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1. 发明公开

KR1020100015978A 플라즈마 발생기를 위한 전극 有权
标题翻译：用于等离子体发生器的电极
公开(公告)号：KR1020100015978A
公开(公告)日：2010-02-12
申请号：KR1020097022500
申请日：2008-03-25
申请人： 포슝스베르분드 베를린 에.베.
发明人： 게쉬,롤랜드 , 안드레이,안드레아,크리스티나 , 부흐홀츠,스티븐 , 쿠엔,실비오
IPC分类号： H05H1/24 , H05H1/46
CPC分类号： H05H1/46 , H05H2001/463 , H05H2240/10 , H05H2245/122 , H05H2277/11
摘要： The invention relates to an electrode for a plasma generator for generating plasmas at atmospheric pressure or near-atmospheric pressures by means of excitation using microwaves. The invention provides an electrode made of a sheet metal strip (1), in the longitudinal direction of which at least one slot (2) is introduced at a length that is one time or multiple times that of a quarter of the wavelength of the open-circuit voltage of the microwave such that at least two partial electrodes (3) are formed, wherein the voltage supply line is provided on the partial electrodes (3) in the region of the closed slot end or ends.
摘要翻译：本发明涉及一种用于等离子体发生器的电极，用于通过使用微波的激发在大气压或近似大气压下产生等离子体。本发明提供了一种由金属板条（1）制成的电极，其长度方向上至少有一个槽（2）的长度是开口波长的四分之一的一倍或多倍微波的电路电压，使得形成至少两个部分电极（3），其中在封闭槽端部或端部的区域中在部分电极（3）上设置电压供应线。

2. 发明公开

KR1020080003900A 레이저 빔에 의하여 감열성 유전 물체를 미세하게연마/구성하는 방법 无效
标题翻译：激光束精细抛光/结构化耐热介电材料的方法
公开(公告)号：KR1020080003900A
公开(公告)日：2008-01-08
申请号：KR1020077026841
申请日：2006-03-21
申请人： 포슝스베르분드 베를린 에.베.
发明人： 에렌트라우트,루츠 , 헤르텔,잉골프 , 로젠펠트,아카디
IPC分类号： B23K26/364 , B23K26/00
CPC分类号： B23K26/0075 , B23K26/0624
摘要： The invention relates to a method for finely polishing/structuring thermosensitive dielectric materials, in particular materials exhibiting a low thermal expansion coefficient, by a laser beam consisting in directing an intensive ultrashort laser beam to a processable material surface, in adjusting the action time within a range from 10-13 s to 10-11 s and a laser pulse energy in such a way that it is less than an ablation threshold but sufficient for provoking a Coulomb explosion. The inventive method makes it possible to carry out a material removal within a nanometer range by means of laser ultrashort pulses ranging between picoseconds and subpicoseconds, wherein the material surface is finely polished during a pre-ablation process step (removal less than the ablation range) and the processable surface is low-heated (approximately up to 10°C, only) due to the extremely shot laser beam action time.
摘要翻译：本发明涉及通过激光束精细研磨/构造热敏介电材料的方法，特别是表现出低热膨胀系数的材料，该激光束将强化的超短激光束引导到可加工的材料表面，范围为10-13s至10-11s，激光脉冲能量小于消融阈值，但足以引发库仑爆炸。本发明的方法使得可以通过在皮秒和亚皮秒之间的激光超短脉冲在纳米范围内进行材料去除，其中材料表面在预消融处理步骤（去除小于消融范围）内被精细抛光，并且由于极度激光的激光束作用时间，可加工表面被低热（仅高达10℃）。

