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热词
    • 2. 发明授权
    • 클램프가 장착된 로드포트모듈
    • KR101924185B1
    • 2018-11-30
    • KR1020180068707
    • 2018-06-15
    • 주식회사 싸이맥스
    • 강재호조수연양대운
    • H01L21/677H01L21/67
    • 본발명은로드포트모듈(LPM: Load Port Module)과풉(FOUP: Front Opening Unified Pod)간밀폐성을높일수 있는클램프가장착된로드포트모듈에관한것이다. 이러한본 발명은내부에웨이퍼가담기는풉을안착하여제1방향으로슬라이딩이동하는안착대와안착대와수직한방향으로설치되어, 지면에접하며풉의커버와중첩되는개구부를포함하는지지대및 지지대에제2방향으로슬라이딩이동하며풉의커버와연결되어커버를개폐하는개폐부를포함하는로드포트부및 지지대에설치되어, 풉의일측면이지지대에접촉하지않았을때, 상태를유지하다가풉의일측면이지지대에접하였을때 풉의외측면을지지대방향으로힘을가하는클램프부를포함한다. 이러한본 발명은로드포트모듈(LPM: Load Port Module)에안착된풉(FOUP: Front Opening Unified Pod)을로드포트모듈의도어부에강하게밀착시켜, 로드포트모듈과풉(FOUP) 사이미세한틈에서질소가스가새지않도록한다.
    • 3. 发明公开
    • 세척된 웨이퍼를 웨이퍼 처리장치로 이송시키는 웨이퍼 이송장치
    • KR1020180115018A
    • 2018-10-22
    • KR1020170047121
    • 2017-04-12
    • 주식회사 싸이맥스
    • 최형섭박철수김대희
    • H01L21/673H01L21/677H01L21/67H01L21/02
    • 본발명은세척된웨이퍼를웨이퍼처리장치로이송시키는웨이퍼이송장치에있어서, 웨이퍼를처리하는웨이퍼처리장치로웨이퍼를이송하는웨이퍼이송장치에있어서, 일측에하나이상의웨이퍼가적층되는웨이퍼카세트를인입하도록개폐되는제1도어, 타측에제1통로를개폐하는제2도어및 상기웨이퍼카세트를세척하는세척모듈을포함하는세척수단; 일측에상기세척수단과연결되는제1통로, 타측에이동수단과연결되는제2통로, 상기일측과타측을제외한면 중어느하나가웨이퍼를처리하는웨이퍼처리장치와연결되는제3통로, 상기제3통로를개폐하는제3도어및 내부의공기를흡기하는진공모듈을포함하는진공수단; 웨이퍼카세트가안착되고, 전진하면상기제1통로에위치하고, 후진하면제2통로에위치하는이동수단; 및상기제1도어, 상기제2도어, 상기제3도어, 세척모듈, 진공모듈및 상기이동수단을제어하는제어수단;을포함하는세척된웨이퍼를웨이퍼처리장치로이송시키는웨이퍼이송장치에관한것이다. 본발명에따르면, 웨이퍼가안착되어세척되는부분과진공환경을조성하여웨이퍼를웨이퍼처리장치의내부로이동시키는부분을일렬로구성하여하나의이동장치를통해웨이퍼카세트를이동시킴으로써, 공정소요시간을최소화하고그 크기를최소화하는세척된웨이퍼를웨이퍼처리장치로이송시키는웨이퍼이송장치를제공할수 있다.
