专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

KR101923292B1 방식성의 금속과 Mo 또는 Mo 합금을 확산 접합한 백킹 플레이트, 및 그 백킹 플레이트를 구비한 스퍼터링 타깃-백킹 플레이트 조립체 有权
公开(公告)号：KR101923292B1
公开(公告)日：2018-11-28
申请号：KR1020167036528
申请日：2015-07-16
申请人： 제이엑스금속주식회사
发明人： 다카무라히로시 , 스즈키료
IPC分类号： C23C14/34 , C22C27/04 , H01J37/34
CPC分类号： H01J37/3435 , C22C27/04 , C23C14/3407 , H01J37/3417
摘要： 방식성의금속과 Mo 또는 Mo 합금을접합한백킹플레이트로서, 당해 Mo 또는 Mo 합금제백킹플레이트의냉각시키는측 (냉각면측) 의표면에, 백킹플레이트의총 두께의 1/40 ∼ 1/8 의두께를갖는 Cu, Al 또는 Ti 에서선택한 1 종이상의금속또는이들의합금을접합한방식성의금속으로이루어지는층을구비하는백킹플레이트를제공한다. 또한, 이 Mo 또는 Mo 합금제백킹플레이트와저열팽창재료로이루어지는타깃을접합한스퍼터링타깃-백킹플레이트조립체를제공한다. 특히, 반도체용도에서는, 미세화가진행되고스퍼터링시의파티클의관리가매우엄격해지고있다. 본원발명은, 저열팽창재료로이루어지는스퍼터링타깃의휨과, Mo 또는 Mo 합금제백킹플레이트의내식성에발생하는문제를해결하는것을과제로한다.

2. 发明公开

KR1020170015559A 텅스텐 소결체 스퍼터링 타깃 및 그 타깃을 사용하여 성막한 텅스텐막 审中-实审
标题翻译：使用标准目标形成的TUNGSTEN烧结体喷射目标和TUNGSTEN膜
公开(公告)号：KR1020170015559A
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：KR1020177002666
申请日：2013-10-24
申请人： 제이엑스금속주식회사
发明人： 가미나가겐고 , 오하시가즈마사
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/14 , B22F3/14 , C22C1/04
CPC分类号： H01J37/3426 , B22F1/0014 , B22F3/15 , C22C1/045 , C22C27/04 , C22F1/18 , C23C14/165 , C23C14/3414 , H01J2237/3322 , C23C14/3407 , B22F3/14 , C22C1/04 , C23C14/14
摘要： 2 차이온질량분석장치 (D-SIMS) 로검출되는몰리브덴강도가텅스텐강도의 1 만분의 1 이하인것을특징으로하는텅스텐소결체스퍼터링타깃. 텅스텐소결체스퍼터링타깃의몰리브덴을저감시키고, 또소결시에사용하는 W 분말의입도분포를조정함으로써, 그텅스텐소결체타깃을사용하여스퍼터링한텅스텐막의비저항을저감시키는것을과제로한다.
摘要翻译：钨二次离子质谱仪（D-SIMS）检测的钼强度等于或小于钨强度的1/10000的钨烧结体型溅射靶。本发明的目的是通过减少钨烧结体溅射靶中的钼并调整烧结时使用的W粉末的粒度分布来降低使用钨烧结体靶的溅射钨膜的电阻率。

