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81. 发明授权

KR1019960002283B1 화학기상증착장치 失效
标题翻译：化学蒸气沉积装置
公开(公告)号：KR1019960002283B1
公开(公告)日：1996-02-14
申请号：KR1019930004042
申请日：1993-03-17
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 유영섭 , 김석식
IPC分类号： H01L21/223
摘要： a double structure of reaction tube having an external quartz tube and a first internal quartz tube; a convey portion on which a wafer is mounted, loaded and unloaded into the reaction tube; a gas discharging hole formed on a door plate of the reaction tube; a heating portion formed on the outer edge of the external quartz tube; and a second internal quartz tube formed with the first internal quartz tube and having a tube width and length shorter than those of the first internal quartz tube, the second internal quartz tube having a front portion thereof which is opened and a gas charging hole formed through the door plate on a back portion thereof, said gas charging hole formed in the same direction as the gas discharging hole.
摘要翻译：具有外部石英管和第一内部石英管的反应管的双重结构; 输送部，其上安装有晶片，装载和卸载到反应管中; 形成在所述反应管的门板上的气体排出孔; 形成在所述外部石英管的外缘上的加热部; 和形成有第一内部石英管的第二内部石英管，其管宽度和长度短于第一内部石英管的管宽度和长度，第二内部石英管的前部开口，气体填充孔形成为通过在其后部的门板，所述气体充填孔形成为与气体排出孔相同的方向。

82. 发明公开

KR1020150082853A 수직로 审中-实审
标题翻译：垂直炉
公开(公告)号：KR1020150082853A
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：KR1020140002320
申请日：2014-01-08
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 양상렬 , 유영섭 , 허진화
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/22
CPC分类号： C23C16/4412
摘要： 수직로는챔버, 분사유닛및 배기유닛을포함한다. 챔버는기판들을수용하는처리공간, 상기처리공간과연통된제 1 배기통로, 및상기처리공간과연통되고상기제 1 배기통로와격리된제 2 배기통로를갖는다. 분사유닛은상기챔버의처리공간으로반응가스를분사한다. 배기유닛은상기제 1 배기통로와상기제 2 배기통로로배기압력을제공한다. 따라서, 처리공간으로균일한배기압력이제공되어, 반응가스가기판들로균일하게적용될수 있다. 결과적으로, 기판들상에형성된막들의두께균일도가향상될수 있다.
摘要翻译：本发明涉及一种立式炉，其包括腔室，喷射单元和排气单元。所述室包括用于存储基板的处理空间，连接到所述处理空间的第一排气路径和与所述第一排气路径隔离并连接到所述处理空间的第二排气路径。注入单元将响应气体注入到腔室的处理空间。排气单元为第一和第二排气路径提供排气压力。因此，垂直炉同样地通过向处理空间提供排气来将响应气体施加到基板。结果，提高了在基板上形成的膜的厚度等同性。

83. 发明公开

KR1020130063875A 반도체 소자 审中-实审
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR1020130063875A
公开(公告)日：2013-06-17
申请号：KR1020110130478
申请日：2011-12-07
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 구봉진 , 양상렬 , 정순욱 , 유영섭 , 정병홍 , 최한메 , 임종성
IPC分类号： H01L27/108 , H01L21/8242
CPC分类号： H01L23/49827 , H01L27/10814 , H01L27/10852 , H01L27/10876 , H01L27/10891 , H01L28/91 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： PURPOSE: A semiconductor device is provided to reduce leakage current due to a support part by forming an amorphous metal oxide. CONSTITUTION: Electrode structures(180) are repetitively arranged on a substrate(100) in an X direction and a Y direction. A first support part(160) and a second support part(170) are positioned between the electrode structures. A first and a second support part include the first support layer(162,172), a second support layer(164,174), and a third support layer(166,176). The first support layer and the third support layer include an amorphous metal oxide. The thickness(T12) of the second support layer is the same as or larger than thicknesses(T11,T13) of the first support layer and the third support layer.
摘要翻译：目的：提供半导体器件，以通过形成非晶金属氧化物来减少由于支撑部分引起的漏电流。构成：电极结构（180）在X方向和Y方向上重复地布置在基板（100）上。第一支撑部分（160）和第二支撑部分（170）位于电极结构之间。第一和第二支撑部分包括第一支撑层（162,172），第二支撑层（164,174）和第三支撑层（166,176）。第一支撑层和第三支撑层包括无定形金属氧化物。第二支撑层的厚度（T12）与第一支撑层和第三支撑层的厚度（T11，T13）相同或更大。

