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1. 发明授权

KR102418931B1 타이트하게 제어되는 복수의 핀 높이들을 갖는 FINFET을 위한 집적 방법 有权
公开(公告)号：KR102418931B1
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：KR1020187002638
申请日：2015-06-27
IPC分类号： H01L29/66 , H01L29/78 , H01L21/8234 , H01L21/84 , H01L27/088 , H01L27/12
摘要： 기판상에비-평면형디바이스의핀을형성하는단계 - 핀은제1 층과제3 층사이에제2 층을포함함 -; 제2 층을유전체재료로대체하는단계; 및핀의채널영역상에게이트스택을형성하는단계를포함하는방법이개시된다. 유전체층상에도전층을포함하는핀, 핀의채널영역에서도전층상에배치되는게이트스택, 및핀에형성되는소스및 드레인을포함하는기판상의제1 멀티-게이트디바이스; 및유전체층에의해분리되는제1 도전층및 제2 도전층을포함하는핀, 핀의채널영역의제1 도전층및 제2 도전층상에배치되는게이트스택, 및핀에형성되는소스및 드레인을포함하는기판상의제2 멀티-게이트디바이스를포함하는장치가개시된다.

2. 发明授权

KR102396533B1 반도체 장치 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102396533B1
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：KR1020180042179
申请日：2018-04-11
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/762 , H01L27/108 , H01L21/8234 , H01L21/84
摘要： 반도체장치및 그제조방법이제공된다. 반도체장치는기판, 상기기판상에형성된제1 도전형의제1 불순물영역, 상기제1 불순물영역과인접하여상기기판상에형성된제2 도전형의제2 불순물영역, 상기제1 불순물영역상에형성된제2 도전형의제1 반도체막, 상기제2 불순물영역상에형성된제1 도전형의제2 반도체막, 상기제1 반도체막상에형성된제1 매립절연막, 상기제2 반도체막상에형성된제2 매립절연막, 상기제1 매립절연막상에형성된제3 반도체막, 상기제2 매립절연막상에형성된제4 반도체막, 상기제1 반도체막상에각각형성되는제1 트랜지스터와제2 트랜지스터, 상기제2 반도체막상에형성되는제3 트랜지스터, 상기제2 트랜지스터와상기제3 트랜지스터사이를분리하는제1 소자분리막; 및상기제1 트랜지스터와상기제2 트랜지스터사이를분리하고, 상기제1 소자분리막보다얕게형성되는제2 소자분리막을포함한다.

3. 发明授权

KR102391997B1 다결정성 세라믹 기판 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102391997B1
公开(公告)日：2022-04-28
申请号：KR1020197002180
申请日：2017-06-13
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/84 , H01L27/12 , H01L33/00 , H01L33/02 , C23C16/40 , C23C16/50 , C23C16/56 , C30B29/06 , C30B29/40
摘要： 세라믹기판구조체를제조하는방법은세라믹기판을제공하는단계, 상기세라믹기판을배리어층 내에캡슐화하는단계, 및상기배리어층에연결되는결합층을형성하는단계를포함한다. 상기방법은또한상기배리어층의적어도일부분을노출시키고충진영역을정의하기위해상기결합층의일부를제거하는단계, 및상기노출된배리어층 및상기충진영역의적어도일부분상에제2 결합층을디포짓하는단계를포함한다.

4. 发明公开

KR20210021025A 단일층 전달 집적 회로의 열 추출 审中-公开
公开(公告)号：KR20210021025A
公开(公告)日：2021-02-24
申请号：KR20217001019
申请日：2019-07-15
IPC分类号： H01L23/367 , H01L21/84 , H01L23/373 , H01L23/522 , H01L27/12 , H01L29/786
摘要： 열전도도문제를완화또는제거하는후면액세스프로세스를사용하여제조된 FET IC 구조체. 일부실시예에서, 전기적으로-절연된열 경로가 FET에인접하여형성되고, FET로부터일반적으로직교하는열 경로로, 그후 완성된 IC의 "최상부"에외부적으로액세스가능열 패드로열을횡방향으로멀리전도하도록구성된다. 열-전도핸들웨이퍼를갖는일부실시예에서, 전기적으로-절연된열 경로가 FET에인접하게형성되고, FET로부터횡방향으로멀리열을전도하도록구성된다. 열비아가핸들웨이퍼및 디바이스상부구조체의통상적인금속화층과열 접촉하도록충분히형성되며, 이들중 적어도하나는횡방향열 경로와열 접촉한다. 일부실시예에서, 횡방향열 경로는 FET로부터일반적으로직교하는열 경로로열을횡방향으로멀리전도하도록구성된더미게이트를사용할수 있다.

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