3. 发明公开

KR1020160130660A 고온 중성자 조사 손상에 강한 엔트로피 제어 BCC 합금 有权
标题翻译： BCC BCC合金具有抗高温中性辐射损伤的强电阻
公开(公告)号：KR1020160130660A
公开(公告)日：2016-11-14
申请号：KR1020150062736
申请日：2015-05-04
申请人： 한국과학기술연구원 , 서울대학교산학협력단
发明人： 박은수 , 오현석 , 김일환 , 장혜정
IPC分类号： C22C30/00 , C22C1/02
CPC分类号： C22C30/00 , B22F3/105 , B22F3/15 , B22F2003/1051 , C22C1/02 , C22C1/026 , C22C1/04 , C22C1/0416 , C22C1/045 , C22C1/0458 , C22C14/00 , C22C16/00 , C22C21/00 , C22C27/02 , C22C27/025 , C22C27/04 , C22C27/06 , G21C1/02 , G21C3/07 , G21C11/083 , G21C13/08 , Y02E30/34
摘要： 본발명은고온중성자조사손상에강한엔트로피제어고용체기지 BCC 합금에관한것으로서, 중성자흡수단면적및 혼합엔탈피를기준으로선택된 Zr, Al, Nb, Mo, Cr, V 및 Ti 로이루어진원소군에서선택된 3개이상의다성분주원소로구성되고, 상기각 원소가 5~35at% 범위로포함되어중간엔트로피상태내지고 엔트로피상태인 BCC 구조고용체기지합금인것을특징으로한다. 본발명은, 중성자흡수단면적이작은원소들로구성되어중성자조사에의한손상이적고, 엔트로피조절을통해느린확산속도를가진고용체기지 BCC 구조를유지하여방사선에의한보이드스웰링에대한저항이높은장점이있다. 또한, 본발명의고온중성자조사손상에강한엔트로피제어고용체기지합금은중간엔트로피내지고 엔트로피상태의합금을구성하여고온에서도 BCC 상을안정적으로유지할뿐만아니라, 엔트로피가제어된고용체기지상태를통해서고온경도와연성을동시에증가시킬수 있는효과가있다. 이와같은특성으로인해본 발명의 BCC 구조고용체기지합금은현재개발이한창진행중인미래형 4세대원자로의상대적으로높은가동온도범위와가혹한중성자노출환경의복합극한환경에대응가능하도록하여에너지효율이높은미래형차세대원자로개발에필수소재로활용될수 있다.
摘要翻译：公开了一种对高温中子辐射损伤具有很强抵抗力的熵控制固溶体矩阵BCC合金。熵控制固溶体矩阵BCC合金包括三种或更多种选自基于中子吸收截面积选择的由Zr，Al，Nb，Mo，Cr，V和Ti组成的元素组的多组分主要元素和混合焓。每个元素的含量为5〜35原子％，熵控制固溶体BCC合金是中熵至高熵态的BCC结构固溶体基质合金。在本发明中，减少了由中子辐射引起的损伤，并且控制熵，从而确保了具有缓慢扩散速度的固溶体矩阵BCC结构，因此，由于放射线而对空隙膨胀的抵抗性高。

4. 发明公开

KR1020160099556A W-Ni 스퍼터링 타깃 审中-实审
标题翻译： W-NI SPUTTER目标
公开(公告)号：KR1020160099556A
公开(公告)日：2016-08-22
申请号：KR1020167015656
申请日：2014-12-17
申请人： 플란제 에스이
发明人： 린케,크리스티안 , 쉐러,토마스
IPC分类号： C23C14/34 , C22C1/04 , G02F1/15 , B22F3/10
CPC分类号： C23C14/3414 , B22F3/1028 , B22F3/16 , B22F3/17 , B22F2998/10 , C22C1/0433 , C22C1/045 , C22C19/03 , C22C27/04 , C22F1/10 , C22F1/18 , C23C14/14 , G02F1/1523 , H01J37/3429 , B22F3/02
摘要： 본발명은 W-Ni 스퍼터링타깃을제조하기위한방법과이의용도에관한것이다. 본발명은또한 45 내지 75 중량%의 W, 잔량의 Ni과통상적인불순물을함유하는스퍼터링타깃으로서, Ni(W)상, W상을함유하고금속간상을전혀함유하지않거나 10% 미만으로함유하는스퍼터링타깃에관한것이다.
摘要翻译：溅射靶含有45〜75重量％的W，剩余的Ni和常见的杂质。溅射靶包含Ni（W）相，W相和不少于或少于10％的金属间相。还提供了制造W-Ni溅射靶的方法和使用溅射靶的工艺。

