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1. 发明公开

KR20180021390A 강화된 초전도성 와이어의 제작 审中-公开
标题翻译：增强型超导线材的制造
公开(公告)号：KR20180021390A
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：KR20187003997
申请日：2016-07-08
申请人： STARCK H C INC
发明人： AIMONE PAUL , DARY FRANCOIS CHARLES , SMATHERS DAVID B
IPC分类号： G02B6/44 , G02B6/38
CPC分类号： H01B12/10 , B21C3/04 , C22C27/02 , C22F1/18 , H01B1/026 , H01B13/0036 , H01L39/14 , H01L39/2406
摘要： 다양한실시양태에서, 초전도성와이어는와이어매트릭스내에매립된클래딩된복합필라멘트및/또는안정화된복합필라멘트의어셈블리를특징으로한다. 와이어는개선된기계적특성을위해하나이상의안정화요소를포함할수 있다.
摘要翻译：在各种实施例中，超导线具有嵌入金属丝基体中的包覆复合丝和/或稳定化复合丝的组件。线材可以包括一个或多个用于改善机械性能的稳定元件。

2. 发明公开

KR1020170001636A 탄탈륨 단편 또는 탄탈륨 합금 단편의 처리 방법 审中-实审
标题翻译：用于处理钽或铝合金的方法
公开(公告)号：KR1020170001636A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：KR1020160079146
申请日：2016-06-24
申请人： 꼼미사리아 아 레네르지 아또미끄 에 오 에네르지 알떼르나띠브스
发明人： 코통도미니크 , 포흐세바스티앙 , 자크필립 , 비니알빈센트
IPC分类号： C23C8/20 , C23C8/02 , C23C8/80 , F27D19/00 , C22C29/06 , F27D7/06 , F27D9/00
CPC分类号： C23C8/20 , C22C27/02 , C22F1/02 , C22F1/18
摘要： 탄탈륨단편또는탄탈륨합금단편의처리방법으로서, 상기방법은상기단편을로(furnace)에배치하고, 상기로를진공하에적어도 1400℃의온도로가열하는단계; 상기가열된로에 10 mbar 이하의압력으로기체탄소공급원을주입함으로써, 상기단편의주변부에탄소다층을형성하는단계로서, 상기탄소다층이상기단편의표면에위치하는적어도 1개의탄화탄탈륨층(C1)과, 상기 C1층의탄소함량보다낮은탄소함량을포함하는 2개의층(C2 및 C3)을포함하는단계; 상기단편을냉각시킴으로써상기탄소다층의형성을중지시키는단계; 상기단편의둘레에탄소, 산소및 질소를트랩핑할 수있는보호장치를배치하여상기단편을상기로에존재하는미량의탄소및 산소및 질소로부터보호하는단계; 진공하에상기로를가열함으로써, 상기 C1층에존재하는탄소의전부또는일부의상기 C2층및 C3층으로의확산을야기하는단계로서, 상기단편이상기보호장치내에수용되어있는단계; 및상기탄소다층에존재하는탄소가상기단편의중심부에도달하기전에상기단편을진공하에냉각함으로써상기단편내 탄소의확산을중지시키는단계를포함한다. 따라서, 단편의표면에는 TaC가없고, 단편의중심부에는탄소가없으며, 상기표면및 상기중심부사이에위치한부분은탄탈륨및 탄소를포함하는단편이얻어진다.
摘要翻译：一种用于处理一片钽或钽合金的方法，其包括：将该片置于炉中并在真空下至少在1 400℃下加热该炉; 通过在加热炉中注入压力≤10毫巴的气体碳源，在该片的周边部分形成碳多层，所述多层包含至少一层碳化钽层C1，其位于该片和包含低于层C1的碳含量的碳含量的两层C2和C3; 通过冷却片停止多层的形成; 在该片周围放置能够捕获碳，氧和氮的装置，以保护该片免受存在于炉中的碳和氧和氮的痕迹; 导致层C1中存在的碳向层C2和C3的扩散，通过在真空下加热炉子，将该块保持在保护装置中; 并且在多层中存在的碳到达该片的中心部分之前，通过在真空下冷却该片，来阻止碳在片中的扩散。因此，其表面没有TaC，其中心部分没有碳，其一部分位于表面和中心部分之间的部分包括钽和碳。

