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1. 发明公开

KR1019970072299A 반도체 장치의 소자 분리 방법 无效
公开(公告)号：KR1019970072299A
公开(公告)日：1997-11-07
申请号：KR1019960012500
申请日：1996-04-24
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 강만석 , 김석식
IPC分类号： H01L21/76
摘要： 본 발명은 반도체 장치의 소자 분리 방법에 관한 것으로, 본 발명에 의한 소자 분리 방법은 반도체 기판상에 패드 산화막을 형성하고, 상기 패드 산화막상에 CVD에 의해 산화 억제막을 형성하고, 상기 산화 억제막 위에 CVD에 의해 폴리실리콘층을 중착하고, 상기 폴리실리콘층 위에 CVD에 의해 질화막을 형성하고, 사진 식각 공정 및 에칭 공정을 통해 상기 질화막을 패터닝하여 활성 영역을 정의하는 질화막 패턴을 형성하고, 상기 질화막 패턴을 산화 방지 마스크로 사용한 산화 공정을 실시하여 소자 분리층을 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명에 의하면, PBL 공정에서 필드 산화막과 폴리실리콘 사이에 개재된 산화 억제막에 의해 폴리실리콘층이 산화되는 현상이 줄어들게 되어 전체적으로 버즈비크가 감소하게 된다.

2. 发明授权

KR100100876B1 화학기상증착장치 失效
公开(公告)号：KR100100876B1
公开(公告)日：1996-06-20
申请号：KR1019930004042
申请日：1993-03-17
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 유영섭 , 김석식
IPC分类号： H01L21/223

3. 发明公开

KR1019930018724A 반도체 메모리장치의 제조방법 失效
公开(公告)号：KR1019930018724A
公开(公告)日：1993-09-22
申请号：KR1019920002811
申请日：1992-02-24
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김석식
IPC分类号： H01L27/10
摘要： 본 발명은 반도체 메모리장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 스토리지전극, 유전체막 및 플레이트전극으로 이루어지는 캐패시터를 구비하는 반도체 메모리장치에 있어서, 상기 스토리지전극의 상부 및 하부표면이 모두 울통불통한 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.
따라서 본 발명에 따른 반도체 메모장치는 스토리지전극의 유효면적의 증가로 셀 캐패시턴스가 향상되어 고집적화가 가능함과 동시에 높은 신뢰도를 유지할 수 있다.

4. 发明授权

KR100468705B1 집적 회로 장치의 상이한 두께를 가지는 게이트 산화막 구조 형성 방법 失效
公开(公告)号：KR100468705B1
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：KR1019980005020
申请日：1998-02-18
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박흥수 , 홍영기 , 권영민 , 김석식
IPC分类号： H01L21/31
摘要： 집적 회로 장치의 상이한 두께를 가지는 게이트 산화막 구조 형성 방법을 개시한다. 본 발명은 기판 상에 제1게이트 산화막을 형성한다. 이후에, 제1게이트 산화막 상에 질화 실리콘막 패턴을 형성한다. 다음에, 질화 실리콘막 패턴을 마스크로 노출되는 제1게이트 산화막을 패터닝하여 기판을 노출시키는 제1게이트 산화막 패턴을 형성한다. 이후에, 인산을 포함하는 식각 용액을 이용하는 습식 식각 방법 등으로 질화 실리콘막 패턴을 제거한다. 다음에, 노출되는 기판 상에 제2게이트 산화막을 형성한다. 여기서, 제2게이트 산화막의 두께가 제1게이트 산화막 패턴의 두께 보다 작게 제2게이트 산화막을 형성한다.

