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41. 发明公开

KR1020100135181A 기억 소자 및 메모리 无效
标题翻译：存储器和存储器
公开(公告)号：KR1020100135181A
公开(公告)日：2010-12-24
申请号：KR1020100054822
申请日：2010-06-10
申请人： 소니 주식회사
发明人： 야마네카즈타카 , 호소미마사노리 , 카노히로시 , 오오모리히로유키 , 이카라시미노루 , 야마모토테츠야 , 벳쇼카즈히로 , 히고유타카 , 오이시유키 , 쿠스노키신이치로
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L27/108
CPC分类号： H01L27/228 , B82Y25/00 , G11C11/161 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01F10/3277 , H01L43/08 , Y10S977/933 , Y10S977/935
摘要： PURPOSE: A memory device and a memory are provided to improve the dielectric breakdown voltage of the memory device and suppress a current flowing through the memory device during a recording process. CONSTITUTION: A memory layer(17) maintains information according to the magnetized state of a magnetic material. A first middle layer and a second middle layer are arranged on both the upper side and the lower side of the memory layer. A first pinned layer(31) is arranged to the opposite side of the first middle layer side memory layer. A second pinned layer(32) is arranged to the opposite side of the second middle layer side memory layer. A non-magnetic conductor layer(18) is arranged between the memory layer and either layer of the first middle layer or the second middle layer.
摘要翻译：目的：提供存储器件和存储器以提高存储器件的介电击穿电压，并且抑制在记录过程期间流过存储器件的电流。构成：存储层（17）根据磁性材料的磁化状态保持信息。第一中间层和第二中间层布置在存储层的上侧和下侧。第一被钉扎层（31）布置在第一中间层侧存储层的相反侧。第二被钉扎层（32）布置在第二中间层侧存储层的相对侧。非磁性导体层（18）设置在存储层与第一中间层或第二中间层的任一层之间。

42. 发明授权

KR100997023B1 스핀 토크 자기 메모리 및 그 오프셋 자계 보정 방법 有权
标题翻译：旋转扭矩磁记忆和纠正偏磁场的方法
公开(公告)号：KR100997023B1
公开(公告)日：2010-11-25
申请号：KR1020080129670
申请日：2008-12-18
申请人： 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼
发明人： 이또겐찌 , 하야까와준 , 미우라가쯔야
IPC分类号： G11C11/15 , G11C5/14 , G11C7/12 , G11C8/08
CPC分类号： G11C11/1675 , G11C11/161 , Y10S977/935
摘要： 스핀 토크 자화 반전을 응용한 자기 랜덤 액세스 메모리의, 셀간에서의 기입 전류의 변동을 보정한다. 비트선과 워드선 사이에 설치된 자기 저항 효과 소자와, 비트선의 일단에 접속된 제1 가변 저항 소자와, 비트선의 타단에 접속된 제2 가변 저항 소자와, 제1 가변 저항 소자에 전압을 인가하는 제1 전압 인가 수단과, 제2 가변 저항 소자에 전압을 인가하는 제2 전압 인가 수단을 구비하고, 기입 동작 시에, 미리 정해진 저항값에 기초하여 상기 제1 전압 인가 수단과 상기 제2 전압 인가 수단 사이에 가변인 전류를 흘려, 자기 저항 효과 소자의 자유층에 오프셋 자계를 인가한다.
고정층, 절연막, 자유층, 스위칭 소자, 가변 저항 소자, 비트선

43. 发明公开

KR1020100096283A 메모리 셀 및 메모리 셀의 자기 터널 정션(ＭＴＪ)을 형성하는 방법 有权
标题翻译：存储单元和形成记忆体的磁性隧道结（MTJ）的方法
公开(公告)号：KR1020100096283A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：KR1020107017657
申请日：2009-01-08
申请人： 퀄컴 인코포레이티드
发明人： 구,시쿤 , 강,승에이치. , 노르웍,매튜,엠.
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L43/08 , G11C11/161 , H01L27/228 , H01L43/12 , G11C11/16 , Y10S977/935
摘要： 메모리 셀을 포함하는 메모리 및 상기 메모리 셀을 생성하기 위한 방법이 제시된다. 상기 메모리는 제 1 플레인(plane)에 있는 기판(substrate)을 포함한다. 제 2 플레인으로 연장되는 제 1 금속 접속부가 제공된다. 상기 제 2 플레인은 상기 제 1 플레인과 실질적으로 수직하다. 상기 금속 접속부와 연결되는 제 1 층(layer)을 가지는 자기 터널 정션(MTJ)이 제공되며, 상기 MTJ의 상기 제 1 층은 상기 제 2 플레인을 따라 배향(oriented)된다.