3. 发明公开

KR1020170110588A 금속 도가니에 담겨진 용융물로부터 베타 상의 산화 갈륨 단결정을 성장시키는 방법 审中-实审
标题翻译：由金属坩埚中所含的熔体生长β相氧化镓单晶的方法
公开(公告)号：KR1020170110588A
公开(公告)日：2017-10-11
申请号：KR1020177019011
申请日：2015-12-16
申请人： 포슝스베르분드 베를린 에.베.
发明人： 갈라즈카,즈비그뉴 , 우에커,레인하드 , 클림,데트레프 , 비커만,매시아스
IPC分类号： C30B15/20 , C30B15/08 , C30B15/34 , C30B17/00 , C30B11/00 , C30B19/12 , C30B29/16 , C30B15/10
CPC分类号： C30B29/16 , C30B11/005 , C30B11/006 , C30B15/08 , C30B15/20 , C30B15/34 , C30B17/00
摘要： 단열재로둘러싸인금속도가니내에담겨진용융물로부터가열기에의해가열된베타상의산화갈륨 (β-GaO) 단결정을성장시키는방법이제공된다. GaO의용융온도 (MT) 아래에서, 또는용융온도 (MT)에서, 또는상기 GaO출발물질의용융의완료후에, 산소농도가 5 내지 100 체적 % 의산소농도범위 (SC)에서성장산소농도값 (C2, C2', C2'')에도달하도록, 성장로에공급되는성장분위기는가변산소농도또는분압을갖으며, 이로써금속갈륨량의생성과금속도가니와의공융체형성을최소화하도록적응된다. 성장온도 (GT)에서용융물로부터의상기β-GaO단결정의결정성장단계동안에, 상기성장산소농도값 (C2, C2', C2'')는산소농도범위 (SC) 내에유지된다.
摘要翻译：提供了一种生长由包含在由绝热材料包围的金属坩埚中的熔体的热量加热的β-氧化镓（β-GaO）单晶的方法。其中，氧浓度在氧浓度（SC）5〜100体积％，GaO的熔解温度（MT），熔解温度（MT）以达到甚至C2，C2“ C2”），生长气氛供给至生长适于具有可变的是氧浓度或分压，从而最小化所述低共熔材料与金属镓和金属坩埚体积的产生而形成。在过程中β-高单晶的熔体robuteoui晶体生长步骤的生长温度（GT），氧浓度值（C2，C2“ C2' ”）的生长被保持在氧浓度范围（SC）。

4. 发明公开

KR1020160125373A 광전 장치, 광전 장치를 구비한 장치 및 선형의 평행 광빔 방출 수단 审中-实审
标题翻译：具有导光装置的导光装置装置和用于发射线性平行光束的装置
公开(公告)号：KR1020160125373A
公开(公告)日：2016-10-31
申请号：KR1020167022284
申请日：2015-02-24
申请人： 포슝스베르분드 베를린 에.베.
发明人： 에피쉬,베른
IPC分类号： G02B19/00 , G02B5/04 , G02B17/00 , G02B17/04 , G02B27/09
CPC分类号： G02B27/0972 , G02B5/045 , G02B17/002 , G02B17/045 , G02B19/0057 , G02B27/0922 , G02B27/0977 , G02B27/30
摘要： 본발명은광전장치(60)에관한것이다. 광전장치(60)는서로평행하고제1 방향(X)을따라배열된 k>1개의제1 편향장치(U11, U21, U31, Sp1, Sp3)와, 서로평행하고제1 방향에수직한제2 방향(Y)을따라배열된 k개의제2 편향장치(U12, U22, U32, Sp2, Sp4)를포함한다. 제3 방향(Z)은제1 및제2 방향(X, Y)에대해수직하다. 각제2 편향장치(U12, U22, U32, Sp2, Sp4)는제1 편향장치(U11, U21, U31, Sp1, Sp3) 중의하나에대해동일한제4 방향(P)으로배치된다. 제1 편향장치(U11, U21, U31, Sp1, Sp3)는제5 방향으로향하는광축을포함하고, 제2 편향장치(U12, U22, U32, Sp2, Sp4)는제4 방향의반대쪽으로향하는광축을포함한다. 제5 방향은제3 및제4 방향사이의각도의각 이등분선이다.
摘要翻译：导光装置（60）包括彼此平行并沿第一方向（X）布置的k≥1个第一偏转装置（U11，U21，U31，Sp1，Sp3）和k个第二偏转装置（U12， U22，U32，Sp2，Sp4），它们彼此平行并且沿着垂直于第一方向的第二方向（Y）布置。第三方向（Z）垂直于第一和第二方向（X，Y）。第二偏转装置（U12，U22，U32，Sp2，Sp4）中的每一个相对于第一偏转装置（U11，U21，U31，Sp1，Sp3）之一被布置在相同的第四方向（P）上。第一偏转装置（U11，U21，U31，Sp1，Sp3）包括沿第五方向指向的光轴，并且第二偏转装置（U12，U22，U32，Sp2，Sp4）包括与第五方向相反的光轴。第五方向是第三方向和第四方向之间的角度的平分线。