3. 发明公开

KR1020160027122A 탄탈 스퍼터링 타깃 및 그 제조 방법 无效
标题翻译： TANTALUM SPUTTERING目标及其生产方法
公开(公告)号：KR1020160027122A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：KR1020167002643
申请日：2015-03-04
申请人： 제이엑스금속주식회사
发明人： 오다구니히로
IPC分类号： C23C14/34 , B21B3/00 , B22D21/06 , B22D27/02 , H01L21/02
CPC分类号： C23C14/3414 , B22D21/06 , C21D8/0221 , C21D8/0273 , C21D9/0062 , C22C27/02 , C22F1/18 , C23C8/24 , C23C14/0641 , C23C14/14 , H01J37/3426 , H01J37/3429 , H01J37/3491 , H01L21/2855 , H01L21/28568 , H01L21/76841 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 탄탈스퍼터링타깃의스퍼터면의 (100) 면의배향률이 30 ∼ 90 % 이고, (111) 면의배향률이 50 % 이하인것을특징으로하는탄탈스퍼터링타깃. 용해주조한탄탈잉곳을단조및 재결정어닐링한후, 압연및 열처리하여, 탄탈스퍼터링타깃의 (100) 면의배향률이 30 ∼ 90 % 이고, (111) 면의배향률이 50 % 이하인결정조직을형성하는것을특징으로하는탄탈스퍼터링타깃의제조방법. 타깃의결정배향을제어함으로써, 탄탈타깃의번인적산전력량을감소시켜, 플라즈마를쉽게발생하게하고, 성막속도를안정화시키고, 막의저항변동을감소시키는효과를갖는다.

4. 发明公开

KR1020140127228A 파워 모듈용 기판, 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판, 파워 모듈, 파워 모듈용 기판의 제조 방법, 및 동 부재 접합용 페이스트 审中-实审
标题翻译：用于功率模块的基板，用于功率模块的散热用基板，功率模块，用于制造功率模块的基板的方法，以及用于粘结铜构件的焊料
公开(公告)号：KR1020140127228A
公开(公告)日：2014-11-03
申请号：KR1020147020529
申请日：2013-02-01
申请人： 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤
发明人： 데라사키노부유키 , 나가토모요시유키 , 니시카와기미히토 , 구로미츠요시로우
IPC分类号： H01L23/13 , B23K35/30 , B23K35/32 , C22C5/06 , C22C14/00 , C22C16/00 , C22C27/02 , C22C28/00 , H01L23/36
CPC分类号： H05K1/0271 , B23K1/0008 , B23K1/0016 , B23K35/025 , B23K35/262 , B23K35/30 , B23K35/3006 , B23K35/32 , B23K35/36 , B23K35/365 , B23K2201/42 , C04B35/632 , C04B37/025 , C04B37/026 , C04B2235/44 , C04B2237/08 , C04B2237/121 , C04B2237/122 , C04B2237/124 , C04B2237/125 , C04B2237/126 , C04B2237/127 , C04B2237/128 , C04B2237/366 , C04B2237/368 , C04B2237/402 , C04B2237/407 , C04B2237/60 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , C04B2237/708 , C04B2237/72 , C22C5/06 , C22C14/00 , C22C16/00 , C22C21/00 , C22C27/00 , C22C27/02 , C22C28/00 , C22C30/04 , C22F1/08 , G01B15/02 , G01N23/203 , G01N2223/633 , H01L23/3735 , H01L2224/32225 , H01L2924/01322 , H05K1/0203 , H05K1/0306 , H05K1/09 , H05K1/18 , H05K1/181 , H05K3/388 , H05K13/0465 , H05K2201/0175 , Y10T428/12542 , H01L2924/00
摘要： 이 파워 모듈용 기판은, 세라믹스 기판 (11) 의 표면에 동 또는 동 합금으로 이루어지는 동판이 적층되어 접합되고, 상기 동판과 상기 세라믹스 기판 (11) 사이에 있어서, 상기 세라믹스 기판 (11) 의 표면에 질화물층 (31) 이 형성되고, 상기 질화물층과 상기 동판 사이에는, 두께가 15 ㎛ 이하인 Ag-Cu 공정 조직층 (32) 이 형성되어 있다.
摘要翻译：该功率模块基板包括由铜或铜合金形成并层叠在陶瓷基板11的表面上的铜板; 形成在陶瓷基板11的铜板与陶瓷基板11之间的表面上的氮化物层31; 以及形成在氮化物层和铜板之间的厚度为15μm以下的Ag-Cu共晶结构层32。

