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1. 发明授权

KR101891381B1 플루오로-어닐링된 필름으로 코팅된 물품 有权
公开(公告)号：KR101891381B1
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：KR1020150137850
申请日：2015-09-30
申请人： 엔테그리스, 아이엔씨.
发明人： 린아이-콴 , 군다닐레시 , 라드고우스키데니스 , 벤카트라만찬드라
IPC分类号： H01L21/56 , H01L21/02 , H01L21/3065
CPC分类号： C23C14/48 , C23C14/08 , C23C14/083 , C23C14/58 , C23C14/5806 , C23C14/5846 , H01J37/32467 , H01J37/32495
摘要： 우수한플라스마에치-내성(etch-resistance)이있는코팅에관한것으로서 RIE 컴포넌트의수명을연장할수 있는물품및 방법을제공한다. 물품은진공호환성기재및 기재의적어도일부분을덮는보호필름을구비한다. 필름은이트륨을함유하는플루오르화금속산화물을포함한다.

2. 发明授权

KR101823493B1 소결체 有权
公开(公告)号：KR101823493B1
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：KR1020177007138
申请日：2015-11-18
申请人： 닛폰 이트륨 가부시키가이샤
发明人： 야노토요히코 , 요시다카츠미 , 츠노우라토루 , 시게요시유지
IPC分类号： C04B35/553 , C04B35/515 , C04B35/64 , C04B38/00 , H01L21/3065
CPC分类号： C04B35/50 , C04B35/5156 , C04B35/553 , C04B35/645 , C04B2235/3225 , C04B2235/445 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/604 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6586 , C04B2235/668 , C04B2235/77 , C04B2235/81 , C04B2235/96 , C04B2235/9692 , H01J37/32495 , H01J2237/334 , H01L21/3065 , H01L21/67069
摘要： 본발명의소결체는이트륨의옥시불화물을포함한다. 이트륨의옥시불화물이 YOF 및/또는 YOF인것이바람직하다. 본발명의소결체는이트륨의옥시불화물을 50질량% 이상포함하는것이바람직하다. 본발명의소결체는상대밀도가 70% 이상인것이바람직하고, 또한개기공률이 10% 이하인것도바람직하다. 또한, 본발명의소결체는 3점굽힘강도가 10㎫이상, 300㎫이하인것도바람직하다.

3. 发明公开

KR1020170102178A 일체형 프로세스 키트 쉴드 审中-实审
标题翻译：集成工艺套件屏蔽
公开(公告)号：KR1020170102178A
公开(公告)日：2017-09-07
申请号：KR1020177021358
申请日：2015-12-08
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 사반다이아,키란쿠마르 , 핸슨,라이언 , 안,루시아오
IPC分类号： H01J37/34 , H01J37/32
CPC分类号： H01J37/3411 , H01J37/32431 , H01J37/32477 , H01J37/32495 , H01J37/32504 , H01J37/32513 , H01J37/32522 , H01J37/34
摘要： 프로세스키트쉴드들및 이를포함하는프로세스챔버들의실시예들이본원에제공된다. 몇몇실시예들에서, 일체형(one-piece) 프로세스키트쉴드는, 상부부분및 하부부분을갖는원통형본체; 상부부분을통해연장되는열 전달채널; 및하부부분으로부터방사상내측으로연장되는커버링 섹션을포함한다.
摘要翻译：本文提供了处理套件护罩和包括其的处理室的实施例。在一些实施例中，单件式处理套件护罩包括：具有上部和下部的圆柱体; 延伸穿过上部的传热通道; 以及从下部径向向内延伸的覆盖部分。

