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41. 发明公开

KR20180035121A 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록매체 审中-公开
标题翻译：制造半导体器件衬底处理装置和非中间计算机可读记录介质的方法
公开(公告)号：KR20180035121A
公开(公告)日：2018-04-05
申请号：KR20170098113
申请日：2017-08-02
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/02 , H01L21/67
CPC分类号： H01L27/10894 , H01L21/0223 , H01L21/3115 , H01L22/20 , H01L27/10855
摘要： 반도체장치의특성의편차를억제가능한기술을제공한다. 상기목적을달성하기위해서, 금속막이형성되는복수의홈[溝] 및상기복수의홈 간에설치된복수의필라를포함하는기판중 상기기판의중앙면에서의상기필라의폭과상기중앙면의외주에구성되는외주면에서의상기필라의폭의측정데이터를수신하는공정; 및상기필라의폭 및상기필라에인접해서형성되는조정막의폭의합이상기중앙면과상기외주면에서소정의범위내가되도록상기홈에상기조정막을형성하는공정을포함하는기술을제공한다.
摘要翻译：这里描述的是能够抑制半导体器件的特性偏差的技术。一种制造半导体器件的方法可以包括：（a）接收通过测量在衬底的中心区域中的第一凹槽之间的第一柱体的宽度以及在外围区域中的第二凹槽之间的第二柱体的宽度而获得的数据基材; （b）在所述第一凹槽和所述第二凹槽的表面上形成宽度调节膜，使得所述第一柱的宽度和所述宽度调节膜的第一部分在所述中心区域中的厚度的总和和周边区域中的第二柱的宽度和宽度调节膜的第二部分的厚度在预定范围内。

42. 发明公开

KR20180030366A 반도체 기판의 처리 방법 审中-公开
标题翻译：处理半导体衬底的方法
公开(公告)号：KR20180030366A
公开(公告)日：2018-03-22
申请号：KR20160118412
申请日：2016-09-13
申请人： SK HYNIX INC
发明人： CHOI YONG SOO , JEONG HO JIN
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/67 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/02164 , B81C1/00952 , H01L21/02019 , H01L21/02052 , H01L21/0206 , H01L21/02063 , H01L21/02112 , H01L21/02172 , H01L21/0223 , H01L21/02255 , H01L21/02403 , H01L21/30625 , H01L21/3065 , H01L21/447
摘要： 일실시예에따르는반도체기판의처리방법에있어서, 반도체기판을선택적으로식각하여, 상기반도체기판에복수의활성영역및 상기활성영역사이의트렌치분리영역을형성한다. 상기반도체기판에탈이온수를공급하여상기반도체기판을수세하다. 실리콘-기반(silicon-based) 용액을상기반도체기판에제공하여, 상기탈이온수와상기실리콘-기반용액을서로교체한다. 상기반도체기판에대해열처리를수행하여, 상기실리콘-기반용액으로부터실리콘산화물을형성한다. 상기실리콘산화물은상기트렌치분리영역을채우도록형성된다.
摘要翻译：在处理半导体衬底的方法中，通过选择性地蚀刻半导体衬底来形成多个有源区域和多个沟槽隔离区域。通过向半导体衬底提供去离子水来清洗半导体衬底。通过用硅基溶液代替置于半导体衬底上的去离子水，将硅基溶液提供给半导体衬底。通过对硅基溶液和半导体基板进行热处理，从硅基溶液形成氧化硅材料。氧化硅材料填充沟槽隔离区域。

43. 发明公开

KR1020170124783A 반도체 기판의 산화막 제어방법 및 이를 이용하여 제조된 반도체 기판 审中-实审
标题翻译：用于控制半导体衬底上的氧化物膜的方法
公开(公告)号：KR1020170124783A
公开(公告)日：2017-11-13
申请号：KR1020160054615
申请日：2016-05-03
申请人： 연세대학교 산학협력단
发明人： 임상우 , 서동완
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/67 , C11D11/00 , C11D7/08
CPC分类号： H01L21/02052 , C11D7/08 , C11D11/0047 , H01L21/02057 , H01L21/0223 , H01L21/02554 , H01L21/6704
摘要： 본발명은반도체기판의산화막제어방법및 이에의해산화막에제어된반도체기판에대한것이다. 본발명에따른반도체기판의산화막제어방법은, 산화막두께를목적하는범위내로제어할수 있고, 또한기판표면의손상을최소화할수 있다. 더욱이, 본발명에따른반도체기판의산화막제어방법은, 세정액의처리공정의단순화및 환경오염을최소화할수 있다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于控制半导体衬底的氧化物膜的方法和由该氧化物膜控制的半导体衬底。根据本发明的半导体衬底的氧化物膜控制方法可以将氧化物膜的厚度控制在期望的范围并且可以使对衬底表面的损伤最小化。此外，根据本发明的半导体衬底的氧化膜控制方法可以简化清洗液的过程并且使环境污染最小化。

