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1. 发明授权

KR102176581B1 나노 구조체 및 이를 포함하는 광학 소자 有权
公开(公告)号：KR102176581B1
公开(公告)日：2020-11-09
申请号：KR20130134987
申请日：2013-11-07
申请人： 삼성전자주식회사 , 울산과학기술원
发明人： 김언정 , 노영근 , 김진은 , 박수진 , 박연상 , 백찬욱 , 유승민 , 이재숭 , 천상모
IPC分类号： B82B1/00 , H05B33/00
摘要： 나노구조체및 이를포함하는광학소자가개시된다. 개시된나노구조체는그래핀과같은탄소나노물질층상에금속으로형성된나노패턴을포함할수 있으며, 상기나노패턴표면에형성된금속층을포함할수 있다. 나노구조체는링형상으로형성될수 있으며, 상기금속층은서로다른금속들로형성된다수의금속층들로형성된것일수 있다.

2. 发明公开

KR1020150053157A 나노 구조체 및 이를 포함하는 광학 소자 审中-实审
标题翻译：包含纳米结构的纳米结构和光学器件
公开(公告)号：KR1020150053157A
公开(公告)日：2015-05-15
申请号：KR1020130134987
申请日：2013-11-07
申请人： 삼성전자주식회사 , 울산과학기술원
发明人： 김언정 , 노영근 , 김진은 , 박수진 , 박연상 , 백찬욱 , 유승민 , 이재숭 , 천상모
IPC分类号： B82B1/00 , H05B33/00
CPC分类号： H01L31/02327 , Y10T428/218 , Y10T428/24851
摘要： 나노구조체및 이를포함하는광학소자가개시된다. 개시된나노구조체는그래핀과같은탄소나노물질층상에금속으로형성된나노패턴을포함할수 있으며, 상기나노패턴표면에형성된금속층을포함할수 있다. 나노구조체는링형상으로형성될수 있으며, 상기금속층은서로다른금속들로형성된다수의금속층들로형성된것일수 있다.
摘要翻译：在本发明中，公开了纳米结构和包括其的光学器件，其中所公开的纳米结构包括在诸如金属的石墨烯的碳纳米材料层上形成的纳米图案; 和形成在纳米图案上的金属层; 并且可以形成为环状，其中可以通过形成由不同金属组成的多个金属层来形成金属层。

3. 发明授权

KR101934850B1 스미스-퍼셀 테라헤르츠 발진기 有权
公开(公告)号：KR101934850B1
公开(公告)日：2019-01-03
申请号：KR1020120012537
申请日：2012-02-07
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 안호영 , 백찬욱
IPC分类号： H01S1/02 , H01S3/063 , H01S1/00

4. 发明公开

KR1020170033734A 광전소자 및 이를 포함하는 전자장치 审中-实审
标题翻译：光电子器件和包含它们的电子器件
公开(公告)号：KR1020170033734A
公开(公告)日：2017-03-27
申请号：KR1020150131892
申请日：2015-09-17
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 조경상 , 백찬욱 , 정희정
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/04
CPC分类号： H01L31/02322 , B82Y20/00 , H01L27/14647 , H01L31/032 , H01L31/035218 , H01L31/1126 , Y10S977/774 , Y10S977/954
摘要： 광전소자및 이를포함하는전자장치에관해개시되어있다. 개시된광전소자는광활성층을포함할수 있고, 상기광활성층은광에의해전하를생성하는나노구조층및 상기나노구조층에인접된반도체층을포함할수 있다. 상기나노구조층은양자점을포함할수 있다. 상기반도체층은산화물반도체를포함할수 있다. 상기광전소자는상기광활성층의서로다른영역에접촉된제1 전극및 제2 전극을포함할수 있다. 상기광전소자와유사한구성을갖는복수의광전변환요소가수평방향으로배열되거나수직방향으로적층될수 있다. 상기복수의광전변환요소는칼라필터없이서로다른파장대역의광을흡수/검출하도록구성될수 있다.
摘要翻译：公开了一种光电装置和包括该光电装置的电子设备。所公开的光电器件可以包括光敏层，其可以包括通过光产生电荷的纳米结构层和与纳米结构层相邻的半导体层。纳米结构层可以包括量子点。半导体层可以包括氧化物半导体。光电器件可以包括与光敏层的不同区域接触的第一电极和第二电极。具有与光电元件类似的结构的多个光电转换元件可以在水平方向上排列或者在垂直方向上层叠。多个光电转换元件可以被配置为在没有滤色器的情况下吸收/检测不同波段的光。

