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1. 发明授权

KR101583225B1 실리카계 절연층 형성용 조성물, 실리카계 절연층 및 실리카계 절연층의 제조방법 有权
标题翻译：用于形成基于二氧化硅的绝缘层的基于二氧化硅的绝缘层的组合物和用于制造基于二氧化硅的绝缘层的方法
公开(公告)号：KR101583225B1
公开(公告)日：2016-01-07
申请号：KR1020120158167
申请日：2012-12-31
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 홍승희 , 송현지 , 김미영 , 곽택수 , 김고은 , 김봉환 , 나융희 , 박은수 , 배진희 , 윤희찬 , 이한송 , 임상학 , 한권우 , 황병규
IPC分类号： H01B3/46 , C08L83/08
摘要： 열에의해분해될수 있는보호기로보호되어있는열염기발생제를포함하는실리카계절연층형성용조성물을제공한다. 상기실리카계절연층형성용조성물은고온에서산화반응에의해치밀한실리카글래스로전환되었을때, 기재의수축률및 실리카계절연층의수축률을감소시키고, 보관안정성을개선시킬수 있다.

2. 发明公开

KR1020140087644A 실리카계 절연층 형성용 조성물, 실리카계 절연층 및 실리카계 절연층의 제조방법 有权
标题翻译：用于形成含硅基绝缘层的组合物，基于二氧化硅的绝缘层和用于制造基于二氧化硅的绝缘层的方法
公开(公告)号：KR1020140087644A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：KR1020120158167
申请日：2012-12-31
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 홍승희 , 송현지 , 김미영 , 곽택수 , 김고은 , 김봉환 , 나융희 , 박은수 , 배진희 , 윤희찬 , 이한송 , 임상학 , 한권우 , 황병규
IPC分类号： H01B3/46 , C08L83/08
CPC分类号： H01B3/46 , C08L83/08 , H01L21/02123
摘要： Provided is a composition for forming a silica-based insulating layer which comprises a thermal base generator protected by a protective group decomposed by heat. The composition for forming a silica-based insulating layer reduces a shrinkage factor of a base material and reduces a shrinkage factor of the silica-base insulating layer, and improves the storage stability, when substituted to a dense silica glass by an oxidation reaction at a high temperature.
摘要翻译：提供了一种用于形成二氧化硅基绝缘层的组合物，其包含由热分解的保护基保护的热碱发生体。用于形成二氧化硅基绝缘层的组合物降低了基材的收缩率并降低了二氧化硅基绝缘层的收缩率，并且当通过氧化反应代替致密二氧化硅玻璃时，提高了储存稳定性高温。

3. 发明授权

KR101354637B1 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 반도체 집적회로 디바이스의 제조방법 有权
标题翻译：抗蚀底层组合物及使用其的集成电路器件的制造工艺
公开(公告)号：KR101354637B1
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：KR1020090134325
申请日：2009-12-30
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 윤희찬 , 김상균 , 조현모 , 김미영 , 고상란 , 정용진 , 김종섭
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/075
CPC分类号： G03F7/0752 , G03F7/094 , G03F7/11
摘要： 본 발명에서는 하기 화학식 1로 표시되는 구조단위 10 내지 40 몰%를 포함하는 유기실란계 축중합물 및 용매를 포함하는 레지스트 하층막용 조성물이 제공된다.
[화학식 1]

상기 화학식 1에서 ORG의 정의는 명세서에 기재한 바와 같다.
이로써, 본 발명은 저장안정성 및 내에칭성이 우수한 레지스트 하층막을 제공하여 우수한 패턴을 전사할 수 있는 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 반도체 집적회로 디바이스의 제조방법을 제공할 수 있다.
레지스트 하층막, 유기실란계 축중합물, 저장안정성, 내에칭성

