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1. 发明授权

KR101850620B1 온도 측정 마스크 및 온도 측정 방법 有权
公开(公告)号：KR101850620B1
公开(公告)日：2018-04-19
申请号：KR1020160137437
申请日：2016-10-21
申请人： 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지
发明人： 후지와라고타
IPC分类号： G03F7/20 , G03F9/00
CPC分类号： G01K1/14 , G03F1/44 , G03F1/78 , H01J37/3174 , H01J2237/026 , H01J2237/30433 , H01J2237/31793 , H02J7/35 , Y02E10/566
摘要： 실시형태의온도측정마스크는, 기판(10)과, 기판(10)에설치되고, 하전입자빔 묘화장치(4)의내부온도를검지가능한온도센서(11)와, 기판(10)에설치되고, 온도센서(11)를사용하여온도를측정하는측정회로(121A)와, 측정된온도의측정데이터를기억하는기억장치(121B)를갖는회로기판(12)과, 기판(10)에설치되고, 회로(121A)에전력을공급하는이차전지(13)와, 기판(10)에설치되고, 에너지빔이조사됨으로써전력을발생시켜이차전지를충전하는광전지(14)를구비한다.

2. 发明公开

KR20180029096A 반사형 마스크 블랭크 및 그 제조 방법, 그리고 반사형 마스크 审中-公开
标题翻译：反光罩坯料制造方法及反光罩
公开(公告)号：KR20180029096A
公开(公告)日：2018-03-19
申请号：KR20187006494
申请日：2011-07-29
IPC分类号： H01L21/027 , G03F1/24 , G03F1/78
CPC分类号： G03F1/24 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/78 , Y10S430/143
摘要： 본발명은반사형마스크를제작할때에일반적으로사용되는고콘트라스트의레지스트를이용하면, 후방산란에의해서축적에너지가저하하고, CD 선형성이저하하는과제를해결하고자한다. 본발명은기판과, 그기판상에형성된노광광을반사하는다층반사막과, 그다층반사막상에형성된노광광을흡수하는흡수체막을갖는반사형마스크를제작하기위한반사형마스크블랭크로서, 상기흡수체막상에전자선묘화용레지스트막이설치되고, 상기전자선묘화용레지스트막의콘트라스트값γ가 30 이하인것을특징으로하는반사형마스크블랭크이다.
摘要翻译：为了解决由后向散射引起的累积能量降低的问题，导致当在制造反射掩模时使用通常使用的高对比度抗蚀剂时导致的CD线性降低。一种用于制造反射掩模的反射型掩模坯料，包括：衬底;形成在衬底上并适于反射曝光光的多层反射膜;以及形成在多层反射膜上并适于吸收曝光光的吸收膜。在吸收膜上形成电子束写入用抗蚀剂膜，电子束写入用抗蚀剂膜的对比度值γ为30以下。

3. 发明公开

KR20180002585A 패턴보정량산출장치, 패턴보정량산출방법 및 기록매체 审中-公开
标题翻译：图案校正量计算装置图案校正量计算方法和记录介质
公开(公告)号：KR20180002585A
公开(公告)日：2018-01-08
申请号：KR20177006130
申请日：2015-07-03
IPC分类号： G03F1/70 , G03F1/36 , G03F1/78 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/78 , G03F1/36 , G03F1/70 , G03F7/20 , G03F7/70433 , G03F7/705 , H01L21/027
摘要： 연속하는 2 이상의각 미소변에대하여적절한보정량을산출할수 없었다. 청구항패턴정보를접수하는접수부와, 패턴정보가나타나는패턴도형의윤곽선을구성하는연속하는 2 이상의변의집합이며, 미리정해진조건을만족하는정도로작은미소변의집합인미소변집합을취득하는미소변집합취득부와, 미소변집합이갖는 2 이상의미소변을근사하는변인가상변을취득하는가상변취득부와, 가상변에대한보정량인가상변보정량을산출하는가상변보정량산출부와, 가상변보정량을이용하여가상변에대응하는미소변집합이갖는 2 이상의각 미소변에대하여보정량인 2 이상의미소변보정량을산출하는미소변보정량산출부와, 2 이상의미소변보정량을출력하는출력부를구비하는패턴보정량산출장치에의해연속하는 2 이상의각 미소변에대하여적절한보정량을산출할수 있다.
摘要翻译：为了解决传统问题，即不可能为两个或更多连续微侧中的每一个计算适当的校正量，图案校正量计算设备包括：接受单元，其接受图案信息; 微侧组获取单元，其获取作为由图案信息所表示的图案图形的轮廓的两个或更多个连续边的一组的微侧组，并且是微小侧组，所述微侧各自足够小以满足预定条件; 虚拟侧获取单元，获取包含在所述微型侧组中的近似两个或更多个微侧的一侧的虚拟侧; 虚拟侧校正量计算单元，其计算作为用于虚拟侧的校正量的虚拟侧校正量; 微小侧校正量计算单元，其使用所述虚拟侧校正量来计算作为对应于所述虚拟侧的微侧组中包含的所述两个或更多个微侧的校正量的两个或更多个微侧校正量; 以及输出单元，其输出所述两个或更多个微侧校正量。因此，可以为两个或更多个连续微侧中的每一个计算适当的校正量。

