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1. 发明公开

KR1020130055691A 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 有权
标题翻译：制造半导体器件的方法，用于处理衬底的方法和用于处理衬底的装置
公开(公告)号：KR1020130055691A
公开(公告)日：2013-05-28
申请号：KR1020137009872
申请日：2011-11-01
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 사사지마료타 , 나카무라요시노부 , 타카사와유신 , 히로세요시로
IPC分类号： H01L21/318 , H01L21/31 , C23C16/56
CPC分类号： H01L21/02565 , C23C16/308 , C23C16/45546 , H01L21/0214 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228
摘要： A method of manufacturing a semiconductor device is provided, including: forming an oxynitride film having a specific film thickness on a substrate by performing multiple numbers of times a cycle of: forming a specific element-containing layer on the substrate by supplying a source gas containing a specific element into a processing vessel in which the substrate is housed; changing the specific element-containing layer to a nitride layer by supplying a nitrogen-containing gas into the processing vessel; and changing the nitride layer to an oxynitride layer by supplying an oxygen-containing gas and an inert gas into the processing vessel, with this sequence as one cycle, wherein a composition ratio of the oxynitride film having the specific film thickness is controlled by controlling a partial pressure of the oxygen-containing gas in the processing vessel, in changing the nitride layer to the oxynitride layer.

2. 发明公开

KR1020130030213A 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체 有权
标题翻译：制造半导体器件的方法，加工衬底的方法，衬底处理装置和非电子计算机可读记录介质
公开(公告)号：KR1020130030213A
公开(公告)日：2013-03-26
申请号：KR1020120101365
申请日：2012-09-13
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 오타요스케 , 아카에나오노리 , 히로세요시로 , 사사지마료타
IPC分类号： H01L21/318 , H01L21/316
CPC分类号： C23C16/45542 , C23C16/45529 , C23C16/45546 , H01L21/0214 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/022 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device, a method for processing a substrate, an apparatus for processing the substrate, and a recording medium are provided to improve productivity by enhancing the uniformity of a film thickness of an insulation layer with a laminate structure of an oxide layer and a nitride layer. CONSTITUTION: A first oxide layer is formed on a substrate by performing the preset number of first cycle processes(1a-6a). A nitride layer is formed on the first oxide layer by performing the preset number of second cycle processes(1b-4b). A second oxide layer is formed on a nitride layer by performing the preset number of third cycle processes(1c-6c). When the first oxide layer, the nitride layer, and the second oxide layer are formed, the same temperature is maintained on the substrate. [Reference numerals] (A1) Charging a wafer; (A11,A16,A23) Is this cycle performed number of times?; (A2) Loading a boat; (A24) Purging; (A25) Returning to atmosphere pressure; (A26) Unloading the boat; (A27) Discharging the wafer; (A3) Regulating pressure; (A4) Adjusting temperature; (A5,A12,A17) Supplying HCDS gas; (A6,A8,A10,A13,A15,A18,A20,A22) Removing residual gas; (A7,A14,A19) Supplying NH_3 gas; (A9,A21) Supplying O_2^* gas; (B1,B2,B3) 1 cycle; (C1) Step 1a; (C10) Step 4b; (C11) Step 1c; (C12) Step 2c; (C13) Step 3c; (C14) Step 4c; (C15) Step 5c; (C16) Step 6c; (C2) Step 2a; (C3) Step 3a; (C4) Step 4a; (C5) Step 5a; (C6) Step 6a; (C7) Step 1b; (C8) Step 2b; (C9) Step 3b
摘要翻译：目的：提供半导体器件的制造方法，基板的处理方法，基板的处理装置以及记录介质，通过提高绝缘层的膜厚均匀性来提高生产率，层叠结构为氧化物层和氮化物层。构成：通过执行预先设定数量的第一循环处理（1a-6a），在基板上形成第一氧化物层。通过执行预定数量的第二循环过程（1b-4b）在第一氧化物层上形成氮化物层。通过执行预设数量的第三循环处理（1c-6c）在氮化物层上形成第二氧化物层。当形成第一氧化物层，氮化物层和第二氧化物层时，在基板上保持相同的温度。（附图标记）（A1）对晶片充电; （A11，A16，A23）这个循环是否执行次数？（A2）装船; （A24）净化; （A25）回到大气压力; （A26）卸船; （A27）放电晶片; （A3）调压; （A4）调节温度; （A5，A12，A17）供应HCDS气体; （A6，A8，A10，A13，A15，A18，A20，A22）去除残留气体; （A7，A14，A19）供应NH_3气; （A9，A21）供应O_2 ^ *气; （B1，B2，B3）1个循环; （C1）步骤1a; （C10）步骤4b; （C11）步骤1c; （C12）步骤2c; （C13）步骤3c; （C14）步骤4c; （C15）步骤5c; （C16）步骤6c; （C2）步骤2a; （C3）步骤3a; （C4）步骤4a; （C5）步骤5a; （C6）步骤6a; （C7）步骤1b; （C8）步骤2b; （C9）步骤3b

