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1. 发明授权

KR102473325B1 감방사선 수지 조성물 및 전자 부품 有权
公开(公告)号：KR102473325B1
公开(公告)日：2022-12-01
申请号：KR1020197027354
申请日：2018-01-31
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/075 , C08G59/22
摘要： 본발명은, 현상잔사의발생이충분히억제되어있는동시에, 우수한신장성을구비하는수지막을형성가능한감방사선수지조성물의제공을목적으로한다. 본발명의감방사선수지조성물은, 프로톤성극성기를갖는고리형올레핀중합체(A-1), 프로톤성극성기를갖는고리형올레핀중합체(A-2), 2관능에폭시화합물(B), 및감방사선화합물(C)을함유하고, 상기고리형올레핀중합체(A-1)의중량평균분자량이 1000 이상 10000 미만이고, 상기고리형올레핀중합체(A-2)의중량평균분자량이 10000 이상 100000 이하이고, 그리고, 상기고리형올레핀중합체(A-2)의함유량이, 상기고리형올레핀중합체(A-1)와상기고리형올레핀중합체(A-2)의합계함유량의 5 질량% 이상 55 질량% 이하이다.

2. 发明授权

KR102444387B1 경화 촉매의 확산 거리를 측정하는 방법 有权
公开(公告)号：KR102444387B1
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：KR1020200050120
申请日：2020-04-24
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/075 , G03F7/26

3. 发明授权

KR102437195B1 감광성 수지 조성물 및 감광성 수지 적층체 有权
公开(公告)号：KR102437195B1
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：KR1020217013116
申请日：2014-12-26
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/028 , G03F7/20 , G03F7/038 , C07C39/15 , G03F7/039 , G03F7/075
摘要： (A) 알칼리가용성고분자, (B) 에틸렌성불포화이중결합을갖는화합물, 및 (C) 광중합개시제를포함하는감광성수지조성물로서, 그감광성수지조성물로이루어지는감광성수지층을기판표면상에형성하고, 노광및 현상을실시하여얻어지는레지스트패턴에있어서, 그기판표면에초점위치를맞춰그 노광을실시했을때의패턴해상도 a 와, 그기판표면으로부터그 기판의두께방향으로 300 ㎛어긋나게한 위치에초점위치를맞춰그 노광을실시했을때의패턴해상도 b 의차가 15 ㎛미만인, 감광성수지조성물.

4. 发明授权

KR102432033B1 수지 조성물, 차광막, 차광막의 제조 방법 및 격벽 구비 기판 有权
公开(公告)号：KR102432033B1
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：KR1020217000149
申请日：2019-06-26
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/022 , G03F7/075 , G03F7/105 , G02B5/20 , G02F1/1335 , H01L27/32 , H01L51/50
摘要： 수지와, 은, 금, 백금및 팔라듐으로이루어지는군으로부터선택되는적어도 1종의금속을함유하는유기금속화합물과, 광중합개시제또는퀴논디아지드화합물과, 용매를함유하는수지조성물. 250℃이하의가열조건에있어서도, 높은반사율과높은차광성을양립한격벽을형성하는수지조성물을제공한다.

5. 发明授权

KR102423758B1 폴리- 또는 프리폴리머 조성물, 또는 이러한 조성물을 포함하는 엠보싱 래커 및 이의 용도 有权
公开(公告)号：KR102423758B1
公开(公告)日：2022-07-20
申请号：KR1020177018946
申请日：2015-12-09
IPC分类号： G03F7/027 , G03F7/00 , G03F7/004 , G03F7/029 , G03F7/031 , G03F7/075

6. 发明授权

KR102415046B1 고체 표면의 개질 방법 有权
公开(公告)号：KR102415046B1
公开(公告)日：2022-06-29
申请号：KR1020197006718
申请日：2017-08-03
IPC分类号： G03F7/075 , C03C17/30 , C03C23/00 , C08J7/12 , G03F7/20
摘要： 본발명은임의적으로광 개시제의존재하에서 200 내지 800nm 파장의광으로조사하면서표면을표면-개질화합물과접촉시키는단계를포함하는, 고체물질의표면을개질하는방법에관한것으로서, 이때 a) 상기표면은 Si-OH 기, C-OH 또는에폭시기를갖고, 상기표면-개질화합물은하이드로실란이거나, b) 상기표면은 O-Si-H 기를갖고, 상기표면-개질화합물은실란올또는알콜이다.

