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1. 发明公开

KR1020130055691A 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 有权
标题翻译：制造半导体器件的方法，用于处理衬底的方法和用于处理衬底的装置
公开(公告)号：KR1020130055691A
公开(公告)日：2013-05-28
申请号：KR1020137009872
申请日：2011-11-01
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 사사지마료타 , 나카무라요시노부 , 타카사와유신 , 히로세요시로
IPC分类号： H01L21/318 , H01L21/31 , C23C16/56
CPC分类号： H01L21/02565 , C23C16/308 , C23C16/45546 , H01L21/0214 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228
摘要： A method of manufacturing a semiconductor device is provided, including: forming an oxynitride film having a specific film thickness on a substrate by performing multiple numbers of times a cycle of: forming a specific element-containing layer on the substrate by supplying a source gas containing a specific element into a processing vessel in which the substrate is housed; changing the specific element-containing layer to a nitride layer by supplying a nitrogen-containing gas into the processing vessel; and changing the nitride layer to an oxynitride layer by supplying an oxygen-containing gas and an inert gas into the processing vessel, with this sequence as one cycle, wherein a composition ratio of the oxynitride film having the specific film thickness is controlled by controlling a partial pressure of the oxygen-containing gas in the processing vessel, in changing the nitride layer to the oxynitride layer.

2. 发明授权

KR101464209B1 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 有权
标题翻译：用于制造半导体器件的方法，用于处理衬底的方法，用于处理衬底的装置和非电子计算机可读记录介质
公开(公告)号：KR101464209B1
公开(公告)日：2014-11-21
申请号：KR1020137009872
申请日：2011-11-01
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 사사지마료타 , 나카무라요시노부 , 타카사와유신 , 히로세요시로
IPC分类号： H01L21/318 , H01L21/31 , C23C16/56
CPC分类号： H01L21/02565 , C23C16/308 , C23C16/45546 , H01L21/0214 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228
摘要： 기판을 수용한 처리 용기 내에 소정 원소를 포함하는 원료 가스를 공급하는 것에 의해 기판 상에 소정 원소 함유층을 형성하는 공정; 및 처리 용기 내에 질소 및 수소 함유 가스, 산소 함유 가스 및 불활성 가스를 동시에 공급하는 것에 의해 소정 원소 함유층을 산질화층으로 변화시키는 공정;을 1사이클로 하고, 이 사이클을 복수 회 수행하는 것에 의해 기판 상에 소정 막 두께의 산질화막을 형성하는 공정을 포함하고, 소정 원소 함유층을 산질화층으로 변화시키는 공정에서 처리 용기 내에서의 산소 함유 가스의 분압을 제어하는 것에 의해 소정 막 두께의 산질화막의 조성을 제어한다.

3. 发明公开

KR1020130115198A 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 有权
标题翻译：制造半导体器件的方法，加工基板的方法和基板处理装置
公开(公告)号：KR1020130115198A
公开(公告)日：2013-10-21
申请号：KR1020130112551
申请日：2013-09-23
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 히로세요시로 , 타카사와유신 , 카마쿠라츠카사 , 나카무라요시노부 , 사사지마료타
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/67069 , C23C16/30 , C23C16/45531 , C23C16/45546 , H01L21/02104 , H01L21/02126 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/0223 , H01L21/02247 , H01L21/0228 , H01L21/67011 , H01L21/67017
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device and a method and apparatus for processing a substrate are provided to improve etching resistance by forming an insulation film with a low dielectric constant. CONSTITUTION: A gas with an element is supplied to a substrate in a processing chamber. A gas containing C is supplied to the substrate. A gas containing N is supplied to the substrate. A gas containing O is supplied to the substrate. An SiON film is formed on the substrate. [Reference numerals] (AA) Silicon containing gas (HCD); (BB) Carbon containing gas (C_3H_6); (CC) Nitrogen containing gas (NH_3); (DD) Oxygen containing gas (O_2); (EE) Inert gas (N_2); (FF) First cycle; (GG) Second cycle; (HH) N^th cycle
摘要翻译：目的：提供一种制造半导体器件的方法以及用于处理衬底的方法和装置，以通过形成具有低介电常数的绝缘膜来提高耐腐蚀性。构成：将具有元素的气体供给到处理室中的基板。将含有C的气体供给到基板。将含有N的气体供给到基板。含有O的气体被供给到基板。在基板上形成SiON膜。（附图标记）（AA）含硅气体（HCD）; （BB）含碳气体（C_3H_6）; （CC）含氮气体（NH_3）; （DD）含氧气体（O_2）; （EE）惰性气体（N_2）; （FF）第一周期; （GG）第二周期; （HH）N ^周期