5. 发明公开

KR1020160064235A 표시 장치용 배선 구조 无效
标题翻译：显示设备接线结构
公开(公告)号：KR1020160064235A
公开(公告)日：2016-06-07
申请号：KR1020167013272
申请日：2012-09-03
申请人： 가부시키가이샤 고베 세이코쇼
发明人： 오쿠노히로유키 , 구기미야도시히로
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/28 , H01L21/48 , G02F1/1343 , G02F1/1362 , C23C14/00 , C23C14/02 , C23C14/06 , C22C21/00 , B32B15/01
CPC分类号： G02F1/13439 , B32B15/016 , B32B15/017 , C22C14/00 , C22C21/00 , C22C27/02 , C22C27/04 , C23C14/0036 , C23C14/025 , C23C14/0641 , G02F1/136286 , G02F2001/136295 , H01J11/46 , H01J31/127 , H01L21/4885 , H01L23/53219 , H01L23/53223 , H01L27/124 , H01L2924/0002 , Y10T428/1095 , Y10T428/265 , Y10T428/31678 , H01L21/3205 , H01L21/28 , H01L2924/00
摘要： 450∼600℃정도의고온하에노출되어도힐록이발생하지않고고온내열성이우수하고, 배선구조전체의전기저항(배선저항)도낮게억제되어있고, 또한불산내성도우수한표시장치용배선구조를제공한다. 본발명의표시장치용배선구조는, 기판측으로부터순서대로 Ta, Nb, Re, Zr, W, Mo, V, Hf, Ti, Cr 및 Pt으로이루어지는군(X군)으로부터선택되는적어도 1종의원소와, 희토류원소의적어도 1종을포함하는 Al 합금의제1 층과; Ti, Mo, Al, Ta, Nb, Re, Zr, W, V, Hf 및 Cr으로이루어지는군(Y군)으로부터선택되는적어도 1종의원소의질화물또는 Al 합금의질화물의제2 층이적층된구조를갖는다.

6. 发明公开

KR1020160053932A 자동차의 스태빌라이저 및 스태빌라이저 제조 방법 审中-实审
标题翻译：用于电动车辆的稳定器及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160053932A
公开(公告)日：2016-05-13
申请号：KR1020167006287
申请日：2014-08-15
申请人： 젯트에프 프리드리히스하펜 아게
发明人： 셰퍼프랑크 , 홀츠슈테판 , 왕시아오첸
IPC分类号： B23K9/02 , B23K9/028 , B23K9/173 , B23K9/235 , B60G21/055 , B23K103/04
CPC分类号： B60G21/055 , B23K9/0216 , B23K9/025 , B23K9/0288 , B23K9/16 , B23K9/173 , B23K9/235 , B23K35/32 , B23K2203/04 , B24C1/10 , B60G2206/427 , B60G2206/72 , B60G2206/8201 , B60G2206/8401 , B60G2206/8403 , C21D6/002 , C21D6/005 , C21D7/06 , C21D8/005 , C21D9/0068 , C22C27/04 , C22C38/32 , C22C38/38
摘要： 본발명은자동차의스태빌라이저(10)를제조하기위한방법에관한것이며, 스태빌라이저는토션로드(11)와종방향링크들(12, 13)을포함하고, 종방향링크들(12, 13)은각각용접을통해토션로드(11)와연결되고, 종방향링크들(12, 13) 및토션로드(11)는용접전에열 처리되고그에따라열 처리후에용접되고, 각각의종방향링크(12, 13)의일측단부는양측에서각각의다층용접이음매(14)를통해토션로드(11)와용접되며, 각각의용접이음매(14)는, 토션로드(11)에인접하는각각의용접이음매(14)가각각의종방향링크(12, 13)에인접하는것보다더 짧도록불균등한분포방식으로실현된다.
摘要翻译：一种制造机动车辆的稳定器（10）的方法，使得所述稳定器包括扭杆（11）和纵向连杆（12,13）。纵向连杆（12,13）各自通过焊接连接到扭力杆（11），并且纵向连杆（12,13）和扭杆（11）在焊接之前进行热处理。每个纵向连杆（12,13）的一端在两侧通过相应的多层焊缝（14）在两侧焊接到扭杆（11），并且每个焊缝（14）制成具有不等宽度使得与扭杆（11）相邻的焊缝（14）的宽度比其相应的纵向连杆（12,13）附近的宽度短。