7. 发明授权

KR102391916B1 반도체 소자의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102391916B1
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：KR1020170030781
申请日：2017-03-10
IPC分类号： G03F7/00 , G03F7/075 , G03F7/11 , G03F7/027 , G03F7/033 , H01L27/11556 , H01L27/11582 , H01L27/11548 , H01L27/11575 , H01L21/027
摘要： 본발명은 3차원반도체메모리장치의제조방법에관한것으로, 보다상세하게는, 기판상에교대로그리고반복적으로적층된절연막들및 희생막들을포함하는적층구조체를형성하는것; 상기적층구조체상에, 제1 하부막및 제1 포토레지스트패턴을형성하는것; 상기제1 포토레지스트패턴을마스크로상기제1 하부막을식각하여, 제1 하부패턴을형성하는것; 및상기제1 하부패턴을마스크로상기적층구조체의일단을식각하여, 상기일단을계단형태로형성하는것을포함한다. 상기제1 하부막은노볼락(novolac) 기반의유기고분자를포함하며, 상기제1 포토레지스트패턴은실리콘을함유하는고분자를포함한다.

8. 发明授权

KR102369818B1 포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물 有权
公开(公告)号：KR102369818B1
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：KR1020150004632
申请日：2015-01-13
IPC分类号： G03F7/075 , G03F7/022
摘要： 본발명은포지티브형감광성실록산수지조성물에관한것으로, ⅰ) 하기화학식 1로표시되는반응성실란및 ⅱ) 테트라클로로실란을촉매하에가수분해및 축합중합하고미반응단량체및 촉매를제거하여얻어진폴리스티렌환산중량평균분자량(Mw)이 1,000 내지 20,000인실록산계공중합체를포함하는포지티브형감광성실록산수지조성물에관한것이다. 본발명에따른포지티브형감광성실록산수지조성물은감도, 해상도, 접착력, 투과도, 내열변색성등의성능이우수할뿐만아니라, 특히뛰어난내열성으로인한 Low Outgassing을가능하게하고, 낮은수분흡수율을유지함으로써우수한 Panel 신뢰성을확보할수 있다.

9. 发明授权

KR102367555B1 네거티브형 감광성 실록산 조성물 有权
公开(公告)号：KR102367555B1
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：KR1020140185714
申请日：2014-12-22
IPC分类号： G03F7/075 , G03F7/038
摘要： 본발명은네거티브형감광성실록산조성물에관한것으로서, 상기감광성실록산조성물은실록산바인더, 아크릴계올리고머및 경화제를포함하며, 상기실록산바인더는 Si-O 결합을기본구조로포함하고, 상기 Si에결합된하기화학식 1 내지 2로표시되는치환기를포함한다. [화학식 1] -C6R15 [화학식 2] -O(CH2)nNHCONR22 상기화학식 1 및 2에서, 상기 R1, R2 및 n의정의는발명의상세한설명에서와같다. 이러한네거티브형감광성실록산조성물은 130℃이하조건에서경화가능하고전기절연성능, 내화학성, 광학성능등 우수한성능의경화막을얻을수 있으므로낮은온도에서의공정이요구되는플렉시블소재기반디바이스에적용할수 있고, PET 기재에형성된패턴의내화학성, 고온고습신뢰성, 밀착력등이우수하다.

10. 发明授权

KR102358171B1 하드마스크용 조성물 有权
公开(公告)号：KR102358171B1
公开(公告)日：2022-02-03
申请号：KR1020180011188
申请日：2018-01-30
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/075
摘要： 본발명은실록산(siloxane)기를포함하는졸(sol); 노볼락(Novolac) 수지; 및용매를포함하는, 하드마스크용조성물을제공한다. 하드마스크용조성물로부터할로겐화합물플라즈마와질소산소플라즈마에대한내에칭성, 용해성및 평탄성이동시에향상된하드마스크가형성될수 있다.

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