由氮化钪组成。碳原子含量为2.5原子％以下。在制造压电薄膜（1）时，在碳原子含量为5at％以下的钪铝合金靶材（10）的基板（21）上同时溅射钪和铝，在至少氮气体存在。也可以通过在合金靶材的相对表面上以倾斜角施加离子束（31）来进行溅射。此外，铝和钪也可以从Sc靶材料和Al靶材料在基板上同时溅射。结果，可以提供表现出优异的压电性能的压电薄膜及其方法。

2. 发明公开

KR1020170143027A 뚜껑들 및 노즐들 상에 희토류 옥사이드 기반 코팅들을 위한 이온 보조 증착 审中-实审
标题翻译：离子辅助沉积用于盖子和喷嘴上的稀土氧化物基涂层
公开(公告)号：KR1020170143027A
公开(公告)日：2017-12-28
申请号：KR1020177036604
申请日：2014-07-15
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 선,제니퍼와이. , 카눈고,비라자피. , 피로우츠도르,바히드 , 장,잉
IPC分类号： H01L21/3065 , C23C14/08 , C23C14/00 , C23C14/48 , H01L21/67 , H01L21/48 , H01J37/32 , B65D43/02
CPC分类号： H01L21/67023 , B65D43/02 , C23C4/01 , C23C4/04 , C23C4/10 , C23C4/11 , C23C4/12 , C23C4/134 , C23C4/14 , C23C4/16 , C23C14/0015 , C23C14/0021 , C23C14/0031 , C23C14/0036 , C23C14/0052 , C23C14/0084 , C23C14/0094 , C23C14/08 , C23C14/081 , C23C14/083 , C23C14/088 , H01J37/32477 , H01J37/32495 , H01J37/32513 , H01J2237/334 , H01L21/67063 , H01L21/67069 , H01L21/6708 , H01L21/67086 , Y10T428/131 , Y10T428/1317 , Y10T428/139 , Y10T428/1393 , H01L21/3065 , C23C14/48 , H01L21/4807 , H01L21/6719
摘要： 물품을제작하는방법은에치반응기용뚜껑또는노즐을제공하는것을포함한다. 이후에, 이온보조증착(IAD)은뚜껑또는노즐의적어도하나의표면상에보호층을증착시키기위해수행되는데, 여기서, 보호층은 300 ㎛미만의두께및 10 마이크로인치또는그 미만의평균표면거칠기를갖는플라즈마내성희토류옥사이드막이다.
摘要翻译：制造物品的方法包括为蚀刻反应器提供盖或喷嘴。此后，离子辅助沉积（IAD）是帽或执行到喷嘴，其中所述保护层的厚度小于300㎛厚度和10微英寸或更小的平均表面粗糙度中的至少一个表面上沉积的保护层耐稀土氧化物薄膜。

3. 发明公开

KR1020040030589A 바이너리 포토마스크 블랭크를 제조하기 위한 이온 빔증착 공정 无效
标题翻译：空值
公开(公告)号：KR1020040030589A
公开(公告)日：2004-04-09
申请号：KR1020037013675
申请日：2002-04-19
申请人： 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니
发明人： 카르시아,피터,프랜시스 , 디어,로렌트
IPC分类号： G03F1/50
CPC分类号： C23C14/3442 , C23C14/0052 , C23C14/46 , G03F1/50 , G03F1/54 , G03F1/58 , G03F1/68
摘要： 400nm 미만의 선택된 리소그래픽 파장에 대한 바이너리 포토마스크 블랭크를 제조하기 위한 이온 빔 막 증착 공정이 기술된다. 상기 막은 필수적으로 MO
x C
y N
z 화합물의 단일층 또는 다층 구성으로 이루어지며, 여기서 M은 크롬, 몰리브덴, 텅스텐, 또는 탄탈륨 또는 이들의 조합으로부터 선택된다.
摘要翻译：描述了用于制造用于所选光刻波长<400nm的二元光掩模坯料的离子束膜沉积工艺，所述膜基本上由MOxCyNz化合物组成，其中M选自铬，钼，钨或钽或其组合或多层配置。

