专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明公开

KR1020170022354A 노광 장치 审中-实审
标题翻译：曝光装置
公开(公告)号：KR1020170022354A
公开(公告)日：2017-03-02
申请号：KR1020150117198
申请日：2015-08-20
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이래원 , 안병섭 , 이동근 , 이수영
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： H01J37/023 , H01J37/20 , H01J37/244 , H01J2237/20285 , H01J2237/20292 , H01J2237/24578
摘要： 노광장치가제공된다. 노광장치는, 기판이배치되는스테이지, 상기스테이지상에배치되고, 서로제1 피치만큼이격된제1 마크및 제2 마크를포함하는마크어레이, 상기제1 마크에제1 빔을조사하는제1 빔조사부, 상기제2 마크에상기제1 빔과상기제1 피치보다큰 제2 피치만큼이격된제2 빔을조사하는제2 빔조사부, 상기마크어레이상에배치되고, 상기제1 마크로부터반사된제3 빔과상기제2 마크로부터반사된제4 빔을수신하는디텍터, 및상기디텍터의출력을이용하여상기스테이지의위치를제어하는제어부를포함한다.
摘要翻译：一种曝光装置，包括：被配置为接收基板的台，设置在所述台上的标记阵列，并且包括彼此分开第一距离的第一标记和第二标记;第一光束照射器，被配置为将第一光束照射到第一标记，第二光束照射器，其与所述第一光束分开大于所述第一距离的间距，并被配置为将第二光束照射到所述第二标记;设置在所述标记阵列上方并被配置为接收由所述第一标记阵列反射的第三光束的检测器; 第一标记和由第二标记反射的第四光束，以及控制器，被配置为使用检测器的输出来控制舞台的位置。

2. 发明公开

KR1020150142900A 전자빔을 이용한 노광 방법과 그 노광 방법을 이용한 마스크 및 반도체 소자 제조방법 审中-实审
标题翻译：使用电子束的曝光方法以及使用曝光方法制造掩模和半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020150142900A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：KR1020140071485
申请日：2014-06-12
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 최진 , 신인균 , 안병섭 , 이상희
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20
CPC分类号： G03F1/78 , G03F1/36 , H01L21/0275
摘要： 본발명의기술적사상은마스크데이터준비(MDP)에소요되는시간을최소화하여전체노광공정을최적화하고, 또한멀티-빔마스크노광기를기반으로하여인버스솔루션(inverse solution) 개념을통해패턴의품질을향상시킬수 있는전자빔을이용한노광방법과그 노광방법을이용한마스크및 반도체소자제조방법을제공한다. 그노광방법은 OPC을통해얻은 MTO 디자인데이터를입력받는단계; 데이터포맷변환없이상기 MTO 디자인데이터에대한잡-덱을포함한마스크데이터를준비하는단계; 상기마스크데이터에대하여전자빔근접효과에의한에러의보정(PEC)과노광공정(exposure process)에의한에러의보정(MPC: Mask Process Correction)을포함한복합보정을수행하는단계; 상기복합보정이수행된데이터에기초하여픽셀데이터를생성하는단계; 및상기픽셀데이터에기반하여마스크용기판상에전자빔쓰기(writing)를수행하는단계;를포함한다.
摘要翻译：本发明提供一种使用电子束的曝光方法，其可以通过最小化掩模数据准备（MDP）所需的时间来优化总曝光过程，并且可以通过逆解决方案基于以下方式提高图案的质量：多光束掩模曝光装置，以及制造掩模的方法和使用其的半导体装置。曝光方法包括以下步骤：接收通过光学邻近校正（OPC）获得的掩模带出（MTO）设计数据; 准备掩模数据，包括没有数据格式转换的MTO设计数据的工作表; 通过曝光处理执行包括掩模处理校正的复杂校正，以及对掩模数据进行电子束邻近效应校正（PEC）; 基于用复数校正处理的数据生成像素数据; 以及基于像素数据在掩模用基板上进行电子束写入。

