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1. 发明授权

KR101779553B1 감소된 감지 지연 및 개선된 감지 마진을 갖는 SRAM 판독 버퍼 有权
公开(公告)号：KR101779553B1
公开(公告)日：2017-09-18
申请号：KR1020167004905
申请日：2014-07-21
申请人： 퀄컴 인코포레이티드 , 연세대학교 산학협력단
发明人： 정,성-욱 , 양,영휘 , 송,스탠리승철 , 왕,총제 , 옙,초페이
IPC分类号： G11C11/412 , G11C11/419 , G06F17/50 , G11C8/16
CPC分类号： G11C11/419 , G06F17/5072 , G11C8/16 , G11C11/412
摘要： 디바이스는 SRAM(static access memory) 셀및 SRAM 셀의출력에커플링된판독버퍼를포함한다. 판독버퍼는인버터및 스위치를포함한다. 인버터의입력은 SRAM 셀의출력에응답한다. 스위치의제어단자는인버터의출력에응답한다.

2. 发明公开

KR1020150131179A 메모리 어레이의 동작 전압을 조정하는 시스템 및 방법 有权
标题翻译：用于调节存储器阵列操作电压的系统和方法
公开(公告)号：KR1020150131179A
公开(公告)日：2015-11-24
申请号：KR1020157028539
申请日：2014-03-11
申请人： 퀄컴 인코포레이티드
发明人： 송,스탠리승철 , 왕,총제
IPC分类号： G11C11/417 , G11C11/413 , G11C11/4074 , G11C5/14 , G11C7/04 , G06F17/50
CPC分类号： G11C11/4074 , G06F17/5072 , G11C5/147 , G11C7/04 , G11C11/413 , G11C11/417
摘要： 방법은메모리어레이와연관된센서의온도를측정하는단계를포함한다. 방법은또한, 전압조정디바이스에서, 온도에기초하여그리고메모리어레이와연관된제조데이터에기초하여동작전압을계산하는단계를포함한다. 방법은전압조정디바이스에서, 동작전압에기초하여메모리어레이에제공되는전압을조정하는단계를더 포함한다.

3. 发明公开

KR1020150033690A 안티퓨즈를 특징으로 하는 집적 회로 디바이스 및 이를 제조하는 방법 审中-实审
标题翻译：集成电路设备，具有抗病毒及其制造方法
公开(公告)号：KR1020150033690A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：KR1020157002134
申请日：2013-06-27
申请人： 퀄컴 인코포레이티드
发明人： 왕,총제 , 추,존지안홍 , 리,시아
IPC分类号： H01L27/112 , H01L23/525 , H01L27/105 , H01L21/8239
CPC分类号： H01L27/11206 , G11C17/16 , G11C17/165 , H01L21/8239 , H01L23/5228 , H01L23/5252 , H01L27/1052 , H01L27/11286 , H01L28/24 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 집적회로, 예를들면, OTP 또는 MTP 메모리회로는액세스트랜지스터(10) 및안티퓨즈(102)를포함한다. 액세스트랜지스터는적어도하나의소스/드레인영역(106,108)을포함하고, 안티퓨즈는도전체-절연체-도전체구조를갖는다. 안티퓨즈는제 1 전극(134)으로서역할을하는제 1 도전체를포함하고, 또한안티퓨즈유전체(136) 및제 2 도전체(114, 304)를포함한다. 제 1 전극의제 1 표면은안티퓨즈유전체의제 1 표면에연결되고, 안티퓨즈유전체의제 2 표면은제 2 도전체의제 1 표면에연결된다. 제 2 도전체는액세스트랜지스터의소스/드레인영역에전기적으로연결된다. 안티퓨즈는, 안티퓨즈유전체파괴전압미만이거나이와동일한프로그래밍전압(Vpp)이제 1 전극과제 2 도전체사이에인가되는경우에개방회로상태로부터폐쇄회로상태로전이하도록구성된다. 저항기(202)가또한제공될수 있고, 안티퓨즈의제 1 전극(134)과동일한층으로부터형성된다. 저항기는안티퓨즈유전체와동일한층으로부터제조되는절연층(204) 상에위치된다.

