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1. 发明授权

KR101907229B1 연마용 조성물 및 그것을 이용한 연마 방법 有权
公开(公告)号：KR101907229B1
公开(公告)日：2018-10-11
申请号：KR1020137021964
申请日：2012-02-02
申请人： 니타 하스 인코포레이티드 , 가부시키가이샤 사무코
发明人： 데라모토마사시 , 오가타신이치 , 다니모토류이치
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
CPC分类号： C09G1/04 , C09G1/02 , H01L21/02024 , H01L21/30604
摘要： 연마용조성물은, 연마입자를포함하지않고실리콘웨이퍼를연마하는연마용조성물로서, pH 완충제와, 연마촉진제와, 수용성고분자와, 블록형화합물을포함한다. 그결과, 연마용조성물을이용하여, 실리콘웨이퍼를연마함으로써, 0.1μm/min보다큰 연마속도가얻어진다.

2. 发明公开

KR1020130014588A 실리콘 웨이퍼의 연마 방법 无效
标题翻译：抛光硅波的方法
公开(公告)号：KR1020130014588A
公开(公告)日：2013-02-07
申请号：KR1020127031269
申请日：2011-07-01
申请人： 가부시키가이샤 사무코
发明人： 다니모토류이치 , 사도하라신야 , 다쿠시마타케루
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/04
CPC分类号： H01L21/30625 , B24B37/044 , H01L21/02024
摘要： 무지립(無砥粒)의 약염기성 수용액이 주제(主劑)인 최종 연마액을 사용하여, 마무리 연마면을 최종 연마한다. 그때, 최종 연마액의 주제로서, 최종 연마면의 헤이즈값이 웨이퍼의 마무리 연마면의 헤이즈값보다 낮아지는 알칼리 농도의 약염기성 수용액을 이용한다.

3. 发明公开

KR1020150039576A 멤브레인, 연마 헤드, 워크의 연마 장치 및 연마 방법, 그리고, 실리콘 웨이퍼 有权
标题翻译：膜，抛光头，抛光工具的装置和方法以及硅波
公开(公告)号：KR1020150039576A
公开(公告)日：2015-04-10
申请号：KR1020140132228
申请日：2014-10-01
申请人： 가부시키가이샤 사무코
发明人： 데라카와료야 , 다니모토류이치
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/32
CPC分类号： H01L21/304
摘要： (과제) 본발명의목적은, 평탄도가높은워크를얻을수 있는워크의연마장치및 연마방법, 당해연마장치용의연마헤드, 당해연마헤드용의멤브레인을제공하는것에있다. 또한, 본발명은, 소정의평탄도를갖는실리콘웨이퍼를제공하는것도목적으로한다. (해결수단) 본발명의멤브레인은, 외주부에있어서의최대두께가, 내주부에있어서의최소두께보다얇은것을특징으로한다. 본발명의연마헤드및 워크의연마장치는, 상기멤브레인을이용하는것을특징으로한다. 또한, 본발명의워크의연마방법은, 상기멤브레인을이용하는것을특징으로하는방법이다. 또한, 본발명의실리콘웨이퍼는, 직경이 450㎜이상이며, SEMI 규격에의해정의되는 GBIR이 0.2㎛이하, 또한, 상기워크의외연으로부터지름방향내측으로 2㎜의원환상(圓還狀)의영역을제외한 SFQR의최대값이 0.04㎛이하인것을특징으로한다.
摘要翻译：本发明的目的是提供一种能够获得具有高平整度的工件，用于抛光装置的抛光头和用于抛光头的膜的抛光工件的设备和方法。此外，本发明的目的是提供一种具有预定平面度的硅晶片。在本发明的膜中，外部的最大厚度比内部的最小厚度薄。本发明的研磨头和抛光装置使用该膜。此外，抛光工件的方法是使用该膜的方法，并且硅晶片的直径为450mm以上。由SEMI标准定义的GBIR为0.2μm以下。另外，从工件边缘到内径方向的2mm以外的环状区域的SFQR的最大值为0.01μm以下。