3. 发明公开

KR1020060039364A 데이터 변환 장비의 데이터 검증 방법 失效
标题翻译：数据转换装置的数据验证方法
公开(公告)号：KR1020060039364A
公开(公告)日：2006-05-08
申请号：KR1020040088510
申请日：2004-11-02
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 장성훈 , 안병섭 , 노영화
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/66
CPC分类号： H01J37/3026 , G03F1/68 , H01J2237/31762 , G03F7/2051 , G03F7/70383 , H01J37/3174
摘要： 본 발명은 데이터 변환 장비의 데이터 검증 방법을 공개한다. 이 방법은 설계 데이터를 입력받아 전자빔 데이터로 변환하여 출력하는 데이터 변환 장비의 데이터 검증 방법에 있어서, 상기 설계 데이터를 반복되는 복수개의 영역들로 분할하는 영역분할 단계, 및 상기 복수개의 영역들을 각각 상기 전자빔 데이터로 변환하면서 인접한 영역에 대한 상기 전자빔 데이터들이 동일한지 여부를 판단하는 판단단계를 구비하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 설계 데이터를 전자빔 데이터로 변환하는 과정을 한 번 거치면서 전자빔 데이터의 이상여부를 판단함으로써, 시간과 시스템 자원 면에서 매우 효율적이며, 특히, 반도체 메모리 장치의 셀 어레이 영역 등을 검증할 경우에 더욱 유용하다.
摘要翻译：验证用于产生光掩模的电子束数据的方法包括将用于光掩模的设计数据分成多个重复区域，将顺序区域顺序地转换成电子束数据，以及确定对应于当前重复区域的电子束数据是否基本上与对应于之前的重复区域的电子束数据相同。

4. 发明授权

KR101757743B1 플레어 보정방법 및 ＥＵＶ 마스크 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101757743B1
公开(公告)日：2017-07-17
申请号：KR1020110019097
申请日：2011-03-03
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이영미 , 김인성 , 박지숭 , 안병섭 , 신재필
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F1/36 , G03F1/22 , G03F1/68 , G03F1/70 , G03F1/84 , G03F7/70433 , G03F7/70441 , G03F7/70591 , G03F7/70941
摘要： 본발명의사상에의한플레어보정방법및 EUV 마스크제조방법은 EUV 리소그라피공정에서의플레어효과에의한 CD(Critical Dimension) 에러를방지할수 있는방법및 그러한플레어효과를보정할수 있는 EUV 마스크제조방법을제공한다. 그플레어보정방법은테스트패턴에대한플레어(flare)를측정하는단계; 상기플레어에대한 PSF(Point Spread Function)을계산하는단계; 및작용범위(influence range)에따른각각의상기 PSF를이용하여상기플레어를각각보정하는단계;를포함한다.

5. 发明公开

KR1020080030803A 반도체 집적 회로 장치의 제조 방법 无效
标题翻译：制造半导体集成电路器件的方法
公开(公告)号：KR1020080030803A
公开(公告)日：2008-04-07
申请号：KR1020060097149
申请日：2006-10-02
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 안병섭 , 최성운 , 김희범 , 정동훈
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F1/36 , G03F7/70441 , G03F7/705 , G03F7/70625 , G06F17/50
摘要： A method of fabricating a semiconductor integrated circuit device is provided to optimize the design of a semiconductor integrated circuit by conducting a mask test and a CD(Critical Dimension) measurement simultaneously, and to reduce the time required for testing a mask, by measuring CD as forming an aerial image. A method of fabricating a semiconductor integrated circuit device comprises the steps of: forming an aerial image by exposing light to a mask, and measuring the CD(Critical Dimension) of a pattern to be formed on a wafer through the mask from the aerial image(S10); forming a CD map by using the measured CD(S20); transferring information obtained from the CD map to a mask database process for correcting a mask manufacturing process(S32,S42); transferring the measured CD value to OPC(Optical Proximity Correction) and ORC(Optical Rule Check) for modeling the OPC and ORC(S34); comparing a simulation aerial image formed by OPC with an aerial image formed by test equipment for modeling the OPC and ORC(S44,S54).
摘要翻译：提供一种制造半导体集成电路器件的方法，通过同时执行掩模测试和CD（临界尺寸）测量来优化半导体集成电路的设计，并通过测量CD作为减少测试掩模所需的时间形成航空图像。制造半导体集成电路器件的方法包括以下步骤：通过将光曝光于掩模来形成空间图像，并且通过掩模从空间图像测量要在晶片上形成的图案的CD（临界尺寸） S10）; 通过使用所测量的CD形成CD映射（S20）; 将从CD映射获得的信息传送到用于校正掩模制造处理的掩码数据库处理（S32，S42）; 将测量的CD值传送到OPC（光学近程校正）和用于对OPC和ORC进行建模的ORC（光学规则检查）（S34）; 将由OPC形成的模拟航空图像与由OPC和ORC建模的测试设备形成的空中图像进行比较（S44，S54）。