5. 发明公开

KR1020140054339A 표시 장치용 배선 구조 审中-实审
标题翻译：显示设备接线结构
公开(公告)号：KR1020140054339A
公开(公告)日：2014-05-08
申请号：KR1020147007643
申请日：2012-09-03
申请人： 가부시키가이샤 고베 세이코쇼
发明人： 오쿠노히로유키 , 구기미야도시히로
IPC分类号： H01L21/3205 , C22C21/00 , C23C14/34 , G02F1/1343 , H01L21/28 , H01L21/768
CPC分类号： G02F1/13439 , B32B15/016 , B32B15/017 , C22C14/00 , C22C21/00 , C22C27/02 , C22C27/04 , C23C14/0036 , C23C14/025 , C23C14/0641 , G02F1/136286 , G02F2001/136295 , H01J11/46 , H01J31/127 , H01L21/4885 , H01L23/53219 , H01L23/53223 , H01L27/124 , H01L2924/0002 , Y10T428/1095 , Y10T428/265 , Y10T428/31678 , H01L2924/00
摘要： 450∼600℃ 정도의 고온하에 노출되어도 힐록이 발생하지 않고 고온 내열성이 우수하고, 배선 구조 전체의 전기 저항(배선 저항)도 낮게 억제되어 있고, 또한 불산 내성도 우수한 표시 장치용 배선 구조를 제공한다. 본 발명의 표시 장치용 배선 구조는, 기판측으로부터 순서대로 Ta, Nb, Re, Zr, W, Mo, V, Hf, Ti, Cr 및 Pt으로 이루어지는 군(X군)으로부터 선택되는 적어도 1종의 원소와, 희토류 원소의 적어도 1종을 포함하는 Al 합금의 제1 층과; Ti, Mo, Al, Ta, Nb, Re, Zr, W, V, Hf 및 Cr으로 이루어지는 군(Y군)으로부터 선택되는 적어도 1종의 원소의 질화물 또는 Al 합금의 질화물의 제2 층이 적층된 구조를 갖는다.

6. 发明授权

KR101338630B1 탄탈륨 스퍼터링 타깃 有权
标题翻译： TANTALUM SPUTTER目标
公开(公告)号：KR101338630B1
公开(公告)日：2013-12-06
申请号：KR1020117020663
申请日：2010-08-04
申请人： 제이엑스금속주식회사
发明人： 후쿠시마아츠시 , 오다구니히로 , 센다신이치로
IPC分类号： C23C14/34 , C22C27/02 , C22F1/18
CPC分类号： C23C14/3414 , C22C27/02 , C22F1/18
摘要： 1 massppm 이상, 100 massppm 이하의 몰리브덴을 필수 성분으로서 함유하고, 몰리브덴 및 가스 성분을 제외한 순도가 99.998 ％ 이상인 것을 특징으로 하는 탄탈륨 스퍼터링 타깃. 상기에, 0 ∼ 100 massppm (단 0 massppm 을 제외함) 의 니오븀을 추가로 함유하고, 몰리브덴, 니오븀 및 가스 성분을 제외한 순도가 99.998 ％ 이상인 것을 특징으로 하는 탄탈륨 스퍼터링 타깃. 균일하고 미세한 조직을 구비하고, 플라즈마가 안정적이며, 막의 균일성 (유니포미티) 이 우수한 고순도 탄탈륨 스퍼터링 타깃을 얻는다.

7. 发明授权

KR101290942B1 수소 분리ㆍ정제용 복합상 합금 및 그 제작 방법, 그리고수소 분리ㆍ정제용 금속막 및 그 제작 방법 有权
标题翻译：用于氢分离纯化的多相合金和用于制备合金的方法和用于氢分离纯化的金属膜以及用于制备金属膜的方法
公开(公告)号：KR101290942B1
公开(公告)日：2013-07-29
申请号：KR1020050012787
申请日：2005-02-16
申请人： 가부시키가이샤 알박 , 아오키 기요시
发明人： 아오키기요시 , 마츠다다케시 , 이시카와가즈히로
IPC分类号： B01D67/00 , B01D71/00
CPC分类号： C22C27/02 , B01D67/0039 , B01D67/0074 , B01D71/022 , B01D2323/12 , B01D2325/20 , C01B3/503 , C01B3/505 , C22C14/00 , H01M8/0687 , Y02P70/56 , Y10S55/05
摘要： (과제) 수소 투과성과 내 수소 취화성을 갖는 Ni-Ti-Nb 계 수소 분리ㆍ정제용 복합상 합금 및 이 합금의 제작 방법, 그리고 이 합금으로 이루어지는 수소 분리ㆍ정제용 금속막 및 이 금속막의 제작 방법의 제공.
(해결수단) 수소 투과성을 담당하는 상(相)과 내 수소 취화를 담당하는 상(相)의 복합상으로서, Ni 를 고용한 NbTi 상 (수소 투과성 상) 과 Nb 를 고용한 NiTi 상 (내 수소 취화성 상) 의 공정(共晶), 또는 이 공정과 초상(初相) NbTi 로 이루어지는 복합상 합금. 이 합금은 Ni
x Ti
y Nb
(100－x－y) (단, x ＝ 25 이상 45 미만, y＝ 25 이상 55 미만이다) 로 이루어진다. Ni, Ti 및 Nb 를 배합하고, 불활성 가스 분위기 속의 아크 용해법 등에 의해 용해하여 복합상 합금을 제작한다. 이 합금으로 이루어지는 금속막. 금속막의 양측에 추가로 Pd 합금막을 진공 증착법 등으로 형성한다.

