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1. 发明公开

KR1020100074174A 스핀밸브 소자 无效
标题翻译：旋转阀元件
公开(公告)号：KR1020100074174A
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：KR1020107007655
申请日：2008-08-28
申请人： 후지 덴키 가부시키가이샤
发明人： 카와카미,하루오 , 오기모토,야스시 , 아다치,에이키
IPC分类号： H01L29/82 , H01L43/08 , H03B15/00
CPC分类号： H01L43/08 , H01L43/02 , H01L43/12 , H03B15/006 , Y10T428/1114 , Y10T428/24331
摘要： In order to increase the power which can flow into a spin-valve element, an insulating layer (24) or a non-magnetic layer is sandwiched by ferromagnetic layers (23, 25) and a porous layer (10(10')) having a plenty of micro pores is arranged in contact with one of the ferromagnetic layer or between the ferromagnetic layers via other layer. Thus, it is possible to increase the power of the microwave when oscillating a microwave by a spin-valve element, for example, without using a magnetic multi-layered film of a wide-region single magnetic domain.
摘要翻译：为了增加能够流入自旋阀元件的功率，绝缘层（24）或非磁性层被铁磁层（23,25）和多孔层（10（10'））夹在大量微孔被布置成与铁磁层中的一个或铁磁层之间经由其它层接触。因此，可以在不使用宽区域单磁畴的磁性多层膜的情况下，通过自旋阀元件振荡微波时增加微波的功率。

2. 发明公开

KR1020080043696A 강자성 터널 접합 소자, 그 제조 방법, 및 그것을 이용한자기 헤드, 자기 메모리 有权
标题翻译：隧道磁阻（TMR）装置，其制造工具，磁头和使用TMR器件的磁记忆
公开(公告)号：KR1020080043696A
公开(公告)日：2008-05-19
申请号：KR1020070096414
申请日：2007-09-21
申请人： 후지쯔 가부시끼가이샤
发明人： 사또오마사시게 , 우메하라신지로오 , 이부스끼다까히로
IPC分类号： H01L27/105 , G11C11/15
CPC分类号： G11B5/3909 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G01R33/093 , G01R33/098 , G11B5/3906 , H01F10/3204 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01F10/3295 , H01F41/303 , H01L43/08 , H01L43/12 , Y10T428/1114
摘要： A tunneling magnetoresistance device, a method of manufacturing the same, a magnetic head using the same, and a magnetic memory are provided to obtain a large variation of resistances by forming a first free layer with an amorphous or a fine crystalline material. A pinned layer(20,22) is composed of a ferromagnetic material having a fixed magnetization direction. A barrier layer is arranged on the pinned layer. Electrons penetrate the barrier layer by a tunneling effect. A first free layer(30) is arranged on the barrier layer and is composed of an amorphous or a fine crystalline soft magnetic material for changing a magnetization direction under an external magnetic field. A second free layer(32) is arranged on the first free layer. The second free layer is composed of a crystalline soft magnetic material to change a magnetization direction under an external magnetic field and to be exchanged and coupled with the first free layer.
摘要翻译：提供隧道磁阻器件，其制造方法，使用其的磁头和磁存储器，以通过形成具有无定形或细晶体材料的第一自由层来获得大的电阻变化。钉扎层（20,22）由具有固定的磁化方向的铁磁材料构成。阻挡层布置在钉扎层上。电子通过隧道效应穿透阻挡层。第一自由层（30）布置在阻挡层上，并且由用于改变外部磁场下的磁化方向的非晶或细晶体软磁材料构成。第二自由层（32）布置在第一自由层上。第二自由层由结晶软磁材料组成，以在外部磁场下改变磁化方向，并与第一自由层交换和耦合。

