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51. 发明授权

KR100701140B1 쇼트키 다이오드 및 그 제조 방법 失效
标题翻译： SHOTTKY二极管及其制造方法
公开(公告)号：KR100701140B1
公开(公告)日：2007-03-29
申请号：KR1020050013067
申请日：2005-02-17
申请人： 산요덴키가부시키가이샤
发明人： 소우마다다아끼 , 나쯔메다다시
IPC分类号： H01L29/47 , H01L29/872
CPC分类号： H01L29/872 , H01L29/66143 , H01L29/861
摘要： 종래, 쇼트키 배리어 다이오드의 VF, IR 특성은 트레이드 오프의 관계에 있고, 저 VF화를 실현하기 위해서는 누설 전류의 증대를 피할 수 없는 문제가 있었다. 또 P
+ 영역을 포함시킴으로써 공핍층을 확대시켜 핀치 오프 효과를 이용하여 누설 전류를 억제하는 구조도 알려져 있지만 현실적으로는 공핍층을 완전하게 폐쇄하는 것은 곤란하였다. P
+ 형 영역을 형성하고, P
+ 형 영역과 그 주위의 공핍 영역에는 저 VF의 쇼트키 금속층을 컨택트시키고, 공핍 영역간의 N형 기판 표면에는 저 IR 쇼트키 금속층을 컨택트시킨다. 순바이어스 시에는 저 VF 금속층을 전류가 흐르고, 역바이어스 시에는, 공핍 영역에 의해 좁혀진 전류 경로가 저 IR 금속층 부분만으로 된다. 이에 의해, 저 VF, 저 IR의 쇼트키 배리어 다이오드를 실현할 수 있다.
공핍 영역, 전류 경로, 순바이어스, 쇼트키 배리어 다이오드

52. 发明公开

KR1020070029655A 넓은 메사를 갖는 수퍼 접합 장치의 제조 방법 无效
标题翻译：用于制造具有宽MESAS的超级装置的方法
公开(公告)号：KR1020070029655A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：KR1020067014532
申请日：2004-12-20
申请人： 써드 디멘존 세미컨덕터, 인코포레이티드
发明人： 히시에푸-아이우안 , 소,쿤,종 , 프랫,브라이언,디.
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/76 , H01L29/94
CPC分类号： H01L29/7802 , H01L21/26586 , H01L29/0634 , H01L29/0653 , H01L29/66143 , H01L29/66712 , H01L29/66734 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L29/872 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A method of manufacturing a semiconductor device includes providing semiconductor substrate having trenches and mesas. At least one mesa has first and second sidewalls. The method includes angularly implanting a dopant of a second conductivity into the first sidewall, and angularly implanting a dopant of a second conductivity into the second sidewall. The at least one mesa is converted to a pillar by diffusing the dopants into the at least one mesa. The pillar is then converted to a column by angularly implanting a dopant of the first conductivity into a first sidewall of the pillar, and by angularly implanting the dopant of the first conductivity type into a second sidewall of the pillar. The dopants are then diffused into the pillar to provide a P-N junction of the first and second doped regions located long the depth direction of the adjoining trench. Finally, the trenches are filled with an insulating material. ® KIPO & WIPO 2007
摘要翻译：制造半导体器件的方法包括提供具有沟槽和台面的半导体衬底。至少一个台面具有第一和第二侧壁。该方法包括将第二导电性的掺杂剂角度地注入到第一侧壁中，并将第二导电性的掺杂剂角度地注入第二侧壁。通过将掺杂剂扩散到至少一个台面中，将至少一个台面转变成柱。然后通过将第一导电性的掺杂剂角度地注入到柱的第一侧壁中，并且将第一导电类型的掺杂剂角度地注入到柱的第二侧壁中，将柱转换成列。然后将掺杂剂扩散到柱中以提供位于相邻沟槽的深度方向长的第一和第二掺杂区的P-N结。最后，沟槽填充绝缘材料。 ®KIPO＆WIPO 2007