4. 发明授权

KR102231182B1 어드밴스드 금속 패터닝을 갖는 고밀도 정적 랜덤 액세스 메모리 어레이 有权
公开(公告)号：KR102231182B1
公开(公告)日：2021-03-22
申请号：KR1020167031716
申请日：2015-04-20
申请人： 퀄컴 인코포레이티드
发明人： 모줌더,닐라드리 , 송,스탠리승철 , 왕,총제 , 옙,초페이
IPC分类号： H01L27/11 , H01L29/40 , H01L27/02 , H01L29/161
摘要： 어드밴스드금속패터닝을갖는고밀도 SRAM(static random access memory) 어레이에관한방법들및 장치가제공된다. 일예에서, SRAM을제조하기위한방법이제공된다. 방법은, SADP(self-aligning double patterning) 기술을이용하여, 제 1 층에서제 1 방향으로배향되는복수의실질적으로평행한제 1 금속라인들을형성하는단계를포함한다. 방법은또한, 실질적으로평행한제 1 금속라인들을제 1 방향으로정렬되는제 1 개별면들및 제 2 방향으로정렬되는제 2 개별면들을갖는복수의아일랜드들로분리시키기위해서, 컷트마스크를이용하여, 제 1 방향에실질적으로수직하는제 2 방향으로, 실질적으로평행한제 1 금속라인들을에칭하는단계를포함한다. 방법은또한, 제 2 층에서, 제 1 방향으로배향된복수의제 2 금속라인들을형성하는단계를포함한다.

5. 发明公开

KR1020170005005A 어드밴스드 금속 패터닝을 갖는 고밀도 정적 랜덤 액세스 메모리 어레이 审中-实审
标题翻译：高密度静态随机访问存储阵列具有高级金属图案
公开(公告)号：KR1020170005005A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：KR1020167031716
申请日：2015-04-20
申请人： 퀄컴 인코포레이티드
发明人： 모줌더,닐라드리 , 송,스탠리승철 , 왕,총제 , 옙,초페이
IPC分类号： H01L27/11 , H01L29/40 , H01L27/02 , H01L29/161
CPC分类号： H01L29/401 , H01L27/0207 , H01L27/1104 , H01L29/161
摘要： 어드밴스드금속패터닝을갖는고밀도 SRAM(static random access memory) 어레이에관한방법들및 장치가제공된다. 일예에서, SRAM을제조하기위한방법이제공된다. 방법은, SADP(self-aligning double patterning) 기술을이용하여, 제 1 층에서제 1 방향으로배향되는복수의실질적으로평행한제 1 금속라인들을형성하는단계를포함한다. 방법은또한, 실질적으로평행한제 1 금속라인들을제 1 방향으로정렬되는제 1 개별면들및 제 2 방향으로정렬되는제 2 개별면들을갖는복수의아일랜드들로분리시키기위해서, 컷트마스크를이용하여, 제 1 방향에실질적으로수직하는제 2 방향으로, 실질적으로평행한제 1 금속라인들을에칭하는단계를포함한다. 방법은또한, 제 2 층에서, 제 1 방향으로배향된복수의제 2 금속라인들을형성하는단계를포함한다.
摘要翻译：提供了针对具有高级金属图案化的高密度静态随机存取存储器（SRAM）阵列的方法和装置。在一个示例中，提供了一种用于制造SRAM的方法。该方法包括使用自对准双图案化（SADP）技术形成在第一层中沿第一方向定向的多个基本平行的第一金属线。该方法还包括在基本上垂直于第一方向的第二方向上使用切割掩模蚀刻基本平行的第一金属线，以将基本上平行的第一金属线分离成多个岛，该岛具有在第第一方向和第二相对侧对准第二方向。该方法还包括在第二层中形成沿第一方向定向的多个第二金属线。

