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    • 8. 发明授权
    • 광디바이스 웨이퍼의 가공 방법
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    • H01L33/0095B23K26/0006B23K26/53B23K2103/56
    • 본발명은사파이어기판의이면에반사막을적층하더라도사파이어기판의내부에스트리트를따라서개질층을형성할수 있고, 사파이어기판의이면에적층된반사막을스트리트를따라서절단할수 있는광디바이스웨이퍼의가공방법을제공하는것을과제로한다. 광디바이스웨이퍼를스트리트를따라서개개의광디바이스로분할하는광디바이스웨이퍼의가공방법으로서, 사파이어기판에대하여투과성을갖는파장의레이저광선을사파이어기판의이면측으로부터사파이어기판의내부에집광점을위치시켜스트리트를따라서조사해서, 사파이어기판에스트리트를따라서개질층을형성하는개질층형성공정과, 사파이어기판의이면에반사막을형성하는반사막형성공정과, 사파이어기판의이면에형성된반사막측으로부터반사막에대하여흡수성을갖는파장의레이저광선을스트리트를따라서조사해서, 반사막을스트리트를따라서절단하는반사막절단공정과, 광디바이스웨이퍼에외력을부여하여광디바이스웨이퍼를개질층이형성된스트리트를따라서파단하여, 개개의광디바이스로분할하는웨이퍼분할공정을포함한다.