3. 发明授权

KR100581299B1 자기 저항 효과 소자 및 이것을 갖는 자기 메모리 失效
标题翻译：磁阻电阻效应器件及具有此功能的磁记忆体
公开(公告)号：KR100581299B1
公开(公告)日：2006-05-22
申请号：KR1020030019182
申请日：2003-03-27
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 니시야마가쯔야 , 사이또요시아끼 , 아마노미노루
IPC分类号： G11C11/15
CPC分类号： H01L43/10 , B82Y25/00 , G11C11/16 , H01F10/3254 , H01F10/3268 , H01F10/3272 , H01L27/224 , H01L27/228 , Y10T428/1114
摘要： 사이즈를 저감해도, MR비가 크고, 열 안정성이 우수하며, 스위칭 자장이 작은 자기 저항 효과 소자 및 이 자기 저항 효과 소자를 이용한 자기 메모리를 얻는 것을 가능하게 한다. 제1 강자성층, 제1 비자성층, 제2 강자성층이 순차적으로 적층되고 상기 제1 및 제2 강자성층이 자기적으로 결합된 구조와, 제1 강자성층, 제1 비자성층, 제2 강자성층, 제2 비자성층, 제3 강자성층이 순차적으로 적층되고 제1 및 제2 강자성층이 자기적으로 결합되고 제2 및 제3 강자성층이 자기적으로 결합된 구조 중 어느 한 쪽을 갖는 기억층과, 제4 강자성층을 갖고, Ta, Pt, Ru, Ir, W의 군으로부터 선택된 적어도 1종을 재료로 하는 기초 금속층 상에 형성된 자성막과, 상기 기억층과 상기 자성막 간에 형성된 터널 배리어층을 구비하고, 상기 기억층의 강자성층은 Ni-Fe-Co 삼원 합금으로 이루어지며, Ni-Fe-Co 삼원 상태도에 있어서, Co
90(at%) Fe
10(at%) -Fe
30(at%) Ni
70(at%) 의 직선, Fe
80(at%) Ni
20(at%) -Fe
30(at%) Ni
70(at%) 의 직선, Fe
80(at%) Ni
20(at%) -Co
65(at%) Ni
35(at%) 의 직선이 둘러싼 내측의 조성 영역 및 Fe
80(at%) Ni
20(at%) -Co
65(at%) Ni
35(at%) 의 직선, Co
90(at%) Fe
10(at%) -Fe
70(at%) Ni
30(at%) 의 직선, Co
90(at%) Fe
10(at%) -Fe
30(at%) Ni
70(at%) 의 직선이 둘러싼 내측의 조성 영역 중 어느 한쪽의 조성 영역으로부터 선택되는 조성을 갖고, 상기 기억층과 상기 터널 배리어층의 계면 및 상기 자성막과 상기 터널 배리어층의 계면에서의 최대 표면 거칠기가 0.4㎚ 이하이다.
터널 배리어층, 교환 결합력, 삼원 합금, MR비

4. 发明授权

KR101348231B1 방사상 배리어를 갖는 자기 메모리 셀 有权
标题翻译：具有径向障碍物的磁记忆体
公开(公告)号：KR101348231B1
公开(公告)日：2014-01-07
申请号：KR1020117013494
申请日：2009-11-11
申请人： 시게이트 테크놀로지 엘엘씨
发明人： 안데르슨,파울 , 쉬에,송
IPC分类号： H01L43/08 , H01L43/12
CPC分类号： H01L43/08 , H01L43/12 , Y10T428/1114 , Y10T428/1143
摘要： 본 발명은 자기 터널 정션 셀 및 자기 터널 정션 셀을 제조하는 방법에 관한 것으로서, 자기 터널 정션 셀은 셀의 적어도 강자성 자유층(112)에 인접하여 연장하는 방사상 보호층(120)을 포함한다. 방사상 보호층은 자유층의 유효 자기 특성을 향상시키기 위하여 셀 층들을 따른 연장범위 및/또는 재료 조성, 증착 방법, 두께가 특별하게 선택될 수 있으며, 이러한 유효 자기 특성을 유효 보자력, 유효 자기 이방성, 자기 모멘트의 유효 분산 또는 유효 스핀 분극을 포함한다.