4. 发明公开

KR1020170132283A 프리린스액, 프리린스 처리 방법, 및 패턴 형성 방법 审中-实审
标题翻译：预漂洗液，处理预漂洗的方法以及形成图案的方法
公开(公告)号：KR1020170132283A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：KR1020177031328
申请日：2016-04-14
申请人： 후지필름 가부시키가이샤
发明人： 타카하시토시야 , 토요시마야스시 , 아베준야 , 모치즈키히데히로
IPC分类号： G03F7/16 , G03F7/004 , G03F7/038 , G03F1/82 , G03F7/039 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： C11D7/5022 , C11D7/265 , C11D7/34 , G03F1/50 , G03F1/78 , G03F1/82 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/16 , G03F7/168 , G03F7/2037 , G03F7/322 , H01L21/027
摘要： 감활성광선성또는감방사선성조성물에의하여이루어지는레지스트막을기판상에형성하고, 상기레지스트막에활성광선또는방사선을조사함으로써기판상에패턴을형성하는방법에이용되며, 상기감활성광선성또는감방사선성조성물을상기기판위에도포하기전에, 상기기판에대하여프리린스처리를행하기위한프리린스액으로서, 하기 (1) 및 (2)의조건을충족시키는, 프리린스액에의하여, 특히, 초미세(예를들면, 선폭 50nm 이하)의패턴의형성에있어서, 감도, 패턴의단면형상, 해상성, 및잔사결함성능이우수한패턴을형성가능한, 프리린스액과, 이것을이용한프리린스처리방법및 패턴형성방법을제공한다. (1) 상기프리린스액은, 상기프리린스액의총 질량에대하여, 유기용제를 80질량% 이상포함한다. (2) 상기유기용제가, 알코올류, 환상에터류, 글라이콜에터류, 글라이콜에터아세테이트류, 탄화수소류, 케톤류, 락톤류, 및에스터류로이루어지는군으로부터선택되는 1종이상의유기용제이다.
摘要翻译：在衬底上形成敏感的活性或辐射敏感组合物，并且用光化射线或辐射照射抗蚀剂膜以在衬底上形成图案，（1）和（2）作为用于在将所述辐射敏感性组合物施用到所述基材上之前对所述基材进行预漂洗处理的预漂洗液，能够形成具有优异灵敏度，图案的横截面形状，分辨率和形成微细（例如，线宽为50nm或更小）图案的残留缺陷的图案的颗粒状处理液，由此提供图案形成方法。（1）上述预冲洗液相对于上述预冲洗液的总质量含有80质量％以上的有机溶剂。（2）有机溶剂是一种或多种选自醇，环醚，乙二醇醚，乙二醇醚，烃，酮，内酯，的溶剂。

5. 发明公开

KR1020170049403A 온도 측정 마스크 및 온도 측정 방법 无效
标题翻译：温度测量模板和温度测量方法
公开(公告)号：KR1020170049403A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：KR1020160137437
申请日：2016-10-21
申请人： 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지
发明人： 후지와라고타
IPC分类号： G03F7/20 , G03F9/00
CPC分类号： G01K1/14 , G03F1/44 , G03F1/78 , H01J37/3174 , H01J2237/026 , H01J2237/30433 , H01J2237/31793 , H02J7/35 , Y02E10/566 , G03F7/70875 , G03F7/70483 , G03F7/7085 , G03F9/7046
摘要： 실시형태의온도측정마스크는, 기판(10)과, 기판(10)에설치되고, 하전입자빔 묘화장치(4)의내부온도를검지가능한온도센서(11)와, 기판(10)에설치되고, 온도센서(11)를사용하여온도를측정하는측정회로(121A)와, 측정된온도의측정데이터를기억하는기억장치(121B)를갖는회로기판(12)과, 기판(10)에설치되고, 회로(121A)에전력을공급하는이차전지(13)와, 기판(10)에설치되고, 에너지빔이조사됨으로써전력을발생시켜이차전지를충전하는광전지(14)를구비한다.
摘要翻译：温度测量掩模类型被设置在基板10，基板10上，并且带电粒子检测束绘图装置4可能的温度传感器11的内部温度设置在基板10上，，它被提供给测量电路（121A），以及具有一个存储器（121B），用于存储在基板12，基板10的测量温度的测量数据用于使用温度传感器11测量温度的电路被提供到一个电路（121A），二次电池13，电路板10，用于供电，能量束设置有光电管14，其通过被照射sikyeoyi产生电力的电池进行充电。