    • 4. 发明授权
    • 솔레노이드 분리형 N2 퍼지 노즐
    • N2电磁阀N2喷淋嘴用于防漏
    • KR101703854B1
    • 2017-02-08
    • KR1020160021985
    • 2016-02-24
    • 주식회사 싸이맥스인지컨트롤스 주식회사
    • 정구용조수연양대운임종대김택승
    • H01L21/677H01L21/673H01L21/02H01L21/67
    • 본발명은반도체웨이퍼처리장치중 FOUP(Front Opening Unified Pod)에 N2를공급하는 LPM(Load Port Module)의 N2 퍼지노즐에있어서, 상기 LPM(Load Port Module)에고정되고, 상기노즐이관통삽입되도록관통홀이형성되며, 하단일측에상기노즐의하측이절곡되어절곡된부위가외부로노출되고노출된부위가상하측으로이동가능하도록형성된가이드홀이형성되고, 상기관통홀상측에는제1 걸림턱과제2 걸림턱이형성된하우징; 상기노즐상단에결합되는노즐패드; 상기노즐패드상측에결합되고, 상하측이관통된횡격막이형성되어, N2 퍼지시압력에의해상기횡격막이팽창하면서리크를방지하고, 상기횡격막하측에돌기가형성되어상기횡격막이처지는것을지지하는고무패드; 상기노즐일측에결합되되, 상기제1 걸림턱하단에위치하는걸림판; 상기걸림판하단과상기제2 걸림턱사이에구비되는스프링; 및상기하우징하단에결합되고, 내측에상하측으로이동가능한이동부재가구비되며, 상기이동부재에하측이결합되고상측은외부로돌출되어상기노즐의절곡된부위와결합되고, 전원이인가되면상기이동부재를하측으로이동시키는솔레노이드;를포함하는솔레노이드분리형 N2 퍼지노즐에관한것이다. 본발명에따르면, 반도체웨이퍼처리장치중 FOUP(Front Opening Unified Pod)에 N2를공급하는 LPM(Load Port Module)의 N2 퍼지노즐에있어서, N2 퍼지노즐을일체로작동될수 있도록솔레노이드를결합시킴으로써, FOUP(Front Opening Unified Pod)가 LPM(Load Port Module)에안착시, LPM(Load Port Module)의노즐을솔레노이드를통해하측방향으로이동시켰다가 FOUP(Front Opening Unified Pod)이 LPM(Load Port Module)에안착되면, 스프링의탄성을통해노즐을다시상측방향으로이동시켜노즐이 FOUP(Front Opening Unified Pod)의 N2 inlet hole에기밀하게밀착되어리크를방지할수 있는솔레노이드분리형 N2 퍼지노즐을제공할수 있다.
    • 6. 发明授权
    • 웨이퍼 전달 및 열처리가 동시에 수행되는 로드락 챔버
    • 负载锁定室同时执行晶片传输和热处理
    • KR101111399B1
    • 2012-02-24
    • KR1020090010175
    • 2009-02-09
    • 주식회사 싸이맥스
    • 최형섭박세운
    • H01L21/677H01L21/324
    • 본 발명은 웨이퍼를 전달하는 과정 및 웨이퍼를 열처리시키는 과정이 하나의 모듈에서 수행되는 로드락 챔버에 관한 것으로, 웨이퍼 전달부에서 웨이퍼를 전달받아 프로세스 챔버로 전달시키고, 프로세싱된 웨이퍼를 전달받는 로드락 챔버에 있어서, 위치가 고정된 제1상부 웨이퍼 지지 패드 및 제1상부 웨이퍼 지지 패드와 제1웨이퍼 열처리부 사이에 구비되어 상하 왕복이동되는 제2상부 웨이퍼 지지 패드를 포함하는 상부모듈 및 위치가 고정된 제1하부 웨이퍼 지지 패드 및 제1하부 웨이퍼 지지 패드와 제2웨이퍼 열처리부 사이에 구비되어 상하 왕복이동되는 제2하부 웨이퍼 지지 패드를 포함하는 하부모듈을 포함한다.
      본 발명에 따르면, 로드락 챔버 내에서 웨이퍼 지지 패드를 제1상부 웨이퍼 지지 패드, 제2상부 웨이퍼 지지 패드, 제1하부 웨이퍼 지지 패드 및 제2하부 웨이퍼 지지 패드로 구비하고, 제1상부 웨이퍼 지지 패드와 제1하부 웨이퍼 지지 패드는 고정된 상태에서 프로세싱되기 위한 웨이퍼가 안착되며, 제2상부 웨이퍼 지지 패드와 제2하부 웨이퍼 지지 패드는 프로세싱 후 안착되는 웨이퍼를 열처리부로 이동시켜 웨이퍼가 냉각되도록 하는 웨이퍼 전달 및 열처리가 동시에 수행되는 로드락 챔버를 제공할 수 있다.