44. 发明公开

KR1020170014559A 집적회로 소자 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：集成电路装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170014559A
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：KR1020150108149
申请日：2015-07-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김원홍 , 유동수 , 이민주 , 송문균 , 최수정
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/66 , H01L29/36
CPC分类号： H01L21/823431 , H01L21/02057 , H01L21/0214 , H01L21/0223 , H01L21/02238 , H01L21/02247 , H01L21/02252 , H01L21/02255 , H01L21/02332 , H01L21/28158 , H01L21/3003 , H01L21/306 , H01L21/30604 , H01L21/31111 , H01L21/3221 , H01L21/3247 , H01L21/76 , H01L21/823462 , H01L21/823481 , H01L27/0886 , H01L29/0649 , H01L29/66795 , H01L29/7854
摘要： 집적회로소자는핀형활성영역의상면및 양측벽을덮는게이트절연막과, 게이트절연막을덮는게이트전극과, 핀형활성영역과게이트절연막과의사이의계면을따라형성된수소원자층을포함한다. 집적회로소자를제조하기위하여, 예비핀형활성영역을형성하고, 예비핀형활성영역의양 측벽하부를덮는절연막을형성한후, 예비핀형활성영역의노출된부분을수소분위기에서어닐링하여평활도가증가된외측표면을가지는핀형활성영역과, 핀형활성영역의외측표면을덮는수소원자층을형성한다. 핀형활성영역의상면및 양측벽을덮는게이트절연막과게이트전극을형성한다.
摘要翻译：集成电路器件可以包括覆盖鳍状有源区的顶表面和相对侧壁的栅极绝缘层，覆盖栅极绝缘层的栅极电极和沿着鳍状有源区域和栅极绝缘层。集成电路器件的制造方法可以包括：形成覆盖预备翅片状有源区域的下部的绝缘层，通过使初步的翅片状有源区域的上部退火而形成具有外表面的翅片状有源区域，其具有增加的平滑度在氢气氛中形成翅片形有源区，形成覆盖鳍状有源区的外表面的氢原子层。可以形成栅绝缘层和栅电极以覆盖鳍状有源区的顶表面和相对侧壁。

45. 发明授权

KR101689147B1 기존 구조에 대한 영향을 최소화하면서 실리콘에 산화물 박막을 성장시키는 방법 및 장치 有权
标题翻译：在最小化现有结构影响下生长硅氧化物薄膜的方法和装置
公开(公告)号：KR101689147B1
公开(公告)日：2016-12-23
申请号：KR1020167016042
申请日：2009-12-03
申请人： 맷슨 테크놀로지, 인크.
发明人： 퓨스,브루스,더블유. , 후,야오,즈 , 티먼스,폴,재니스 , 싱,광차이 , 러치,윌프라이드 , 테이,싱-핀 , 사바스,스테픈,이. , 로터스,죠지 , 넨예이,촐트 , 신하,아속
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/31654 , H01L21/0223 , H01L21/02238 , H01L21/02323 , H01L21/0234 , H01L21/67115 , H01L21/67248 , H01L21/68771
摘要： 플라즈마보조저온라디칼산화(plasma assited low temperature radical oxidation)가설명된다. 산화는산화되는실리콘에추가하여존재할수 있는금속또는금속산화물에선택적이다. 선택성은주로 O가스에대한 H의비인공정파라미터의적합한선택에의해달성된다. 공정윈도우는플라즈마로 HO 스팀을주입함으로써확대될수 있으며, 이에의해, TiN 및 W가있는경우에상대적으로낮은온도에서실리콘산화를가능하게한다. 선택적산화는원격플라즈마를가지며기판으로라디칼을흐르게하지만이온이기판에도달하는것을차단하는장치의사용에의해개선된다.
摘要翻译：描述了等离子体辅助低温自由基氧化。除了被氧化的硅之外，氧化对于可能存在的金属或金属氧化物是选择性的。选择性通过适当选择工艺参数来实现，主要是H2与O2气的比例。可以通过将H 2 O蒸汽注入到等离子体中来扩大工艺窗口，从而可以在相对低的温度下在TiN和W的存在下氧化硅。通过使用具有远离等离子体和流动基团的装置到衬底上但阻止离子到达衬底的装置来改善选择性氧化。

