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1. 发明公开

KR1020140087998A 개질 수소화 폴리실록사잔을 포함하는 실리카계 절연층 형성용 조성물, 실리카계 절연층 형성용 조성물의 제조방법, 실리카계 절연층 및 실리카계 절연층의 제조방법 有权
标题翻译：改性氢化聚硅氧烷，其中包含其的基于二氧化硅的绝缘层的组合物，用于形成基于二氧化硅的绝缘层的组合物的制造方法，基于二氧化硅的绝缘层以及用于制造基于二氧化硅的绝缘层的方法
公开(公告)号：KR1020140087998A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：KR1020130133605
申请日：2013-11-05
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 송현지 , 박은수 , 임상학 , 곽택수 , 김고은 , 김미영 , 김보선 , 김봉환 , 나융희 , 배진희 , 서진우 , 윤희찬 , 이한송 , 전종대 , 한권우 , 홍승희 , 황병규
IPC分类号： C08G77/38 , C08G77/26 , C08L83/08 , H01B3/46
CPC分类号： C08G77/54 , C08G77/60 , C08G77/62 , C09D183/02 , C09D183/14 , C09D183/16 , H01B3/02 , H01B3/303 , H01B3/46 , H01L21/02164 , H01L21/02211 , H01L21/02222 , H01L21/02255 , H01L21/0229 , H01L21/02326
摘要： Provided is a modified hydrogenated polysiloxazane prepared by reacting hydrogenated polysiloxazane with a silane compound selected from the group consisting of polysilane, polycyclosilane and a silane oligomer. The modified hydrogenated polysiloxazane has small molar ratio of nitrogen atoms with respect to silicon atoms, and can markedly decrease layer shrinkage ratio during manufacturing a silica-based insulating layer when applied in a composition for manufacturing the silica-based insulating layer.
摘要翻译：本发明提供了一种通过氢化聚硅氧氮烷与选自聚硅烷，聚环硅烷和硅烷低聚物的硅烷化合物反应制备的改性氢化聚硅氧氮烷。改性氢化聚硅氧氮烷相对于硅原子具有小的氮原子摩尔比，并且当在用于制造二氧化硅基绝缘层的组合物中时，在制造二氧化硅基绝缘层期间可以显着降低层收缩率。

2. 发明授权

KR101767083B1 개질 수소화 폴리실록사잔을 포함하는 실리카계 절연층 형성용 조성물, 실리카계 절연층 형성용 조성물의 제조방법, 실리카계 절연층 및 실리카계 절연층의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101767083B1
公开(公告)日：2017-08-10
申请号：KR1020130133605
申请日：2013-11-05
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 송현지 , 박은수 , 임상학 , 곽택수 , 김고은 , 김미영 , 김보선 , 김봉환 , 나융희 , 배진희 , 서진우 , 윤희찬 , 이한송 , 전종대 , 한권우 , 홍승희 , 황병규
IPC分类号： C08G77/38 , C08G77/26 , C08L83/08 , H01B3/46
CPC分类号： C08G77/54 , C08G77/60 , C08G77/62 , C09D183/02 , C09D183/14 , C09D183/16 , H01B3/02 , H01B3/303 , H01B3/46 , H01L21/02164 , H01L21/02211 , H01L21/02222 , H01L21/02255 , H01L21/0229 , H01L21/02326
摘要： 수소화폴리실록사잔에폴리실란, 폴리사이클로실란및 실란올리고머로이루어진군에서선택되는실란화합물을반응시켜제조되는개질수소화폴리실록사잔을제공한다. 상기개질수소화폴리실록사잔은, 실리콘원자에대한질소원자의몰비가작기때문에실리카계절연층형성용조성물에적용되어실리카계절연층형성시막 수축률을현저히감소시킬수 있다.

3. 发明授权

KR101599953B1 실리카계 절연층 형성용 조성물, 실리카계 절연층 및 실리카계 절연층의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101599953B1
公开(公告)日：2016-03-04
申请号：KR1020130094274
申请日：2013-08-08
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 박은수 , 곽택수 , 나융희 , 송현지 , 이한송 , 홍승희
IPC分类号： H01B3/46 , H01B17/62 , C08L83/00
CPC分类号： C09D183/04 , C08L83/02 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282
摘要： 하기화학식 1로표현되는구조단위를포함하는유기실란계축중합체; 그리고용매를포함하는실리카계절연층형성용조성물을제공한다. [화학식 1]상기화학식 1에서, R내지 R, m, x, y 및 z의정의는명세서에기재한바와같다.