5. 发明公开

KR1020010086510A 반도체 장치의 커페시터 형성 방법 无效
标题翻译：形成半导体器件电容器的方法
公开(公告)号：KR1020010086510A
公开(公告)日：2001-09-13
申请号：KR1020000010434
申请日：2000-03-02
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 나기수 , 신승목 , 신현보 , 김석식
IPC分类号： H01L27/108
摘要： PURPOSE: A method for forming a capacitor of a semiconductor device is provided to prevent a selective loss and the bridge appearance between storage nodes by forming an HSG(Hemi-Sphere Grain) selectively on the storage nodes or a sidewall of the nodes. CONSTITUTION: An etching preventive film(160) is deposited on a semiconductor substrate(100). A sacrificial insulating film is formed on the etching preventive film(160). The etching preventive film(160) and the sacrificial insulating film are patterned to expose a predetermined portion of the semiconductor substrate(100), so that a storage node hole is formed. A cylinder type of storage node hole(240a) is formed to cover the sidewall and the bottom of the storage node hole. The patterned sacrificial insulating film is removed to expose the outside wall of the cylinder type of storage node hole(240a). An HSG silicon layer is formed on the surface of the cylinder type of storage node hole(240a). After the depositing of the etching preventive film(160) or the removing of the patterned sacrificial insulating film, impurities are ion-injected on the etching preventive film(160).
摘要翻译：目的：提供一种用于形成半导体器件的电容器的方法，以通过在存储节点或节点的侧壁上选择性地形成HSG（半球形晶粒）来防止存储节点之间的选择性损耗和桥接外观。构成：在半导体衬底（100）上沉积防蚀膜（160）。在防蚀膜（160）上形成牺牲绝缘膜。图案化防蚀膜（160）和牺牲绝缘膜以暴露半导体衬底（100）的预定部分，从而形成存储节点孔。形成圆筒型的存储节点孔（240a）以覆盖存储节点孔的侧壁和底部。图案化的牺牲绝缘膜被去除以暴露圆筒型存储节点孔（240a）的外壁。在圆筒型存储节点孔（240a）的表面上形成HSG硅层。在防蚀膜（160）的沉积或图案化牺牲绝缘膜的去除之后，在防蚀膜（160）上离子注入杂质。

6. 发明公开

KR1019970077499A 세폭스 소자 분리 방법 无效
标题翻译：如何分离设备
公开(公告)号：KR1019970077499A
公开(公告)日：1997-12-12
申请号：KR1019960018239
申请日：1996-05-28
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 방석철 , 김석식
IPC分类号： H01L21/76
摘要： 본 발명에 의한 세폭스(SEPOX; Selective Polysilicon OXide) 소자 분리 방법에 의하면, 다결정 실리콘막상에 플라즈마 질화 처리 공정을 실시하고 활성 영역 패턴 형성후 추가로 플라즈마 질화 처리 공정을 실시함으로써 제2버즈빅(Second Bird's Beak) 및 결함(Defect)이 발생하지 않아 복잡한 공정의 추가 없이 신뢰성있게 충분한 활성 영역을 형성할 수 있다는 장점이 있다.

7. 发明公开

KR1019960043024A 고온산화막 제조방법 失效
公开(公告)号：KR1019960043024A
公开(公告)日：1996-12-21
申请号：KR1019950014344
申请日：1995-05-31
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이동근 , 김석식
IPC分类号： H01L21/316
摘要： 고온산화막 제조방법에 관해 개시되어 있다. 금속실리사이드층 상에 저압화학기상증착법에 의해 고온산화막을 형성하는 방법에 있어서, 상기 고온산화막은 소오스 가스인 N
2 O : SiH
4 의 혼합비율을 55 : 1~70 :1로 하여 형성한다. 따라서, 고온산화막 표면에 요철이 생기는 것을 억제할 수 있다.

8. 发明公开

KR1019940022686A 화학기상증착장치 失效
公开(公告)号：KR1019940022686A
公开(公告)日：1994-10-21
申请号：KR1019930004042
申请日：1993-03-17
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 유영섭 , 김석식
IPC分类号： H01L21/223
摘要： 이 발명은 반응관내의 가스 정체시간을 증가시켜 파티클(Particle)의 재결합을 방지할 수 있는 화학기상 증착장치에 관한 것이다.
이 발명은, 반응관 안에 이 반응관보다 관폭 및 길이가 다소 짧은 내부 석영관을 구비한다. 상기 내부 석영관은 그의 몸체의 앞쪽이 열려 있고, 뒤쪽에는 가스 주입구가 형성되어 있다. 반응관과 내부 석영관의 벽면으로 배기통로를 형성한다.
또한 이 발명은 반응관 안에 반응관의 몸체와 동일한 직경을 갖고 판면의 일부가 개구되어 석영관의 넥크앞쪽에 고정 설치되어 가스반응 시간지연 및 역류를 방지하는 다수개의 배플을 구비한다.
이 발명은 가스 반응 거리를 증가시켜 미반응 생성물을 최소화하여 파티클의 발생원을제거하고, 또한 반응지역으로 미반응 생성물의 역류를 방지한다. 이 발명은 초순도 박막 증착에 이용될 수 있다.