44. 发明公开

KR1020100095469A 별개의 판독 및 기록 경로들을 구비한 자기 터널 접합 장치 有权
标题翻译：具有单独读取和写入功能的磁性隧道连接装置
公开(公告)号：KR1020100095469A
公开(公告)日：2010-08-30
申请号：KR1020107016051
申请日：2008-12-19
申请人： 퀄컴 인코포레이티드
发明人： 주,시아오춘 , 구,시쿤 , 리,시아 , 강,승에이치.
IPC分类号： G11C11/15 , H01L27/115
CPC分类号： G11C11/1675 , G11C11/161 , G11C11/1655 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , Y10S977/933 , Y10S977/935 , G11C11/16 , H01L43/08 , H01L43/12
摘要： 일 실시예에서, 자기 터널 접합(MTJ) 구조를 포함하는 장치가 제시된다. 상기 장치는 MTJ 구조에 연결된 판독 경로 및 MTJ 구조에 연결된 기록 경로를 포함한다. 기록 경로는 판독 경로와 분리된다.

45. 发明公开

KR1020100047985A 이중 자기 이방성 자유층을 갖는 자기 터널 접합 구조 有权
标题翻译：具有双重磁性异相自由层的磁隧道结构
公开(公告)号：KR1020100047985A
公开(公告)日：2010-05-11
申请号：KR1020080106942
申请日：2008-10-30
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 신경호 , 민병철
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01F10/3254 , B82Y25/00 , G11C11/161 , H01F10/3277 , H01F10/3286 , H01L43/08 , H03B15/006 , Y10T428/1114 , Y10T428/1143 , G11C11/16 , H01L43/12 , Y10S977/935
摘要： PURPOSE: A magnetic tunnel junction structure with a double magnetic anisotropic free layer are provided to improve reliability of a memory and thermal stability using a material whose element property is not deteriorated in a thermal process. CONSTITUTION: A first magnetic layer has a fixed magnetization direction. A second magnetic layer(30) has a reversible magnetization direction. A nonmagnetic layer is formed between the first magnetic layer and the second magnetic layer. The magnetization direction of the second magnetic layer is inclined to the plane of the second magnetic layer by magnetically combining a third magnetic layer(40) with the second magnetic layer. The vertical magnetic anisotropic energy is larger than the horizontal anisotropic energy. A crystallization structure separation layer(50) separates the crystal orientation between the second and third magnetic layers.
摘要翻译：目的：提供具有双磁各向异性自由层的磁性隧道结结构，以使用在热处理中其元素特性不劣化的材料来提高记忆的可靠性和热稳定性。构成：第一磁性层具有固定的磁化方向。第二磁性层（30）具有可逆的磁化方向。在第一磁性层和第二磁性层之间形成非磁性层。通过将第三磁性层（40）与第二磁性层磁结合，第二磁性层的磁化方向倾斜于第二磁性层的平面。垂直磁各向异性能量大于水平各向异性能。结晶结构分离层（50）分离第二和第三磁性层之间的晶体取向。

46. 发明授权

KR100892802B1 자기저항 소자 및 자기 메모리 有权
标题翻译：磁性元件和磁记忆
公开(公告)号：KR100892802B1
公开(公告)日：2009-04-10
申请号：KR1020070082302
申请日：2007-08-16
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 기따가와에이지 , 나가세도시히꼬 , 요시까와마사또시 , 니시야마가쯔야 , 기시다쯔야 , 요다히로아끼
IPC分类号： G11C11/15
CPC分类号： G11C11/16 , B82Y25/00 , H01F10/123 , H01F10/3236 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01F10/329 , H01L43/08 , Y10S977/935
摘要： 자기저항 소자(10)는, 자성체 재료를 포함하고, 배향면이 (001)인 면심 정방(fct: face-centered tetragonal) 결정 구조를 갖는 자유층(12)-상기 자유층(12)은 막면에 수직이며, 스핀 분극된 전자로 인해 변경가능한 자화 방향을 가짐-과, 자유층(12)을 개재하고, 정방 결정 구조 및 입방 결정 구조 중 하나를 갖는 제1 비자성체층(13) 및 제2 비자성체층(14)과, 자유층(12)의 일 측에만 그리고 자유층(12)과의 표면에 대향인 제1 비자성체층(13)의 표면에 마련되고, 자성체 재료를 포함하는 고정층(11)-상기 고정층(11)은 막면에 수직이며, 고정된 자화 방향을 가짐-을 포함한다.
자기저항 소자, 자성체 재료, 자유층, 비자성체층, 고정층