8. 发明公开

KR1020130008089A 탄탈 스퍼터링 타깃 无效
标题翻译：钽溅射靶
公开(公告)号：KR1020130008089A
公开(公告)日：2013-01-21
申请号：KR1020127032610
申请日：2011-07-21
申请人： 제이엑스금속주식회사
发明人： 센다신이치로 , 후쿠시마아츠시
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/3407 , C22C1/02 , C22C27/02 , C22F1/18 , C23C14/3414
摘要： 1 massppm 이상, 50 massppm 이하의 붕소를 필수 성분으로서 함유하고, 붕소 및 가스 성분을 제외한 순도가 99.998 ％ 이상인 것을 특징으로 하는 탄탈 스퍼터링 타깃. 균일 미세한 조직을 구비하고, 플라스마가 안정적이고, 막의 균일성 (유니포미티) 이 우수한 고순도 탄탈 스퍼터링 타깃을 얻는다.

9. 发明公开

KR1020120113290A 스퍼터링 타깃 및/또는 코일 그리고 이들의 제조 방법 有权
标题翻译： 스퍼터링타깃및/또는코일그리고이들의제조방
公开(公告)号：KR1020120113290A
公开(公告)日：2012-10-12
申请号：KR1020127024764
申请日：2011-07-27
申请人： 제이엑스금속주식회사
发明人： 나가타겐이치 , 마키노노부히토
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/34 , C21D1/74 , C21D3/06 , C22C14/00 , C22C27/02 , C22F1/00 , C22F1/18 , C22F1/183 , C23C14/3414 , C23C14/3471 , H01J37/3426 , H01J37/3464 , H01J37/3491 , H01J37/3497 , Y10T29/49865
摘要： Provided is a sputtering target and/or a coil disposed at the periphery of a plasma-generating region for confining plasma. The target and/or the coil has a surface to be eroded having a hydrogen content of 500 µL/cm 2 or less. In dealing with reduction in the hydrogen content of the surface of the target and/or the coil, the process of producing the target and/or the coil, in particular, the conditions for heating the surface of the target and/or the coil, which is thought to be cause of hydrogen occlusion, are appropriately regulated. As a result, hydrogen occlusion at the surface of the target can be reduced, and the degree of vacuum during sputtering can be improved. Thus, the present invention provides a target and/or a coil that has a uniform and fine structure, makes plasma stable, and allows a film to be formed with excellent uniformity and provides a method of producing the target and/or the coil.
摘要翻译：提供了设置在用于限制等离子体的等离子体发生区域周围的溅射靶和/或线圈。靶和/或线圈具有要被侵蚀的表面，其具有500微米/平方厘米或更小的氢含量。在处理靶和/或线圈表面的氢含量的降低时，靶和/或线圈的制造过程，特别是加热靶和/或线圈表面的条件，这被认为是氢闭塞的原因，被适当调节。结果，可以减少靶表面处的氢闭塞，并且可以改善溅射期间的真空度。因此，本发明提供具有均匀和精细结构，使等离子体稳定并且可以以优异的均匀性形成膜的靶和/或线圈，并且提供了制造靶和/或线圈的方法。

10. 发明授权

KR101150690B1 조직화된 그레인 분말 야금 탄탈륨 스퍼터 타겟 有权
标题翻译：纹理粉末冶金TANTALUM SPUTTER目标
公开(公告)号：KR101150690B1
公开(公告)日：2012-05-25
申请号：KR1020067022121
申请日：2005-03-21
申请人： 프랙스에어 에스.티. 테크놀로지, 인코포레이티드
发明人： 쾨니히스만홀거요트. , 길만폴에스.
IPC分类号： C23C14/34 , C22C27/02
CPC分类号： C23C14/3414 , B22F2003/248 , B22F2998/10 , C22C1/045 , C22C27/02 , B22F3/02 , B22F3/10 , B22F3/18 , B22F3/24
摘要： The sputter target includes a tantalum body having tantalum grains formed from consolidating tantalum powder and a sputter face. The sputter face has an atom transport direction for transporting tantalum atoms away from the sputter face for coating a substrate. The tantalum grains have at least a 40 percent ( 222 ) direction orientation ratio and less than a 15 percent ( 110 ) direction orientation ratio in an atom transport direction away from the sputter face for increasing sputtering uniformity, the tantalum body being free of ( 200 )-( 222 ) direction banding detectable by Electron Back-Scattering Diffraction and wherein the sputter target has a purity of at least 99.99 (%) percent.

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