4. 发明授权

KR101304365B1 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체 有权
公开(公告)号：KR101304365B1
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：KR1020110146649
申请日：2011-12-30
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 히로세요시로 , 타카사와유신 , 카마쿠라츠카사 , 나카무라요시노부 , 사사지마료타
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/0228 , C23C16/30 , C23C16/36 , C23C16/40 , C23C16/401 , C23C16/45523 , C23C16/45529 , C23C16/45531 , C23C16/45546 , H01L21/02112 , H01L21/02126 , H01L21/02167 , H01L21/0217 , H01L21/02211
摘要： 저유전율, 저(低)에칭 레이트, 고(高)절연성의 특성을 구비하는 절연막을 형성한다. 처리 용기 내의 가열된 기판에, 소정 원소 함유 가스와, 탄소 함유 가스와, 질소 함유 가스를 공급하는 것으로, 소정 원소를 포함하는 소정두께의 탄질화층을 형성하는 공정 및 상기 처리 용기 내의 가열된 기판에, 소정 원소 함유 가스와, 산소 함유 가스를 공급하는 것으로, 소정 원소를 포함하는 소정 두께의 산화층을 형성하는 공정을 교호적으로 반복하는 것으로, 상기 기판 상에, 탄질화층과 산화층이 교호적으로 적층되어 이루어지는 소정 막 두께의 산탄질화막을 형성한다.

5. 发明授权

KR101454603B1 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 有权
公开(公告)号：KR101454603B1
公开(公告)日：2014-11-04
申请号：KR1020140008214
申请日：2014-01-23
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 히로세요시로 , 타카사와유신 , 카마쿠라츠카사 , 나카무라요시노부 , 사사지마료타
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/67069 , C23C16/30 , C23C16/45531 , C23C16/45546 , H01L21/02104 , H01L21/02126 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/0223 , H01L21/02247 , H01L21/0228 , H01L21/67011 , H01L21/67017
摘要： 저유전율, 저에칭 레이트, 고절연성의 특성을 구비하는 절연막을 형성한다. 기판을 수용한 처리실 내로 소정 원소 함유 가스를 공급하는 공정; 상기 기판을 수용한 상기 처리실 내로 탄소 함유 가스를 공급하는 공정; 상기 기판을 수용한 상기 처리실 내로 질소 함유 가스를 공급하는 공정; 및 상기 기판을 수용한 상기 처리실 내로 산소 함유 가스를 공급하는 공정;을 비(非)동시에 수행하는 사이클을 소정 횟수 수행하는 것에 의해, 상기 기판 상에 산탄질화막을 형성하는 공정을 포함하고, 상기 소정 원소 함유 가스, 상기 탄소 함유 가스, 상기 질소 함유 가스 및 상기 산소 함유 가스 중 하나의 가스를 공급하는 공정에서는, 상기 소정 원소 함유 가스, 상기 탄소 함유 가스, 상기 질소 함유 가스 및 상기 산소 함유 가스 중 상기 하나의 가스 이외의 가스를 상기 처리실 내로 비(非)공급으로 하고, 상기 산소 함유 가스를 공급하는 공정에서는, 그 때까지 상기 기판 상에 형성된 층의 상기 산소 함유 가스에 의한 산화 반응이 불포화가 되는 조건 하에서, 상기 층을 산화하는 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.

6. 发明公开

KR1020140022445A 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 有权
标题翻译：制造半导体器件的方法，加工基板的方法和基板处理装置
公开(公告)号：KR1020140022445A
公开(公告)日：2014-02-24
申请号：KR1020140008214
申请日：2014-01-23
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 히로세요시로 , 타카사와유신 , 카마쿠라츠카사 , 나카무라요시노부 , 사사지마료타
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/67069 , C23C16/30 , C23C16/45531 , C23C16/45546 , H01L21/02104 , H01L21/02126 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/0223 , H01L21/02247 , H01L21/0228 , H01L21/67011 , H01L21/67017
摘要： An insulating film having low permittivity, a low etching rate, and high insulating properties is formed. The present invention includes a step of forming an oxidized nitrification film on a substrate by performing a cycle non-simultaneously performing step of supplying a predetermined element containing gas into a processing chamber accommodating a substrate; a step of supplying carbon containing gas into the processing chamber accommodating the substrate; a step of supplying nitrogen containing gas into the processing chamber accommodating the substrate; and a step of supplying oxygen containing gas into the processing chamber accommodating the substrate predetermined times. A processing of supplying one among the predetermined element containing gas, the carbon containing gas, the nitrogen containing gas, and the oxygen containing gas provides a manufacturing method for a semiconductor device not supplying the gas except one among the predetermined element containing gas, the carbon containing gas, the nitrogen containing gas, and the oxygen containing gas into the processing chamber. [Reference numerals] (AA) Silicon including gas; (BB) Carbon including gas; (CC) Nitrogen including gas; (DD) Oxygen including gas; (EE) Inert gas; (FF) 1 cycle; (GG) 2 cycle; (HH) n cycle
摘要翻译：形成具有低介电常数，低蚀刻速率和高绝缘性能的绝缘膜。本发明包括通过执行将含有预定元素的气体供应到容纳基板的处理室中的循环非同时执行步骤，在基板上形成氧化的硝化膜的步骤; 将含碳气体供给到容纳基板的处理室中的步骤; 将含氮气体供给到容纳基板的处理室中的步骤; 以及将含氧气体供给到容纳衬底预定次数的处理室中的步骤。含有预定的含有元素的气体，含碳气体，含氮气体和含氧气体中的一种的处理提供了除了含有预定元素的气体之外的不供应气体的半导体装置的制造方法，含氮气体和含氧气体进入处理室。（附图标记）（AA）包括气体的硅; （BB）包括气体的碳; （CC）含氮气体; （DD）含氧气体; （EE）惰性气体; （FF）1个循环; （GG）2周期; （HH）n周期

