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1. 发明授权

KR101568135B1 개선된 종단 구조 기술로 설계된 고전압 트렌치 DMOS 소자 有权
标题翻译： DMOS沟槽DMOS器件，具有改进的高压应用的端接结构
公开(公告)号：KR101568135B1
公开(公告)日：2015-11-20
申请号：KR1020127027032
申请日：2011-03-08
申请人： 비샤이 제너럴 세미컨덕터 엘엘씨
发明人： 수친웨이 , 오드리아,플로린 , 링이이인
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/872
CPC分类号： H01L29/407 , H01L29/0615 , H01L29/0661 , H01L29/404 , H01L29/66143 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L29/872 , H01L29/8725
摘要： 본발명을통해전력트랜지스터를위한종단구조를제안한다. 해당종단구조는활성화영역과종단영역이있는반도체기판으로구성된다. 기판은 1차전도성을가진다. 종단트렌치는종단영역에위치하며활성화영역과의가장자리에서시작해반도체기판가장자리를향해뻗어있다. 도핑영역은 2차전도성을가지며종단트렌치하부기판에형성된다. MOS 게이트는경계부근방의격벽면에형성된다. 도핑영역은경계부와떨어져있는 MOS 게이트일부하부에서시작해반도체기판가장자리를향해뻗어있다. 종단구조산화물층은종단트렌치위에형성되며 MOS 게이트일부를피개하고기판가장자리를향해뻗어있다. 1차전도층은반도체기판의후면에형성된다. 2차전도층은 MOS 게이트의노출부인활성화영역상단에형성되고종단구조산화물층의일부를피개한다.

2. 发明授权

KR101836888B1 개선된 종단 구조 기술로 설계된 고전압 트렌치 DMOS 소자 有权
标题翻译：采用改进端接技术设计的高压沟槽DMOS器件
公开(公告)号：KR101836888B1
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：KR1020137012912
申请日：2011-10-20
申请人： 비샤이 제너럴 세미컨덕터 엘엘씨
发明人： 수친웨이 , 오드리아,플로린 , 링이이인
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7811 , H01L29/0615 , H01L29/063 , H01L29/0661 , H01L29/407 , H01L29/66143 , H01L29/7813 , H01L29/872 , H01L29/8725
摘要： 전력트랜지스터를위한종단구조가활성화영역및 종단영역을갖는반도체기판을포함한다. 이기판은 1차전도성을갖는다. 종단트렌치가종단영역내에위치하며활성화영역과의경계면에서시작해반도체기판의가장자리까지의소정거리내에확장되어있다. 2차전도성의도핑영역이상기기판에, 상기종단트렌치의하부에배치된다. MOS 게이트가상기경계면에인접한측벽상에형성되고, 상기도핑영역은경계면과간격을두고떨어져있는 MOS 게이트의일부분의하부에서시작하여상기종단트렌치의먼 쪽측벽을향해확장된다. 종단구조산화물층이종단트렌치상에형성되어 MOS 게이트의일부분을커버하며기판의가장자리를향하여확장된다. 1차전도층이반도체기판의후면에형성된다. 2차전도층이활성화영역상부의 MOS 게이트가노출된부분에형성되며종단구조산화물층의적어도일부를커버하도록확장된다.
摘要翻译：一种用于功率晶体管的终端结构包括具有有源区和终端区的半导体衬底。锯齿形板具有主要导电性。端部沟槽位于终止区域内并且在从与激活区域的界面到半导体衬底的边缘的预定距离内延伸。次要导电衬底的掺杂区域以及下部导电沟槽。 MOS栅极形成在与界面相邻的侧壁上，并且掺杂区域从MOS栅极的与界面间隔开的部分的底部延伸到终端沟槽的远侧壁。终端结构氧化物层形成在终端沟槽上以覆盖MOS栅极的一部分并且朝向衬底的边缘延伸。主导电层形成在半导体衬底的背表面上。第二导电层形成在激活区上方的MOS栅极的暴露部分中，并延伸以覆盖终止结构氧化物层的至少一部分。

3. 发明公开

KR1020130093126A 개선된 쇼트키 정류기 审中-实审
标题翻译：改进的肖特基整流器
公开(公告)号：KR1020130093126A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：KR1020137012458
申请日：2011-10-20
申请人： 비샤이 제너럴 세미컨덕터 엘엘씨
发明人： 수친웨이 , 오드리아,플로린 , 링이이인
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/868 , H01L21/329
CPC分类号： H01L29/66143 , H01L21/22 , H01L21/265 , H01L29/0619 , H01L29/872 , H01L29/8725
摘要： 반도체 정류기는, 제1형의 도전성을 갖는 반도체 기판을 포함한다. 기판 상에 형성된 제1층은 제1형의 도전성을 가지며 기판보다 낮은 농도로 도핑된다. 제2형의 도전성을 갖는 제2층이 기판 상에 형성되고, 금속층이 제2층 위에 배치된다. 제2층은 금속층과 제2층 사이에 쇼트키 접촉이 이루어질 수 있도록 낮은 농도로 도핑된다. 제1전극이 금속층 위에 형성되고, 제2전극이 기판의 뒷면에 형성된다.