    • 7. 发明公开
    • 냉각장치가 구비된 웨이퍼 챔버
    • 带冷却系统的卧室
    • KR1020080030786A
    • 2008-04-07
    • KR1020060097105
    • 2006-10-02
    • 주식회사 싸이맥스
    • 정승배최형섭박세운
    • H01L21/02H01L21/68
    • A wafer chamber having a cooling system is provided to prevent a wafer position from being varied due to rapid cooling, by installing a cooing shelf within a wafer chamber to cool a wafer by cooling water, and to simultaneously or individually transfer wafers to the next process by forming upper and lower wafer tables and lifting and lowering each wafer table through upper and lower lifts. A wafer chamber having a cooling system comprises a chamber(10), an upper lift(20), a lower lift(30), an upper wafer table(41), a lower wafer table(42), the first cooling shelf(51), the second cooling shelf(52), and a cooling water line(60). The chamber has hollow internal space. The upper lift is connected to a lower side of the chamber, having the first lifting shaft(21) moving into the chamber. The lower lift is connected to the lower side of the chamber, having the second lifting shaft(31) moving into the chamber. The upper wafer table, whose lower side is tightly fixed to the first lifting shaft of the upper lift, is lifted by the first lifting shaft. The lower wafer table, whose lower side is tightly fixed to the second lifting shaft of the lower lift, is lifted by the second lifting shaft. The first cooling shaft is placed on a lower side of the upper wafer table. The second cooling shaft is placed on a lower side of the lower wafer table. The cooling water line, having a cooling water inlet(61) and a cooling water outlet(62) on a bottom of the chamber, is arranged along the inside of the first and second cooling shelves, to circulate cooling water through the inside of the first and second cooling shelves.
    • 提供具有冷却系统的晶片室,以通过在晶片室内安装冷却架以通过冷却水来冷却晶片,并且将晶片同时或单独地转​​移到下一个工艺过程中,通过快速冷却来防止晶片位置变化 通过形成上下晶片台,并通过上下电梯提升和降低每个晶片台。 具有冷却系统的晶片室包括室(10),上升降机(20),下升降机(30),上晶片台(41),下晶片台(42),第一冷却架 ),第二冷却架(52)和冷却水管路(60)。 该室具有中空的内部空间。 上升降机连接到腔室的下侧,具有第一提升轴(21)移动到腔室中。 下部升降机连接到室的下侧,其中第二提升轴(31)移动到室中。 其下侧紧紧地固定在上部升降机的第一提升轴上的上部晶片台被第一提升轴提升。 其下侧紧紧地固定到下部升降机的第二提升轴的下部晶片台被第二提升轴提升。 第一冷却轴被放置在上晶片台的下侧。 第二冷却轴被放置在下晶片台的下侧。 沿着室的底部具有冷却水入口(61)和冷却水出口(62)的冷却水管线沿着第一和第二冷却架的内部布置,以使冷却水循环通过内部 第一和第二冷却架。
    • 10. 发明授权
    • 반도체제조용 챔버의 히팅블록
    • 반도체제조챔버의히팅블록
    • KR100690300B1
    • 2007-03-12
    • KR1020060032112
    • 2006-04-08
    • 주식회사 싸이맥스
    • 정승배최형섭
    • H01L21/324
    • A heating block of a chamber for fabricating a semiconductor is provided to minimize damages to a heating surface of a heater block by generally increasing the temperature of a real heating surface of the heater block to a uniform temperature under various surroundings in a chamber. A lower plate supports a heater. An upper plate(303) covers the upper part of the heater to stack and dispose the heater, separated from the lower plate by a predetermined distance. A plurality of thermal units are penetrated in the upper plate so that the hot air easily rises from the underlying heater. A thermal conduction plate is stacked on the thermal unit. The upper part of the thermal conduction plate has a section of a mountain type.
    • 提供用于制造半导体的腔室的加热块,以通过在腔室中的各种环境下将加热器块的实际加热表面的温度普遍提高至均匀的温度来最小化对加热器块的加热表面的损害。 下板支撑加热器。 上板(303)覆盖加热器的上部以堆叠并布置加热器,与下板隔开预定距离。 多个热量单元穿透上板,使得热空气容易从下面的加热器上升。 导热板堆叠在热量单元上。 导热板的上部具有山形部分。