53. 发明公开

KR1020060081477A 이중산화막을 갖는 고내압 탄화규소 쇼트키 다이오드 소자및 그 제조방법 有权
标题翻译：具有双氧化层的高压SIC肖特基二极管器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020060081477A
公开(公告)日：2006-07-13
申请号：KR1020050001813
申请日：2005-01-07
申请人： 한국전기연구원
发明人： 방욱 , 김상철 , 김남균 , 김형우 , 서길수 , 김기현 , 김은동
IPC分类号： H01L29/872 , H01L21/31 , H01L21/324 , H01L21/205
CPC分类号： H01L29/408 , H01L29/1608 , H01L29/66143 , H01L29/872
摘要： 본 발명에 따른 이중산화막을 갖는 고내압 탄화규소 쇼트키 다이오드 소자는, 고농도 n형 탄화규소 기판과, 그 탄화규소 기판 위에 적층 형성되는 저농도 n형 탄화규소 에피탁시층과, 그 탄화규소 에피탁시층 위에 적층 형성되는 화학기상증착 산화막과, 상기 탄화규소 에피탁시층 위에 형성되는 상부 쇼트키 접촉 금속막과, 상기 탄화규소 기판의 하부에 형성되는 하부 저항성 접촉 금속막을 구비하는 탄화규소 쇼트키 다이오드 소자에 있어서, 상기 저농도 n형 탄화규소 에피탁시층과 상기 화학기상증착 산화막 사이에는 화학기상증착 산화막에서 발생하는 누설전류를 차단하고 탄화규소와의 계면전하를 줄이기 위한 열산화막이 각각 형성되고, 그 열산화막의 중심부 및 그 중심부에서 수직으로 연장되는 상기 화학기상증착 산화막의 중심부에 의해 형성되는 U자형 채널과, 그 U자형 채널의 상면부, 그리고 그 상면부 양측으로 각각 일정 길이만큼 연장된 영역에 걸쳐 상기 상부 쇼트키 접촉 금속막이 형성된다.
이와 같은 본 발명에 의하면, 열산화막과 화학기상증착법으로 증착한 산화막의 이중층을 전계판으로 사용하므로, 화학기상증착법으로 증착한 산화막의 누설전류를 차단할 수 있고, 장기간 사용 시 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

54. 发明公开

KR1020050091620A 반도체 장치 및 그 제조 방법 失效
公开(公告)号：KR1020050091620A
公开(公告)日：2005-09-15
申请号：KR1020050006314
申请日：2005-01-24
申请人： 산요덴키가부시키가이샤
发明人： 다까야마마꼬또
IPC分类号： H01L29/872
CPC分类号： H01L29/872 , H01L29/47 , H01L29/66143
摘要： 종래, 쇼트키 배리어 다이오드의 VF, IR 특성은 트레이드 오프의 관계에 있으며, 저VF화를 실현하기 위해서는 누설 전류의 증대를 피할 수 없다는 문제가 있었다. 쇼트키 금속층(6)에, 예를 들면 Ti에 미량의 Al을 함유한 금속층에서 쇼트키 배리어 다이오드를 구성함으로써, 순수한 Ti의 순방향 전압 VF를 대폭 증가시키지 않고, 저IR화를 실현할 수 있기 때문에, 순방향 손실을 억제하고, 역방향 손실을 저감하여, 저소비 전력화를 도모할 수 있다.

55. 发明公开

KR1020040005998A 트렌치 쇼트키 정류기 有权
标题翻译：沟槽式肖特基整流器
公开(公告)号：KR1020040005998A
公开(公告)日：2004-01-16
申请号：KR1020037015603
申请日：2002-05-31
申请人： 제네럴 세미컨덕터, 인코포레이티드
发明人： 시에,퓨-이우안 , 소,군,총
IPC分类号： H01L29/872
CPC分类号： H01L29/417 , H01L27/0817 , H01L27/095 , H01L29/42364 , H01L29/66143 , H01L29/872 , H01L29/8725
摘要： 쇼트키 정류기가 제공된다. 쇼트키 정류기는, (A) 제 1 및 제 2 대향 면을 갖는 반도체 영역으로서, 상기 반도체 영역은 상기 제 1 면(12A)에 인접한 제 1 전도도 유형의 캐소드 영역(12C)과, 상기 제 2 면에 인접한 제 1 전도도 유형의 드리프트 영역(12D)을 포함하며, 상기 드리프트 영역은 상기 캐소드 영역의 순 도핑 농도보다 더 낮은 순 도핑 농도를 갖는, 반도체 영역과; (B) 상기 제 2 면(12B)으로부터 상기 반도체 영역으로 연장하며, 상기 반도체 영역 내에서 하나 이상의 메사(14)를 한정하는 하나 이상의 트렌치와; (C) 상기 트렌치의 하부에서 상기 반도체 영역에 인접한 절연 영역(16)과; (D) 상기 제 2 면(12)에서 상기 반도체에 인접해 있고 상기 반도체와 쇼트키 정류 접촉을 형성하고(I), 상기 트렌치의 상부 내에서 상기 반도체 영역에 인접하여 사익 반도체 영역과 쇼트키 정류 접촉을 형성하며(II), 및 상기 트렌치의 하부 내에서 상기 절연 영역(16)에 인접해 있는(III) 애노드 전극(18)을 포함한다.