84. 发明公开

KR1020120118364A 커패시터 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치 제조 방법 有权
标题翻译：形成电容器的方法和使用其制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020120118364A
公开(公告)日：2012-10-26
申请号：KR1020110035878
申请日：2011-04-18
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 구봉진 , 이종철 , 탁용석 , 유영섭 , 조규호 , 임종성
IPC分类号： H01L27/108 , H01L49/02
CPC分类号： H01L28/86 , H01L27/10817 , H01L28/90 , H01L27/10852 , H01L27/10855 , H01L28/75
摘要： PURPOSE: A method for forming a capacitor and a method for manufacturing a semiconductor device using the same are provided to increase electric capacity by increasing the aspect ratio of the capacitor. CONSTITUTION: An inter-layer insulating film(110) is formed on a substrate(100). A plug(120) passing through the inter-layer insulating film is formed on the substrate. An anti-etching film(130) and a mold film(140) are formed on the inter-layer insulating film and the plug. An aperture is formed by removing a part of the mold film and the anti-etching film. A lower electrode(160) is formed on the side wall of a barrier film pattern(150) and the bottom of the aperture.
摘要翻译：目的：提供一种用于形成电容器的方法和使用其的半导体器件的制造方法，以通过增加电容器的纵横比来增加电容。构成：在基板（100）上形成层间绝缘膜（110）。在基板上形成穿过层间绝缘膜的插头（120）。在层间绝缘膜和插塞上形成防蚀膜（130）和模膜（140）。通过去除模具膜和抗蚀刻膜的一部分来形成孔。在阻挡膜图案（150）的侧壁和孔的底部上形成下电极（160）。

85. 发明授权

KR100852233B1 수직형 다이오드의 형성 방법 및 이를 이용하는 상변화메모리 장치의 제조 방법 有权
标题翻译：旋转垂直二极管的方法和使用该方法制造相变存储器件的方法
公开(公告)号：KR100852233B1
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：KR1020070017451
申请日：2007-02-21
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박상진 , 이공수 , 형용우 , 유영섭 , 한재종
IPC分类号： H01L29/861 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L45/143 , H01L21/0237 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/02667 , H01L21/02672 , H01L27/1021 , H01L27/2409 , H01L29/66136 , H01L29/66204 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1675
摘要： A method for forming a vertical diode and a method for manufacturing a phase-change memory device using the same are provided to reduce a thermal budget by crystallizing an amorphous silicon layer and forming a polysilicon layer at low temperature. An insulating structure having an opening is formed on a substrate(105). An amorphous silicon layer is formed on the substrate to bury the opening. A metal silicide layer(140) is formed on the amorphous silicon layer. The amorphous silicon layer is crystallized by using metal atoms of the metal silicide layer, to form a polysilicon layer within the opening. A doped polysilicon layer(150) is formed by implanting impurity ions into the polysilicon layer. The metal silicide layer is formed by using one element selected from a group including nickel, palladium, titanium, and copper.
摘要翻译：提供一种用于形成垂直二极管的方法和使用其的相变存储器件的制造方法，以通过使非晶硅层结晶并在低温下形成多晶硅层来降低热量预算。在衬底（105）上形成具有开口的绝缘结构。在基板上形成非晶硅层以埋置开口。在非晶硅层上形成金属硅化物层（140）。通过使用金属硅化物层的金属原子使非晶硅层结晶，以在开口内形成多晶硅层。通过将杂质离子注入到多晶硅层中形成掺杂多晶硅层（150）。金属硅化物层通过使用选自镍，钯，钛和铜中的一种元素形成。