4. 发明公开

KR1020160033700A 뚜껑들 및 노즐들 상에 희토류 옥사이드 기반 코팅들을 위한 이온 보조 증착 审中-实审
标题翻译：离子辅助沉积在稀土氧化物基底漆和喷嘴上
公开(公告)号：KR1020160033700A
公开(公告)日：2016-03-28
申请号：KR1020167001721
申请日：2014-07-15
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 선,제니퍼와이. , 카눈고,비라자피. , 피로우츠도르,바히드 , 장,잉
IPC分类号： H01L21/3065 , C23C14/08 , C23C14/00 , C23C14/48 , H01L21/67 , H01L21/48 , H01J37/32 , B65D43/02
CPC分类号： H01L21/67023 , B65D43/02 , C23C4/01 , C23C4/04 , C23C4/10 , C23C4/11 , C23C4/12 , C23C4/134 , C23C4/14 , C23C4/16 , C23C14/0015 , C23C14/0021 , C23C14/0031 , C23C14/0036 , C23C14/0052 , C23C14/0084 , C23C14/0094 , C23C14/08 , C23C14/081 , C23C14/083 , C23C14/088 , H01J37/32477 , H01J37/32495 , H01J37/32513 , H01J2237/334 , H01L21/67063 , H01L21/67069 , H01L21/6708 , H01L21/67086 , Y10T428/131 , Y10T428/1317 , Y10T428/139 , Y10T428/1393
摘要： 물품을제작하는방법은에치반응기용뚜껑또는노즐을제공하는것을포함한다. 이후에, 이온보조증착(IAD)은뚜껑또는노즐의적어도하나의표면상에보호층을증착시키기위해수행되는데, 여기서, 보호층은 300 ㎛미만의두께및 10 마이크로인치또는그 미만의평균표면거칠기를갖는플라즈마내성희토류옥사이드막이다.

5. 发明公开

KR20070084888A APPARATUS FOR FORMING TRANSITION METAL OXIDE MEMBRANE, METHOD FOR MANUFACTURING NONVOLATILE MEMORY DEVICE USING THE SAME, AND NONVOLATILE MEMORY DEVICE USING THIS METHOD 审中-公开
标题翻译：用于形成过渡金属氧化物膜的装置，使用其制造非易失性存储器件的方法和使用该方法的非易失性存储器件
公开(公告)号：KR20070084888A
公开(公告)日：2007-08-27
申请号：KR20060017243
申请日：2006-02-22
申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
发明人： LEE JUNG HYUN , BANG SANG BONG , CHOI SANG JUN , SEO BUM SEOK , LEE CHANG SOO
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L21/316
CPC分类号： C23C14/46 , C23C14/0052 , C23C14/08 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1675
摘要： An apparatus for forming a transition metal oxide layer, a method for manufacturing a nonvolatile memory device using the same, and a nonvolatile memory device manufactured by the same are provided to increase the density of a layer, to have the smoother surface of the layer, and to improve adhesive strength between the layer and a substrate by forming the transition metal oxide layer whose physical and electrical characteristics are improved on the substrate. A substrate(56) is installed in a chamber(51). A transition metal oxide layer(55) is formed on the substrate. A target(58) is installed in the chamber. Transition metal particles(M) that are a first source material of the transition metal oxide layer toward the substrate are discharged from the target. An oxygen ion beam gun(60) accelerates oxygen ions that are a second source material of the transition metal oxide layer to irradiates them toward the substrate. An argon ion beam gun(65) irradiates accelerated argon ions toward the target in order to excite a discharge of the transition metal particles from the target.
摘要翻译：用于形成过渡金属氧化物层的装置，制造使用该过渡金属氧化物层的非易失性存储装置的方法和由其制造的非易失性存储装置被提供以增加层的密度，以使层的更平滑的表面，并且通过形成在衬底上物理和电学特性得到改善的过渡金属氧化物层来改善层和衬底之间的粘合强度。衬底（56）安装在腔室（51）中。在基板上形成过渡金属氧化物层（55）。目标（58）安装在腔室中。作为朝向基板的过渡金属氧化物层的第一源极材料的过渡金属粒子（M）从靶材排出。氧离子束枪（60）加速作为过渡金属氧化物层的第二源材料的氧离子以将其照射到衬底。氩离子束枪（65）将加速的氩离子照射到靶上，以激发过渡金属颗粒从靶中的排出。