6. 发明公开

KR1020170048158A 입자 또는 광자 빔의 직접 기록의 샷 카운트 감소 방법 审中-实审
标题翻译：减少直接记录粒子或光子束的击发次数的方法
公开(公告)号：KR1020170048158A
公开(公告)日：2017-05-08
申请号：KR1020160128867
申请日：2016-10-06
申请人： 아셀타 나노그라픽
发明人： 마틴,루크 , 쿠아글리오,토마스 , 밀레쿠안트,마티유 , 브라우닝,클라이드 , 마나클리,세르다르
IPC分类号： G03F1/20 , G03F1/78 , G03F7/20
CPC分类号： G03F1/78 , G03F7/70383 , G03F7/70433 , G03F7/70441 , G03F7/70491 , G03F7/705 , H01J37/3026 , H01J37/3174 , H01J37/3178 , H01J2237/3175
摘要： 요소형상으로분해되는프랙처패턴(210, 310)을입자또는포톤빔을이용한직접기록에의해기판에전사하는방법은, 제거가능요소형상으로불리는프랙처패턴의적어도하나의요소형상(2000)을식별하는단계 - 상기제거는기설정된허용공차엔빌롭내에서전사패턴의변형을유도함 - 와, 변형된프랙처패턴(220, 230)을수득하도록, 프랙처패턴으로부터상기제거가능형상을제거하는단계와, 성형된입자또는포톤빔의복수의샷에기판을노출시키는노출단계 - 각각의샷은상기변형된프랙처빔의요소형상에대응함 - 를포함한다. 이방법을수행하기위한컴퓨터프로그램프로덕트역시개시된다.
摘要翻译：通过使用粒子或光子束的直接记录将分解为元件形状的断裂图案210和310转移到衬底的方法包括称为可去除元件形状的至少一个断裂图案的元件形状2000 识别 - 去除所述可去除的形状，从裂缝图案，以获得经修改的断裂图案220（230） - 转印图案的去除组纸币ropnae公差的变化集日元诱导和将所述衬底暴露于多个模制的粒子或光子束包括的镜头的曝光步骤中，对应于变形元件cheobim馏分的形状每个镜头。还公开了用于执行该方法的计算机程序产品。

7. 发明公开

KR1020160120231A 네거티브형 레지스트 조성물 및 패턴 형성 방법 审中-实审
标题翻译：负极组合物和图案形成过程
公开(公告)号：KR1020160120231A
公开(公告)日：2016-10-17
申请号：KR1020160041515
申请日：2016-04-05
申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
发明人： 도몬다이슈케 , 마스나가케이이치 , 와타나베사토시
IPC分类号： G03F7/038 , G03F7/004 , G03F1/22 , G03F1/00 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/038 , C07C381/12 , C08F220/18 , C08F220/24 , C08F220/30 , G03F1/76 , G03F1/78 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0382 , G03F7/039 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/20 , G03F7/2004 , G03F7/2059 , G03F7/327 , G03F1/08 , G03F1/22 , G03F7/004 , G03F7/70033
摘要： (해결수단) (A) 화학식(1)로표시되는반복단위를포함하고, 추가로화학식(a1), (a2), (a3)으로표시되는반복단위중 적어도 1종을함유하는고분자화합물, (B) 화학식(3a)로표시되는염을함유하는네거티브형레지스트조성물:(효과) 본발명의네거티브형레지스트조성물은, 미세가공기술, 특히전자선리소그래피기술에있어서, 매우높은해상성을갖고, LER이작은패턴을부여한다.
摘要翻译：提供一种负性抗蚀剂组合物，其包含（A）包含具有可酸消除性基团的重复单元的聚合物和在暴露时能够产生酸的重复单元和（B）羧酸鎓盐。当通过微处理技术，特别是EB光刻处理负光刻胶组合物时，它形成具有非常高分辨率和最小LER的图案。

