专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

KR101776265B1 하드마스크 층의 형성 방법, 반도체 소자의 제조방법, 및 이에 따른 반도체 소자 有权
标题翻译：形成硬掩模层的方法，制造半导体器件的方法和半导体器件
公开(公告)号：KR101776265B1
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：KR1020140065273
申请日：2014-05-29
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 문준영 , 이충헌 , 최유정 , 김윤준 , 박유정 , 윤용운
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20 , H01L21/324
摘要： 일구현예에따르면, 기판위에재료층을형성하는단계, 상기재료층 위에하드마스크조성물을적용하는단계, 그리고상기하드마스크조성물을다단계(multi-step) 열처리하는단계를포함하는하드마스크층의형성방법으로서, 상기다단계열처리는공정 1 또는공정 2에따라진행되며, 상기공정 1은 50 ℃내지 170 ℃의온도에서열처리하는베이크공정 1-1, 및 100 ℃내지 500 ℃의온도에서열처리하는베이크공정 1-2를포함하고, 상기공정 2는 50 ℃내지 300 ℃의온도에서열처리하는베이크공정 2-1, 100 ℃내지 500 ℃의온도에서열처리하는베이크공정 2-2, 및 150 ℃내지 600 ℃의온도에서열처리하는베이크공정 2-3을포함하며, 상기베이크공정 1-2의온도는상기베이크공정 1-1의온도보다높거나같고, 상기베이크공정 2-2의온도는상기베이크공정 2-1의온도보다높거나같고상기베이크공정 2-3의온도는상기베이크공정 2-2의온도보다높거나같은하드마스크층의형성방법을제공한다. 단, 상기베이크공정 1-1의완결시점과상기베이크공정 1-2의개시시점이동일한경우상기베이크공정 1-2의온도는상기베이크공정 1-1의온도보다높아야하고, 상기베이크공정 2-1의완결시점과상기베이크공정 2-2의개시시점이동일한경우상기베이크공정 2-2의온도는상기베이크공정 2-1의온도보다높아야하며, 상기베이크공정 2-2의완결시점과상기베이크공정 2-3의개시시점이동일한경우상기베이크공정 2-3의온도는상기베이크공정 2-2의온도보다높아야한다.
摘要翻译：根据一个实施例，提供了一种形成硬掩模层的方法，该方法包括在基底上形成材料层，在该材料层上施加硬掩模组合物，并且多步热处理该硬掩模组合物作为一种方法，根据步骤1中的多级热处理工序1或方法2进行是在烘烤热处理步骤1-1烘烤的步骤，和在500至100℃℃的温度下在50℃至170℃的温度下进行热处理如图1-2所示，步骤2包括用于在50-300℃的温度下进行热处理的烘烤步骤2-1，用于在100-500℃的温度下进行热处理的烘烤步骤2-2，烘烤步骤1-2的温度高于或等于烘烤步骤1-1的温度，并且烘焙步骤2-2的温度低于烘烤步骤2-1的温度高于或等于烘烤步骤2-3的温度温度提供或大于烘烤步骤2-2的温度高形成硬掩模层的方法。如果烘烤过程1-1的完成时刻与烘烤过程1-2的开始时刻相同，则烘烤过程1-2的温度应当高于烘烤过程1-1的温度， 1等于烘烤步骤2-2的起点时，烘烤步骤2-2的温度应高于烘烤步骤2-1的温度，当步骤2-3的起点相同时，烘烤步骤2-3的温度应高于烘烤步骤2-2的温度。