56. 发明授权

KR1019950009818B1 쇼트키 장벽 다이오드를 포함하는 반도체 장치 및 그 제조방법 失效
标题翻译：具有SCHO TTY BARRIER二极管的半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1019950009818B1
公开(公告)日：1995-08-28
申请号：KR1019910014642
申请日：1991-08-23
申请人： 후지쯔 가부시끼가이샤
发明人： 이노우에겐이찌
IPC分类号： H01L29/40
CPC分类号： H01L29/66143 , H01L21/76889 , H01L29/872 , Y10S148/139 , Y10S148/14
摘要： 내용 없음.

57. 发明授权

KR101836888B1 개선된 종단 구조 기술로 설계된 고전압 트렌치 DMOS 소자 有权
标题翻译：采用改进端接技术设计的高压沟槽DMOS器件
公开(公告)号：KR101836888B1
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：KR1020137012912
申请日：2011-10-20
申请人： 비샤이 제너럴 세미컨덕터 엘엘씨
发明人： 수친웨이 , 오드리아,플로린 , 링이이인
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7811 , H01L29/0615 , H01L29/063 , H01L29/0661 , H01L29/407 , H01L29/66143 , H01L29/7813 , H01L29/872 , H01L29/8725
摘要： 전력트랜지스터를위한종단구조가활성화영역및 종단영역을갖는반도체기판을포함한다. 이기판은 1차전도성을갖는다. 종단트렌치가종단영역내에위치하며활성화영역과의경계면에서시작해반도체기판의가장자리까지의소정거리내에확장되어있다. 2차전도성의도핑영역이상기기판에, 상기종단트렌치의하부에배치된다. MOS 게이트가상기경계면에인접한측벽상에형성되고, 상기도핑영역은경계면과간격을두고떨어져있는 MOS 게이트의일부분의하부에서시작하여상기종단트렌치의먼 쪽측벽을향해확장된다. 종단구조산화물층이종단트렌치상에형성되어 MOS 게이트의일부분을커버하며기판의가장자리를향하여확장된다. 1차전도층이반도체기판의후면에형성된다. 2차전도층이활성화영역상부의 MOS 게이트가노출된부분에형성되며종단구조산화물층의적어도일부를커버하도록확장된다.
摘要翻译：一种用于功率晶体管的终端结构包括具有有源区和终端区的半导体衬底。锯齿形板具有主要导电性。端部沟槽位于终止区域内并且在从与激活区域的界面到半导体衬底的边缘的预定距离内延伸。次要导电衬底的掺杂区域以及下部导电沟槽。 MOS栅极形成在与界面相邻的侧壁上，并且掺杂区域从MOS栅极的与界面间隔开的部分的底部延伸到终端沟槽的远侧壁。终端结构氧化物层形成在终端沟槽上以覆盖MOS栅极的一部分并且朝向衬底的边缘延伸。主导电层形成在半导体衬底的背表面上。第二导电层形成在激活区上方的MOS栅极的暴露部分中，并延伸以覆盖终止结构氧化物层的至少一部分。

58. 发明授权

KR101763036B1 쇼트키 장벽 다이오드 및 이를 제조하는 방법 有权
公开(公告)号：KR101763036B1
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：KR1020150164981
申请日：2015-11-24
申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
发明人： 린멩한 , 초우치엔치 , 시웅치웬 , 테이콩벵
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/47 , H01L21/02 , H01L21/768
CPC分类号： H01L29/872 , H01L21/2253 , H01L21/2255 , H01L21/26513 , H01L21/28518 , H01L21/3115 , H01L21/762 , H01L21/76202 , H01L29/0619 , H01L29/0623 , H01L29/0649 , H01L29/66143
摘要： 쇼트키장벽다이오드를제조하는방법이제공되고, 이방법은, 반도체기판내에제 1 도전형의제 1 웰영역을포함하는반도체기판을제공하는단계; 제 1 웰영역내에제 1 도전형과반대인제 2 도전형의도펀트를가지는표면-도핑된층을형성하는단계; 표면-도핑된층과접촉하는유전체층을형성하는단계; 유전체층에서표면-도핑된층의도펀트를이동시키기위하여표면-도핑된층에대하여열 처리를수행하는단계; 제 1 웰영역을노출시키기위하여유전체층을제거하는단계; 및노출된제 1 웰영역과접촉하는실리사이드층을형성하는단계를포함한다. 쇼트키장벽다이오드가또한제공된다.