4. 发明公开

KR1020150017972A 실리카계 절연층 형성용 조성물, 실리카계 절연층 및 실리카계 절연층의 제조방법 有权
标题翻译：用于形成二氧化硅基绝缘层的组合物，基于二氧化硅的绝缘层和用于制造基于二氧化硅的绝缘层的方法
公开(公告)号：KR1020150017972A
公开(公告)日：2015-02-23
申请号：KR1020130094277
申请日：2013-08-08
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 박은수 , 곽택수 , 나융희 , 송현지 , 이한송 , 홍승희
IPC分类号： H01B3/46 , H01B17/62 , C08L83/00
CPC分类号： H01B19/02 , C08G77/54 , C09D183/14 , H01B3/18 , H01B3/46 , H01B19/04 , C01B33/00 , C08L83/00 , H01B17/62
摘要： The present invention provides an insulating layer having low permittivity and excellent mechanical properties. Provided are: an organosilane condensation polymer including a compound represented by chemical formula 1 and a compound represented by chemical formula 2; and a composition for forming silica based insulating layer including a solvent, wherein chemical formula 1 is (R^1)_3SiXSi(R^1)_3 and chemical formula 2 is (R^2)_n(Si)(OR^3)_4-n. In chemical formula 1 and 2, R^1 to R^3,X and n are defined as follows. R^1 is hydrogen, a hydroxy group, a substituted or unsubstituted C1-C20 alkoxy group, a halogen-containing group, a silicon-containing group, or a combination thereof. R^2 is hydrogen, a hydroxy group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C20 aryl group, a vinyl Group, or a combination thereof. R^3 is hydrogen, substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C20 aryl group, a vinyl group, or a combination thereof. X is a linking group containing a porogen. n is an integer from 0 to 3.
摘要翻译：本发明提供一种具有低介电常数和优异机械性能的绝缘层。提供：包含由化学式1表示的化合物和由化学式2表示的化合物的有机硅烷缩聚物; 以及用于形成包含溶剂的二氧化硅基绝缘层的组合物，其中化学式1是（R 1）3 SiXSi（R 1）3和化学式2是（R 2）n（Si）（OR 3））4 -n。在化学式1和2中，R 1至R 9，X和n定义如下。 R 1是氢，羟基，取代或未取代的C 1 -C 20烷氧基，含卤素基团，含硅基团或其组合。 R 2是氢，羟基，取代或未取代的C 1至C 30烷基，取代或未取代的C 6至C 20芳基，乙烯基或其组合。取代或未取代的C1〜C30烷基，取代或未取代的C6〜C20芳基，乙烯基，或它们的组合。 X是含有致孔剂的连接基团。 n为0〜3的整数。

5. 发明授权

KR101692757B1 절연막용 린스액 및 절연막의 린스 방법 有权
标题翻译：用于绝缘膜的冲洗液和冲压绝缘膜的方法
公开(公告)号：KR101692757B1
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：KR1020130043079
申请日：2013-04-18
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 배진희 , 이한송 , 임완희 , 김고은 , 곽택수 , 김보선 , 김상균 , 나융희 , 박은수 , 서진우 , 송현지 , 조연진 , 한권우 , 황병규
IPC分类号： C11D3/43 , H01L21/3105
CPC分类号： H01L21/0206 , C08G77/54 , C08G77/62 , C09D183/14 , C09D183/16 , C11D7/266 , C11D7/5022 , C11D11/0047 , H01L21/02087 , H01L21/0209 , H01L21/02164 , H01L21/02214 , H01L21/02222 , H01L21/02282 , H01L21/02326 , H01L27/1085 , H01L28/40
摘要： 하기화학식 1로표현되는용제를포함하는절연막용린스액, 상기린스액을사용한절연막의린스방법에관한것이다. [화학식 1]상기화학식 1에서, R 및 R 내지 R는명세서에서정의된바와같다.
摘要翻译：一种用于绝缘层的冲洗液，所述漂洗液包括由以下化学式1表示的溶剂：