2. 发明公开

KR1020150079208A 하드마스크 조성물 및 이를 사용한 패턴 형성 방법 有权
标题翻译： HARDMASK组合物和使用HARDMASK组合物形成图案的方法
公开(公告)号：KR1020150079208A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：KR1020130169274
申请日：2013-12-31
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 남연희 , 김혜정 , 김상균 , 김성환 , 김윤준 , 문준영 , 송현지
IPC分类号： C09D4/00 , G03F7/004 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/11 , C08G69/32 , C08G73/1039 , C08G73/1046 , C08G73/105 , C08G73/1071 , C09D177/10 , C09D179/08 , G03F7/0752 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/20 , G03F7/40 , H01L21/02118 , H01L21/0214 , H01L21/0217 , H01L21/02282 , H01L21/0276 , H01L21/30604 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , C09D4/00 , G03F7/004 , G03F7/26 , H01L21/027
摘要： 하기화학식 1로표현되는부분을가지는중합체, 그리고용매를포함하는하드마스크조성물을제공한다. [화학식 1]상기화학식 1에서, A 및 B는명세서내에서정의한바와같다.
摘要翻译：提供一种聚合物，其包含由下式1表示的部分; 和包含溶剂的硬盘组合物。 [式1]在式1中，A和B如说明书中所定义。

3. 发明公开

KR1020150079199A 하드마스크 조성물, 이를 사용한 패턴 형성 방법 및 상기 패턴을 포함하는 반도체 집적회로 디바이스 无效
标题翻译： HARDMASK组合物，使用HARDMASK组合物形成图案的方法和包括图案的半导体集成电路装置
公开(公告)号：KR1020150079199A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：KR1020130169260
申请日：2013-12-31
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 박유신 , 김윤준 , 문준영 , 박유정 , 송현지 , 신승욱 , 윤용운 , 이충헌 , 최유정
IPC分类号： C09D4/00 , G03F7/004 , G03F7/11 , H01L21/027 , G03F7/26
CPC分类号： H01L21/0276 , C08G2261/135 , C08G2261/1422 , C08G2261/3142 , C08G2261/3424 , C08G2261/76 , C08L61/06 , C08L65/00 , C09D165/00 , H01L21/02118 , H01L21/02282 , H01L21/30604 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , C09D4/00 , G03F7/004 , G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/027
摘要： 하기화학식 1a 내지 1c 중에서선택된어느하나로표현되는부분을포함하는중합체, 하기화학식 2로표현되는모노머, 그리고용매를포함하는하드마스크조성물을제공한다. [화학식 1a][화학식 1b][화학식 1c][화학식 2]상기화학식 1a, 1b, 1c 및 2에서, R, R, R, R, R, R, R, R및 R은명세서에서정의한바와같다.
摘要翻译：提供一种包含由选自1a至1c的一部分表示的部分的聚合物; 由下式2表示的单体; 和包含溶剂的硬掩模组合物。在式1a，1b，1c和2中，R 1（1a），R 1（1b），R 4（4a），R 4（4b），R 9（2a），R 9（2b） 5a）中，R 5（5b）和R 9如说明书中所定义。

4. 发明授权

KR101531610B1 하드마스크 형성용 조성물, 이를 이용한 패턴 형성 방법 및 상기 패턴을 포함하는 반도체 집적회로 디바이스 有权
标题翻译： HARDMASK的组合物，使用其的形成图案的方法和包括图案的半导体集成电路装置
公开(公告)号：KR101531610B1
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：KR1020120131181
申请日：2012-11-19
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 이성재 , 문준영 , 조연진 , 김영민 , 윤용운
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/11 , G03F7/26
CPC分类号： G03F7/094 , G03F7/0752 , G03F7/09 , G03F7/091 , G03F7/40 , H01L21/0276 , H01L21/0332
摘要： 하기화학식 1 및 2로표시되는반복단위를포함하는공중합체및 용매를포함하는하드마스크형성용조성물, 이를이용한패턴형성방법, 그리고상기방법으로형성된패턴을포함하는반도체집적회로디바이스에관한것이다. [화학식 1][화학식 2](상기화학식 1 및 2에서, 각치환기는명세서에정의된바와같다.)