47. 发明授权

KR100856985B1 자기 메모리 장치 및 자기 메모리 장치의 동작 및 기입 방법 有权
标题翻译：磁记忆装置
公开(公告)号：KR100856985B1
公开(公告)日：2008-09-04
申请号：KR1020060128494
申请日：2006-12-15
申请人： 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 , 상뜨르 나쇼날 드 라 러쉐르쉬 샹띠피끄 , 유니베르시떼 파리스-쉬드
发明人： 이또,겐찌 , 다까하시,히로마사 , 가와하라,다까유끼 , 다께무라,리이찌로 , 드볼데,띠보 , 끄로쟈,뽈 , 김,주본 , 샤뻬르,끌로드
IPC分类号： G11C11/15
CPC分类号： G11C11/16 , Y10S977/935
摘要： 자기 메모리 장치는 분리 트랜지스터(81)를 통해 비트 라인(31)을 감지 라인(49)에 접속하는 자기 터널 접합(MTJ)(37)을 포함한다. MTJ(37)는 자화 곤란축을 갖는 강자성 층을 포함한다. 보조 전류 라인(33)은 비트 라인(31) 위에 놓이고, 비트 라인(31)으로부터 절연된다. MTJ(37)는 제1의 상대적으로 높은 저항 상태와 제2의 상대적으로 낮은 저항 상태 사이에서 스위칭 가능하다. 보조 전류 라인(33)은 제1 상태와 제2 상태 사이에서의 MTJ(37)의 스위칭을 보조하기 위한 MTJ(37)를 통해 흐르는 전류에 무관하게, 강자성 층 내의 자화 곤란축을 따라 자계를 인가한다.
분리 트랜지스터, 비트 라인, 감지 라인, 자기 터널 접합, 보조 전류 라인, 강자성 층

48. 发明授权

KR100829571B1 자구벽 이동을 이용한 데이터 저장 장치 및 그의 동작 방법 失效
标题翻译：数据存储装置采用立体墙移动和操作方法
公开(公告)号：KR100829571B1
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：KR1020060105273
申请日：2006-10-27
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이성철 , 좌성훈 , 김은식
IPC分类号： G11B5/012 , G11B5/02 , G11B5/00
CPC分类号： G11C11/14 , G11C19/0808 , Y10S977/933 , Y10S977/935
摘要： 본 발명은 자구벽 이동을 이용한 데이터 저장 장치 및 그의 동작 방법에 관한 것이다. 개시된 본 발명의 데이터 저장 장치는 다수의 자구를 갖는 자성층과, 상기 자성층에 자구벽 이동을 위한 전류를 인가하는 전류 인가수단과, 읽기 및 쓰기용 헤드를 포함하는 데이터 저장 장치에 있어서, 상기 자성층은 기판 상에 다수의 열 및 행을 이루도록 형성된 다수의 수직 자성층 및 상기 수직 자성층 상에 상기 수직 자성층들을 연결하도록 형성된 수평 자성층을 포함하는 것을 특징으로 한다. 상기 수직 자성층 중 정중앙의 수직 자성층을 공통 버퍼 영역으로 이용함으로써, 데이터 저장 장치의 기록 밀도를 크게 높일 수 있고, 데이터 접근 시간(data access time)을 단축시킬 수 있다.
摘要翻译：数据存储装置及其操作方法技术领域本发明涉及一种使用磁畴壁移动的数据存储装置及其操作方法。本发明的数据存储设备包括具有多个磁畴的磁层，用于将磁畴壁移动的电流施加到磁层的电流施加装置，以及读/写头，多个垂直磁性层形成在基板上以形成多个行和多个列，水平磁性层形成为连接垂直磁性层上的垂直磁性层。通过使用垂直磁性层中的中央垂直磁性层作为公共缓冲区，数据存储设备的记录密度可以大大增加，数据存取时间可以缩短。