8. 发明公开

KR1020160012064A 전자빔 묘화 장치, 전자빔 묘화 방법 및 기록 매체 审中-实审
标题翻译：电子束绘图装置，电子束绘图方法和记录介质
公开(公告)号：KR1020160012064A
公开(公告)日：2016-02-02
申请号：KR1020147012307
申请日：2013-12-06
申请人： 니폰 컨트롤 시스템 가부시키가이샤
发明人： 타오타쿠야 , 하마지마사카즈
IPC分类号： G03F1/78 , H01L21/027 , G03F7/20 , H01J37/317 , G06F17/50 , G03F1/36
CPC分类号： G06F17/5081 , G03F1/78 , G03F7/20 , H01J37/3026 , H01J37/3174 , H01J2237/31764
摘要： 종래의전자빔묘화장치는프랙처링시의전체직사각형수가많고, 묘화시간이길었다. 1 이상의도형을나타내는정보인입력도형정보를수신하는수신부, 입력도형정보가나타내는 1 이상의각 도형폭을획득하는도형폭 획득부, 도형폭에적합한 1 이상의직사각형으로구성된도형이며, 입력도형정보를나타내는 1 이상의각 도형에근사하는도형인 1 이상의근사도형을나타내는근사도형정보를생성하는생성부, 및생성부가생성한근사도형정보를나타내는 1 이상의근사도형을묘화하는묘화부를구비하는전자빔묘화장치에의해, 프랙처링시의전체직사각형수를줄여묘화시간을줄일수 있다.

9. 发明公开

KR1020150142900A 전자빔을 이용한 노광 방법과 그 노광 방법을 이용한 마스크 및 반도체 소자 제조방법 审中-实审
标题翻译：使用电子束的曝光方法以及使用曝光方法制造掩模和半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020150142900A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：KR1020140071485
申请日：2014-06-12
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 최진 , 신인균 , 안병섭 , 이상희
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20
CPC分类号： G03F1/78 , G03F1/36 , H01L21/0275
摘要： 본발명의기술적사상은마스크데이터준비(MDP)에소요되는시간을최소화하여전체노광공정을최적화하고, 또한멀티-빔마스크노광기를기반으로하여인버스솔루션(inverse solution) 개념을통해패턴의품질을향상시킬수 있는전자빔을이용한노광방법과그 노광방법을이용한마스크및 반도체소자제조방법을제공한다. 그노광방법은 OPC을통해얻은 MTO 디자인데이터를입력받는단계; 데이터포맷변환없이상기 MTO 디자인데이터에대한잡-덱을포함한마스크데이터를준비하는단계; 상기마스크데이터에대하여전자빔근접효과에의한에러의보정(PEC)과노광공정(exposure process)에의한에러의보정(MPC: Mask Process Correction)을포함한복합보정을수행하는단계; 상기복합보정이수행된데이터에기초하여픽셀데이터를생성하는단계; 및상기픽셀데이터에기반하여마스크용기판상에전자빔쓰기(writing)를수행하는단계;를포함한다.
摘要翻译：本发明提供一种使用电子束的曝光方法，其可以通过最小化掩模数据准备（MDP）所需的时间来优化总曝光过程，并且可以通过逆解决方案基于以下方式提高图案的质量：多光束掩模曝光装置，以及制造掩模的方法和使用其的半导体装置。曝光方法包括以下步骤：接收通过光学邻近校正（OPC）获得的掩模带出（MTO）设计数据; 准备掩模数据，包括没有数据格式转换的MTO设计数据的工作表; 通过曝光处理执行包括掩模处理校正的复杂校正，以及对掩模数据进行电子束邻近效应校正（PEC）; 基于用复数校正处理的数据生成像素数据; 以及基于像素数据在掩模用基板上进行电子束写入。

10. 发明公开

KR1020150058254A EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크 및 그 제조 방법, 그리고 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：用于EUV-LITHOGRAPHY及其制造方法的反射掩模层，以及用于EUV-LITHOGRAPHY及其制造方法的反射掩模
公开(公告)号：KR1020150058254A
公开(公告)日：2015-05-28
申请号：KR1020157007532
申请日：2013-09-25
申请人： 아사히 가라스 가부시키가이샤
发明人： 이쿠타요시아키
IPC分类号： H01L21/033 , G03F1/24 , G03F1/38
CPC分类号： G03F1/24 , G03F1/22 , G03F1/38 , G03F1/72 , G03F1/78
摘要： 오목상또는볼록상의기준마크를 3 개소이상형성하여이루어지고, 상기기준마크를형성하는각 선은 1 개의교점에있어서교차하는복수개의가상선의어느것을따라배치되고, 각가상선을따라적어도 1 개의선이배치된 EUV 마스크블랭크를준비하는, 기준마크가형성된 EUV 마스크블랭크준비공정과, 레지스트막형성공정과, 레지스트막상으로부터전자선또는자외선을주사해상기교점에상당하는기준위치를검출하는, 기준위치검출공정과, 기준마크의선의폭의최대값을 W 로하면, 레지스트막중 평면에서볼 때기준위치를중심점으로한 반경 1.5 W 의원 영역을포함하는영역을전자선또는자외선으로노광하는, 기준마크중심영역노광공정을갖는, 레지스트막이형성된 EUV 마스크블랭크의제조방법.

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