3. 发明授权

KR101097726B1 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 장치 有权
公开(公告)号：KR101097726B1
公开(公告)日：2011-12-22
申请号：KR1020100114820
申请日：2010-11-18
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 사사지마료타 , 히로세요시로 , 오타요스케 , 아카에나오노리 , 요코자와코지로
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/0223 , C23C16/402 , C23C16/45546 , C23C16/54 , C23C16/56 , H01L21/02164 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/02238 , H01L21/02244 , H01L21/0228 , H01L21/02337 , H01L21/3141 , H01L21/31608 , H01L21/31645 , H01L21/32051 , H01L21/321
摘要： 본발명의목적은, 고온에서의산화막형성에있어서의리스크를회피하면서산화막의막질을향상시키고, 전기특성을개선하는것에있다. 또한, 본발명의다른목적은, 산화막형성의즈음에, 하지가되는재료의소비를최소한으로억제하고, 미세한구조에적정한산화막형성을실현하는것에있다. 본발명에따르면, (a) (a-1) 기판을수용한처리용기내에소정원소를포함하는원료가스를공급하고배기함으로써, 상기기판상에소정원소함유층을형성하는공정및 (a-2) 가열된대기압미만의압력분위기하에있는상기처리용기내에산소함유가스와수소함유가스를공급하고배기함으로써, 상기처리용기내에서산소함유가스와수소함유가스를반응시켜서산화종을생성하고, 이산화종을이용하여, 상기소정원소함유층을산화층으로변화시키는공정을교호적으로반복하여상기기판상에소정막 두께의산화막을형성하는공정; 및 (b) 가열된대기압미만의압력분위기하에있는상기처리용기내에산소함유가스와수소함유가스를공급하고배기함으로써, 상기처리용기내에서산소함유가스와수소함유가스를반응시켜서산화종을생성하고, 이산화종을이용하여, 상기기판상에형성된상기산화막을개질하는공정;을포함한다.