86. 发明公开

KR1020070090293A 산화막 형성 방법 无效
标题翻译：形成氧化层的方法
公开(公告)号：KR1020070090293A
公开(公告)日：2007-09-06
申请号：KR1020060019808
申请日：2006-03-02
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 유영섭 , 지정근 , 형용우 , 유대한 , 김효정
IPC分类号： H01L21/316
CPC分类号： H01L21/02554 , H01L21/02323 , H01L21/3003
摘要： A method for forming an oxide layer is provided to form an oxide layer having an excellent characteristic at a relatively low temperature by supplying oxygen gas and heavy hydrogen gas of a radical state to the surface of a silicon substrate. Oxygen gas and heavy hydrogen gas are formed as an oxygen radical and a heavy hydrogen radical(S110). The oxygen radical and the heavy hydrogen radical are supplied to the surface of a silicon substrate in a manner that the heavy hydrogen radical has a ratio of 1~55 percent in the oxygen radical and the heavy hydrogen radical(S120). The oxygen radical reacts with the heavy hydrogen radial to deposit an oxide layer on the silicon substrate(S130). The oxygen radical and the heavy hydrogen radical can be formed by applying RF to the oxygen gas and heavy hydrogen gas.
摘要翻译：提供形成氧化物层的方法，通过向硅衬底的表面供给氧气和自由基状态的重氢气，形成在相对低的温度下具有优异特性的氧化物层。氧气和重氢气形成为氧自由基和重氢基（S110）。将氧自由基和重氢自由基以重氢相对于氧自由基和重氢自由基的比例为1〜55％的方式供给到硅基材的表面（S120）。氧自由基与重氢放射反应以在硅衬底上沉积氧化物层（S130）。可以通过向氧气和重氢气施加RF来形成氧自由基和重氢基团。

87. 发明公开

KR1020060114499A 이미지 센서와 그 제조 방법 失效
标题翻译：图像传感器及其制造方法
公开(公告)号：KR1020060114499A
公开(公告)日：2006-11-07
申请号：KR1020050036632
申请日：2005-05-02
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 유영섭 , 오정환 , 형용우 , 임헌형
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14645 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L27/14689
摘要： An image sensor and its manufacturing method are provided to reduce random noise by using a gate conductive layer comprised of an oxide without containing nitrogen. A photo diode(22) is formed under a surface of a substrate(20). A gate structure(29) is formed on a side of a substrate where the photo diode is formed. The gate structure has a gate dielectric(24) comprised of oxide without containing nitrogen and a gate conductive layer(26) formed on the gate dielectric. The photo diode includes a first photo diode(22a) where a first impurity is doped and a second photo diode(22b) where a second impurity is doped on a lower part from the substrate. The first photo diode is formed on a lower part from the substrate and the second photo diode is formed on a lower part from the first photo diode.
摘要翻译：提供一种图像传感器及其制造方法，通过使用由不含氮的氧化物构成的栅极导电层来降低随机噪声。在基板（20）的表面下形成光电二极管（22）。栅极结构（29）形成在形成有光电二极管的基板的一侧。栅极结构具有由不含氮的氧化物构成的栅极电介质（24）和形成在栅极电介质上的栅极导电层（26）。光电二极管包括其中第一杂质被掺杂的第一光电二极管（22a）和第二光电二极管（22b），其中第二杂质从衬底的下部掺杂。第一光电二极管形成在从衬底的下部，并且第二光电二极管形成在从第一光电二极管的下部。