7. 发明授权

KR101571230B1 반도체 방열판용 Mo 소결 부품 및 그것을 사용한 반도체 장치 有权
标题翻译： Mo用于半导体器件的散热片和包括其的半导体器件的烧结MO部件
公开(公告)号：KR101571230B1
公开(公告)日：2015-11-23
申请号：KR1020137025443
申请日：2012-03-19
申请人： 가부시끼가이샤 도시바 , 도시바 마테리알 가부시키가이샤
发明人： 모리오카츠토무 , 아오야마히토시
IPC分类号： C22C27/04 , C22C1/04 , C22C9/00 , H01L23/373
CPC分类号： C22C27/04 , C22C1/045 , C22C30/02 , H01L23/3736 , H01L24/32 , H01L2224/32225 , H01L2924/15787 , H01L2924/00
摘要： 본발명에의하면, 구리를 10 내지 50질량% 함유하는몰리브덴합금재를포함하여이루어지는반도체방열판용 Mo 소결부품에있어서, 상기몰리브덴합금재의몰리브덴결정의평균입자직경이 10 내지 100㎛이며, 단위면적 500㎛×500㎛당 Mo 결정의면적비의편차가평균값의 ±10% 이내인것을특징으로하는반도체방열판용 Mo 소결부품이다. Mo와 Cu의존재비율의편차가작으므로열팽창률등의특성이우수하고, 열팽창률, 강도등이우수한반도체방열판용 Mo 소결부품이얻어진다.

8. 发明公开

KR1020150041107A 캐리어 부착 동박 有权
标题翻译：铜箔与载体连接
公开(公告)号：KR1020150041107A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：KR1020157006010
申请日：2013-08-08
申请人： 제이엑스금속주식회사
发明人： 혼다미사토 , 나가우라도모타
IPC分类号： B32B15/01 , C22C9/00 , C22C19/03 , C22C19/07 , C22C27/04 , C25D1/04 , C25D1/22 , C25D7/06 , H05K1/09 , H05K3/02
CPC分类号： C25D1/04 , C22C9/00 , C22C19/03 , C22C19/07 , C22C27/04 , C25D1/22 , C25D7/0614 , H05K1/09 , H05K3/025 , H05K2201/0355 , B32B15/01
摘要： 절연기판으로의적층공정전에는캐리어와극박구리층의밀착력이높은한편, 절연기판으로의적층공정후에는캐리어와극박구리층의밀착성이저하되어, 캐리어/극박구리층계면에서용이하게박리될수 있고, 또한, 극박구리층측표면에있어서의핀홀의발생이양호하게억제된캐리어부착동박을제공한다. 중간층은, 동박캐리어상에, 니켈과, 몰리브덴또는코발트또는몰리브덴-코발트합금이이 순서로적층되어구성되어있다. 중간층에있어서, 니켈의부착량이 1000 ∼ 40000 ㎍/d㎡, 몰리브덴을포함하는경우에는몰리브덴의부착량이 50 ∼ 1000 ㎍/d㎡, 코발트를포함하는경우에는코발트의부착량이 50 ∼ 1000 ㎍/d㎡이다. 중간층/극박구리층사이에서박리시켰을때, 중간층표면으로부터의깊이방향분석의구간 [0.0, 4.0] 에있어서, ∫i(x)dx / (∫g(x)dx + ∫h(x)dx + ∫i(x)dx + ∫j(x)dx + ∫k(x)dx + ∫l(x)dx + ∫m(x)dx) 또는∫j(x)dx / (∫g(x)dx + ∫h(x)dx + ∫i(x)dx + ∫j(x)dx + ∫k(x)dx + ∫l(x)dx + ∫m(x)dx) 가 20 % ∼ 80 % 이고, [4.0, 12.0] 에있어서, ∫g(x)dx / (∫g(x)dx + ∫h(x)dx + ∫i(x)dx + ∫j(x)dx + ∫k(x)dx + ∫l(x)dx + ∫m(x)dx) 가 40 % 이상을만족한다.