4. 发明授权

KR101400690B1 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 有权
标题翻译：用于制造半导体器件的方法，衬底处理方法和衬底处理设备
公开(公告)号：KR101400690B1
公开(公告)日：2014-05-29
申请号：KR1020130112551
申请日：2013-09-23
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 히로세요시로 , 타카사와유신 , 카마쿠라츠카사 , 나카무라요시노부 , 사사지마료타
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/67069 , C23C16/30 , C23C16/45531 , C23C16/45546 , H01L21/02104 , H01L21/02126 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/0223 , H01L21/02247 , H01L21/0228 , H01L21/67011 , H01L21/67017
摘要： 저유전율, 저에칭 레이트, 고절연성의 특성을 구비하는 절연막을 형성한다. 처리실 내의 기판에 대하여 소정 원소 함유 가스를 공급하는 공정; 상기 처리실 내의 상기 기판에 대하여 탄소 함유 가스를 공급하는 공정; 상기 처리실 내의 상기 기판에 대하여 질소 함유 가스를 공급하는 공정; 및 상기 처리실 내의 상기 기판에 대하여 산소 함유 가스를 공급하는 공정;을 타이밍을 다르게 하여 비(非)동시에 수행하는 사이클을 소정 횟수 수행하는 것에 의해, 상기 기판 상에 산탄질화막을 형성하는 공정을 포함하고,상기 소정 원소 함유 가스를 공급하는 공정, 상기 탄소 함유 가스를 공급하는 공정, 상기 질소 함유 가스를 공급하는 공정 및 상기 산소 함유 가스를 공급하는 공정 중 하나의 공정을 수행한 후, 다음 공정을 수행하기 전에 상기 처리실 내의 잔류 가스를 제거하는 공정을 수행하는 것에 의해, 상기 처리실 내에 있어서 상기 소정 원소 함유 가스, 상기 탄소 함유 가스, 상기 질소 함유 가스 및 상기 산소 함유 가스를 각각 비혼합으로 하는 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.
摘要翻译：形成具有低介电常数，低蚀刻速率和高绝缘特性的绝缘膜。向处理室内的基板供给规定的含元素气体的工序; 向处理室中的衬底供应含碳气体; 向处理室中的衬底供应含氮气体; 并且相对于在处理室中的基板供给含氧气体的工序;以及通过执行循环的预定数目的步骤的同时非（非）用不同的定时执行，以形成在基板上的黄原氮化膜，供给含有规定元素的气体的步骤，供给含碳气体的步骤，供给含氮气体的步骤以及供给含氧气体的步骤，之前根据各非混合给定的含元素的气体，含碳气体的半导体器件，所述含氧气体和所述含氧气体氮在通过执行所述处理腔室中在处理室除去残留气体的工序提供了一种制造方法。

5. 发明授权

KR101361676B1 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 有权
标题翻译：制造半导体器件的方法，加工基板的方法和基板处理装置
公开(公告)号：KR101361676B1
公开(公告)日：2014-02-11
申请号：KR1020120108671
申请日：2012-09-28
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 히로세요시로 , 타카사와유신 , 카마쿠라츠카사 , 나카무라요시노부 , 사사지마료타
IPC分类号： H01L21/318 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/67069 , C23C16/30 , C23C16/45531 , C23C16/45546 , H01L21/02104 , H01L21/02126 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/0223 , H01L21/02247 , H01L21/0228 , H01L21/67011 , H01L21/67017
摘要： 저유전율, 저에칭 레이트, 고절연성의 특성을 구비하는 절연막을 형성한다. 기판에 대하여 소정 원소 함유 가스를 공급하는 공정과, 상기 기판에 대하여 탄소 함유 가스를 공급하는 공정과, 상기 기판에 대하여 질소 함유 가스를 공급하는 공정을 1세트로 하여 이 세트를 소정 횟수 수행하는 것에 의해, 상기 기판 상에 탄질화층을 형성하는 공정; 및 상기 기판에 대하여 산소 함유 가스를 공급하는 것에 의해 상기 탄질화층을 산화하여 산탄질화층을 형성하는 공정;을 포함하는 사이클을 소정 횟수 수행하는 것에 의해 상기 기판 상에 산탄 질화막을 형성하는 공정을 포함하고, 상기 소정 원소 함유 가스를 공급하는 공정에서는 상기 기판 상에 소정 원소 함유층을 형성하고, 상기 탄소 함유 가스를 공급하는 공정에서는 상기 소정 원소 함유층 상에 상기 탄소 함유 가스의 불연속적인 화학 흡착층을 형성하는 것에 의해 상기 소정 원소 및 탄소를 포함하는 층을 형성하고, 상기 질소 함유 가스를 공급하는 공정에서는 상기 소정 원소 및 탄소를 포함하는 층의 상기 질소 함유 가스에 의한 질화 반응이 불포화가 되는 조건 하에서 상기 소정 원소 및 탄소를 포함하는 층을 논플라즈마의 분위기 하에서 질 화하여 탄질화층을 형성하고, 상기 산탄질화층을 형성하는 공정에서는 상기 탄질화층의 상기 산소 함유 가스에 의한 산화 반응이 불포화가 되는 조건 하에서 상기 탄질화층을 논플라즈마의 분위기 하에서 산화하는 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.