5. 发明授权

KR101623541B1 후진파 발진기 및 이의 제조방법 有权
标题翻译：向后波振荡器及其制造方法
公开(公告)号：KR101623541B1
公开(公告)日：2016-05-24
申请号：KR1020090040889
申请日：2009-05-11
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 홍석우 , 이상훈 , 백찬욱 , 김영일
IPC分类号： H03B9/08 , H01J25/40
摘要： 후진파발진기및 이의제조방법이개시된다. 개시된후진파발진기는전자빔발생원과전자빔집전전극사이에마련된빔 통로구조체가서로대칭되는형상을갖는기판에금속막이도포되어형성된상부및 하부빔 통로구조체가접합되어형성되며, 전자빔발생원에서방출되는전자빔이경유하는빔 통로와, 빔통로를따라양측에다수개마련된공진부와, 전자빔과공진부의상호작용에의해방출되는전자기파가출력되는출력단자는다단차식각을이용하여형성될수 있다.

6. 发明授权

KR101615634B1 테라헤르츠 발진기 및 전자방출원의 제조방법 有权
标题翻译：太赫兹雷达源和制造电子发射体的方法
公开(公告)号：KR101615634B1
公开(公告)日：2016-04-26
申请号：KR1020100012029
申请日：2010-02-09
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 백찬욱 , 이주호
IPC分类号： H01S1/00 , H03B17/00
CPC分类号： H03B17/00
摘要： 테라헤르츠발진기및 전자방출원의제조방법이개시된다. 개시된테라헤르츠발진기는절연층의수직방향으로연장되면서휘어진형상을가지는만곡부를가지는캐소드를포함하는전자방출원을구비한다.

7. 发明授权

KR101301080B1 삼극 전계방출소자의 제조방법 有权
标题翻译：制造三极管结构场致发射器件的方法
公开(公告)号：KR101301080B1
公开(公告)日：2013-09-03
申请号：KR1020080024501
申请日：2008-03-17
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 백찬욱 , 최준희 , 홍석우 , 이주호
IPC分类号： H01J1/30 , C01B31/02
CPC分类号： H01J31/127 , H01J29/04 , H01J2329/0455
摘要： 본 발명에 따른 삼극 전계방출소자의 제조방법은 다음과 같다. 기판상에 음극, 절연막 및 게이트 금속층을 순차로 형성한다. 게이트 금속층 상에 순차로 적층되는, 제1 개구부를 갖는 제1 레지스트 패턴 및 제1 개구부의 크기보다 작은 제2 개구부를 갖는 제2 레지스트 패턴을 형성한다. 다음으로 제1 레지스트 패턴을 제1 마스크 패턴으로 하여 게이트 금속층 및 절연막을 순차적으로 에칭하여 제1 개구부에 대응하는 제1 및 제2 홀을 각각 갖는 게이트 전극 및 절연층을 형성한다. 제2 레지스트 패턴을 제2 마스크 패턴으로 하여 제1 및 제2 홀을 통해 노출된 음극 상에 촉매층을 형성한다. 제1 및 제2 레지스트 패턴과, 제2 레지스트 패턴상에 형성된 촉매층을 제거한 후에 제2 홀 내의 촉매층 상에 이미터를 형성한다. 이처럼, 제1 및 제2 레지스트 패턴을 이용하는 경우 하나의 마스크로 게이트 전극의 제1 홀과 촉매층의 패턴을 별개로 조절할 수 있으므로, 전계방출소자의 생산효율을 향상시키고 전계방출 특성을 개선할 수 있다.
전계방출소자, 삼극관, 레지스트, 게이트 홀, 촉매층

8. 发明授权

KR101217553B1 전계방출소자의 구동 방법 및 이를 이용한 에이징 방법 失效
标题翻译：场致发射装置的驱动方法及使用其的老化方法
公开(公告)号：KR101217553B1
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：KR1020060040082
申请日：2006-05-03
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 백찬욱 , 이정희 , 허정나 , 정득석 , 정태원 , 민경원
IPC分类号： G09G3/22 , G09G3/20 , H01J1/30
CPC分类号： G09G3/32 , G09G3/2014 , G09G2310/0256 , G09G2310/066 , G09G2320/043
摘要： 전계방출소자의구동방법이개시된다. 본발명에따른전계방출소자의구동방법은전자방출원이마련된캐소드전극및 상기캐소드전극과마주보게배치된애노드전극을포함하는전계방출소자의구동방법에있어서, 전자방출을위한구동전압으로교류전압을이용하는것을특징으로한다. 교류전압을이용함으로써아킹의발생을방지하고전자방출원을더욱활성화시킬수 있다. 아울러본 발명의일 측면에따른전계방출소자의에이징방법은전계방출소자의에이징시에상기전자방출원으로부터전자방출이일어나지않을정도의정전압과주기적으로전자방출을일으킬정도의교류전압을이용하는것을특징으로한다.

