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1. 发明公开

KR1020030013303A 기판 처리 장치 有权
标题翻译：基板加工系统
公开(公告)号：KR1020030013303A
公开(公告)日：2003-02-14
申请号：KR1020020045557
申请日：2002-08-01
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 오쿠다카주유키 , 카가야토루 , 사카이마사노리 , 모리타신야 , 모로하시아키라
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/6715 , C23C16/345 , C23C16/45542 , C23C16/45546 , C23C16/45563
摘要： PURPOSE: To use gas supplied into a reaction tube efficiently by improving the shape of a gas nozzle. CONSTITUTION: A tubular reaction tube 12 is installed vertically and the opening on a end flange 13 is sealed hermetically with a seal cap 14 and then a boat 15 mounting substrates, i.e., wafers W, in multistage is inserted into the reaction tube 12. Subsequently, gas is supplied from a nozzle 21 to the plurality of wafers W in the reaction tube 12 thus depositing a thin film on the wafers W. The nozzle 21 is provided to creep along the inner wall 22 of the reaction tube 12 in the axial direction thereof. The nozzle 21 has an inner space 23 spreading over an angle of 45°-180° in the inner circumferential direction of the tube. The nozzle 21 is provided with a plurality of gas ejection openings 24 in correspondence with respective wafers W and supplies gas above respective wafers W.
摘要翻译：目的：通过改善气体喷嘴的形状，有效地使用供应到反应管中的气体。构成：管状反应管12垂直安装，端部凸缘13上的开口与密封盖14密封地密封，然后将安装基板（即，多层的晶片W）的舟形管15插入反应管12中。随后从喷嘴21向反应管12中的多个晶片W供给气体，从而在晶片W上沉积薄膜。喷嘴21沿着轴向沿反应管12的内壁22蠕变它们。喷嘴21具有在管的内周方向上以45°-180°的角度扩展的内部空间23。喷嘴21设置有与各个晶片W对应的多个气体喷射开口24，并且在各个晶片W上提供气体。

2. 发明授权

KR100852975B1 열처리 장치 및 기판의 제조 방법 有权
标题翻译：热处理装置及其生产方法
公开(公告)号：KR100852975B1
公开(公告)日：2008-08-19
申请号：KR1020077002384
申请日：2005-08-01
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 사사지마료타 , 나카무라이와오 , 모로하시아키라 , 야마모토류지
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L21/67109 , C30B35/00 , H01L21/31662 , H01L21/324 , H01L21/67309 , H01L21/68735 , H01L21/68771
摘要： Heat treatment apparatus and a method of manufacturing a substrate are provided, in which drop of particles produced by a rubbing action between a support strip and a support member can be prevented. Heat treatment apparatus 10 has a reactor 40 for treating a substrate, and a support tool 30 for supporting the substrate 54 in the reactor 40. The support tool 30 has a support part 57 to be contacted to the substrate 54, and a support strip 67 for supporting the support part 57. A back of the support part 57 has a convex portion or a concave portion, and the back of the support part 54 is configured to be not contacted to an edge of the support strip 67, and contacted to a top of the support strip 67 at inner than the edge of the support strip 67.

3. 发明公开

KR1020070032801A 열처리 장치 및 기판의 제조 방법 有权
标题翻译： 열처리장치및기판의제조방법
公开(公告)号：KR1020070032801A
公开(公告)日：2007-03-22
申请号：KR1020077002384
申请日：2005-08-01
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 사사지마료타 , 나카무라이와오 , 모로하시아키라 , 야마모토류지
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L21/67109 , C30B35/00 , H01L21/31662 , H01L21/324 , H01L21/67309 , H01L21/68735 , H01L21/68771
摘要： Heat treatment apparatus and a method of manufacturing a substrate are provided, in which drop of particles produced by a rubbing action between a support strip and a support member can be prevented. Heat treatment apparatus 10 has a reactor 40 for treating a substrate, and a support tool 30 for supporting the substrate 54 in the reactor 40. The support tool 30 has a support part 57 to be contacted to the substrate 54, and a support strip 67 for supporting the support part 57. A back of the support part 57 has a convex portion or a concave portion, and the back of the support part 54 is configured to be not contacted to an edge of the support strip 67, and contacted to a top of the support strip 67 at inner than the edge of the support strip 67.
摘要翻译：提供了热处理设备和制造基板的方法，其中可以防止由支撑条和支撑构件之间的摩擦作用产生的颗粒滴落。热处理设备10具有用于处理衬底的反应器40和用于在反应器40中支撑衬底54的支撑工具30.支撑工具30具有将与衬底54接触的支撑部分57以及支撑带67 用于支撑支撑部分57.支撑部分57的后部具有凸起部分或凹入部分，并且支撑部分54的后部被构造成不与支撑带67的边缘接触，并且与支撑部分57的边缘接触支撑条67的顶部比支撑条67的边缘更靠内。

4. 发明授权

KR100539890B1 기판 처리 장치 有权
公开(公告)号：KR100539890B1
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：KR1020020045557
申请日：2002-08-01
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 오쿠다카주유키 , 카가야토루 , 사카이마사노리 , 모리타신야 , 모로하시아키라
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/6715 , C23C16/345 , C23C16/45542 , C23C16/45546 , C23C16/45563
摘要： 본 발명은 가스 노즐의 형상을 개선하여 반응관내에 공급한 가스를 효율적으로 사용할 수 있도록 한 기판 처리 장치에 관한 것으로, 상기 기판 처리 장치는 원통형 반응관(12)을 수직설치하고, 로구 플랜지(13)의 통로를 씰 캡(14)로 밀봉하며, 반응관(12)내에 기판인 웨이퍼(W)를 다단으로 재치하는 보트(15)를 삽입한다. 원통형 반응관(12)내의 복수의 웨이퍼(W)에 노즐(21)로부터 가스를 공급하여 웨이퍼(W)에 박막을 퇴적시킨다. 노즐(21)은 원통 반응관(12)의 관축방향으로 관내벽(22)을 따라 연장되도록 설치된다. 또한, 노즐(21)은 관내주방향으로 45°이상 180°이하로 확대된 노즐 공간(23)을 내부에 갖는다. 노즐(21)의 가스 분출구(24)는 각 웨이퍼(W)에 대응하도록 복수개 설치되며, 각 웨이퍼(W)상에 가스를 흘린다.

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