4. 发明授权

KR101773510B1 반도체 적용을 위한 희토류 옥사이드 기반 내침식성 코팅 방법 및 물품 有权
标题翻译：基于稀土氧化物的耐腐蚀涂层方法和用于半导体应用的制品
公开(公告)号：KR101773510B1
公开(公告)日：2017-08-31
申请号：KR1020157026487
申请日：2014-05-20
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 선,제니퍼와이. , 카눈고,비라자피. , 차오,톰
IPC分类号： H01L21/48 , H01L21/56 , C23C16/44 , C04B41/00 , C04B41/50 , C04B41/87
CPC分类号： H01J37/32495 , C04B41/009 , C04B41/5045 , C04B41/87 , C23C4/11 , C23C4/134 , C23C16/4404 , Y10T428/131 , Y10T428/26 , C04B35/00 , C04B35/10 , C04B35/581 , C04B41/4527 , C04B41/5031 , C04B41/5042
摘要： 물품은세라믹코팅으로코팅된바디(body)를포함한다. 세라믹코팅은약 45 mol% 내지약 99 mol% 범위의 YO, 약 0 mol% 내지약 55 mol% 범위의 ZrO, 및약 0 mol% 내지약 10 mol% 범위의 AlO을포함할수 있다. 세라믹코팅은대안적으로, 약 30 mol% 내지약 60 mol% 범위의 YO, 약 0 mol% 내지약 20 mol% 범위의 ZrO, 및약 30 mol% 내지약 60 mol% 범위의 AlO을포함할수 있다.
摘要翻译：该物品包括涂有陶瓷涂层的物体。陶瓷涂层可以包括约45摩尔％至约99摩尔％的YO，约0摩尔％至约55摩尔％的ZrO和约0摩尔％至约10摩尔％的AlO。或者，陶瓷涂层可包含约30摩尔％至约60摩尔％的YO，约0摩尔％至约20摩尔％的ZrO以及约30摩尔％至约60摩尔％的AlO。

5. 发明授权

KR101727337B1 대형 표면적을 갖는 접지된 컨파인먼트 링 有权
标题翻译：大面积接地填充环
公开(公告)号：KR101727337B1
公开(公告)日：2017-04-14
申请号：KR1020117023459
申请日：2010-04-06
申请人： 램 리써치 코포레이션
发明人： 마라크타노프알렉세이 , 딘드사라진더
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/24
CPC分类号： H01J37/32642 , H01J37/32422 , H01J37/32495 , H01J37/32623
摘要： 드라이버및 재료공급소스와함께사용되는웨이퍼처리시스템이제공된다. 드라이버는구동신호를생성하도록동작가능하다. 재료공급소스는재료를공급하도록동작가능하다. 이웨이퍼처리시스템은상부컨파인먼트챔버부, 하부컨파인먼트챔버부, 컨파인먼트링 및정전척을포함한다. 상부컨파인먼트챔버부는상부컨파인먼트챔버부내부표면을갖는다. 하부컨파인먼트챔버부는상부컨파인먼트챔버부와접촉하면서분리가능하게배치되어있다. 하부컨파인먼트챔버부는상부컨파인먼트챔버부내부표면을갖는다. 컨파인먼트링은상부컨파인먼트챔버부내부표면및 하부컨파인먼트챔버부내부표면에접촉하면서제거가능하게배치되어있다. 컨파인먼트링은컨파인먼트링 내부표면을갖는다. 정전척은정전척상부표면을가지며구동신호를수신하도록배치된다. 상부컨파인먼트챔버부, 하부컨파인먼트챔버부, 컨파인먼트링 및정전척은상부컨파인먼트챔버부내부표면, 하부컨파인먼트챔버부내부표면, 컨파인먼트링 내부표면및 정전척상부표면이상기재료를수용할수 있는플라즈마형성공간을둘러싸도록배치된다. 상부컨파인먼트챔버부, 하부컨파인먼트챔버부, 컨파인먼트링 및정전척은정전척이구동신호를수신할때에상기재료를플라즈마로변형시키도록동작가능하다. 컨파인먼트링은비 직사각형의단면을갖는다.
摘要翻译：提供了与驱动器和材料供应源一起使用的晶片处理系统。驱动器可操作以产生驱动信号。材料供应源可操作以供应材料。晶片处理系统包括上限制室部分，下限制室部分，限制环和静电卡盘。上限制腔室部分具有上限制腔室部分内表面。下限制腔室部分可拆卸地设置成与上限制腔室部分接触。下限制腔室部分具有上限制腔室部分内表面。限制环被可移除和与上限制腔内表面接触并且下限制腔内表面设置。符合环具有符合环的内表面。静电卡盘具有静电卡盘顶表面并且布置成接收驱动信号。上部限制腔室部分，下限制腔室部分，限制环和所述静电卡盘，上部限制腔室部分内表面，所述下限制腔部分内表面上，限制环的内表面和静电吸盘中，上并且布置成围绕能够容纳表面声波材料的等离子体形成空间。上部限制腔室部分，下限制腔室部分，限制环和所述静电吸盘可操作当它接收到一个静电吸盘yigudong信号到材料转变成等离子体。顺应环具有非矩形横截面。