9. 发明公开

KR1020140129249A 텅스텐 소결체 스퍼터링 타깃 및 그 타깃을 사용하여 성막한 텅스텐 막 审中-实审
标题翻译：使用同样目标形成的TUNGSTEN烧结紧凑型飞溅目标和TUNGSTEN膜
公开(公告)号：KR1020140129249A
公开(公告)日：2014-11-06
申请号：KR1020147026472
申请日：2013-02-27
申请人： 제이엑스금속주식회사
发明人： 오하시가즈마사 , 오카베다케오
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/16 , C22C1/04 , B22F3/15 , C22C27/04 , H01J37/34
CPC分类号： C23C14/3414 , B22F3/14 , B22F3/15 , B22F7/008 , B22F7/04 , C22C1/045 , C22C27/04 , C23C14/14 , C23C14/165 , H01J37/3426 , C23C14/3407
摘要： 텅스텐 소결체 스퍼터링 타깃으로서, 텅스텐의 순도가 5 N (99.999 ％) 이상이고, 텅스텐에 함유되는 불순물인 탄소가 5 wtppm 이하인 것을 특징으로 하는 텅스텐 소결체 스퍼터링 타깃.
텅스텐 소결체 스퍼터링 타깃의 탄소를 저감시킴으로써, 그 텅스텐 타깃을 사용하여 스퍼터링한 텅스텐 막의 비저항을 저감시키는 것을 과제로 한다.

10. 发明公开

KR1020140111955A 전자 부품용 금속 박막 및 금속 박막 형성용 Mo 합금 스퍼터링 타깃재 有权
标题翻译：用于形成金属薄膜的电子元件和钼合金溅射靶材的金属薄膜
公开(公告)号：KR1020140111955A
公开(公告)日：2014-09-22
申请号：KR1020140024385
申请日：2014-02-28
申请人： 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤
发明人： 무라타히데오
IPC分类号： C22C27/04 , C23C14/34
CPC分类号： C22C27/04 , C23C14/14 , C23C14/34
摘要： An assignment of the present invention is to provide a metal thin film for an electronic component, to ameliorate resistance to moisture or resistance to oxidation, and to maintain a low measurement of electrical resistance even through heat processing when arranged on the top of Al or Cu, which is a main conductive thin film of low resistance, and a Mo alloy sputtering target material for forming the metal thin film. The present invention relates to a Mo alloy sputtering target material for forming a metal thin film, in which an empirical formula regarding the atomic ratio is indicated as Mo_(100-x-y)-Ni_x-W_y, 10
摘要翻译：本发明的目的在于提供一种用于电子部件的金属薄膜，以改善耐湿性或耐氧化性，并且即使在布置在Al或Cu的顶部上时也能通过热处理保持低的电阻测量，其是低电阻的主要导电薄膜和用于形成金属薄膜的Mo合金溅射靶材料。本发明涉及用于形成金属薄膜的Mo合金溅射靶材料，其中关于原子比的经验公式表示为Mo_（100-xy）-Ni_x-W_y，10 <= x <= 50，x + y <= 65，其余部分由不可避免的杂质构成。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式