5. 发明公开

KR1020150002928A 하드마스크 조성물용 모노머, 상기 모노머를 포함하는 하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법 有权
标题翻译： HARDMASK组合物和HARDMASK组合物的单体包括单体和使用HARDMASK组合物形成图案的方法
公开(公告)号：KR1020150002928A
公开(公告)日：2015-01-08
申请号：KR1020130073946
申请日：2013-06-26
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 홍승희 , 김윤준 , 박유신 , 김고은 , 김영민 , 김혜정 , 문준영 , 박요철 , 박유정 , 송현지 , 신승욱 , 윤용운 , 이충헌 , 최유정
IPC分类号： G03F7/20 , G03F7/09
CPC分类号： G03F7/2041 , B41C2210/24 , C07C43/257 , C07C211/57 , C08G61/10 , G03F7/004 , G03F7/091 , G03F7/11 , H01L21/027
摘要： 하기 화학식 1로 표현되는 하드마스크 조성물용 모노머, 상기 모노머를 포함하는 하드마스크 조성물 및 이를 사용한 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
[화학식 1]

상기 화학식 1에서, A, A′, L, X, X′, k, l, m 및 n은 명세서에서 정의한 바와 같다.
摘要翻译：本发明涉及由化学式1表示的硬掩模组合物单体，包含该单体的硬掩模组合物和使用其形成图案的方法。在化学式1中，A，A'，L，X，X'，k，l，m和n与专利说明书中的相同。

6. 发明公开

KR1020140104791A 모노머, 상기 모노머를 포함하는 하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법 有权
标题翻译： HARDMASK组合物和HARDMASK组合物的单体包括单体和使用HARDMASK组合物形成图案的方法
公开(公告)号：KR1020140104791A
公开(公告)日：2014-08-29
申请号：KR1020130018735
申请日：2013-02-21
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 윤용운 , 이성재 , 문준영 , 박유정 , 이철호 , 조연진
IPC分类号： C07D407/10 , G03F7/004 , C08G59/22
CPC分类号： G03F7/11 , C07D303/14 , C07D303/32 , C09D5/00 , C09D7/63 , C09D163/00 , G03F7/20 , G03F7/32 , G03F7/34 , C08G59/22 , G03F7/004 , G03F7/0045 , G03F7/2002
摘要： The present invention relates to a monomer for a hardmask composition represented by chemical formula 1, a hardmask composition including the monomer, and a method for forming a pattern using the hardmask composition. For chemical formula 1, the definitions of A, A′, X, Y, I, m, and n are the same as those defined in the specification.
摘要翻译：本发明涉及由化学式1表示的硬掩模组合物的单体，包含该单体的硬掩模组合物以及使用硬掩模组合物形成图案的方法。对于化学式1，A，A'，X，Y，I，m和n的定义与说明书中定义的相同。

7. 发明公开

KR1020140085124A 하드마스크 조성물, 이를 사용한 패턴 형성 방법 및 상기 패턴을 포함하는 반도체 집적회로 디바이스 有权
标题翻译： HARDMASK组合物和形成图案的方法和包括图案的半导体集成电路装置
公开(公告)号：KR1020140085124A
公开(公告)日：2014-07-07
申请号：KR1020120155332
申请日：2012-12-27
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 최유정 , 김윤준 , 문준영 , 이범진 , 이충헌 , 조연진
IPC分类号： G03F1/00 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC分类号： H01L23/564 , H01L21/02118 , H01L21/02282 , H01L21/0271 , H01L21/0332 , H01L2924/0002 , G03F1/08 , G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/0273 , H01L2924/00
摘要： Provided are (A) monomers for a hard mask composition represented by chemical formula 1; (B) an aromatic ring-containing polymer; and (C) a hard mask composition including a solvent. [Chemical formula 1] In chemical formula 1, A, A′, A″, L, L′x, y and z are defined as in the specification. In addition, a method for forming patterns using the hard mask composition and a semiconductor integrated circuit device including multiple patterns formed thereby are provided.
摘要翻译：提供（A）由化学式1表示的硬掩模组合物的单体; （B）含芳环的聚合物; 和（C）包含溶剂的硬掩模组合物。 [化学式1]在化学式1中，A，A'，A“，L，L'x，y和z如说明书中所定义。此外，提供了使用硬掩模组合物形成图案的方法和包括由其形成的多个图案的半导体集成电路器件。