49. 发明公开

KR1020080033958A 자기 클래딩을 갖는 터널 접합 센서를 위한 방법 无效
标题翻译：隧道连接传感器与磁悬浮方法
公开(公告)号：KR1020080033958A
公开(公告)日：2008-04-17
申请号：KR1020087002342
申请日：2006-07-24
申请人： 에버스핀 테크놀러지스, 인크.
发明人： 정영실 , 베어드,로버트,더블류. , 그린케위치,그레고리,더블류.
IPC分类号： G11B5/127 , H01L27/115 , G11C11/15
CPC分类号： G01R33/06 , H01L43/12 , Y10T29/49032 , Y10T29/49034 , Y10T29/49036 , Y10T29/49039 , Y10T29/49041 , Y10T29/49043 , Y10T29/49044 , G11C11/16 , H01L27/222 , Y10S977/935
摘要： Methods and apparatus are provided for sensing physical parameters. The apparatus (30) comprises a magnetic tunnel junction (MTJ) [32] and a magnetic field source (34) whose magnetic field (35) overlaps the MTJ and whose proximity to the MTJ varies in response to an input to the sensor. A magnetic shield (33) is provided at least on a face of the MFS away from the MTJ. The MTJ comprises first and second magnetic electrodes (36, 38) separated by a dielectric (37) configured to permit significant tunneling conduction therebetween. The first magnetic region has its spin axis pinned and the second magnetic electrode has its spin axis free. The magnetic field source is oriented closer to the second magnetic electrode than the first magnetic electrode. The overall sensor dynamic range is extended by providing multiple electrically coupled sensors receiving the same input but with different individual response curves and desirably but not essentially formed on the same substrate.
摘要翻译：提供了用于感测物理参数的方法和装置。该装置（30）包括一个磁性隧道结（MTJ）[32]和一个磁场源（34），其磁场（35）与MTJ重叠，并且其与MTJ的接近度响应于传感器的输入而变化。至少在远离MTJ的MFS的面上设有磁屏蔽（33）。 MTJ包括由电介质（37）分开的第一和第二磁极（36,38），其被配置为允许它们之间的显着的隧道传导。第一磁性区域的自旋轴被固定，第二磁极的自由轴自由。磁场源比第一磁极更靠近第二磁极。通过提供多个电耦合传感器来接收相同的输入但是具有不同的单个响应曲线并且期望地但不是基本上形成在相同的基板上来扩展总传感器动态范围。

50. 发明授权

KR100817061B1 기입 전류와 같은 방향의 금지 전류를 흐르게 하는마그네틱 램 失效
标题翻译：磁阻电流作为写入电流在同一方向流动阻流
公开(公告)号：KR100817061B1
公开(公告)日：2008-03-27
申请号：KR1020060093728
申请日：2006-09-26
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 조우영 , 신윤승
IPC分类号： G11C11/15 , G11C5/14 , G11C7/12
CPC分类号： G11C11/1675 , G11C11/1655 , G11C11/1659 , Y10S977/935
摘要： An MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) flowing an inhibition current in the same direction as a write current is provided to reduce the area of the magnetoresistive RAM, by enabling magnetic tunnel junction elements to share one write bit line. An MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) comprises a plurality of magnetic tunnel junction elements(MTJ1-MTJ3), a plurality of read bit lines(BLR1-BLR3) and a plurality of write bit lines(BLW1-BLW3). The plurality of read bit lines is connected to the magnetic tunnel junction elements electrically. The plurality of write bit lines is arranged in turn with the read bit lines. When first data is written into a first magnetic tunnel junction element, a first write current is flowed through a first write bit line arranged at one side of a first read bit line connected to the first magnetic tunnel junction element and a first inhibition current in the same direction of the first write current is flowed through a second write bit line arranged at the opposite side to the first read bit line by intervening the first write bit line.
摘要翻译：通过使磁性隧道结元件共享一个写入位线，提供使与阻止电流在写入电流相同的方向上流动的MRAM（磁阻随机存取存储器）来减小磁阻RAM的面积。 MRAM（磁阻随机存取存储器）包括多个磁隧道结元件（MTJ1-MTJ3），多条读位线（BLR1-BLR3）和多条写位线（BLW1-BLW3）。多个读位线电连接到磁隧道结元件。多个写入位线依次被读取位线布置。当第一数据被写入第一磁性隧道结元件时，第一写入电流流过布置在连接到第一磁性隧道结元件的第一读取位线的一侧的第一写入位线和第一写入位线通过插入第一写入位线，第一写入电流的相同方向流过布置在与第一读取位线相反的一侧的第二写入位线。

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