6. 发明公开

KR1020150017970A 실리카계 절연층 형성용 조성물, 실리카계 절연층 및 실리카계 절연층의 제조방법 有权
标题翻译：用于形成二氧化硅基绝缘层的组合物，基于二氧化硅的绝缘层和用于制造基于二氧化硅的绝缘层的方法
公开(公告)号：KR1020150017970A
公开(公告)日：2015-02-23
申请号：KR1020130094274
申请日：2013-08-08
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 박은수 , 곽택수 , 나융희 , 송현지 , 이한송 , 홍승희
IPC分类号： H01B3/46 , H01B17/62 , C08L83/00
CPC分类号： C09D183/04 , C08L83/02 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , C01B33/023 , C08L83/00 , H01B3/46 , H01B17/62
摘要： The present invention provides an insulating layer having low permittivity and excellent mechanical properties. Provided are an organosilane condensation polymer including a structure unit represented by chemical formula 1 and a composition for forming a silica based insulating layer including a solvent. In chemical formula 1, R^1 to R^4, m, x, y, and z is defined as follows. R^1 is hydrogen, a hydroxyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C4 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C20 aryl group, a vinyl group, or a combination thereof. R^2 to R^4 are independently hydrogen, a hydroxyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkoxy group, a halogen-containing group, a silicon-containing group or a combination thereof. m is an integer from one to six. x, y, and z represent the relative mole ratio of each repeating unit and meet 0.05
摘要翻译：本发明提供一种具有低介电常数和优异机械性能的绝缘层。提供一种包含由化学式1表示的结构单元和用于形成包含溶剂的二氧化硅基绝缘层的组合物的有机硅烷缩聚物。在化学式1中，R 1至R 4，m，x，y和z定义如下。 R 1是氢，羟基，取代或未取代的C1〜C4烷基，取代或未取代的C6〜C20芳基，乙烯基或它们的组合。 R 2〜R 4独立地为氢，羟基，取代或未取代的C1〜C20烷氧基，含卤素基，含硅基或其组合。 m是1到6的整数。 x，y和z表示每个重复单元的相对摩尔比，并且满足0.05≤x≤0.50,0.45≤y≤0.90,0.05≤z≤0.50和x + y + z = 1。

7. 发明公开

KR1020140147576A 실리카 막 및 그 형성 방법 有权
标题翻译：硅胶膜及其制备方法
公开(公告)号：KR1020140147576A
公开(公告)日：2014-12-30
申请号：KR1020130071125
申请日：2013-06-20
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 박은수 , 나융희 , 송현지 , 임완희 , 조연진 , 황병규
IPC分类号： H01L21/312 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/02126 , H01L21/3105 , H01L21/324
摘要： The present invention relates to a method for forming a silica film, a silica film formed by the same, and an electronic device including the silica film. The method for forming a silica film comprises the following steps of: applying a siloxane compound; applying a silicon-nitrogen-containing compound; and converting the silicon-nitrogen-containing compound into silica by processing the siloxane compound and the silicon-nitrogen-containing compound by heat treatment at the same time.
摘要翻译：本发明涉及形成二氧化硅膜的方法，由其形成的二氧化硅膜和包括二氧化硅膜的电子器件。形成二氧化硅膜的方法包括以下步骤：施加硅氧烷化合物; 涂覆含硅的化合物; 并且通过同时热处理加工硅氧烷化合物和含硅氮化合物，将含硅的化合物转化成二氧化硅。