7. 发明授权

KR101233136B1 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 有权
标题翻译：用于制造半导体器件的方法，衬底处理方法和衬底处理设备
公开(公告)号：KR101233136B1
公开(公告)日：2013-02-14
申请号：KR1020110029300
申请日：2011-03-31
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 히로세요시로 , 타카사와유신 , 카마쿠라츠카사 , 나카무라요시노부 , 사사지마료타
IPC分类号： H01L21/318 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/67069 , C23C16/30 , C23C16/45531 , C23C16/45546 , H01L21/02104 , H01L21/02126 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/0223 , H01L21/02247 , H01L21/0228 , H01L21/67011 , H01L21/67017
摘要： 저유전율, 저에칭 레이트, 고절연성의 특성을 구비하는 절연막을 형성한다. 기판을 수용한 처리 용기 내에 CVD 반응이 생기는 조건 하에서 소정 원소 함유 가스를 공급하는 것으로 기판 상에 소정 원소 함유층을 형성하는 공정, 처리 용기 내에 탄소 함유 가스를 공급하는 것으로 소정 원소 함유층 상에 탄소 함유층을 형성하여 소정 원소 및 탄소를 포함하는 층을 형성하는 공정, 처리 용기 내에 질소 함유 가스를 공급하는 것으로 소정 원소 및 탄소를 포함하는 층을 질화하여 탄질화층을 형성하는 공정,을 1 세트로 하고, 이 세트를 소정 횟수 수행하는 것으로 소정 두께의 탄질화층을 형성하는 공정; 및 처리 용기 내에 산소 함유 가스를 공급하는 것으로 소정 두께의 탄질화층을 산화하여 산탄질화층을 형성하는 공정;을 1 사이클로 하고, 이 사이클을 소정 횟수 수행하는 것으로 기판 상에 소정 막 두께의 산탄질화막을 형성하는 공정을 포함한다.
摘要翻译：形成具有低介电常数，低蚀刻速率和高绝缘特性的绝缘膜。通过在过程中发生的CVD反应的条件下，容纳在基板处理容器内供给含碳气体，该处理容器中以一预定含元素层上供给含有含碳层的预定元素的气体在衬底上形成预定的含元素层形成在预定的元件和方法中，一个通过提供包含在此过程中氮的气体设置时，过程容器中以形成一个层含有碳和氮化与预定元件和碳的层，以形成一个碳氮hwacheung，并且通过执行预定次数形成具有预定厚度的碳氮化物层; 和氧化hwacheung通过供应含氧气体引入形成黄原氮化物层的处理容器步骤中的预定的厚度，具有由一个周期的基板上的预定膜厚度粒料氮化膜含碳，执行多个循环的一个给定的和成形的步骤。

