专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

71. 发明公开

KR1020150035679A 수명 향상을 위한 원형톱날류의 경면처리 머신과 그 방법 有权
标题翻译：镜面加工机用于圆形尖端锯及其方法
公开(公告)号：KR1020150035679A
公开(公告)日：2015-04-07
申请号：KR1020140115202
申请日：2014-09-01
申请人： 입체코퍼레이션(주)
发明人： 정진성
IPC分类号： C09K3/14 , B24B37/04 , B24B57/00
摘要： 본발명은경면처리효과를증대시킬수 있는랩핑-폴리싱용연마제를이용한랩핑-폴리싱가공방법에관한것으로서, 좀더 구체적으로설명하면, 경면처리과를증대시킬수 있는랩핑-폴리싱용연마제를이용하여랩핑-폴리싱연마를수행함으로써, 가공물의표면조도및 평탄도를향상시킬수 있으면서도, 특정원형톱날류의경면처리머신을이용하여가공물을랩핑-폴리싱가공함으로써, 가공물의크라운형상이나지그상에서이탈되는것을방지, 가공물의연마면을전체적으로고르게가공할수 있는발명에관한것이다.
摘要翻译：本发明涉及使用研磨抛光研磨剂的研磨抛光加工方法。更具体地说，研磨研磨是通过使用能够改善镜面处理效果的研磨抛光磨料进行的，从而提高了加工产品的表面粗糙度和平整度。此外，通过使用具有圆锯片的特定镜面装置对经处理的产品进行研磨抛光加工，从而防止加工产品与冠形或夹具分离，并均匀地加工加工产品的整体磨削表面。

72. 发明公开

KR1020150030710A 연마재 재생 방법 无效
标题翻译：如何回收磨料
公开(公告)号：KR1020150030710A
公开(公告)日：2015-03-20
申请号：KR1020157000676
申请日：2013-07-24
申请人： 코니카 미놀타 가부시키가이샤
发明人： 나가이유키 , 마에자와아키히로 , 이누이지에
IPC分类号： B24B57/00
CPC分类号： C09G1/02 , B01D21/01 , B24B57/00
摘要： 본 발명에 의하면, 사용 완료된 연마재를 포함하는 연마재 슬러리로부터 보다 고순도의 재생 연마재를 얻는다. 연마재가 산화세륨, 다이아몬드, 질화붕소, 탄화규소, 알루미나, 알루미나 지르코니아 및 산화지르코늄으로부터 선택되는 적어도 1종이고, 규소가 주성분인 피연마물(3)을 연마한, 사용 완료된 연마재를 포함하는 연마재 슬러리를 회수하는 슬러리 회수 공정 A와, 회수된 연마재 슬러리의 pH가 7 내지 10으로 되도록 pH를 조정하는 pH 조정 공정 B와, pH 조정이 이루어진 연마재 슬러리에 대하여, 무기염으로서 알칼리 토금속 원소를 포함하는 금속염을 첨가하여 연마재를 응집시키고, 연마재를 모액으로부터 분리하여 농축하는 분리 농축 공정 C와, 분리되어 농축된 연마재를 고액 분리하여 회수하는 연마재 회수 공정 D를 거쳐, 사용 완료된 연마재를 포함하는 연마재 슬러리로부터 연마재를 재생한다.

73. 实用新型

KR2020140003133U 화학 기계적 연마 장비의 슬러리 유량 제어 장치 无效
标题翻译：化学机械抛光设备中浆料的流量控制装置
公开(公告)号：KR2020140003133U
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：KR2020120010588
申请日：2012-11-19
申请人： 제타텍 주식회사
发明人： 권영종
IPC分类号： B24B57/00 , B24B57/02
CPC分类号： B24B57/00 , B24B45/00 , B24B57/02
摘要： 본 고안의 화학 기계적 연마 장비의 슬러리 유량 제어 장치는 슬러리가 공급되는 슬러리 공급 라인과, 상기 슬러리 공급 라인에 연결되어 상기 슬러리의 흐름을 제어하는 유량 제어 밸브와, 상기 유량 제어 밸브에 연결되어 상기 슬러리를 배출하는 슬러리 배출 라인을 포함하고, 상기 유량 제어 밸브에는 회전에 의해 상기 슬러리가 흐르는 유로의 단면적을 조절하기 위한 회전 블록이 설치되어 있다.