5. 发明授权

KR101642276B1 자외선 스펙트럼 영역에 대한 Ｐ-콘택트 및 발광 다이오드 有权
标题翻译： - 用于超紫外光谱范围的P-接触和发光二极管
公开(公告)号：KR101642276B1
公开(公告)日：2016-07-29
申请号：KR1020127001221
申请日：2010-07-16
申请人： 포슝스베르분드 베를린 에.베.
发明人： 나이슬,미카엘 , 웨이어스,마르쿠스 , 아인펠트,스븐 , 로드리귀츠,헤르난
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/46
CPC分类号： H01L33/387 , H01L33/46
摘要： 본발명은자외선스팩트럼영역을위한빛 방출다이오드에사용하기위하여제1 표면 (A)이방사구역에접하고, 제2 표면 (B)이상기제1 표면의반대쪽을향하는 p-콘택트층 (2)을포함하는 p-도핑된콘택트 (1) 로서, 상기 p-도핑된콘택트는 a) p-콘택트층의제2 표면 (B)의 5% 내지 99.99%와직접적으로닿는코팅 (8)을가지고, 200 nm 내지 400 nm 사이파장의자외선영역에서, 바람직하게는 270 nm 파장의빛에서적어도 60%의최대반사율을가지는금속을포함하거나이를가지며, b) p-콘택트층 (2)의제2 표면 (B)에직접배열되는것을특징으로하는복수의 p-인젝터 (5)를가지는것을특징으로하는 p-도핑된콘택트에관한것이다.

7. 发明授权

KR101831216B1 반도체 표면 금속 컨택 형성 방법 및 금속 컨택을 가진 장치 有权
公开(公告)号：KR101831216B1
公开(公告)日：2018-02-22
申请号：KR1020167015630
申请日：2014-12-17
申请人： 포슝스베르분드 베를린 에.베.
发明人： 인펠트,스벤 , 레다엘리,루카 , 크나이슬,미카엘
IPC分类号： H01L21/285 , H01L29/20 , H01L29/45 , H01L33/00 , H01L33/36 , H01S5/042 , H01S5/22 , H01S5/323
CPC分类号： H01L33/40 , H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L29/452 , H01L33/0075 , H01L33/32 , H01L33/36 , H01L33/38 , H01L33/58 , H01L2933/0016 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/32341
摘要： 본발명은반도체의표면에적어도하나의금속컨택을형성하는방법및 적어도하나의금속컨택을가진장치에관한것이다. 상기방법은반도체(10)의표면(11)에적어도하나의금속컨택(60)을형성하기위해사용되며, 반도체표면(11) 위에금속층(20)을도포하고, 금속층(20) 위에마스크(40, 50)를도포하고, 마스크(40, 50)를사용하여적어도금속층(20)을구조화하는단계들을포함하고, 금속의측면증착물(21)이구조화에의해마스크에생성되어마스크는증착물들(21) 및구조화이후의구조화된금속층(20') 사이에매립된다. 상기방법은전도성하드마스크에의해특징화된다. 마스크는전도성이있기때문에금속내에매립되어남을수 있다. 증착물들을제거할필요는없다. 증착물들과마스크는컨택의일부를형성한다.