8. 发明授权

KR101396255B1 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체 有权
标题翻译：制造半导体器件的方法，衬底处理装置和非电子计算机可读记录介质
公开(公告)号：KR101396255B1
公开(公告)日：2014-05-16
申请号：KR1020130028586
申请日：2013-03-18
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 히로세요시로 , 사사지마료타 , 나카무라요시노부 , 야마모토류지
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/318 , H01L21/31 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/0228 , C23C16/30 , C23C16/45531 , C23C16/45546 , C23C16/45557 , H01L21/02126 , H01L21/02167 , H01L21/02211
摘要： 본 발명은 박막 중에 포함되는 산소, 질소, 탄소 등의 농도를 저하시키지 않고 반응 가스의 총 공급량을 저감시킨다.
처리실 내의 기판에 대하여 원료 가스를 공급하는 공정 및 처리실 내의 기판에 대하여 반응 가스를 공급하는 공정을 포함하는 사이클을 소정 횟수 수행하는 것에 의해 기판 상에 박막을 형성하는 공정을 포함하고, 원료 가스를 공급하는 공정 및 반응 가스를 공급하는 공정 중 적어도 어느 하나의 공정에서는 처리실 내의 압력이 소정의 압력이 될 때까지 처리실 내의 배기를 정지한 상태에서 원료 가스 및 반응 가스 중 원료 가스를 공급하는 공정 및 반응 가스를 공급하는 공정 중 적어도 어느 하나 공정에서 사용하는 가스를 제1 유량으로 공급하는 제1 공급 공정; 및 처리실 내의 압력이 소정의 압력이 된 후, 처리실 내의 압력을 소정의 압력으로 유지하면서 처리실 내의 배기를 실시한 상태에서 원료 가스 및 반응 가스 중 원료 가스를 공급하는 공정 및 반응 가스를 공급하는 공정 중 적어도 어느 하나 공정에서 사용하는 가스를 제1 유량보다도 작은 제2 유량으로 공급하는 제2 공급 공정;을 수행한다.

9. 发明公开

KR1020130107232A 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체 有权
标题翻译：制造半导体器件的方法，衬底处理装置和非电子计算机可读记录介质
公开(公告)号：KR1020130107232A
公开(公告)日：2013-10-01
申请号：KR1020130028586
申请日：2013-03-18
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 히로세요시로 , 사사지마료타 , 나카무라요시노부 , 야마모토류지
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/318 , H01L21/31 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/0228 , C23C16/30 , C23C16/45531 , C23C16/45546 , C23C16/45557 , H01L21/02126 , H01L21/02167 , H01L21/02211
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device, a substrate processing apparatus, and a recording medium are provided to improve the etching resistance of a thin film by adding carbon to the thin film. CONSTITUTION: A process furnace includes a heater (207). A reaction pipe (203) is arranged in the inner part of the heater. The reaction pipe is made of a heat-resistant material including silicon carbide. The process chamber (201) is formed in the open hollow part of the reaction pipe. A first, a second, and a third nozzle are installed in the process chamber.
摘要翻译：目的：提供半导体器件，衬底处理设备和记录介质的制造方法，以通过向薄膜中添加碳来提高薄膜的抗蚀刻性。构成：工艺炉包括加热器（207）。反应管（203）布置在加热器的内部。反应管由包括碳化硅的耐热材料制成。处理室（201）形成在反应管的敞开的中空部分中。第一，第二和第三喷嘴安装在处理室中。

10. 发明公开

KR1020120125210A 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 有权
标题翻译：制造半导体器件的方法，加工基板的方法和基板处理装置
公开(公告)号：KR1020120125210A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：KR1020120108671
申请日：2012-09-28
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 히로세요시로 , 타카사와유신 , 카마쿠라츠카사 , 나카무라요시노부 , 사사지마료타
IPC分类号： H01L21/318 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/67069 , C23C16/30 , C23C16/45531 , C23C16/45546 , H01L21/02104 , H01L21/02126 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/0223 , H01L21/02247 , H01L21/0228 , H01L21/67011 , H01L21/67017
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device, a substrate processing method, and a substrate processing apparatus are provided to improve quality of a substrate device by forming an insulating layer having high insulation capacity. CONSTITUTION: Gas which contains a predetermined element is provided to a substrate. Carbon containing gas(C3H6) is provided to the substrate. Nitrogen containing gas(NH3) is provided to the substrate. A carbonitried layer is formed on the substrate. An oxidized carbonitried layer is formed on the carbonitried layer. A processing container accepts the substrate. [Reference numerals] (AA) First cycle; (BB) Second cycle; (CC) N cycle; (DD) Silicon containing gas(HCD); (EE) Carbon containing gas(C3H6); (FF) Nitrogen containing gas(NH3); (GG) Inactivity gas(N2)
摘要翻译：目的：提供一种用于制造半导体器件的方法，衬底处理方法和衬底处理设备，以通过形成具有高绝缘能力的绝缘层来改善衬底器件的质量。构成：将含有预定元素的气体提供给基板。含碳气体（C 3 H 6）被提供给基材。向基材提供含氮气体（NH 3）。在基底上形成碳酸盐层。在碳酸化层上形成氧化碳酸盐层。处理容器接受基板。（附图标记）（AA）第一循环; （BB）第二周期; （CC）N循环; （DD）含硅气体（HCD）; （EE）含碳气体（C3H6）; （FF）含氮气体（NH 3）; （GG）惰性气体（N2）

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