74. 发明授权

KR101217002B1 가공 장치 및 가공 방법 有权
标题翻译：加工设备和加工方法
公开(公告)号：KR101217002B1
公开(公告)日：2012-12-31
申请号：KR1020060046114
申请日：2006-05-23
申请人： 가부시기가이샤 디스코
发明人： 고가네야도모히코 , 가와구치요시히로 , 다바타도쿠노리
IPC分类号： B24B37/04 , B24B53/017 , B24B57/00 , H01L21/304
摘要： 본발명은장치의대형화를방지하는동시에, 반도체웨이퍼의연삭공정이종료되자마자연마공정을개시할수 있도록하여스루풋을향상시킬수 있는가공장치및 이것을이용한가공방법을제공한다. 본발명에관한가공장치(1)는피가공물(50)을지지하는척(chuck) 테이블(9)과, 연마패드(5b)와가공액공급수단(8)을가지고, 연마패드(5b)를척 테이블(9)에지지된피가공물(50)의위쪽으로부터접촉시켜피가공물(50)을연마하는연마수단(5)과, 피가공물(50)의연마위치에위치하는척 테이블(9)의근방에설치되고, 연마패드(5b)의표면을아래쪽으로부터세정하는연마패드세정수단(40)을구비하고, 연마수단(5)은척 테이블(9)에지지된피가공물(50)의가공면에연마액을공급하면서화학적및 기계적으로연마하고, 연마패드세정수단(40)은연마패드(5b)의직경방향으로상대이동하면서연마패드(5b)의표면을세정한다.

75. 发明公开

KR1020100096999A ＣＭＰ 슬러리의 주입 방법 无效
标题翻译：注射CMP浆液的方法
公开(公告)号：KR1020100096999A
公开(公告)日：2010-09-02
申请号：KR1020090123457
申请日：2009-12-11
申请人： 아라카 인코포레이티드
发明人： 보루키레오나드 , 삼푸르노야사 , 텡시안 , 필리포시언아라
IPC分类号： B24B57/00 , B24B57/02 , H01L21/02 , H01L21/304
CPC分类号： B24B57/02 , B24B37/015 , B24B49/12
摘要： PURPOSE: A CMP slurry injection method is provided to increase the uniformity of a removal rate at the surface of a wafer and to reduce slurry waste. CONSTITUTION: A CMP slurry injection method is as follows. A concave trailing edge(12) of a solid crescent-shape injector(10) is made in the leading edge of a grinding head with a 0~3 inch gap(42). The CMP slurry or the components flow through one or more openings of the upper end of the solid crescent-shape injector. The CMP slurry or the components are carried to a bottom part through a channel or a reservoir according to the length of a device(19).
摘要翻译：目的：提供CMP浆料注入方法以增加晶片表面的去除速率的均匀性并减少浆料浪费。构成：CMP浆料注入方法如下。在具有0〜3英寸的间隙（42）的研磨头的前缘形成有固体月牙形喷射器（10）的凹形后缘（12）。 CMP浆料或组分流过固体月牙形注射器的上端的一个或多个开口。根据设备（19）的长度，将CMP浆料或组分通过通道或储存器运送到底部。

76. 发明公开

KR1020080033275A 웨이퍼의 양면 연마 방법 无效
标题翻译：用于波浪的双面抛光方法
公开(公告)号：KR1020080033275A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：KR1020087001296
申请日：2006-06-28
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 우에노주니치 , 고바야시슈이치
IPC分类号： B24B37/08 , B24B37/04 , H01L21/304 , B24B57/00
CPC分类号： B24B37/08 , H01L21/02024
摘要： A double side polishing method for a wafer, for simultaneously polishing both sides of the wafer held by a carrier, with the wafer clamped between upper and lower surface plates to which polishing cloth is applied and with slurry supplied between the upper and lower surface plates from a plurality of slurry supply holes provided in the upper surface plate. When both sides of the wafer are polished, the amount of slurry supplied from slurry supply holes provided outside the center of rotation of the upper surface plate is set larger than the amount of slurry supplied from slurry supply holes provided inside the center. As a result, the amount of polishing of the outer circumferential portion of the wafer is regulated to suppress outer circumferential sagging of the wafer. Occurrence of outer circumferential sagging of a wafer when its both sides are polished is thus suppressed.
摘要翻译：一种用于晶片的双面抛光方法，用于同时抛光由载体保持的晶片的两侧，其中晶片被夹持在被施加抛光布的上和下表面板之间，并且在上和下表面板之间供应浆料设置在上表面板中的多个浆料供给孔。当晶片的两面被抛光时，从设置在上表面板的旋转中心之外的浆料供给孔供给的浆料的量设定为大于从设置在中心内的浆料供给孔供给的浆料的量。结果，调整晶片的外周部分的抛光量以抑制晶片的外周下垂。因此，抑制晶片的两侧抛光时的外周下垂的发生。