4. 发明授权

KR101344795B1 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 반도체 집적회로 디바이스의 제조방법 有权
标题翻译：用于抗蚀剂下层膜的组合物和使用其的半导体集成电路装置的制造方法
公开(公告)号：KR101344795B1
公开(公告)日：2013-12-26
申请号：KR1020090136179
申请日：2009-12-31
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 김미영 , 김상균 , 조현모 , 고상란 , 윤희찬 , 정용진 , 김종섭
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/075 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0752 , C08G77/16 , C08G77/18 , C08L83/04 , C08L83/06 , G03F7/11 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/0332
摘要： 이로써, 본발명은저장안정성및 내에칭성이우수한레지스트하층막을제공하여우수한패턴을전사할수 있는레지스트하층막용조성물및 이를이용한반도체집적회로디바이스의제조방법을제공할수 있다.
摘要翻译：因此，本发明可以提供一种贮存稳定性和耐蚀刻性是用于制造设置成优异的转印图案的抗蚀剂采用相同的组合物的下层膜和下层抗蚀剂膜优异的半导体集成电路器件的方法。

5. 发明公开

KR1020110079195A 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 반도체 집적회로 디바이스의 제조방법 有权
标题翻译：使用相同的底层组合物和制造集成电路装置的方法
公开(公告)号：KR1020110079195A
公开(公告)日：2011-07-07
申请号：KR1020090136179
申请日：2009-12-31
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 김미영 , 김상균 , 조현모 , 고상란 , 윤희찬 , 정용진 , 김종섭
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/075 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0752 , C08G77/16 , C08G77/18 , C08L83/04 , C08L83/06 , G03F7/11 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/0332 , G03F7/091
摘要： PURPOSE: A resist sublayer composition and a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit using the same are provided to easily control the surface of a hydrophilic characteristic or the hydrophobic characteristic by increasing the content of silicon without a silane compound. CONSTITUTION: A resist sublayer composition includes a solvent and an organic silane-based polycondensate containing a structural unit represented by chemical formula 1. In the chemical formula 1, the ORG is selected from a group including C6 to C30 functional group containing substituted or non-substituted aromatic ring, C1 to C12 alkyl group, and Y-(Si(OR)_3)_a. The R is C1 to C6 alkyl group. The Y is linear or branched substituted or non-substituted C1 to C20 alkylene group, or substituted alkylene group. The a is 1 or 2. The Z is selected from a group including hydrogen and C1 to C6 alkyl group.
摘要翻译：目的：提供抗蚀剂亚层组合物和使用其的半导体集成电路的制造方法，通过增加不含硅烷化合物的硅含量，容易地控制亲水性特性或疏水性表面。构成：抗蚀剂亚层组合物包含溶剂和含有由化学式1表示的结构单元的有机硅烷类缩聚物。在化学式1中，ORG选自含有取代或未取代的C6〜C30官能团的基团，取代芳环，C1〜C12烷基，Y-（Si（OR）_3）_a。 R为C1至C6烷基。 Y是直链或支链取代或未取代的C1至C20亚烷基或取代的亚烷基。 a为1或2.Z选自包括氢和C 1至C 6烷基的基团。

6. 发明公开

KR1020110079194A 포토레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용하는 반도체 소자의 제조 방법 有权
标题翻译：光刻胶底层组合物及其制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020110079194A
公开(公告)日：2011-07-07
申请号：KR1020090136178
申请日：2009-12-31
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 김미영 , 김상균 , 조현모 , 우창수 , 고상란 , 윤희찬 , 이우진 , 김종섭
IPC分类号： G03F7/11
CPC分类号： G03F7/0752 , G03F7/09 , G03F7/11
摘要： PURPOSE: A photo-resist sublayer composition and a method for manufacturing a semiconductor device using the same are provide to stably form a photo-resist pattern and easily control the surface material characteristic. CONSTITUTION: A photo-resist sublayer composition includes a solvent and a polysiloxane resin represented by chemical formula 1. In the chemical formula 1, the x, the y, and the z represents the relative ratio of the (SiO_1.5Y-SiO_1.5)_x repeating unit, the (SiO_2)_y repeating unit, the (XSiO_1.5)_z repeating unit. The e and the f represents the ratio of the number of OH groups and OR groups, which is bonded with the silicon atom in the polysiloxane resin, with respect to the 2x+Y+z of silicon atoms. The R1 is C1 to C6 alkyl group. The X is substituted or non-substituted C6 to C30 aryl group or C3 to C30 hetero aryl group. The Y is substituted or non-substituted C6 to C30 aryl group, C3 to C30 hetero aryl group, C1 to C20 linear or branched substituted or non-substituted akylene group, C1 to C20 alkylene group, C2 to C20 hydrocarbon group with a double bond or a triple bond, and the combination of the same.
摘要翻译：目的：提供光致抗蚀剂亚层组合物和使用其的半导体器件的制造方法，以稳定地形成光刻胶图案并容易地控制表面材料特性。构成：光抗蚀剂亚层组合物包括溶剂和由化学式1表示的聚硅氧烷树脂。在化学式1中，x，y和z表示（SiO_1.5Y-SiO_1.5 ）_x重复单元，（SiO_2）_y重复单元，（XSiO_1.5）_z重复单元。 e和f表示与硅原子的2x + Y + z相关的与硅氧烷树脂中的硅原子键合的OH基和OR基的数目的比例。 R1是C1-C6烷基。 X是取代或未取代的C6至C30芳基或C3至C30杂芳基。 Y为取代或未取代的C6至C30芳基，C3至C30杂芳基，C1至C20直链或支链取代或未取代亚烷基，C1至C20亚烷基，C2至C20烃基双键或三键，以及它们的组合。