6. 发明授权

KR101588612B1 판독-우선 셀 구조들, 기입 드라이버들을 갖는 정적 랜덤 액세스 메모리들 (SRAM), 관련 시스템들, 및 방법들 有权
标题翻译： - SRAM静态随机访问存储器SRAM，具有读取优先级的单元结构写入驱动器相关系统和方法
公开(公告)号：KR101588612B1
公开(公告)日：2016-01-26
申请号：KR1020157022607
申请日：2014-01-22
申请人： 퀄컴 인코포레이티드
发明人： 정,성-욱 , 양,영휘 , 양,빈 , 왕,총제 , 옙,초흐페이
IPC分类号： G11C11/412 , G11C11/419 , G11C11/417 , H01L27/11 , H01L27/02 , G11C7/10
CPC分类号： G11C11/412 , G11C11/417 , G11C11/419 , H01L27/0207 , H01L27/1104 , Y10T29/41
摘要： 판독-우선셀 구조들및 기입드라이버들을갖는정적랜덤액세스메모리들(SRAM)이기재된다. 일실시예에서, SRAM은 6개의트랜지스터비트셀을갖는다. 판독-우선비트셀은, 각각이풀 업트랜지스터, 풀다운트랜지스터, 및패스게이트트랜지스터를갖는 2개의인버터들을제공함으로써구현된다. 각각의풀 업트랜지스터는피드백루프와연관된다. 피드백루프는, 랜덤정적잡음마진을개선한다. 각각의트랜지스터는폭 및길이를갖는다. 패스게이트트랜지스터들의길이들은증가된다. 풀다운트랜지스터들의폭들은서로동일하고, 패스게이트트랜지스터들의폭들과또한동일하다. 패스게이트및 풀다운트랜지스터들의폭들은종래설계들에관하여또한증가될수도있다. 성능을개선하기위해기입보조회로가또한사용될수도있다.

7. 发明授权

KR101725828B1 메모리 어레이의 동작 전압을 조정하는 시스템 및 방법 有权
标题翻译：调整存储器阵列的工作电压的系统和方法
公开(公告)号：KR101725828B1
公开(公告)日：2017-04-11
申请号：KR1020157028539
申请日：2014-03-11
申请人： 퀄컴 인코포레이티드
发明人： 송,스탠리승철 , 왕,총제
IPC分类号： G11C11/417 , G11C11/413 , G11C11/4074 , G11C5/14 , G11C7/04 , G06F17/50
CPC分类号： G11C11/4074 , G06F17/5072 , G11C5/147 , G11C7/04 , G11C11/413 , G11C11/417
摘要： 방법은메모리어레이와연관된센서의온도를측정하는단계를포함한다. 방법은또한, 전압조정디바이스에서, 온도에기초하여그리고메모리어레이와연관된제조데이터에기초하여동작전압을계산하는단계를포함한다. 방법은전압조정디바이스에서, 동작전압에기초하여메모리어레이에제공되는전압을조정하는단계를더 포함한다.
摘要翻译：该方法包括测量与存储器阵列相关联的传感器的温度。该方法还包括基于温度并且基于与存储器阵列相关联的制造数据来计算电压调节装置中的操作电压。该方法还包括在电压调节装置中基于工作电压来调节提供给存储器阵列的电压。

8. 发明公开

KR1020160038031A 기판 상의 상이한 재료들로부터 핀들을 형성하는 방법 审中-实审
标题翻译：在基材上形成不同材料的铁的方法
公开(公告)号：KR1020160038031A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：KR1020167005361
申请日：2014-07-25
申请人： 퀄컴 인코포레이티드
发明人： 송,스탠리승철 , 왕,총제 , 옙,초페이
IPC分类号： H01L21/8234 , H01L21/84 , H01L21/8258 , H01L21/02 , H01L27/12 , H01L29/10 , H01L29/78
CPC分类号： H01L27/1207 , H01L21/02365 , H01L21/823431 , H01L21/8258 , H01L21/845 , H01L27/1211 , H01L29/1033 , H01L29/1037 , H01L29/16 , H01L29/20 , H01L29/785
摘要： 상이한재료들로이루어진핀들을형성하는방법은상부표면을갖는제 1 재료의층을포함하는기판을제공하는단계, 기판의제 2 부분을노출시킨상태로마스크를형성시키기위해기판의제 1 부분을마스킹하는단계, 제 2 부분에제 1 개구를에칭하는단계, 제 1 재료의층의상부표면의레벨까지제 1 개구에제 2 재료의바디를형성하는단계, 마스크를제거하는단계및 제 1 부분에제 1 재료의핀들을형성하고제 2 부분에제 2 재료의핀들을형성하는단계를포함한다. 적어도 2개의상이한재료들로형성된핀들을갖는 finFET 디바이스가또한개시된다.