6. 发明公开

KR1020170034938A 개선된 디바이스 온-웨이퍼 입자 성능을 위한 화학 상용성 코팅 물질 审中-实审
公开(公告)号：KR1020170034938A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：KR1020177007693
申请日：2013-07-26
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 썬,제니퍼와이. , 카눈고,비라자프래새드 , 루보미르스키,드미트리
IPC分类号： H01L21/48 , H01L21/56 , H01L21/3065 , H01L21/02 , C04B35/00 , H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32495 , C04B41/009 , C04B41/5042 , C04B41/87 , C23C4/11 , C23C4/134 , H01J37/32477 , H01L21/02 , H01L21/67017 , Y10T428/24413 , Y10T428/2495 , Y10T428/24975 , Y10T428/252 , C04B35/10 , C04B35/565 , C04B41/4527 , C04B41/5032
摘要： 반도체처리챔버를위한물품에대한코팅을제작하기위하여, 물품은 Al, AlO, 또는 SiC 중적어도하나의바디, 및바디상의세라믹코팅을포함한다. 세라믹코팅은약 50 mol% 내지약 75 mol% 범위의 YO, 약 10 mol% 내지약 30 mol% 범위의 ZrO, 및약 10 mol% 내지약 30 mol% 범위의 AlO을포함하는화합물을포함하며, 여기서 1 인치당 노듈의수는약 30개노듈내지약 45개노듈의범위이며, 공극율은약 2.5% 내지약 3.2% 범위이다.

7. 发明公开

KR1020170015404A 플라즈마 처리 장치 有权
标题翻译：等离子体加工设备
公开(公告)号：KR1020170015404A
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：KR1020170010500
申请日：2017-01-23
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 가사하라도시히로
IPC分类号： H01J37/32 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32477 , H01J37/3211 , H01J37/32119 , H01J37/3244 , H01J37/32495 , H05H1/46
摘要： 본발명의과제는, 유전체커버에덮인다른구성부재가손상되는것을방지하는동시에, 퇴적물이기판에부착되는것을방지할수 있는플라즈마처리장치를제공하는것이다. 플라즈마처리장치(10)는, 플라즈마가발생하는처리실(3)과, 상기처리실(3) 내에있어서플라즈마에노출되는기판(S)과대향하여배치되는유전체커버(12)를구비하고, 유전체커버(12)는복수의분할소편(13)이조합되어구성되고, 인접하는 2개의분할소편(13)의경계선에형성된간극(27)은커버플레이트(17)에의해덮이고, 각분할소편(13)은커버플레이트(17)에의해지지된다.
摘要翻译：本发明提供一种等离子体处理装置，其能够防止由电介质盖覆盖的其它构成构件的损伤，并防止沉积物附着于基板。等离子体处理装置（10）包括处理室（3）和电介质盖（12），其中处理室（3）用于产生等离子体，并且电介质盖（12）相对地配置有基板暴露到处理室（3）中的等离子体。电介质盖（12）由多个分割片（13）组合，形成在相邻分割片的交界处的间隙由盖（17）覆盖，分隔片（13）由盖（17）支撑。