5. 发明授权

KR101178767B1 이중 자기 이방성 자유층을 갖는 자기 터널 접합 구조 有权
标题翻译：具有双重磁性异相自由层的磁隧道结构
公开(公告)号：KR101178767B1
公开(公告)日：2012-09-07
申请号：KR1020080106942
申请日：2008-10-30
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 신경호 , 민병철
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01F10/3254 , B82Y25/00 , G11C11/161 , H01F10/3277 , H01F10/3286 , H01L43/08 , H03B15/006 , Y10T428/1114 , Y10T428/1143
摘要： 본 발명은 이중 자기 이방성 자유층을 갖는 자기 터널 접합 구조에 관한 것으로서, 고정된 자화 방향을 지닌 제1 자성층과; 반전 가능한 자화 방향을 지닌 제2 자성층과; 상기 제1 자성층과 상기 제2 자성층 사이에 형성되는 비자성층과; 상기 제2 자성층과의 자성 결합에 의해 상기 제2 자성층의 자화 방향을 상기 제2 자성층의 평면에 대하여 경사지게 하며, 수직 자기 이방성 에너지가 수평 자기 이방성 에너지보다 큰 제3 자성층과; 상기 제2 자성층과 상기 제3 자성층 사이에 형성되며, 상기 제2 및 제3 자성층 간의 결정 배향성을 분리하는 결정구조 분리층을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 터널 접합 구조를 제공한다.
본 발명에 의하면, 자기 터널 접합 구조를 구성하는 자유 자성층을, 자기 이방성의 방향 및 크기가 서로 다른 두 개 이상의 자성 박막으로 구성하여, 재생신호 값 증대 및 스위칭에 필요한 임계전류 값 저감 효과를 독립적으로 최적화할 수 있다.
수직 자기 이방성, 자기 터널 접합, 경사, 전류 인가 자기 저항

6. 发明授权

KR101166356B1 고성능 자기 터널링 접합 ＭＲＡＭ을 위한 새로운 하층 有权
标题翻译：一种用于高性能磁隧道结MRAM的新颖底层
公开(公告)号：KR101166356B1
公开(公告)日：2012-07-23
申请号：KR1020050058068
申请日：2005-06-30
申请人： 헤드웨이 테크놀로지스 인코포레이티드 , 어플라이드 스핀트로닉스, 인크.
发明人： 홍리우보 , 홍쳉티. , 첸마오민 , 통류잉
IPC分类号： G11C11/15
CPC分类号： H01L43/12 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G01R33/09 , G01R33/093 , G01R33/098 , G11B5/3906 , G11B5/3909 , G11C11/161 , G11C11/1673 , H01F10/30 , H01F10/3254 , H01F10/3259 , H01F10/3272 , H01F10/3295 , H01F41/307 , H01L43/08 , H01L43/10 , Y10T428/1114
摘要： 저부 전극은 위에 놓인 MTJ 내에서 AFM, 피닝된(pinned), 터널 베리어, 및 자유층들에 평활하고 조밀한 성장을 지속적으로 제공하기 위하여 비정질의 TaN 캡핑층을 갖는 MRAM 구조는 공개되었다. 종래의 Ta 캡핑층과는 달리, TaN은 산화 저항성이고 터널 베리어층의 측벽들 상에서의 캡핑층의 재침착에 의해 야기되는 감지 전류를 우회시키는 것을 방지하기 위하여 고저항을 갖는다. 대안으로, -TaN 층은 MTJ 내 시드층이다. 또한, 시드층은 -TaN 층 상에 NiCr, NiFe, 또는 NiFeCr 층으로 구성된 복합층일 수 있다. -TaN 캡핑층 또는 시드층은 TMR 판독 헤드에서 또한 사용될 수 있다. -TaN 캡핑층 상에 형성된 MTJ는 높은 MR 비율, 높은 Vb, 및 최적화된 Ta 캡핑층에 기초하는 MTJ들로부터 얻어진 결과들과 유사한 RA을 갖는다.
캡핑층, MTJ, 베리어층, 터널 베리어, 시드층