8. 发明授权

KR101572945B1 광학 뱅크 및 광학 뱅크 제조방법 有权
标题翻译：光学银行和生产光银的方法
公开(公告)号：KR101572945B1
公开(公告)日：2015-11-30
申请号：KR1020117029713
申请日：2010-06-09
申请人： 포슝스베르분드 베를린 에.베.
发明人： 샴,알렉산더 , 마이왈드,마틴 , 피비그,크리스챤 , 파쉬케,케트린
IPC分类号： G02F1/35
CPC分类号： G02F1/3501 , G02F2001/3505 , G02F2001/3546 , G02F2203/60 , Y10T156/10
摘要： 본발명은광학부품(60, 70)을수용하기위한캐리어(10)와광원(50)으로부터결정체(30)로조사되는빛의주파수를변화시키기위해상기캐리어와기계적으로연결된결정체(30)를포함하는광학뱅크(1)에관한것이다. 두개의레일(12)이상기캐리어(10)에실질적으로평행으로배치되어있다. 상기결정체(30)와상기캐리어(10)는기계적으로레일(12)의표면에의해연결되어있고, 캐리어(10)로부터바깥쪽으로향해있다. 열전도소자(20)는상기결정체위에배열되어있고, 상기열전도소자는레일(12)의표면에놓여있으며, 캐리어(10)로부터바깥쪽으로향해있다.

9. 发明授权

KR101555385B1 플라즈마 발생기를 위한 전극 有权
标题翻译：用于等离子体发生器的电极
公开(公告)号：KR101555385B1
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：KR1020097022500
申请日：2008-03-25
申请人： 포슝스베르분드 베를린 에.베.
发明人： 게쉬,롤랜드 , 안드레이,안드레아,크리스티나 , 부흐홀츠,스티븐 , 쿠엔,실비오
IPC分类号： H05H1/24 , H05H1/46
CPC分类号： H05H1/46 , H05H2001/463 , H05H2240/10 , H05H2245/122 , H05H2277/11
摘要： 본발명은마이크로파(microwave)의여기(excitation)을통한대기압또는근-대기압에서의플라즈마발생을위한플라즈마발생기의전극(electrode)에대한것이다. 본발명은마이크로파의여기를통하여대기압또는근-대기압에서플라즈마를발생시키기위한플라즈마발생기를위한전극에있어서, 상기전극은길이방향으로연장되고마이크로파의개방회로전압의파장의 1/4과동일한길이또는개방회로전압의파장의 1/4의배수와동일한길이를갖는적어도하나의슬롯(2)을갖는박판금속스트립(1)을포함함으로써, 적어도두 개의부분전극들(3)이형성되고, 상기전압은폐쇄된슬롯의하나의단부또는단부들의영역에서부분전극들(3)로공급된다. 이와같은본 발명에의하면작은전력수준에서, 특히대기압에가까운압력범위에서도신뢰성있게점화하고, 충분히높은밀도의플라즈마를생성하여높은효율로지속적인가스흐름을활성화할수 있는플라즈마발생기를위한전극을제공할수 있다는이점이있다.

10. 发明授权

KR102225789B1 광전 장치, 광전 장치를 구비한 장치 및 선형의 평행 광빔 방출 수단 有权
公开(公告)号：KR102225789B1
公开(公告)日：2021-03-11
申请号：KR1020167022284
申请日：2015-02-24
申请人： 포슝스베르분드 베를린 에.베.
发明人： 에피쉬,베른
IPC分类号： G02B19/00 , G02B5/04 , G02B17/00 , G02B17/04 , G02B27/09
摘要： 본발명은광전장치(60)에관한것이다. 광전장치(60)는서로평행하고제1 방향(X)을따라배열된 k>1개의제1 편향장치(U11, U21, U31, Sp1, Sp3)와, 서로평행하고제1 방향에수직한제2 방향(Y)을따라배열된 k개의제2 편향장치(U12, U22, U32, Sp2, Sp4)를포함한다. 제3 방향(Z)은제1 및제2 방향(X, Y)에대해수직하다. 각제2 편향장치(U12, U22, U32, Sp2, Sp4)는제1 편향장치(U11, U21, U31, Sp1, Sp3) 중의하나에대해동일한제4 방향(P)으로배치된다. 제1 편향장치(U11, U21, U31, Sp1, Sp3)는제5 방향으로향하는광축을포함하고, 제2 편향장치(U12, U22, U32, Sp2, Sp4)는제4 방향의반대쪽으로향하는광축을포함한다. 제5 방향은제3 및제4 방향사이의각도의각 이등분선이다.

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