6. 发明公开

KR1020020001584A 육방 결정 질화 붕소막, 층간 절연막, 그 제조 방법 및 플라즈마 ＣＶＤ 장치 失效
标题翻译：低耐蚀性六方硼酸盐膜，中间层电介质及其制造方法
公开(公告)号：KR1020020001584A
公开(公告)日：2002-01-09
申请号：KR1020010036177
申请日：2001-06-25
申请人： 미츠비시 쥬고교 가부시키가이샤
发明人： 사카모토히토시 , 니시모리도시히코 , 소노베히로시 , 요네쿠라요시미치 , 야마시타노부키
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C14/5833 , C04B35/583 , C04B2235/761 , C04B2235/767 , C23C14/0052 , C23C14/0647 , C23C16/342 , C23C16/507 , C23C16/56 , H01L21/318 , H01L21/76828 , H01L21/76829 , H01L21/76835 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
摘要： PURPOSE: A hexagonal boron nitride film is provided to have a specific inductance of 3.0 or less. In addition, a method of producing a layer dielectric film at low temperatures where metal wiring is not deteriorated by heat, is provided. CONSTITUTION: The substrate(1) such as a silicon substrate is provided with, for instance, the source(2), gate oxide film(3), drain(4), electrode(5) and dielectric film(6) and on the dielectric film, device dielectric film(7)(structured of, for example, a silicon oxide film) is formed. The device dielectric film(7) is provided with a first layer dielectric film(9) having a wiring section(10) connected to a contact plug(8) of the device dielectric film(7). The second layer dielectric film 12 is provided on the layer dielectric film(9). The wiring section(10) in the second layer dielectric film(9) is connected to a wiring section(13) in the second layer dielectric film(12) through a via-plug(11). The second layer dielectric film(12) is protected by an end protective film(14). The terminal protective film(14) is usually constituted of a silicon nitride or the like.
摘要翻译：目的：提供六面体氮化硼膜以具有3.0或更小的电感。此外，提供了一种在低温下制造层状电介质膜的方法，其中金属布线不会因热而劣化。构成：诸如硅衬底的衬底（1）设置有例如源极（2），栅氧化膜（3），漏极（4），电极（5）和电介质膜（6），并且在形成电介质膜，器件电介质膜（7）（例如由氧化硅膜构成）。设备电介质膜（7）设置有第一层电介质膜（9），其具有连接到器件电介质膜（7）的接触插塞（8）的布线部分（10）。第二层电介质膜12设置在层电介质膜（9）上。第二层电介质膜（9）中的布线部分（10）通过通孔（11）连接到第二层电介质膜（12）中的布线部分（13）。第二层电介质膜（12）由端部保护膜（14）保护。端子保护膜（14）通常由氮化硅等构成。