8. 发明公开

KR1020140085119A 실리카계 절연층 형성용 조성물, 실리카계 절연층 형성용 조성물의 제조방법, 실리카계 절연층 및 실리카계 절연층의 제조방법 有权
标题翻译：用于形成二氧化硅基绝缘层的组合物，用于制造基于二氧化硅的绝缘层的组合物的方法，基于二氧化硅的绝缘层以及用于制造基于二氧化硅的绝缘层的方法
公开(公告)号：KR1020140085119A
公开(公告)日：2014-07-07
申请号：KR1020120155327
申请日：2012-12-27
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 윤희찬 , 곽택수 , 김미영 , 임상학 , 한권우 , 김고은 , 김봉환 , 김상균 , 나융희 , 박은수 , 배진희 , 송현지 , 이한송 , 홍승희
IPC分类号： H01B3/46 , C08L83/08
CPC分类号： C09D1/00 , B05D3/02 , B05D3/0254 , B05D3/0433 , C08G77/62 , C09D183/14 , C09D183/16 , H01B3/02 , H01B3/303 , H01B3/46 , H01L21/02126 , H01L21/02164 , H01L21/02214 , H01L21/02216 , H01L21/02219 , H01L21/02222 , H01L21/02282 , H01L21/02326 , H01L21/02337 , C08L83/04 , C08L83/08
摘要： Provided is a composition for forming silica based insulating layer which includes polysilazane hydroxide or polysiloxazane hydroxide, and has 1200 ppm or less of concentrate of cyclic compound having 400 or less of weight-average molecular weight. The composition for forming silica based insulating layer can reduce thickness dispersion when forming the silica based insulating layer, thereby reducing film deficiency after chemical mechanical polishing (CMP) when manufacturing a semiconductor.
摘要翻译：本发明提供一种二氧化硅系绝缘层形成用组合物，其包含聚硅氮烷氢氧化物或聚硅氧氮烷氢氧化物，并且具有1200ppm以下的具有400以下重均分子量的环状化合物的浓缩物。用于形成二氧化硅基绝缘层的组合物可以在形成二氧化硅基绝缘层时减小厚度分散，从而在制造半导体时减少化学机械抛光（CMP）后的薄膜缺陷。

9. 发明授权

KR101599954B1 실리카계 절연층 형성용 조성물, 실리카계 절연층 및 실리카계 절연층의 제조방법 有权
标题翻译：用于形成二氧化硅基绝缘层二氧化硅基绝缘层的组合物和制造基于二氧化硅的绝缘层的方法
公开(公告)号：KR101599954B1
公开(公告)日：2016-03-04
申请号：KR1020130094277
申请日：2013-08-08
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 박은수 , 곽택수 , 나융희 , 송현지 , 이한송 , 홍승희
IPC分类号： H01B3/46 , H01B17/62 , C08L83/00
CPC分类号： H01B19/02 , C08G77/54 , C09D183/14 , H01B3/18 , H01B3/46 , H01B19/04
摘要： 하기화학식 1로표현되는화합물및 하기화학식 2로표현되는화합물을포함하는유기실란계축중합체; 그리고용매를포함하는실리카계절연층형성용조성물. [화학식 1] (R)SiXSi(R)[화학식 2] R(Si)(OR)상기화학식 1 및 2에서, R내지 R, X 및 n의정의는명세서에기재한바와같다.

10. 发明授权

KR101556672B1 실리카계 절연층 형성용 조성물, 실리카계 절연층 형성용 조성물의 제조방법, 실리카계 절연층 및 실리카계 절연층의 제조방법 有权
标题翻译：用于形成基于二氧化硅的绝缘层二氧化硅基绝缘层的制备二氧化硅基绝缘层的组合物的方法和用于制造基于二氧化硅的绝缘层的方法
公开(公告)号：KR101556672B1
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：KR1020120155327
申请日：2012-12-27
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 윤희찬 , 곽택수 , 김미영 , 임상학 , 한권우 , 김고은 , 김봉환 , 김상균 , 나융희 , 박은수 , 배진희 , 송현지 , 이한송 , 홍승희
IPC分类号： H01B3/46 , C08L83/08
CPC分类号： C09D1/00 , B05D3/02 , B05D3/0254 , B05D3/0433 , C08G77/62 , C09D183/14 , C09D183/16 , H01B3/02 , H01B3/303 , H01B3/46 , H01L21/02126 , H01L21/02164 , H01L21/02214 , H01L21/02216 , H01L21/02219 , H01L21/02222 , H01L21/02282 , H01L21/02326 , H01L21/02337
摘要： 수소화폴리실라잔또는수소화폴리실록사잔을포함하며, 중량평균분자량 400 이하의환형화합물의농도가 1200ppm 이하인실리카계절연층형성용조성물을제공한다. 상기실리카계절연층형성용조성물은실리카계절연층형성시 두께산포를감소시킬수 있으며, 이로써반도체제조공정시화학적연마(CMP) 공정후 막결함을줄일수 있다.
摘要翻译：公开了一种包含氢化聚硅氮烷或氢化聚硅氧烷的二氧化硅基绝缘层的组合物，其中重均分子量小于400的环状化合物的浓度小于或等于1,200ppm。用于二氧化硅基绝缘层的组合物可以在形成二氧化硅基绝缘层期间减小厚度分布，从而可以降低在半导体制造过程中化学机械抛光（CMP）之后的膜缺陷。

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