7. 发明公开

KR1020110077683A 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 반도체 집적회로 디바이스의 제조방법 有权
标题翻译：使用相同的底层组合物和制造集成电路装置的方法
公开(公告)号：KR1020110077683A
公开(公告)日：2011-07-07
申请号：KR1020090134325
申请日：2009-12-30
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 윤희찬 , 김상균 , 조현모 , 김미영 , 고상란 , 정용진 , 김종섭
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/075
CPC分类号： G03F7/0752 , G03F7/094 , G03F7/11
摘要： PURPOSE: A composition for a resist sub layer and a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device using the same are provided to effectively transfer desired patterns and easily control the hydrophilic or hydrophobic surface characteristic. CONSTITUTION: A composition for a resist sub layer includes a solvent and organic silane-based polycondensate containing 10 to 40 mol% of a structural unit represented by chemical formula 1. In the chemical formula 1, the ORG is selected from a group including C6 to C30 functional group containing a substituted or non-substituted aromatic ring, C1 to C12 alkyl group, and -Y-SI(OR)3a. The R is C1 to C6 alkyl group. The Y is linear or branched and substituted or non-substituted C1 to C20 alkylene group, or C1 to C20 alkylene group containing a substituted group which is selected from alkenylene group, alkynylene group, arylene group, a hetero ring group, urea group, isocyanurate, and the combination of the same in a main chain. The a is 1 or 2.
摘要翻译：目的：提供一种抗蚀剂子层用组合物和使用该组合物的半导体集成电路器件的制造方法，以有效地转印所需图案并容易地控制亲水或疏水表面特性。构成：抗蚀剂子层用组合物包含溶剂和含有10〜40摩尔％的化学式1表示的结构单元的有机硅烷类缩聚物。在化学式1中，ORG选自包括C6〜含有取代或未取代的芳环，C 1至C 12烷基和-Y-SI（OR）3a的C 30官能团。 R为C1至C6烷基。 Y为直链或支链，取代或未取代的C1至C20亚烷基或含有选自亚烯基，亚炔基，亚芳基，杂环基，脲基，异氰脲酸酯基的取代基的C1至C20亚烷基，以及在主链中的相同的组合。 a是1或2。