77. 发明公开

KR1020080021110A 재사용가능한 구성요소들을 재생하기 위하여 배출된 연마 슬러리를 처리하기 위한 방법 및 장치 有权
标题翻译：用于处理可重复使用的部件恢复的废弃磨料流程和装置
公开(公告)号：KR1020080021110A
公开(公告)日：2008-03-06
申请号：KR1020087000000
申请日：2006-06-16
申请人： 에스아이씨 프로세싱 아게
发明人： 프라지아코모,구이도
IPC分类号： B24B57/00 , B04C7/00 , B03B9/06 , B04B5/10
CPC分类号： B28D5/007 , B01D3/00 , B01D21/0012 , B01D21/009 , B01D21/0093 , B01D21/262 , B01J39/04 , B24B55/12 , B24B57/00 , Y02P70/179 , B01J41/04
摘要： Process for completely recovering the reusable components of an abrasive slurry used in slicing crystalline materials of silicon, quartz or ceramics when it becomes exhausted and enriched with undesired waste matter. The process consists of an initial centrifuge separation of the exhausted slurry as such and of a wet size-sorting treatment of the fraction containing the abrasive grains obtained from the centrifuge, carried out in a battery of hydrocyclones or centrifuges connected in series. The section for the recovery and purification of the abrasive grains comprises a multifunctional apparatus that performs all the required operations within a single pressure vessel. The process enables the complete recovery of the reusable abrasive grains contained in the exhausted slurry as well as of the suspending or cutting liquid of the abrasive slurry, in order to reuse both components in the manufacturing process. The invention also concerns an apparatus for carrying out the treatment of exhausted abrasive slurries according to the process described. ® KIPO & WIPO 2008
摘要翻译：用于在硅，石英或陶瓷的结晶材料切碎并且富含不想要的废物时，用于切割硅晶体材料的磨料浆料的可再利用组分的完全回收的方法。该方法包括如此进行的排出的浆料的初始离心分离，以及在由串联连接的水力旋流器或离心机的电池中进行的含有从离心机获得的磨料颗粒的级分的湿式尺寸分选处理。用于回收和净化磨粒的部分包括在单个压力容器内执行所有所需操作的多功能装置。该方法能够完全回收包含在排出的浆料中的可重复使用的磨料颗粒以及研磨浆料的悬浮或切割液体，以便在制造过程中重新使用两种组分。本发明还涉及根据所述方法进行处理耗尽的磨料浆料的设备。 ®KIPO＆WIPO 2008

78. 发明公开

KR1020060128643A 가공 장치 및 가공 방법 有权
标题翻译：加工设备和加工方法
公开(公告)号：KR1020060128643A
公开(公告)日：2006-12-14
申请号：KR1020060046114
申请日：2006-05-23
申请人： 가부시기가이샤 디스코
发明人： 고가네야도모히코 , 가와구치요시히로 , 다바타도쿠노리
IPC分类号： B24B37/04 , B24B53/017 , B24B57/00 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/04 , B24B27/0023 , B24B27/0069 , B24B53/017 , B24B57/02
摘要： A processing apparatus and a processing method are provided to achieve improved throughput by starting a polishing process immediately after ending of a semiconductor wafer grinding process. A processing apparatus(1) comprises a chuck table, a polishing unit(5) and a polishing pad cleaning unit. The chuck table supports an object to be processed. The polishing unit includes a polishing pad(5b) having a diameter larger than that of the object to be processed, and a process liquid supply unit(8) for selectively supplying a polishing liquid and a washing liquid. The polishing unit polishes the object by permitting the polishing pad to contact the object on the chuck table from above. The polishing pad cleaning unit is arranged in the vicinity of the chuck table, and cleans a surface of the polishing pad from beneath. The polishing unit chemically and mechanically polishes the object while supplying a polishing liquid to the surface of the object supported on the chuck table. The polishing pad cleaning unit cleans the surface of the polishing pad while moving relatively to the polishing pad in a diameter direction of the polishing pad.
摘要翻译：提供一种处理装置和处理方法，以在半导体晶片研磨过程结束后立即开始抛光处理来实现提高的生产率。处理装置（1）包括卡盘台，抛光单元（5）和抛光垫清洁单元。卡盘表支持要处理的对象。抛光单元包括直径大于待处理物体的抛光垫（5b），以及用于选择性地供应抛光液和洗涤液的处理液供给单元（8）。抛光单元通过允许抛光垫从上方与卡盘台上的物体接触来抛光物体。抛光垫清洁单元布置在卡盘台附近，并从下面清洁抛光垫的表面。抛光单元在将抛光液体供给到支撑在卡盘台上的物体的表面上时化学和机械抛光物体。抛光垫清洁单元在抛光垫的直径方向相对于抛光垫移动的同时清洁抛光垫的表面。