8. 发明授权

KR101767080B1 하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법 有权
公开(公告)号：KR101767080B1
公开(公告)日：2017-08-10
申请号：KR1020140042631
申请日：2014-04-09
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 박유정 , 김미영 , 김윤준 , 남연희 , 송현지 , 문준영 , 이충헌 , 정슬기 , 정태홍
IPC分类号： G03F7/09 , H01L21/027 , H01L21/033
摘要： 하기화학식 1로표현되는구조단위및 하기화학식 2로표현되는구조단위를포함하는중합체, 그리고용매를포함하는하드마스크조성물에관한것이다. [화학식 1][화학식 2]상기화학식 1 및 2에서, Ar, Ar, M및 M는명세서내에서정의한바와같다.

9. 发明授权

KR101705756B1 하드마스크 조성물용 모노머, 상기 모노머를 포함하는 하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법 有权
标题翻译： HARDMASK组合物和HARDMASK组合物的单体包括单体和使用HARDMASK组合物形成图案的方法
公开(公告)号：KR101705756B1
公开(公告)日：2017-02-13
申请号：KR1020130073948
申请日：2013-06-26
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 박유신 , 김상균 , 김윤준 , 김고은 , 김영민 , 김혜정 , 문준영 , 박요철 , 박유정 , 송현지 , 신승욱 , 윤용운 , 이충헌 , 최유정 , 홍승희
IPC分类号： C07C39/12 , G03F7/11 , H01L21/027
摘要： 하기화학식 1로표현되는하드마스크조성물용모노머, 상기모노머를포함하는하드마스크조성물및 이를사용한패턴형성방법에관한것이다. [화학식 1]상기화학식 1에서, A, A′, A″, L, L′, X, X′, m 및 n은명세서에서정의한바와같다.
摘要翻译：本发明涉及由化学式1表示的硬掩模组合物单体，包含该单体的硬掩模组合物和使用其形成图案的方法。化学式1的A，A'，A“，L，L'，X，X'，m和n具有与专利说明书相同的定义。

10. 发明授权

KR101684977B1 하드마스크 조성물, 이를 사용한 패턴 형성 방법 및 상기 패턴을 포함하는 반도체 집적회로 디바이스 有权
标题翻译：使用HARDMASK组合物形成图案的HARDMASK组合物方法和包括图案的图案的半导体集成电路装置
公开(公告)号：KR101684977B1
公开(公告)日：2016-12-09
申请号：KR1020130075886
申请日：2013-06-28
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 신승욱 , 김윤준 , 김고은 , 김영민 , 김혜정 , 문준영 , 박요철 , 박유신 , 박유정 , 송현지 , 윤용운 , 이충헌 , 최유정 , 홍승희
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/027
摘要： 하기화학식 1로표현되는모노머, 하기화학식 2로표현되는모노머, 그리고용매를포함하는하드마스크조성물을제공한다. [화학식 1][화학식 2]상기화학식 1 및 2에서, A, A', A″, L, L′, X, X′, m, n, B, Y, R및 R은명세서에서정의한바와같다.
摘要翻译：本发明的目的是提供一种确保溶剂的溶解性，间隙填充和平坦化性能的硬掩模组合物，并且可以满足耐蚀刻性和光学性能。提供含有由化学式1表示的单体，由化学式2表示的单体和溶剂的硬掩模组合物。在化学式1和2中，A，A'，A“，L，L'，X，X'，m，n，B，Y，R 1和R 2如说明书中所述定义。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式