9. 发明公开

KR1020150143619A 임계치 이하 패턴 피쳐들을 달성하기 위한 컷 마스크 리소그래피와 종래의 리소그래피의 조합 有权
标题翻译：组合切割掩模图和常规算法以实现子阈值图案特征
公开(公告)号：KR1020150143619A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：KR1020157032081
申请日：2014-04-11
申请人： 퀄컴 인코포레이티드
发明人： 추,존제이. , 왕,총제 , 양,다
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/469 , H01L21/283 , H01L21/768 , H01L23/00 , H01L21/31 , H01L23/50 , G03F7/20
CPC分类号： H01L21/76894 , G03F7/7045 , G03F7/70466 , H01L21/28123 , H01L21/283 , H01L21/31 , H01L21/469 , H01L21/76892 , H01L21/76895 , H01L23/50 , H01L24/27 , H01L24/31 , H01L2924/0002 , H01L2924/12042 , H01L2924/00
摘要： 반도체칩 상에피쳐들이제작된다. 피쳐들은칩을생성하는데이용되는리소그래피의임계치보다더 작다. 방법은, 라인팁-팁공간또는라인공간과같은미리결정된거리만큼분리될 (로컬인터커넥트와같은) 피쳐의제 1 부분및 피쳐의제 2 부분을패터닝하는단계를포함한다. 방법은제 1 하위-부분(예를들어, 콘택) 및제 2 하위-부분을형성하기위해컷 마스크로제 1 부분을패터닝하는단계를더 포함한다. 제 1 하위-부분의치수는, 특정된폭 해상도를갖는리소그래픽프로세스의라인길이해상도일수 있는제 2 미리결정된거리의치수미만이다. 반도체디바이스의피쳐는제 1 부분및 제 1 부분의리소그래픽해상도미만의치수를갖는제 2 부분을포함한다.

10. 发明公开

KR1020150110693A 판독-우선 셀 구조들, 기입 드라이버들을 갖는 정적 랜덤 액세스 메모리들 (SRAM), 관련 시스템들, 및 방법들 有权
标题翻译：静态随机存取存储器（SRAM），具有读取优先级的单元结构，写驱动程序，相关系统和方法
公开(公告)号：KR1020150110693A
公开(公告)日：2015-10-02
申请号：KR1020157022607
申请日：2014-01-22
申请人： 퀄컴 인코포레이티드
发明人： 정,성-욱 , 양,영휘 , 양,빈 , 왕,총제 , 옙,초흐페이
IPC分类号： G11C11/412 , G11C11/419 , G11C11/417 , H01L27/11 , H01L27/02 , G11C7/10
CPC分类号： G11C11/412 , G11C11/417 , G11C11/419 , H01L27/0207 , H01L27/1104 , Y10T29/41
摘要： 판독-우선셀 구조들및 기입드라이버들을갖는정적랜덤액세스메모리들(SRAM)이기재된다. 일실시예에서, SRAM은 6개의트랜지스터비트셀을갖는다. 판독-우선비트셀은, 각각이풀 업트랜지스터, 풀다운트랜지스터, 및패스게이트트랜지스터를갖는 2개의인버터들을제공함으로써구현된다. 각각의풀 업트랜지스터는피드백루프와연관된다. 피드백루프는, 랜덤정적잡음마진을개선한다. 각각의트랜지스터는폭 및길이를갖는다. 패스게이트트랜지스터들의길이들은증가된다. 풀다운트랜지스터들의폭들은서로동일하고, 패스게이트트랜지스터들의폭들과또한동일하다. 패스게이트및 풀다운트랜지스터들의폭들은종래설계들에관하여또한증가될수도있다. 성능을개선하기위해기입보조회로가또한사용될수도있다.

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