4. 发明公开

KR1020140019327A 연마용 조성물 및 그것을 이용한 연마 방법 审中-实审
标题翻译：使用相同的抛光组合物和抛光方法
公开(公告)号：KR1020140019327A
公开(公告)日：2014-02-14
申请号：KR1020137021964
申请日：2012-02-02
申请人： 니타 하스 인코포레이티드 , 가부시키가이샤 사무코
发明人： 데라모토마사시 , 오가타신이치 , 다니모토류이치
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
CPC分类号： C09G1/04 , C09G1/02 , H01L21/02024 , H01L21/30604
摘要： 연마용 조성물은, 연마 입자를 포함하지 않고 실리콘 웨이퍼를 연마하는 연마용 조성물로서, pH 완충제와, 연마 촉진제와, 수용성 고분자와, 블록형 화합물을 포함한다.
그 결과, 연마용 조성물을 이용하여, 실리콘 웨이퍼를 연마함으로써, 0.1μm/min보다 큰 연마 속도가 얻어진다.

5. 发明公开

KR1020160013971A 연마제 조성물, 실리콘 웨이퍼용 연마제 조성물, 및 실리콘 웨이퍼 제품의 제조 방법 有权
标题翻译：抛光剂组合物，硅砂抛光剂组合物及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160013971A
公开(公告)日：2016-02-05
申请号：KR1020157036384
申请日：2014-10-03
申请人： 가부시키가이샤 사무코 , 에이티 실리카 가부시키가이샤
发明人： 다니모토류이치 , 고야타사카에 , 후쿠이고이치
IPC分类号： C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02024 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463
摘要： 실리카입자, 알칼리성물질, 수용성합성고분자, 및물을포함하는연마용조성물로서, 상기수용성합성고분자는구성단위(1)를가지고, 상기구성단위(1)는, 산소함유기 및카르보닐기를가지고, 상기산소함유기는, 알코올성수산기 또는치환또는비치환의알콕시기이며, 상기카르보닐기는, 케토기, 에스테르결합, 또는아미드결합의일부를이루는카르보닐기인것을특징으로하는연마제조성물, 이것을사용한실리콘웨이퍼용연마제조성물, 및실리콘웨이퍼제품의제조방법.

6. 发明授权

KR101591803B1 멤브레인, 연마 헤드, 워크의 연마 장치 및 연마 방법, 그리고, 실리콘 웨이퍼 有权
标题翻译：膜抛光头装置和抛光工艺和硅波的方法
公开(公告)号：KR101591803B1
公开(公告)日：2016-02-04
申请号：KR1020140132228
申请日：2014-10-01
申请人： 가부시키가이샤 사무코
发明人： 데라카와료야 , 다니모토류이치
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/32
摘要： (과제) 본발명의목적은, 평탄도가높은워크를얻을수 있는워크의연마장치및 연마방법, 당해연마장치용의연마헤드, 당해연마헤드용의멤브레인을제공하는것에있다. 또한, 본발명은, 소정의평탄도를갖는실리콘웨이퍼를제공하는것도목적으로한다. (해결수단) 본발명의멤브레인은, 외주부에있어서의최대두께가, 내주부에있어서의최소두께보다얇은것을특징으로한다. 본발명의연마헤드및 워크의연마장치는, 상기멤브레인을이용하는것을특징으로한다. 또한, 본발명의워크의연마방법은, 상기멤브레인을이용하는것을특징으로하는방법이다. 또한, 본발명의실리콘웨이퍼는, 직경이 450㎜이상이며, SEMI 규격에의해정의되는 GBIR이 0.2㎛이하, 또한, 상기워크의외연으로부터지름방향내측으로 2㎜의원환상(圓還狀)의영역을제외한 SFQR의최대값이 0.04㎛이하인것을특징으로한다.