7. 发明授权

KR101343437B1 유전체 박막 층으로 코팅된 기판, 창유리 조립체, 기판 위에 증착하는 방법, 및 기판 위에 증착하는 장치 有权
标题翻译：涂覆有介电薄膜层的基板，玻璃组件，基板上沉积的工艺以及用于沉积在基板上的安装
公开(公告)号：KR101343437B1
公开(公告)日：2014-03-04
申请号：KR1020057025069
申请日：2004-06-28
申请人： 쌩-고벵 글래스 프랑스
发明人： 보베,카롤 , 피셔,클라우스 , 로어겐,마르쿠스 , 기론,쟝-크리스토프 , 나도,니콜라 , 마트만,에릭 , 루쏘,쟝-뽈 , 호프리히터,알프레드 , 얀센,만프레드
IPC分类号： H01L21/203
CPC分类号： C03C17/22 , B32B17/10174 , C03C17/225 , C03C17/245 , C03C17/2456 , C03C17/36 , C03C17/3613 , C03C17/3618 , C03C17/3626 , C03C17/3644 , C03C17/3652 , C03C17/366 , C03C2217/21 , C03C2217/281 , C03C2217/78 , C03C2218/154 , C03C2218/155 , C23C14/0052 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/3442 , C23C14/5833 , H01J2211/446
摘要： 본 발명은, 유리 기판과 같은 기판(1)에 관한 것으로, 이는 적어도 하나의 유전체 박층으로 코팅되어 있고, 유전체 층은, 예를 들어 자기장에 의해 보조되고, 바람직하게는 산소 및/또는 질소 존재시 반응성이 있는 캐쏘드 스퍼터링에 의해, 이온 소스(4)로부터 나오는 적어도 하나의 이온빔(3)에 노출시켜 증착된다. 본 발명은, 이온빔에 노출된 유전체 층이 결정화되는 것을 특징으로 한다.

8. 发明公开

KR1020060036403A 유전체 박막 층으로 코팅된 기판, 창유리 조립체, 기판 위에 증착하는 방법, 및 기판 위에 증착하는 장치 有权
标题翻译：电介质涂层基板及其生产安装
公开(公告)号：KR1020060036403A
公开(公告)日：2006-04-28
申请号：KR1020057025069
申请日：2004-06-28
申请人： 쌩-고벵 글래스 프랑스
发明人： 보베,카롤 , 피셔,클라우스 , 로어겐,마르쿠스 , 기론,쟝-크리스토프 , 나도,니콜라 , 마트만,에릭 , 루쏘,쟝-뽈 , 호프리히터,알프레드 , 얀센,만프레드
IPC分类号： H01L21/203
CPC分类号： C03C17/22 , B32B17/10174 , C03C17/225 , C03C17/245 , C03C17/2456 , C03C17/36 , C03C17/3613 , C03C17/3618 , C03C17/3626 , C03C17/3644 , C03C17/3652 , C03C17/366 , C03C2217/21 , C03C2217/281 , C03C2217/78 , C03C2218/154 , C03C2218/155 , C23C14/0052 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/3442 , C23C14/5833 , H01J2211/446
摘要： The invention relates to a substrate (1), such as a glass substrate, which is coated with at least one thin dielectric layer. According to the invention, the dielectric layer is deposited by means of cathode sputtering which is, for example, assisted by a magnetic field and which is preferably reactive in the presence of oxygen and/or nitrogen, with exposure to at least one ion beam (3) from an ion source (4). The invention is characterised in that the dielectric layer which is exposed to the ion beam is crystallised.
摘要翻译：本发明涉及涂覆有至少一个薄介电层的基板（1），例如玻璃基板。根据本发明，电介质层通过例如由磁场辅助的阴极溅射沉积，并且优选在存在氧和/或氮的情况下与暴露于至少一个离子束（在 3）离子源（4）。本发明的特征在于暴露于离子束的电介质层结晶。