6. 发明公开

KR1020120082814A 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체 有权
标题翻译：制造半导体器件的方法，加工基板和基板处理装置的方法
公开(公告)号：KR1020120082814A
公开(公告)日：2012-07-24
申请号：KR1020110146649
申请日：2011-12-30
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 히로세요시로 , 타카사와유신 , 카마쿠라츠카사 , 나카무라요시노부 , 사사지마료타
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/0228 , C23C16/30 , C23C16/36 , C23C16/40 , C23C16/401 , C23C16/45523 , C23C16/45529 , C23C16/45531 , C23C16/45546 , H01L21/02112 , H01L21/02126 , H01L21/02167 , H01L21/0217 , H01L21/02211
摘要： PURPOSE: A method of manufacturing a semiconductor device, method of processing substrate and substrate processing apparatus are provided to form an insulating substrate including a high insulating characteristic, low etching rate, and low conductibility. CONSTITUTION: A heat treatment furnace(202) includes a heater(207) as a heat device having a heater and reaction container(203) located on concentric rings with the heater inside. A first(249a) nozzle, second(249b) nozzle, third(249c) nozzle, and fourth(249d) nozzle are installed to penetrate the lower part of the reaction container. The first, second, third, and fourth nozzles are respectively connected to a first gas pope, second gas pope, third gas pope, and fourth gas pope. A buffer room(237) is installed according to the loading direction of a wafer(200).
摘要翻译：目的：提供一种半导体器件的制造方法，衬底和衬底处理设备的处理方法，以形成具有高绝缘特性，低蚀刻速率和低导电性的绝缘衬底。构成：热处理炉（202）包括作为加热装置的加热器（207），其具有加热器和位于与加热器内部的同心环上的反应容器（203）。安装第一（249a）喷嘴，第二（249b）喷嘴，第三（249c）喷嘴和第四（249d）喷嘴）以穿透反应容器的下部。第一，第二，第三和第四喷嘴分别连接到第一气体教皇，第二气体教皇，第三气体教皇和第四气体教皇。缓冲室（237）根据晶片（200）的装载方向安装。

7. 发明公开

KR1020110114446A 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 有权
标题翻译： 반도체장치의제조방법，기판처리방법및기판처리장장
公开(公告)号：KR1020110114446A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：KR1020110029300
申请日：2011-03-31
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 히로세요시로 , 타카사와유신 , 카마쿠라츠카사 , 나카무라요시노부 , 사사지마료타
IPC分类号： H01L21/318 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/67069 , C23C16/30 , C23C16/45531 , C23C16/45546 , H01L21/02104 , H01L21/02126 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/0223 , H01L21/02247 , H01L21/0228 , H01L21/67011 , H01L21/67017
摘要： An insulating film having features such as a low dielectric constant, a low etching rate and a high insulating property is formed. An oxycarbonitride film is formed on a substrate by performing a cycle a predetermined number of times, the cycle including: (a) supplying a gas containing an element to the substrate; (b) supplying a carbon-containing gas to the substrate; (c) supplying a nitrogen-containing gas to the substrate; and (d) supplying an oxygen-containing gas to the substrate.
摘要翻译：形成具有诸如低介电常数，低蚀刻速率和高绝缘性的特征的绝缘膜。通过执行预定次数的循环在衬底上形成碳氮氧化物膜，所述循环包括：（a）向衬底供应含有元素的气体; （b）向衬底供应含碳气体; （c）向衬底供应含氮气体; 和（d）向衬底供应含氧气体。