6. 发明公开

KR1020170055066A 빔 투사 장치 및 빔 투사 장치를 이용하여 빔을 투사하는 방법 审中-实审
标题翻译：使用光束投射装置和光束投射装置投射光束的方法
公开(公告)号：KR1020170055066A
公开(公告)日：2017-05-19
申请号：KR1020150157556
申请日：2015-11-10
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이수영 , 타마무시,슈이치 , 김병국 , 안병섭
IPC分类号： G03F7/20 , G03F1/20 , G03F1/66 , H01L21/033 , H01L21/027
CPC分类号： H01J37/302 , H01J37/045 , H01J37/3177 , H01J2237/0432 , H01J2237/0437
摘要： 본발명은빔 투사장치에관한것이다. 본발명의빔 투사장치는, 빔소스, 복수의구멍들을통해복수의제2 빔들을투과시키는구멍배열, 복수의블랭킹구멍들을통과하는복수의제2 빔들의방향들을조절하는블랭킹구멍배열, 그리고블랭킹구멍배열에서방향이조절되지않은빔들을통과시키고블랭킹구명배열에서방향이조절된빔들을차단하는제한구멍플레이트를포함한다. 각블랭킹구멍은하나의접지전극, 하나의전위전극및 하나의전극제어회로와연관된다. 전극제어회로들은제1 시간구간동안에제1 주파수에따라전위전극들에접지전압및 비접지전압을인가하고, 그리고제2 시간구간동안에제2 주파수에따라전위전극들에접지전압및 비접지전압을인가한다.
摘要翻译：本发明涉及一种光束投射装置。根据本发明，光束源，用于通过布置多个孔发送多个第二束的孔光束投射装置，所述消隐孔径阵列，用于控制多个经过多个消隐孔的第二光束的方向，并且在消隐并且包括限制孔板，用于使孔阵列中的非定向光束通过并且在消隐寿命布置中阻挡方向控制光束。每个消隐孔与一个接地电极，一个电位电极和一个电极控制电路相关联。电极控制电路是接地电压，并根据第一时间间隔期间在第二频率，同时根据第一频率施加接地电压和非接地电压至所述电压电极上的非接地电压的电压电极，和所述第二时间间隔它被应用。

7. 发明授权

KR101361130B1 반사형 포토마스크 및 상기 반사형 포토마스크의 층 두께최적화 방법 有权
标题翻译：反射光掩模和用于优化相同层中厚度的方法
公开(公告)号：KR101361130B1
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：KR1020070137883
申请日：2007-12-26
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 안병섭 , 황보창권 , 허성민 , 강희영
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/32
CPC分类号： G01B11/0625 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/24 , G03F1/32
摘要： 반사형 포토마스크 및 상기 반사형 포토마스크의 층 두께 최적화 방법을 제공한다. 상기 포토마스크는 반사 영역과 흡수 영역을 갖는 기판을 구비한다. 상기 반사 영역 및 상기 흡수 영역 상에 반사층이 제공된다. 상기 흡수 영역의 반사층 상에 흡수 패턴이 제공된다. 상기 반사 영역 상에서 반사층의 하부, 상부 또는 내부에 위치하는 스페이서(spacer)가 제공된다.