8. 发明公开

KR1020170009755A 에칭 챔버 컴포넌트들로서 소결된 나노입자 이트륨계 세라믹스의 사용 审中-实审
标题翻译：烧结纳米YTTRIUM的陶瓷作为隔离元件的使用
公开(公告)号：KR1020170009755A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：KR1020160087949
申请日：2016-07-12
申请人： 램 리써치 코포레이션
发明人： 슈린 , 시홍 , 더허티존 , 스리니바산새티쉬 , 리시웬
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/02 , H01L21/48 , H01L21/67 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32495 , B32B18/00 , B32B37/24 , B32B38/0008 , B32B2250/02 , B32B2307/412 , B32B2310/14 , B32B2315/02 , C01F17/0012 , C01F17/0043 , C01F17/0062 , C04B35/505 , C04B35/64 , C04B37/005 , C04B37/008 , C04B2235/3217 , C04B2235/3225 , C04B2235/616 , C04B2235/785 , C04B2235/963 , C04B2235/9653 , C04B2237/10 , C04B2237/34 , C04B2237/343 , C04B2237/348 , C04B2237/36 , C04B2237/366 , C04B2237/62 , H01J37/32009 , H01J37/32715
摘要： 본개시에따라, 이트륨, 옥사이드, 및플루오라이드를포함하는소결된나노결정세라믹재료로형성될수도있는, 플라즈마내성부분을생성하기위한장치및 방법을포함하는몇몇발명들이제공된다. 이렇게이루어진예시적인부분들은윈도우들, 에지링들, 또는주입기들을포함할수도있다. 일구성에서, 부분들은투명할수도있는, 알루미나와공소결된 (co-sintered) 이트리아일수도있다.
摘要翻译：根据本公开，提供了几个发明，包括用于产生等离子体抗蚀部分的装置和方法，其可以由包含钇，氧化物和氟化物的烧结纳米晶体陶瓷材料形成。由此制成的示例部件可以包括窗口，边缘环或喷射器。在一种构造中，这些部件可以是与氧化铝共烧结的氧化钇，氧化铝可以是透明的。

9. 发明公开

KR1020170005123A MgO계 세라믹스막, 반도체 제조 장치용 부재 및 MgO계 세라믹스막의 제법 审中-实审
标题翻译：用于半导体生产装置的MgO MgO基于MGO的陶瓷膜部件和用于生产基于MGO的陶瓷膜的方法
公开(公告)号：KR1020170005123A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：KR1020167035783
申请日：2015-06-12
申请人： 엔지케이 인슐레이터 엘티디
发明人： 사토요스케 , 이노우에가츠히로 , 가츠다유지
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/48 , C23C4/10 , H01L21/324
CPC分类号： H01J37/32495 , C23C4/11 , C23C4/129 , C23C4/134
摘要： 본발명의 MgO계세라믹스막은, MgO에 Al이고용되어있으며, CuK 알파선을이용하였을때의 XRD 측정에있어서 MgO (200)면의회절피크가 2θ=42.92°보다고각측으로시프트하고있고, 결정상으로서 MgO와 MgAlO를포함하는것이다. MgO (200)면의회절피크는고각측에숄더를가지고있는것이바람직하다. 또한, Mg와 Al을산화물환산하였을때의 MgO와 AlO의질량비(MgO/AlO)가 2.33보다큰 것이바람직하다.
摘要翻译：在这种MgO基陶瓷膜中，Al是MgO的固溶体，在使用CuKα辐射获得的XRD测定中，MgO（200）面衍射峰向高角度侧移向高于42.92°的2θ值，MgO和 MgAl 2 O 4作为结晶相包含。 MgO（200）面衍射峰优选在高角度侧具有肩。此外，MgO和Al2O3（MgO / Al2O3）的质量比优选以Mg和Al的氧化物计大于2.33。

10. 发明公开

KR1020160124992A 기판 제조 장치, 및 그의 세라믹 박막 코팅 방법 审中-实审
标题翻译：基板的制造装置及其陶瓷膜的涂布方法
公开(公告)号：KR1020160124992A
公开(公告)日：2016-10-31
申请号：KR1020150055418
申请日：2015-04-20
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김정민 , 방진영 , 오세진 , 강태균 , 박명수 , 성덕용
IPC分类号： H01L21/48 , H01L21/56 , H01L21/02
CPC分类号： H01J37/32495 , H01J37/321 , H01J37/32477 , H01L21/6719 , H01L21/6831
摘要： 본발명은기판제조장치및 그의세라믹박막의코팅방법을개시한다. 그의장치는챔버와, 상기챔버의내벽상의세라믹박막을포함한다. 상기세라믹박막은이트륨산소불화막(YOF, x=1, y=1, 2, z=1, 2)을포함할수 있다.

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