88. 发明公开

KR1020060109376A 트렌치 소자 분리 방법 无效
标题翻译：在TRENCH中形成设备隔离的方法
公开(公告)号：KR1020060109376A
公开(公告)日：2006-10-20
申请号：KR1020050031609
申请日：2005-04-15
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박상진 , 이공수 , 유영섭 , 오정환 , 유대한 , 김효정 , 이창훈
IPC分类号： H01L21/76
CPC分类号： H01L21/76224 , H01L21/02247
摘要： A trench isolation method is provided to prevent the generation of leakage current and to improve the reliability of device by restraining a sidewall oxide layer from being additionally oxidized under the following oxidation process using a buffer nitride layer. A trench(112) is formed on a substrate(100). A sidewall oxide layer(114) is formed at an inner surface of the trench. A buffer nitride layer(116) is formed on the sidewall oxide layer by performing plasma nitridation on the resultant structure. An isolation layer for filling the trench is then formed on the resultant structure. The plasma nitridation is performed under N2, NO or N2O gas conditions.
摘要翻译：提供沟槽隔离方法以防止产生漏电流并且通过使用缓冲氮化物层在下面的氧化工艺中抑制侧壁氧化物层被额外地氧化来提高器件的可靠性。在基板（100）上形成沟槽（112）。在沟槽的内表面上形成侧壁氧化物层（114）。通过在所得结构上进行等离子体氮化，在侧壁氧化物层上形成缓冲氮化物层（116）。然后在所得结构上形成用于填充沟槽的隔离层。等离子体氮化在N 2，NO或N 2 O气体条件下进行。

89. 发明授权

KR100597646B1 플래쉬 메모리의 플로팅 게이트 제조 방법 有权
标题翻译：闪存中浮动栅极的制造方法
公开(公告)号：KR100597646B1
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：KR1020040078199
申请日：2004-10-01
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 장원준 , 김정환 , 이재동 , 유영섭 , 이상훈 , 임헌형
IPC分类号： H01L27/115
CPC分类号： H01L27/11521 , H01L27/115
摘要： 플로팅 게이트 내부의 균열 발생에 의한 후속 공정의 불량을 방지하기 위한 플로팅 게이트 제조 방법을 개시한다. 본 발명에 의한 플래쉬 메모리의 메모리 셀을 구성하는 플로팅 게이트 제조 방법은 STI 소자 분리막들 간에 형성된 터널 산화막의 상부, 상기 STI 소자 분리막들의 일부 측부 및 일부 상부 상에 플로팅 게이트의 일부를 형성할 제1 폴리실리콘 층을 형성하는 단계, 상기 형성된 제1 폴리실리콘층의 표면을 일정깊이로 산화되도록 하여 산화막을 상기 제1 폴리실리콘층의 상부 일정부분에 형성하는 단계 및 상기 산화막을 모두 식각하고 나서, 상기 제1 폴리실리콘층과 함께 상기 플로팅 게이트를 구성할 제2 폴리실리콘층을 형성하는 단계를 적어도 포함하는 것을 특징으로 한다. 따라서 플로팅 게이트로 사용되는 폴리실리콘층 내부의 균열을 없애어 후속공정에 의한 ONO 층간유전층의 신뢰성을 높이는 반도체 장치를 제조방법을 제공할 수 있다.
플래쉬 메모리, 플로팅 게이트, 폴리실리콘, STI

90. 发明授权

KR100596484B1 유전막 형성 방법 및 이를 이용한 불휘발성 메모리 장치의제조방법 失效
标题翻译：形成绝缘体层的方法和使用其制造非易失性存储器件的方法
公开(公告)号：KR100596484B1
公开(公告)日：2006-07-03
申请号：KR1020040038901
申请日：2004-05-31
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 유영섭 , 이웅 , 임헌형 , 이현덕 , 나기수 , 형용우 , 이재동
IPC分类号： H01L27/115
CPC分类号： H01L21/02323 , H01L21/022 , H01L21/02271 , H01L21/3144 , H01L21/3145 , H01L21/31662 , H01L27/115 , H01L27/11521
摘要： 유전막의 두께를 감소시킬 수 있는 유전막 형성 방법 및 이를 이용한 불휘발성 메모리 장치의 제조방법에서, 상기 유전막은 기판 상에 하부 산화막을 형성한 후 상기 하부 산화막 상에 질화막을 형성한다. 이후 상기 질화막 상에 예비 산화막을 형성한 후 상기 예비 산화막을 라디칼 산화(Radical Oxidation)시켜 내구성이 우수한 상부 산화막을 형성함으로서 형성된다. 상술한 유전막은 커패시턴스가 현저하게 향상되고, 상기 유전막을 포함하는 불휘발성 메모리 셀은 커플링 계수감소를 방지할 수 있다.

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