79. 发明授权

KR100314698B1 래핑 방법과 이 래핑 방법에서 사용하기 위한 연마입자 제조 방법 失效
标题翻译：研磨方法研磨方法及研磨方法
公开(公告)号：KR100314698B1
公开(公告)日：2001-11-17
申请号：KR1019990010922
申请日：1999-03-30
申请人： 닛폰 덴키 가부시끼 가이샤
发明人： 기쿠타구니코
IPC分类号： B24B37/00 , B24B57/00 , C09K3/14
CPC分类号： C01B33/126 , B24B37/042
摘要： 본발명은래핑대상재료를래핑하기위한방법에관한것으로서, 본발명의방법에서는회전하는연마포의표면에상기래핑대상재료가접촉하게되며, 또한연마입자들을포함하는연마제가사용된다. 연마입자들은래핑대상재료의경도와동일하거나동등한경도를갖는다. 경도는연마입자들의밀도를조절하므로써조절된다. 또한, 본발명의래핑방법에서사용하기위한연마입자들을제조하기위한방법이제공되며, 이방법에서는실란과산소가원하는밀도를갖는다공성실리카입자들을발생시키기위해기체상태로분사된다.

80. 发明公开

KR1020000032298A 패널표면연마장치용연마툴 失效
标题翻译：面板抛光抛光工具
公开(公告)号：KR1020000032298A
公开(公告)日：2000-06-15
申请号：KR1019980048720
申请日：1998-11-13
申请人： 한국전기초자 주식회사
发明人： 이준택
IPC分类号： B24B7/24 , B24B57/00
摘要： PURPOSE: A polishing tool for a panel surface polisher is provided to equally polish by making a panel surface and a polished face equally contact each other. CONSTITUTION: A bellows member(29) is combined with a supporting member(15) and the combined body is fixed on a tool installation unit of a spindle(7). When air is inserted in an accepting space through a nipple(33), the bellows unit(29) is expanded in a length direction along with an axle direction of the spindle. When a rotary arm is rotated downward so a polishing tool(14) as to approach the surface of a panel, a spindle driving motor rotates the spindle. Herein, a polishing material is supplied the panel through a supply route(11) and a pipe(39) formed inside the spindle. Further, a wear-table rotates the panel in the opposite direction of the rotation direction of the spindle(7). Then, the spindle descends for a polishing button(22) to be contacted and pressurized on the surface of the panel, and accordingly, the polishing of the panel is started.
摘要翻译：目的：提供一种用于面板表面抛光机的抛光工具，通过使面板表面和抛光面彼此平等接触来同等抛光。构成：波纹管构件（29）与支撑构件（15）组合，组合体固定在主轴（7）的工具安装单元上。当空气通过接头（33）插入容纳空间时，波纹管单元（29）沿主轴的轴方向在长度方向上膨胀。当旋转臂向下旋转使抛光工具（14）接近面板表面时，主轴驱动电机使主轴旋转。这里，通过在主轴内形成的供给路径（11）和配管（39）向面板供给研磨材料。此外，磨损台沿与主轴（7）的旋转方向相反的方向旋转面板。然后，主轴下降使得抛光按钮（22）在面板的表面上接触和加压，因此，面板的抛光开始。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式