46. 发明公开

KR1020160075839A 기존 구조에 대한 영향을 최소화하면서 실리콘에 산화물 박막을 성장시키는 방법 및 장치 有权
标题翻译：用于在硅上生长氧化物薄膜的方法和设备，对现有结构的影响最小
公开(公告)号：KR1020160075839A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：KR1020167016042
申请日：2009-12-03
申请人： 맷슨 테크놀로지, 인크.
发明人： 퓨스,브루스,더블유. , 후,야오,즈 , 티먼스,폴,재니스 , 싱,광차이 , 러치,윌프라이드 , 테이,싱-핀 , 사바스,스테픈,이. , 로터스,죠지 , 넨예이,촐트 , 신하,아속
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/31654 , H01L21/0223 , H01L21/02238 , H01L21/02323 , H01L21/0234 , H01L21/67115 , H01L21/67248 , H01L21/68771 , H01L21/02252 , H01L21/02164
摘要： 플라즈마보조저온라디칼산화(plasma assited low temperature radical oxidation)가설명된다. 산화는산화되는실리콘에추가하여존재할수 있는금속또는금속산화물에선택적이다. 선택성은주로 O가스에대한 H의비인공정파라미터의적합한선택에의해달성된다. 공정윈도우는플라즈마로 HO 스팀을주입함으로써확대될수 있으며, 이에의해, TiN 및 W가있는경우에상대적으로낮은온도에서실리콘산화를가능하게한다. 선택적산화는원격플라즈마를가지며기판으로라디칼을흐르게하지만이온이기판에도달하는것을차단하는장치의사용에의해개선된다.
摘要翻译：假设等离子体辅助的低温自由基氧化。氧化对除了待氧化的硅以外可能存在的金属或金属氧化物是选择性的。通过适当选择工艺参数来实现选择性，所述工艺参数基本上是H与O 2气体的比率。通过向等离子体中注入HO蒸汽可以扩大工艺窗口，从而在TiN和W存在时使硅在相对较低的温度下氧化。通过使用具有远程等离子体的装置来改善选择性氧化，从而使自由基流向衬底，但阻挡离子到达衬底。

47. 发明公开

KR1020140009369A 이산화규소막의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：二氧化硅膜生产方法
公开(公告)号：KR1020140009369A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：KR1020137024491
申请日：2012-02-16
申请人： 메르크 파텐트 게엠베하
发明人： 나가하라다쓰로 , 하야시마사노부 , 스즈키가쓰치카
IPC分类号： H01L21/316
CPC分类号： H01L21/0223 , H01L21/02164 , H01L21/02222 , H01L21/02282 , H01L21/02326 , H01L21/76224 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： [과제] 저수축이며 저응력인 절연막을 제조할 수 있는 방법의 제공.
[해결수단] 기판 표면에 폴리실라잔 조성물을 도포하여 도막을 형성시키고, 이어서 상기 도막을 과산화수소 분위기하, 50 내지 200℃로 가열하는 것을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는, 이산화규소막의 제조 방법. 이 이산화규소막의 제조 방법에 의해 각종 절연막 등의 아이솔레이션 구조를 형성시킬 수 있다.

48. 发明公开

KR1020130124904A 반도체 디바이스 유전체 계면층 审中-实审
标题翻译：半导体器件电介质接口层
公开(公告)号：KR1020130124904A
公开(公告)日：2013-11-15
申请号：KR1020130050740
申请日：2013-05-06
申请人： 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.
发明人： 라이사넨뻬뜨리 , 기븐스마이클 , 버기스모히스
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/02233 , H01L21/0214 , H01L21/02164 , H01L21/02172 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/02183 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/02192 , H01L21/02197 , H01L21/022 , H01L21/0223 , H01L21/02236 , H01L21/02238 , H01L21/02247 , H01L21/02249 , H01L21/02252 , H01L21/0228 , H01L21/02304 , H01L21/02315 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L21/28211 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L29/511 , H01L29/512 , H01L29/513 , H01L29/517
摘要： Performance types related to methods for forming a film stack on a substrate are provided. A method in one embodiment of the present invention comprises a step of exposing the substrate to activated oxygen species and a step of converting the exposing surface of the substrate into a successive monolayer of a first dielectric substance. The method also comprises a step for forming a second dielectric substance on the successive monolayer by not exposing the substrate to an air brake. [Reference numerals] (102) Support a substrate on a reactor;(104) Supply activated oxygen species to the substrate;(106) Convert an exposed surface of the substrate to a successive monolayer of a first dielectric material;(108) Form a second dielectric material on the first dielectric material without air brake;(AA) Supply activated nitrogen species on the substrate;(BB) Supply activated species until domains of the first dielectric material are combined to form a successive monolayer;(CC) Supply activated species during predetermined conversion time;(DD) By depositing the second dielectric material on the first dielectric material;(EE) Without air brake
摘要翻译：提供了与在基板上形成膜堆叠的方法相关的性能类型。本发明的一个实施方案中的方法包括将基底暴露于活性氧物质的步骤和将基底的暴露表面转化为第一介电物质的连续单层的步骤。该方法还包括通过不将衬底暴露于空气制动器在连续单层上形成第二电介质的步骤。（102）在反应器上支撑基板;（104）向基板供应活化氧物质;（106）将基板的暴露表面转换成第一介电材料的连续单层;（108）形成在第一介电材料上的第二电介质材料，无空气制动;（AA）在衬底上提供活化的氮物质;（BB）供应激活的物质，直到第一介电材料的区域结合形成连续的单层;（CC）在预定的转换时间内;（DD）通过在第一电介质材料上沉积第二电介质材料;（EE）无空气制动