9. 发明授权

KR100388682B1 반도체 메모리 장치의 스토리지 전극층 및 그 형성방법 有权
标题翻译： 반도체메모리장치의스토리지전극층및그형성방반
公开(公告)号：KR100388682B1
公开(公告)日：2003-06-25
申请号：KR1020010010972
申请日：2001-03-03
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 유영섭 , 김석식 , 황기현 , 임한진 , 최성제
IPC分类号： H01L27/108
CPC分类号： H01L28/91 , H01L27/10814 , H01L27/10855
摘要： A storage electrode has a truncated-conical "pipe-shaped" top section having a small inner diameter, mounted on a cylindrical base section having a large inner diameter. To fabricate the storage electrode, a buried contact plug is formed on a first insulating layer on a wafer, and an etching stop layer and a second insulating layer are formed on the first insulating layer. A third insulating layer is formed on the second insulating layer after implanting impurities into the second insulating layer. An opening is formed by anisotropically etching the third insulating layer and the second insulating layer using a photoresist pattern as an etching mask. A cleaning process is carried out such that the second insulating layer exposed through the opening is isotropically etched. After depositing polysilicon along a profile of the second and third insulating layers to a uniform thickness, the remaining third and second insulating layers are removed.
摘要翻译：存储电极具有截头圆锥形的“管状” 顶部具有小内径，安装在具有大内径的圆柱形基部上。为了制造存储电极，在晶片上的第一绝缘层上形成掩埋接触塞，并且在第一绝缘层上形成蚀刻停止层和第二绝缘层。在将杂质注入第二绝缘层之后，在第二绝缘层上形成第三绝缘层。通过使用光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模各向异性地蚀刻第三绝缘层和第二绝缘层来形成开口。执行清洁工艺，使得通过开口暴露的第二绝缘层被各向同性地蚀刻。在沿着第二和第三绝缘层的轮廓沉积多晶硅至均匀厚度之后，去除剩余的第三和第二绝缘层。

10. 发明公开

KR1020020041582A 반도체 장치의 층간절연막 형성 방법 및 이를 이용한반도체 장치의 제조 방법 无效
标题翻译：用于形成半导体器件的中间层介质的方法和使用其制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020020041582A
公开(公告)日：2002-06-03
申请号：KR1020000071240
申请日：2000-11-28
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 유영섭 , 신현보 , 김영관 , 김석식 , 김지수
IPC分类号： H01L21/316
摘要： PURPOSE: A formation method of an interlayer dielectric is provided to form the interlayer dielectric without defects by annealing an insulating layer under a high gas pressure using an aluminum oxide as a protection layer. CONSTITUTION: An aluminum oxide made of Al2O3 is deposited on a substrate(100) using an ALD(Atomic Layer Deposition) and a crystallization thermal treatment is performed on the aluminum oxide to form a protection layer(135a). Then, an insulating layer(140) made of a BPSG(Boron Phosphorus Silicate Glass), a SOG(Spin On Glass), an USG(Undoped Silicate Glass), a FOX(Flowable Oxide), a silicon oxide, a TEOS(Tetra Ethyl Ortho Silicate), or a SiH4 is formed on the protection layer(135a). Due to the protection layer(135a), the insulating layer(140) is annealed under a high gas pressure in the range of 1.5 atm to 50 atm, thereby removing defects such as a void and a seam.
摘要翻译：目的：提供层间电介质的形成方法，通过使用氧化铝作为保护层，在高气体压力下退火绝缘层，形成层间电介质，而没有缺陷。构成：使用ALD（原子层沉积）将由Al 2 O 3制成的氧化铝沉积在基板（100）上，并且对氧化铝进行结晶热处理以形成保护层（135a）。然后，将由BPSG（磷酸硅玻璃），SOG（玻璃旋转），USG（未掺杂的硅酸盐玻璃），FOX（可流动的氧化物），氧化硅，TEOS（四氟化硼）组成的绝缘层乙基正硅酸酯）或SiH 4形成在保护层（135a）上。由于保护层（135a），绝缘层（140）在1.5atm至50atm范围内的高气体压力下退火，从而消除诸如空隙和接缝之类的缺陷。

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