9. 发明公开

KR1020060026448A 유전체 박막 층으로 코팅된 기판, 기판 위에 증착하는 방법, 및 기판 위에 증착하는 장치 有权
标题翻译：电介质涂层基板及其生产安装
公开(公告)号：KR1020060026448A
公开(公告)日：2006-03-23
申请号：KR1020057025068
申请日：2004-06-28
申请人： 쌩-고벵 글래스 프랑스
发明人： 보베,카롤 , 피셔,클라우스 , 로어겐,마르쿠스 , 기론,쟝-크리스토프 , 나도,니콜라 , 마트만,에릭 , 루쏘,쟝-뽈 , 호프리히터,알프레드 , 얀센,만프레드
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/203
CPC分类号： C03C17/22 , B32B17/10174 , C03C17/225 , C03C17/245 , C03C17/2456 , C03C17/36 , C03C17/3613 , C03C17/3618 , C03C17/3626 , C03C17/3644 , C03C17/3652 , C03C17/366 , C03C2217/21 , C03C2217/281 , C03C2217/78 , C03C2218/154 , C03C2218/155 , C23C14/0052 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/3442 , C23C14/5833 , H01J2211/446
摘要： The invention relates to a substrate (1), such as a glass substrate, which is coated with at least one thin dielectric layer. According to the invention, the dielectric layer is deposited by means of cathode sputtering which is, for example, assisted by a magnetic field and which is preferably reactive in the presence of oxygen and/or nitrogen, with exposure to at least one ion beam (3) from an ion source (4). The invention is characterised in that the dielectric layer which is exposed to the ion beam has a refractive index which can be adjusted on the basis of the parameters of the ion source, said ion source being a linear source.
摘要翻译：本发明涉及涂覆有至少一个薄介电层的基板（1），例如玻璃基板。根据本发明，电介质层通过例如由磁场辅助的阴极溅射沉积，并且优选在存在氧和/或氮的情况下与暴露于至少一个离子束（在 3）离子源（4）。本发明的特征在于，暴露于离子束的电介质层具有可以根据离子源的参数进行调整的折射率，所述离子源是线性源。

10. 发明授权

KR100433322B1 육방 결정 질화 붕소막, 층간 절연막, 그 제조 방법 및 플라즈마 ＣＶＤ 장치 失效
标题翻译： 육방결정질화붕소막，층간절연막，그제조방법및플라즈마CVD장치
公开(公告)号：KR100433322B1
公开(公告)日：2004-06-12
申请号：KR1020010036177
申请日：2001-06-25
申请人： 미츠비시 쥬고교 가부시키가이샤
发明人： 사카모토히토시 , 니시모리도시히코 , 소노베히로시 , 요네쿠라요시미치 , 야마시타노부키
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C14/5833 , C04B35/583 , C04B2235/761 , C04B2235/767 , C23C14/0052 , C23C14/0647 , C23C16/342 , C23C16/507 , C23C16/56 , H01L21/318 , H01L21/76828 , H01L21/76829 , H01L21/76835 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
摘要： Provided are a hexagonal boron nitride film having a specific inductance of 3.0 or less, a hexagonal boron nitride film wherein the total content of the bonds between a nitrogen atom and a hydrogen atom and between a boron atom and a hydrogen atom is 4 mol% or less, a hexagonal boron nitride film in which a spacing in the c-axis direction is extended by 5 to 30% but the extension of a spacing in the a-axis direction is limited within 5% and a hexagonal boron nitride film in which the direction of the c-axis is parallel to a substrate. There is also provided a layer dielectric film using each of these hexagonal boron nitride films. Also, there is also provided a method of producing a hexagonal boron nitride film by using an ion deposition method.
摘要翻译：提供具有3.0以下的比电感的六方氮化硼膜，其中氮原子与氢原子之间以及硼原子与氢原子之间的键的总含量为4摩尔％的六方氮化硼膜或其中将沿c轴方向的间隔延伸5至30％但将a轴方向上的间隔的延伸限制在5％以内的六方氮化硼膜和将六方氮化硼膜 c轴的方向平行于基板。还提供了使用这些六方氮化硼膜中的每一个的层电介质膜。此外，还提供了通过使用离子沉积法制造六方氮化硼膜的方法。

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