8. 发明授权

KR100930674B1 반도체 도포 및 미세 갭 필용 화합물, 이를 포함하는 조성물 및 이를 이용한 반도체 케페시터 제조방법 失效
标题翻译：用于填充填料的涂料组合物，以及生产电容器的方法
公开(公告)号：KR100930674B1
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：KR1020080079227
申请日：2008-08-13
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 조현모 , 김상균 , 김미영 , 고상란 , 윤희찬 , 정용진 , 김종섭
IPC分类号： C07F7/18 , C07F7/08 , H01L21/28 , H01L21/31
CPC分类号： C07F7/0845 , C08L83/04 , H01L21/02123
摘要： PURPOSE: A compound for applying and filling micro gap in a node separation process is provided to prevent defect such as air void and enables wet etch of hole inner material. CONSTITUTION: A compound for filling gap denoted by the chemical formula 6({{SiO1.5[CH2]l[(CH2)mO]nR2}a(SiO1.5X)b(SiO1.5R4)c(SiO1.5-Y-SiO1.5)d}p(OR7)q) is prepared by condensing a condensation polymer of hydrolysates generated from one or more compound(b) among a compound of the chemical formula 1([R1]3Si-[CH2]l[(CH2)mO]nR2), a compound of the chemical formula 2([R1]3Si-X), a compound of the chemical formula 3([R1]3Si-R4) and a compound of the chemical formula 4([R1]3Si-Y-Si[R5]3) with a compound of the chemical formula 5(R63Si-R1). A composition for applying semiconductor and filling micro gap contains the compound of the chemical formula 6 and 100-10,000 weight parts of solvent per 100 weight parts of the compound of the chemical formula 6. The solvent is alcohols, acetates, esters, glymes, ethers or carboxy ketones.
摘要翻译：目的：提供一种用于在节点分离过程中施加和填充微间隙的化合物，以防止诸如空气空隙的缺陷，并且能够对孔内部材料进行湿蚀刻。构成：由化学式6（{{SiO 1.5 [CH 2] l [（CH 2）m O] n R 2} a（SiO 1.5 X）b（SiO 1.5R 4）c（SiO 1.5-Y -SiO1.5）d} p（OR7）q）是通过将化学式1化合物（[R 1] 3 Si- [CH 2] 1]中的一种或多种化合物（b）产生的水解产物的缩合物缩合，（CH 2）m O] n R 2），化学式2（[R 1] 3 Si-X）的化合物，化学式3（[R 1] 3 Si-R 4）的化合物和化学式4的化合物 ] 3Si-Y-Si [R 5] 3）与化学式5的化合物（R63Si-R1）反应。用于施加半导体和填充微细间隙的组合物包含化学式6的化合物和每100重量份化学式6化合物的100-10,000重量份溶剂。溶剂是醇，乙酸酯，酯，甘醇醚，醚或羧基酮。

9. 发明授权

KR101767083B1 개질 수소화 폴리실록사잔을 포함하는 실리카계 절연층 형성용 조성물, 실리카계 절연층 형성용 조성물의 제조방법, 실리카계 절연층 및 실리카계 절연층의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101767083B1
公开(公告)日：2017-08-10
申请号：KR1020130133605
申请日：2013-11-05
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 송현지 , 박은수 , 임상학 , 곽택수 , 김고은 , 김미영 , 김보선 , 김봉환 , 나융희 , 배진희 , 서진우 , 윤희찬 , 이한송 , 전종대 , 한권우 , 홍승희 , 황병규
IPC分类号： C08G77/38 , C08G77/26 , C08L83/08 , H01B3/46
CPC分类号： C08G77/54 , C08G77/60 , C08G77/62 , C09D183/02 , C09D183/14 , C09D183/16 , H01B3/02 , H01B3/303 , H01B3/46 , H01L21/02164 , H01L21/02211 , H01L21/02222 , H01L21/02255 , H01L21/0229 , H01L21/02326
摘要： 수소화폴리실록사잔에폴리실란, 폴리사이클로실란및 실란올리고머로이루어진군에서선택되는실란화합물을반응시켜제조되는개질수소화폴리실록사잔을제공한다. 상기개질수소화폴리실록사잔은, 실리콘원자에대한질소원자의몰비가작기때문에실리카계절연층형성용조성물에적용되어실리카계절연층형성시막 수축률을현저히감소시킬수 있다.

10. 发明授权

KR101767080B1 하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법 有权
公开(公告)号：KR101767080B1
公开(公告)日：2017-08-10
申请号：KR1020140042631
申请日：2014-04-09
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 박유정 , 김미영 , 김윤준 , 남연희 , 송현지 , 문준영 , 이충헌 , 정슬기 , 정태홍
IPC分类号： G03F7/09 , H01L21/027 , H01L21/033
摘要： 하기화학식 1로표현되는구조단위및 하기화학식 2로표현되는구조단위를포함하는중합체, 그리고용매를포함하는하드마스크조성물에관한것이다. [화학식 1][화학식 2]상기화학식 1 및 2에서, Ar, Ar, M및 M는명세서내에서정의한바와같다.

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