59. 发明授权

KR101755555B1 정전기 방전 다이오드 有权
标题翻译：静电放电二极管
公开(公告)号：KR101755555B1
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：KR1020157033748
申请日：2014-04-23
申请人： 퀄컴 인코포레이티드
发明人： 라마찬드란,비드야 , 헨더슨,브라이언엠. , 구,쉬쿤 , 탄,치에우-구안 , 김,정필 , 김,태현
IPC分类号： H01L29/66 , H01L29/861 , H01L27/06 , H01L23/48 , H01L23/498 , H01L23/525 , H01L23/535 , H01L25/065 , H01L27/02
CPC分类号： H01L29/66128 , H01L21/304 , H01L21/762 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/49827 , H01L23/525 , H01L23/535 , H01L23/60 , H01L25/0657 , H01L27/0255 , H01L27/0296 , H01L27/0694 , H01L27/0814 , H01L29/0649 , H01L29/66143 , H01L29/8611 , H01L29/872 , H01L2224/02372 , H01L2224/0239 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/0557 , H01L2224/11002 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/16145 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/00014 , H01L2924/12032 , H01L2224/81 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
摘要： 방법은기판에형성되는제 1 비아의일 부분을노출시키기위해기판의이면을씨닝하는단계를포함한다. 방법은또한기판의이면에제 1 다이오드를형성하는단계를포함한다. 제 1 다이오드는제 1 비아에결합된다.
摘要翻译：该方法包括使衬底的背面变薄以暴露形成在衬底中的第一通孔的一部分的步骤。该方法还包括在衬底的背面上形成第一二极管。第一二极管耦合到第一通孔。

60. 发明公开

KR1020160115850A 애벌런치에 견디는 탄화규소(SiC) 전력 쇼트키 정류기 审中-实审
标题翻译：碳化硅半导体碳化硅SiC功率肖特基整流器
公开(公告)号：KR1020160115850A
公开(公告)日：2016-10-06
申请号：KR1020160036379
申请日：2016-03-25
申请人： 페어차일드 세미컨덕터 코포레이션
发明人： 콘스탄티노브안드레이
IPC分类号： H01L29/872 , H01L21/02 , H01L29/24 , H01L29/47 , H01L29/43 , H01L27/095
CPC分类号： H01L29/872 , H01L29/0615 , H01L29/0619 , H01L29/0692 , H01L29/1608 , H01L29/6606 , H01L21/02167 , H01L27/095 , H01L29/24 , H01L29/435 , H01L29/47 , H01L29/66143
摘要： 적어도하나의일반적인태양에서, SiC 디바이스는제1 전도형의드리프트영역, 차폐바디, 및쇼트키영역을포함할수 있다. SiC 디바이스는차폐바디및 쇼트키영역을적어도부분적으로둘러싸는제2 전도형을갖는림을포함할수 있다. SiC 디바이스는, 림을적어도부분적으로둘러싸며제2 전도형의도핑을갖는종단영역을포함할수 있다. 종단영역은, 제1 구역과제2 구역사이에배치된전이구역을가질수 있고, 여기서제1 구역은제2 구역의상부표면의깊이보다깊이가더 낮은상부표면을갖고, 전이구역은리세스를갖는다.
摘要翻译：在至少一个总体方面，SiC器件可以包括第一导电类型的漂移区域，屏蔽体和肖特基区域。 SiC器件可以包括具有至少部分地围绕屏蔽体和肖特基区域的第二导电类型的边缘。 SiC器件可以包括至少部分地围绕边缘并且具有第二导电类型的掺杂的端接区域。终止区域可以具有设置在第一区域和第二区域之间的过渡区域，其中第一区域具有比第二区域的顶表面的深度更深的深度的顶表面，并且过渡区域具有凹部。

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