7. 发明公开

KR1020100085413A 자기 메모리 소자 有权
标题翻译：磁记忆装置
公开(公告)号：KR1020100085413A
公开(公告)日：2010-07-29
申请号：KR1020090004679
申请日：2009-01-20
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김우진 , 이장은 , 오세충 , 남경태 , 김대겸 , 정준호
IPC分类号： G11C11/15
CPC分类号： G11C11/14 , B82Y25/00 , G01R33/098 , G11B5/3909 , G11C11/15 , G11C11/161 , H01F10/10 , H01F10/14 , H01F10/16 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01L43/08 , Y10T428/1114
摘要： PURPOSE: A magnetic memory device is provided to improve the interfacial property between a tunnel barrier layer and a first layer by increasing the orientation against the tunnel barrier of a first layer. CONSTITUTION: A first ferromagnetic layer and a second ferromagnetic layer are formed on a substrate(110). A tunnel barrier layer(150) includes the crystallization between the second ferromagnetic layer and the first ferromagnetic layer. At least one layer of the first and second ferromagnetic layer includes a first layer contacting with the tunnel barrier layer and a second layer. The orientation of the first layer is higher than that of the second layer. The first layer includes a material having the same crystalline structure of the material included in the tunnel barrier layer.
摘要翻译：目的：提供一种磁存储器件，以通过增加相对于第一层的隧道势垒的取向来改善隧道势垒层与第一层之间的界面特性。构成：在基板（110）上形成第一铁磁层和第二铁磁层。隧道势垒层（150）包括第二铁磁层与第一铁磁层之间的结晶。第一和第二铁磁层的至少一层包括与隧道势垒层接触的第一层和第二层。第一层的取向高于第二层的取向。第一层包括具有隧道势垒层中所包含的材料具有相同晶体结构的材料。

8. 发明公开

KR1020090087825A 자기 발진 소자, 자기 발진 소자를 포함한 자기 헤드 그리고 자기 기록 및 재생 장치 失效
标题翻译：磁振动装置，包括磁振动装置的磁头，以及磁记录和再生装置
公开(公告)号：KR1020090087825A
公开(公告)日：2009-08-18
申请号：KR1020090011247
申请日：2009-02-12
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 구도기와무 , 나가사와다즈미 , 미즈시마고오이찌 , 사또리에
IPC分类号： H01L43/00 , H01L43/08 , G01R33/20 , G11B5/33
CPC分类号： G11B5/02 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G01R33/1284 , G11B5/3903 , G11B2005/0002 , H01F10/325 , H01F10/3254 , H01L43/08 , H03B15/006 , Y10T428/1114 , Y10T428/1121 , Y10T428/1143
摘要： A magnetic oscillation device, magnetic head including the magnetic oscillation device, and magnetic recording and reproducing apparatus are provided to obtain the Q value of oscillation of the magnetization portion of the magnetization free layer by the magnetization free layer made of CoFeB. The mixture self-oscillation element comprises the vibration generating unit(1), and the magnetic resistive unit(2). The vibrating source generating unit is electro-magnetically coupled with the magnetic resistive unit. The magnetic resistive unit consists of the magnetization free layer(8), and the spacer layer(9) and magnetic pinned layer(10). The magnetization free layer has the magnetization portion which changes according to the external magnetism. The magnetization free layer is made of the alloy of Co, Ni, and Fe. The artificial ferri-film of the CoFeB / Ru / CoFe film is formed in the magnetic pinned layer.
摘要翻译：提供磁振荡装置，包括磁振动装置的磁头和磁记录和再现装置，以通过由CoFeB制成的磁化自由层获得磁化自由层的磁化部分的振荡的Q值。混合自振动元件包括振动产生单元（1）和磁阻单元（2）。振动源产生单元与磁阻单元电磁耦合。磁阻单元由无磁化层（8）和间隔层（9）和磁性固定层（10）构成。磁化自由层具有根据外部磁性而变化的磁化部分。无磁化层由Co，Ni和Fe的合金制成。 CoFeB / Ru / CoFe膜的人造铁膜形成在磁性固定层中。