49. 发明公开

KR1020130115198A 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 有权
标题翻译：制造半导体器件的方法，加工基板的方法和基板处理装置
公开(公告)号：KR1020130115198A
公开(公告)日：2013-10-21
申请号：KR1020130112551
申请日：2013-09-23
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 히로세요시로 , 타카사와유신 , 카마쿠라츠카사 , 나카무라요시노부 , 사사지마료타
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/67069 , C23C16/30 , C23C16/45531 , C23C16/45546 , H01L21/02104 , H01L21/02126 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/0223 , H01L21/02247 , H01L21/0228 , H01L21/67011 , H01L21/67017
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device and a method and apparatus for processing a substrate are provided to improve etching resistance by forming an insulation film with a low dielectric constant. CONSTITUTION: A gas with an element is supplied to a substrate in a processing chamber. A gas containing C is supplied to the substrate. A gas containing N is supplied to the substrate. A gas containing O is supplied to the substrate. An SiON film is formed on the substrate. [Reference numerals] (AA) Silicon containing gas (HCD); (BB) Carbon containing gas (C_3H_6); (CC) Nitrogen containing gas (NH_3); (DD) Oxygen containing gas (O_2); (EE) Inert gas (N_2); (FF) First cycle; (GG) Second cycle; (HH) N^th cycle
摘要翻译：目的：提供一种制造半导体器件的方法以及用于处理衬底的方法和装置，以通过形成具有低介电常数的绝缘膜来提高耐腐蚀性。构成：将具有元素的气体供给到处理室中的基板。将含有C的气体供给到基板。将含有N的气体供给到基板。含有O的气体被供给到基板。在基板上形成SiON膜。（附图标记）（AA）含硅气体（HCD）; （BB）含碳气体（C_3H_6）; （CC）含氮气体（NH_3）; （DD）含氧气体（O_2）; （EE）惰性气体（N_2）; （FF）第一周期; （GG）第二周期; （HH）N ^周期

50. 发明授权

KR101267165B1 성막 방법, 반도체 장치 및 그 제조 방법과 기판 처리 장치 有权
标题翻译：薄膜成型方法，半导体器件及其制造方法及其基板处理装置
公开(公告)号：KR101267165B1
公开(公告)日：2013-05-23
申请号：KR1020110091667
申请日：2011-09-09
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 미요시히데노리 , 아즈모슈지
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/208 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/02271 , H01L21/02211 , H01L21/0223 , H01L21/02348 , H01L21/28026 , H01L21/28158 , H01L21/28264 , H01L21/32051 , H01L21/445 , H01L21/67069 , H01L21/76802 , H01L21/76874 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/22 , H01L29/49 , H01L29/4908 , H01L29/51 , H01L51/0055 , H01L51/0094 , H01L51/0537
摘要： 진공장치를사용하지않고, 트랜지스터등의반도체장치에적용할수 있는 MOS 구조의적층막을형성한다. 성막방법은반도체막(3)을갖는기판에폴리실란용액을도포하여, 반도체막(3) 상에폴리실란막(5)을형성하는공정(스텝 1)과, 폴리실란막(5) 상에, 금속염용액을도포하여금속이온함유막(7)을형성하는것에의해, 폴리실란막(5)을폴리실록산막(5A)으로, 금속이온함유막(7)을금속미립자함유막(7A)으로각각개질하는공정(스텝 2)을구비하고, MOS 구조의적층막(100)을형성한다.

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