9. 发明公开

KR1020110092551A 테라헤르츠 발진기 및 전자방출원의 제조방법 有权
标题翻译： TERAHERTZ RAIDATION源和制造电子发射器的方法
公开(公告)号：KR1020110092551A
公开(公告)日：2011-08-18
申请号：KR1020100012029
申请日：2010-02-09
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 백찬욱 , 이주호
IPC分类号： H01S1/00 , H03B17/00
CPC分类号： H03B17/00 , H01S1/00 , H01S2302/02
摘要： PURPOSE: A terahertz oscillator and a manufacturing method of an electron emission source are provided to make a bent cathode in the electron emission source, thereby focusing emitted electron beam from the electron emission source in a sheet beam form. CONSTITUTION: An electron emission source(15) is formed on a first insulating layer(120). The electron emission source includes a cathode in order to emit an electron beam. An anode(16) is successively arranged on the first insulating layer along the emission direction of the electron beam. An oscillator circuit(17) converts the energy of the electron beam into the energy of an electromagnetic wave. A collector(18) collects the electron beam. An output unit(19) emits the electromagnetic wave created in the oscillator circuit to the outside. The cathode includes a first curvature part which is bent in the vertical direction of the first insulating layer. An electron emissive material layer is formed inside of the first curvature part.
摘要翻译：目的：提供太赫兹振荡器和电子发射源的制造方法以在电子发射源中形成弯曲的阴极，从而以电子束形式聚焦来自电子发射源的发射电子束。构成：在第一绝缘层（120）上形成电子发射源（15）。电子发射源包括阴极以发射电子束。阳极（16）沿着电子束的发射方向依次布置在第一绝缘层上。振荡器电路（17）将电子束的能量转换成电磁波的能量。收集器（18）收集电子束。输出单元（19）将在振荡器电路中产生的电磁波发射到外部。阴极包括在第一绝缘层的垂直方向上弯曲的第一曲率部分。电子发射材料层形成在第一曲率部分的内部。

10. 发明公开

KR1020090099323A 삼극 전계방출소자의 제조방법 有权
标题翻译：三态结构场发射装置的制作方法
公开(公告)号：KR1020090099323A
公开(公告)日：2009-09-22
申请号：KR1020080024501
申请日：2008-03-17
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 백찬욱 , 최준희 , 홍석우 , 이주호
IPC分类号： H01J1/30 , C01B31/02
CPC分类号： H01J31/127 , H01J29/04 , H01J2329/0455 , H01J1/30
摘要： A method of fabricating a triode-structure field-emission device is provided to increase productivity by controlling the size of gate hole variously with one mask. In a method of fabricating a triode-structure field-emission device, a cathode(20), and an insulating layer, and a gate metal layer are successively formed on the substrate(10). A first resistor pattern(51') having a first opening part(53) and a second resistor pattern(52') having the second opening part(54) smaller than that of a first opening part are formed on the gate metal layer. The gate metal layer and insulating layer are etched successively by using the first resist pattern as the first mask pattern. The gate metal layer is exposed by the first opening of the first resist pattern, and the gate electrode(40') having the first hole(H1) corresponds to the first opening is formed with an exposed part.
摘要翻译：提供一种制造三极管结构场致发射器件的方法，以通过用一个掩模不同地控制栅极孔的尺寸来提高生产率。在制造三极管结构场致发射器件的方法中，在衬底（10）上依次形成阴极（20）和绝缘层以及栅极金属层。在栅极金属层上形成具有第一开口部（53）和第二开口部（54）比第一开口部小的第一开口部（52'）的第一电阻体图案（51'）。通过使用第一抗蚀剂图案作为第一掩模图案，连续蚀刻栅极金属层和绝缘层。栅极金属层被第一抗蚀剂图案的第一开口暴露，并且具有与第一开口相对应的第一孔（H1）的栅电极（40'）形成有暴露部分。

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