9. 发明公开

KR1020090065446A 자기 재생 헤드, 자기 헤드 및 자기 기억 장치 无效
标题翻译：磁性复制头，磁铁头和磁记录头
公开(公告)号：KR1020090065446A
公开(公告)日：2009-06-22
申请号：KR1020080127582
申请日：2008-12-16
申请人： 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼
发明人： 이와사끼도미오
IPC分类号： G11B5/39 , H01L43/08 , H01L43/12
CPC分类号： B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3929 , Y10T428/1114 , Y10T428/1143
摘要： A magnetic reproducing head, a magnetic head and a magnetic recording head are provided to improve the reliability and yield of the magnetic head by reducing the leak of detecting current through adding nitrogen and silicon. A magnetic reproducing head comprises: a lower magnetic shield layer(4), and an upper magnetic shield layer(2); a magneto-resistive film formed between the upper part magnetic shield layer and the lower magnetic shield layer; a first refill film(7) being arranged in order to be contacted to an opposite wall to the rising surface of the magneto-resistive film; and a second refill film(8) which is arranged in order to be contacted to both walls in the track width direction of the magneto-resistive film. The magneto-resistive film is a tunnel magneto-resistive film including a free layer(36), a fixed layer(32), and an insulative barrier layer(34) formed between the free layer and the fixed layer.
摘要翻译：提供磁再现头，磁头和磁记录头，通过减少通过添加氮和硅的检测电流的泄漏来提高磁头的可靠性和产量。磁性再现头包括：下磁屏蔽层（4）和上磁屏蔽层（2）; 形成在上部磁屏蔽层和下部磁屏蔽层之间的磁阻膜; 第一补充膜（7）被布置成与所述磁阻膜的上升表面相对的壁接触; 以及第二填充膜（8），其被布置成与磁阻膜的轨道宽度方向上的两个壁接触。磁阻膜是包括自由层（36），固定层（32）和形成在自由层和固定层之间的绝缘阻挡层（34）的隧道磁阻膜。

10. 发明公开

KR1020080048151A 수직 자기 이방성을 가지는 코발트-철-실리콘-보론/플래티늄 다층박막 有权
标题翻译： COFESIB / PT MULTILAYERS展示全面的磁性ANISOTROPY
公开(公告)号：KR1020080048151A
公开(公告)日：2008-06-02
申请号：KR1020060118143
申请日：2006-11-28
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 김영근 , 김유송 , 전병선 , 한승엽 , 이장로
IPC分类号： B32B9/04
CPC分类号： G11C11/16 , G01R33/098 , G11B5/3909 , G11B5/656 , G11B5/66 , G11C11/161 , H01F10/12 , Y10T428/1114
摘要： A CoFeSiB/Pt(Cobalt-Ferrum-Silicone-Boron/Platinum) multi-layer thin film with perpendicular magnetic anisotropy is provided to secure low coercivity, remanent magnetization similar to saturation magnetization, and low saturation magnetization and to minimize the consumption of power. A CoFeSiB/Pt multi-layer thin film with perpendicular magnetic anisotropy is composed of: a first Pt/CoFeSiB layer; a second Pt/CoFeSiB layer formed on the first Pt/CoFeSiB layer; a third Pt/CoFeSiB layer formed on the second Pt/CoFeSiB layer; and a fourth Pt/CoFeSiB layer formed on the third Pt/CoFeSiB layer. The thickness ratio of the first and second Pt/CoFeSiB layers is 1:1. Coercivity of the multi-layer thin film with perpendicular magnetic anisotropy is below 200e. If the thickness of Pt is 8 angstroms, the thickness of CoFeSiB is 3 angstroms. Or, if the thickness of CoFeSiB is 3 angstroms, Pt is over 14 angstroms.
摘要翻译：提供具有垂直磁各向异性的CoFeSiB / Pt（钴 - 铁 - 硅 - 硼/铂）多层薄膜，以确保低矫顽力，与饱和磁化强度相似的剩余磁化和低饱和磁化强度，并最大限度地减少功率消耗。具有垂直磁各向异性的CoFeSiB / Pt多层薄膜由以下部分组成：第一Pt / CoFeSiB层; 形成在第一Pt / CoFeSiB层上的第二Pt / CoFeSiB层; 形成在第二Pt / CoFeSiB层上的第三Pt / CoFeSiB层; 以及形成在第三Pt / CoFeSiB层上的第四Pt / CoFeSiB层。第一和第二Pt / CoFeSiB层的厚度比为1:1。具有垂直磁各向异性的多层薄膜的矫顽力低于200e。如果Pt的厚度为8埃，CoFeSiB的厚度为3埃。或者，如果CoFeSiB的厚度为3埃，则Pt超过14埃。

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