8. 发明公开

KR1020110056233A 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 장치 有权
标题翻译：制造半导体器件和衬底加工设备的方法
公开(公告)号：KR1020110056233A
公开(公告)日：2011-05-26
申请号：KR1020100114820
申请日：2010-11-18
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 사사지마료타 , 히로세요시로 , 오타요스케 , 아카에나오노리 , 요코자와코지로
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/0223 , C23C16/402 , C23C16/45546 , C23C16/54 , C23C16/56 , H01L21/02164 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/02238 , H01L21/02244 , H01L21/0228 , H01L21/02337 , H01L21/3141 , H01L21/31608 , H01L21/31645 , H01L21/32051 , H01L21/321
摘要： PURPOSE: A method of manufacturing a semiconductor device and a substrate processing apparatus are provided to implement an oxide film of a fine structure by suppressing the consumption of a metal for forming the oxide film. CONSTITUTION: In a method of manufacturing a semiconductor device and a substrate processing apparatus, a source gas including a certain element is provided within the reaction chamber receiving a substrate. A layer including the certain element is formed on the substrate. A gas having oxygen and a gas having hydrogen are provided within the reaction chamber. The layer including the certain element is changed into the oxide layer. The oxide film having a certain thickness is formed on the substrate.
摘要翻译：目的：制造半导体装置的方法和基板处理装置，通过抑制用于形成氧化膜的金属的消耗来实现精细结构的氧化物膜。构成：在制造半导体器件和衬底处理设备的方法中，在接收衬底的反应室内设置包括特定元件的源气体。在基板上形成包含该特定元件的层。具有氧的气体和具有氢的气体设置在反应室内。包含该特定元素的层变成氧化物层。在基板上形成具有一定厚度的氧化膜。

9. 发明授权

KR100852975B1 열처리 장치 및 기판의 제조 방법 有权
标题翻译：热处理装置及其生产方法
公开(公告)号：KR100852975B1
公开(公告)日：2008-08-19
申请号：KR1020077002384
申请日：2005-08-01
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 사사지마료타 , 나카무라이와오 , 모로하시아키라 , 야마모토류지
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L21/67109 , C30B35/00 , H01L21/31662 , H01L21/324 , H01L21/67309 , H01L21/68735 , H01L21/68771
摘要： Heat treatment apparatus and a method of manufacturing a substrate are provided, in which drop of particles produced by a rubbing action between a support strip and a support member can be prevented. Heat treatment apparatus 10 has a reactor 40 for treating a substrate, and a support tool 30 for supporting the substrate 54 in the reactor 40. The support tool 30 has a support part 57 to be contacted to the substrate 54, and a support strip 67 for supporting the support part 57. A back of the support part 57 has a convex portion or a concave portion, and the back of the support part 54 is configured to be not contacted to an edge of the support strip 67, and contacted to a top of the support strip 67 at inner than the edge of the support strip 67.

10. 发明授权

KR101454603B1 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 有权
公开(公告)号：KR101454603B1
公开(公告)日：2014-11-04
申请号：KR1020140008214
申请日：2014-01-23
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 히로세요시로 , 타카사와유신 , 카마쿠라츠카사 , 나카무라요시노부 , 사사지마료타
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/67069 , C23C16/30 , C23C16/45531 , C23C16/45546 , H01L21/02104 , H01L21/02126 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/0223 , H01L21/02247 , H01L21/0228 , H01L21/67011 , H01L21/67017
摘要： 저유전율, 저에칭 레이트, 고절연성의 특성을 구비하는 절연막을 형성한다. 기판을 수용한 처리실 내로 소정 원소 함유 가스를 공급하는 공정; 상기 기판을 수용한 상기 처리실 내로 탄소 함유 가스를 공급하는 공정; 상기 기판을 수용한 상기 처리실 내로 질소 함유 가스를 공급하는 공정; 및 상기 기판을 수용한 상기 처리실 내로 산소 함유 가스를 공급하는 공정;을 비(非)동시에 수행하는 사이클을 소정 횟수 수행하는 것에 의해, 상기 기판 상에 산탄질화막을 형성하는 공정을 포함하고, 상기 소정 원소 함유 가스, 상기 탄소 함유 가스, 상기 질소 함유 가스 및 상기 산소 함유 가스 중 하나의 가스를 공급하는 공정에서는, 상기 소정 원소 함유 가스, 상기 탄소 함유 가스, 상기 질소 함유 가스 및 상기 산소 함유 가스 중 상기 하나의 가스 이외의 가스를 상기 처리실 내로 비(非)공급으로 하고, 상기 산소 함유 가스를 공급하는 공정에서는, 그 때까지 상기 기판 상에 형성된 층의 상기 산소 함유 가스에 의한 산화 반응이 불포화가 되는 조건 하에서, 상기 층을 산화하는 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.

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