4. 发明公开

KR1020130019392A 개선된 종단 구조 기술로 설계된 고전압 트렌치 DMOS 소자 有权
标题翻译： 개선된종단구조기술로설계된고전압트렌치DMOS소자
公开(公告)号：KR1020130019392A
公开(公告)日：2013-02-26
申请号：KR1020127027032
申请日：2011-03-08
申请人： 비샤이 제너럴 세미컨덕터 엘엘씨
发明人： 수친웨이 , 오드리아,플로린 , 링이이인
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/872
CPC分类号： H01L29/407 , H01L29/0615 , H01L29/0661 , H01L29/404 , H01L29/66143 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L29/872 , H01L29/8725
摘要： A termination structure is provided for a power transistor. The termination structure includes a semiconductor substrate having an active region and a termination region. The substrate has a first type of conductivity. A termination trench is located in the termination region and extends from a boundary of the active region toward an edge of the semiconductor substrate. A doped region having a second type of conductivity is disposed in the substrate below the termination trench. A MOS gate is formed on a sidewall adjacent the boundary. The doped region extends from below a portion of the MOS gate spaced apart from the boundary toward the edge of the semiconductor substrate. A termination structure oxide layer is formed on the termination trench covering a portion of the MOS gate and extends toward the edge of the substrate. A first conductive layer is formed on a backside surface of the semiconductor substrate and a second conductive layer is formed atop the active region, an exposed portion of the MOS gate, and extends to cover a portion of the termination structure oxide layer.
摘要翻译：为功率晶体管提供终端结构。该终端结构包括具有有源区和终端区的半导体衬底。衬底具有第一类型的导电性。终止沟槽位于终止区域中并且从有源区域的边界朝向半导体衬底的边缘延伸。具有第二类导电性的掺杂区域设置在终止沟槽下方的衬底中。 MOS栅极形成在与边界相邻的侧壁上。掺杂区域从与边界间隔开的MOS栅极的一部分的下方向半导体衬底的边缘延伸。终端结构氧化物层形成在终端沟槽上，覆盖MOS栅极的一部分并且朝向衬底的边缘延伸。第一导电层形成在半导体衬底的背侧表面上，并且第二导电层形成在有源区（MOS栅极的暴露部分）的顶上，并且延伸以覆盖终止结构氧化物层的一部分。

5. 发明授权

KR101987009B1 개선된 쇼트키 정류기 有权
公开(公告)号：KR101987009B1
公开(公告)日：2019-06-10
申请号：KR1020137012458
申请日：2011-10-20
申请人： 비샤이 제너럴 세미컨덕터 엘엘씨
发明人： 수친웨이 , 오드리아,플로린 , 링이이인
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/868 , H01L21/329

6. 发明公开

KR1020130093645A 개선된 종단 구조 기술로 설계된 고전압 트렌치 DMOS 소자 审中-实审
标题翻译： TRENCH DMOS器件具有改进的高压应用终止结构
公开(公告)号：KR1020130093645A
公开(公告)日：2013-08-22
申请号：KR1020137012912
申请日：2011-10-20
申请人： 비샤이 제너럴 세미컨덕터 엘엘씨
发明人： 수친웨이 , 오드리아,플로린 , 링이이인
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7811 , H01L29/0615 , H01L29/063 , H01L29/0661 , H01L29/407 , H01L29/66143 , H01L29/7813 , H01L29/872 , H01L29/8725
摘要： 전력 트랜지스터를 위한 종단 구조가 활성화 영역 및 종단 영역을 갖는 반도체 기판을 포함한다. 이 기판은 1차 전도성을 갖는다. 종단 트렌치가 종단 영역 내에 위치하며 활성화 영역과의 경계면에서 시작해 반도체 기판의 가장자리까지의 소정 거리 내에 확장되어 있다. 2차 전도성의 도핑 영역이 상기 기판에, 상기 종단 트렌치의 하부에 배치된다. MOS 게이트가 상기 경계면에 인접한 측벽 상에 형성되고, 상기 도핑 영역은 경계면과 간격을 두고 떨어져 있는 MOS 게이트의 일부분의 하부에서 시작하여 상기 종단 트렌치의 먼 쪽 측벽을 향해 확장된다. 종단 구조 산화물층이 종단 트렌치 상에 형성되어 MOS 게이트의 일부분을 커버하며 기판의 가장자리를 향하여 확장된다. 1차 전도층이 반도체 기판의 후면에 형성된다. 2차 전도층이 활성화 영역 상부의 MOS 게이트가 노출된 부분에 형성되며 종단 구조 산화물층의 적어도 일부를 커버하도록 확장된다.

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