8. 发明公开

KR1020120100297A 플레어 보정방법 및 ＥＵＶ 마스크 제조방법 有权
标题翻译：用于制造EUV（极限超紫外线）掩模的瓦斯校正方法和方法
公开(公告)号：KR1020120100297A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：KR1020110019097
申请日：2011-03-03
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이영미 , 김인성 , 박지숭 , 안병섭 , 신재필
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F1/36 , G03F1/22 , G03F1/68 , G03F1/70 , G03F1/84 , G03F7/70433 , G03F7/70441 , G03F7/70591 , G03F7/70941 , H01L21/0274 , H01L21/0337
摘要： PURPOSE: A flare correction method and a method for manufacturing a EUV(Extreme Ultra Violet) mask are provided to enhance perfection for the whole flare correction by respectively correcting a flare in an OPC(Optical Proximity Correction) step and after an MTO(Mask Tape-Out) step. CONSTITUTION: A flare for a test pattern is measured(S110). PSF(Point Spread Function) for the flare is calculated(S130). The PSF is classified according to a predetermined standard for an influence range of the flare(S150). The influence range is divided into a first range and a second range based on a set distance. The first range is less than the set distance and the second range is greater than or equal to the set distance. The flare is revised by using the PSF corresponding to the influence range of the flare(S170). [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S110) A flare for a test pattern is measured; (S130) A PSF for the flare is calculated; (S150) The PSF is classified according to a predetermined standard for an influence range of the flare; (S170) The flare is revised by using the PSF corresponding to the influence range of the flare
摘要翻译：目的：通过分别校正OPC（光学近程校正）步骤中的光斑并在MTO（掩模胶带）之后，提供了一种光斑校正方法和制造EUV（极紫外）掩模的方法，以增强整个光斑校正的完美性 -Out）步。规定：测量测试图形的闪光（S110）。计算火炬的PSF（点扩展函数）（S130）。 PSF根据闪光灯的影响范围的预定标准进行分类（S150）。影响范围根据设定的距离分为第一范围和第二范围。第一范围小于设定距离，第二范围大于或等于设定距离。通过使用对应于火炬的影响范围的PSF来修改耀斑（S170）。（附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S110）测量测试图案的光斑; （S130）计算火炬的PSF; （S150）根据火炬的影响范围的预定标准对PSF进行分类; （S170）通过使用对应于火炬的影响范围的PSF修改耀斑

9. 发明公开

KR1020090070025A 반사형 포토마스크 및 상기 반사형 포토마스크의 층 두께최적화 방법 有权
标题翻译：反射光子和优化其中的层厚度的方法
公开(公告)号：KR1020090070025A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：KR1020070137883
申请日：2007-12-26
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 안병섭 , 황보창권 , 허성민 , 강희영
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/32
CPC分类号： G01B11/0625 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/24 , G03F1/32
摘要： A reflective photomask and a method for optimizing the thicknesses of layers in the same are provided to reduce the height of an absorption stack and reflective stack by supplying a spacer on a reflective area. A substrate(10) comprises a reflective region(RR) and a absorption region(AR), and the reflective layer(20) is formed on the reflective region and the absorption region. An absorbing pattern(50) is formed on the reflective layer of the absorption region, and a spacer(30) is positioned under, upper, and inside reflective layer. The absorption pattern comprises an attenuated phase shift layer.
摘要翻译：提供反射光掩模和用于优化其中的层的厚度的方法，以通过在反射区域上供应间隔物来减小吸收堆叠和反射堆叠的高度。基板（10）包括反射区域（RR）和吸收区域（AR），反射层（20）形成在反射区域和吸收区域上。吸收图案（50）形成在吸收区域的反射层上，并且间隔物（30）位于反射层的下面，上部和内部。吸收图案包括衰减相移层。

10. 发明公开

KR1020050076435A ＥＵＶ용 포토마스크 및 이의 제조 방법 无效
标题翻译：用于EUV的光刻胶及其制造方法
公开(公告)号：KR1020050076435A
公开(公告)日：2005-07-26
申请号：KR1020040004416
申请日：2004-01-20
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 안병섭 , 기원태
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F1/24 , H01L21/0274
摘要： EUV용 포토마스크 및 이의 제조 방법을 개시한다. 본 발명에 의한 포토마스크는 기판과, 상기 기판 상에 형성된 다층 구조의 하부 반사막과, 상기 하부 반사막 상에 형성된 흡수막 패턴과, 상기 흡수막 패턴 상에 형성된 상부 반사막 패턴을 포함하고, 상기 다층 구조의 하부 반사막 패턴은 굴절율이 서로 다른 제1 물질막 패턴과 제2 물질막 패턴의 적층막을 반복하여 복수 개 포함한다.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式