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热词
    • 5. 发明公开
    • 광전소자 및 이를 포함하는 전자장치
    • 光电子器件和包含它们的电子器件
    • KR1020170033734A
    • 2017-03-27
    • KR1020150131892
    • 2015-09-17
    • 삼성전자주식회사
    • 조경상백찬욱정희정
    • H01L31/0352H01L31/0224H01L31/04
    • H01L31/02322B82Y20/00H01L27/14647H01L31/032H01L31/035218H01L31/1126Y10S977/774Y10S977/954
    • 광전소자및 이를포함하는전자장치에관해개시되어있다. 개시된광전소자는광활성층을포함할수 있고, 상기광활성층은광에의해전하를생성하는나노구조층및 상기나노구조층에인접된반도체층을포함할수 있다. 상기나노구조층은양자점을포함할수 있다. 상기반도체층은산화물반도체를포함할수 있다. 상기광전소자는상기광활성층의서로다른영역에접촉된제1 전극및 제2 전극을포함할수 있다. 상기광전소자와유사한구성을갖는복수의광전변환요소가수평방향으로배열되거나수직방향으로적층될수 있다. 상기복수의광전변환요소는칼라필터없이서로다른파장대역의광을흡수/검출하도록구성될수 있다.
    • 公开了一种光电装置和包括该光电装置的电子设备。 所公开的光电器件可以包括光敏层,其可以包括通过光产生电荷的纳米结构层和与纳米结构层相邻的半导体层。 纳米结构层可以包括量子点。 半导体层可以包括氧化物半导体。 光电器件可以包括与光敏层的不同区域接触的第一电极和第二电极。 具有与光电元件类似的结构的多个光电转换元件可以在水平方向上排列或者在垂直方向上层叠。 多个光电转换元件可以被配置为在没有滤色器的情况下吸收/检测不同波段的光。
    • 8. 发明授权
    • 삼극 전계방출소자의 제조방법
    • 制造三极管结构场致发射器件的方法
    • KR101301080B1
    • 2013-09-03
    • KR1020080024501
    • 2008-03-17
    • 삼성전자주식회사
    • 백찬욱최준희홍석우이주호
    • H01J1/30C01B31/02
    • H01J31/127H01J29/04H01J2329/0455
    • 본 발명에 따른 삼극 전계방출소자의 제조방법은 다음과 같다. 기판상에 음극, 절연막 및 게이트 금속층을 순차로 형성한다. 게이트 금속층 상에 순차로 적층되는, 제1 개구부를 갖는 제1 레지스트 패턴 및 제1 개구부의 크기보다 작은 제2 개구부를 갖는 제2 레지스트 패턴을 형성한다. 다음으로 제1 레지스트 패턴을 제1 마스크 패턴으로 하여 게이트 금속층 및 절연막을 순차적으로 에칭하여 제1 개구부에 대응하는 제1 및 제2 홀을 각각 갖는 게이트 전극 및 절연층을 형성한다. 제2 레지스트 패턴을 제2 마스크 패턴으로 하여 제1 및 제2 홀을 통해 노출된 음극 상에 촉매층을 형성한다. 제1 및 제2 레지스트 패턴과, 제2 레지스트 패턴상에 형성된 촉매층을 제거한 후에 제2 홀 내의 촉매층 상에 이미터를 형성한다. 이처럼, 제1 및 제2 레지스트 패턴을 이용하는 경우 하나의 마스크로 게이트 전극의 제1 홀과 촉매층의 패턴을 별개로 조절할 수 있으므로, 전계방출소자의 생산효율을 향상시키고 전계방출 특성을 개선할 수 있다.
      전계방출소자, 삼극관, 레지스트, 게이트 홀, 촉매층
    • 10. 发明公开
    • 테라헤르츠 발진기 및 전자방출원의 제조방법
    • TERAHERTZ RAIDATION源和制造电子发射器的方法
    • KR1020110092551A
    • 2011-08-18
    • KR1020100012029
    • 2010-02-09
    • 삼성전자주식회사
    • 백찬욱이주호
    • H01S1/00H03B17/00
    • H03B17/00H01S1/00H01S2302/02
    • PURPOSE: A terahertz oscillator and a manufacturing method of an electron emission source are provided to make a bent cathode in the electron emission source, thereby focusing emitted electron beam from the electron emission source in a sheet beam form. CONSTITUTION: An electron emission source(15) is formed on a first insulating layer(120). The electron emission source includes a cathode in order to emit an electron beam. An anode(16) is successively arranged on the first insulating layer along the emission direction of the electron beam. An oscillator circuit(17) converts the energy of the electron beam into the energy of an electromagnetic wave. A collector(18) collects the electron beam. An output unit(19) emits the electromagnetic wave created in the oscillator circuit to the outside. The cathode includes a first curvature part which is bent in the vertical direction of the first insulating layer. An electron emissive material layer is formed inside of the first curvature part.
    • 目的:提供太赫兹振荡器和电子发射源的制造方法以在电子发射源中形成弯曲的阴极,从而以电子束形式聚焦来自电子发射源的发射电子束。 构成:在第一绝缘层(120)上形成电子发射源(15)。 电子发射源包括阴极以发射电子束。 阳极(16)沿着电子束的发射方向依次布置在第一绝缘层上。 振荡器电路(17)将电子束的能量转换成电磁波的能量。 收集器(18)收集电子束。 输出单元(19)将在振荡器电路中产生的电磁波发射到外部。 阴极包括在第一绝缘层的垂直方向上弯曲的第一曲率部分。 电子发射材料层形成在第一曲率部分的内部。