7. 发明授权

KR101417833B1 실리콘 웨이퍼의 연마 방법 有权
标题翻译：抛光硅波的方法
公开(公告)号：KR101417833B1
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：KR1020127030321
申请日：2011-07-06
申请人： 가부시키가이샤 사무코
发明人： 다니모토류이치 , 오가타신이치 , 고토우이사무 , 야마시타켄지 , 아사리마사히로
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/30625 , B24B37/042 , B24B37/08 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/02024
摘要： 지립(砥粒)이 있는 알칼리성 수용액에 수용성 고분자를 첨가한 연마액을, 경질의 연마포에 공급하면서 실리콘 웨이퍼의 피(被)연마면을 초벌 연마하기 때문에, 높은 연마 레이트로의 연마와 웨이퍼 외주부의 롤 오프를 동시에 만족할 수 있다.

8. 发明授权

KR101785450B1 연마제 조성물, 실리콘 웨이퍼용 연마제 조성물, 및 실리콘 웨이퍼 제품의 제조 방법 有权
标题翻译：磨料组合物，用于硅片的磨料组合物，以及制造硅片产品的方法
公开(公告)号：KR101785450B1
公开(公告)日：2017-10-16
申请号：KR1020157036384
申请日：2014-10-03
申请人： 가부시키가이샤 사무코 , 에이티 실리카 가부시키가이샤
发明人： 다니모토류이치 , 고야타사카에 , 후쿠이고이치
IPC分类号： C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02024 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463
摘要： 실리카입자, 알칼리성물질, 수용성합성고분자, 및물을포함하는연마용조성물로서, 상기수용성합성고분자는구성단위(1)를가지고, 상기구성단위(1)는, 산소함유기 및카르보닐기를가지고, 상기산소함유기는, 알코올성수산기 또는치환또는비치환의알콕시기이며, 상기카르보닐기는, 케토기, 에스테르결합, 또는아미드결합의일부를이루는카르보닐기인것을특징으로하는연마제조성물, 이것을사용한실리콘웨이퍼용연마제조성물, 및실리콘웨이퍼제품의제조방법.
摘要翻译：作为含有二氧化硅粒子，碱，水溶性合成聚合物，mitmul抛光组合物中，水溶性合成聚合物具有结构单元（1），具有结构单元（1），含氧基团和羰基，氧含氧基团，醇羟基或取代或未取代的烷氧基，羰基，酮基，酯键，或一个磨料组合物，使用该组合物的硅晶片的研磨产品，其特征在于，所述羰基是酰胺键的部分，和硅一种制造晶片产品的方法。

9. 发明公开

KR1020120127507A 실리콘 웨이퍼의 연마 방법 有权
标题翻译：抛光硅溶液及其抛光液的方法
公开(公告)号：KR1020120127507A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：KR1020127024384
申请日：2011-03-23
申请人： 가부시키가이샤 사무코
发明人： 오가타신이치 , 다니모토류이치 , 야마사키이치로 , 미쿠리야슌스케
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/04 , C09K3/14
CPC分类号： H01L21/02024 , B24B37/044 , B24B37/08 , B24B37/245 , B24B37/28
摘要： Disclosed is a method for polishing a silicon wafer, wherein a surface to be polished of a silicon wafer is rough polished, while supplying a polishing liquid, which is obtained by adding a water-soluble polymer to an aqueous alkaline solution that contains no free abrasive grains, to a polishing cloth. Consequently, the surface to be polished can be polished at high polishing rate and the flatness of the edge portion including roll-off and roll-up can be controlled.

10. 发明授权

KR102047814B1 웨이퍼 연마 방법 有权
公开(公告)号：KR102047814B1
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：KR1020187013751
申请日：2016-11-04
申请人： 가부시키가이샤 사무코
发明人： 니시타니다카시 , 다니모토류이치
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/027

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