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1. 发明授权

KR101815763B1 반도체 기판의 산화막 제어방법 및 이를 이용하여 제조된 반도체 기판 有权
公开(公告)号：KR101815763B1
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：KR1020160054615
申请日：2016-05-03
申请人： 연세대학교 산학협력단
发明人： 임상우 , 서동완
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/67 , C11D11/00 , C11D7/08
摘要： 본발명은반도체기판의산화막제어방법및 이에의해산화막에제어된반도체기판에대한것이다. 본발명에따른반도체기판의산화막제어방법은, 산화막두께를목적하는범위내로제어할수 있고, 또한기판표면의손상을최소화할수 있다. 더욱이, 본발명에따른반도체기판의산화막제어방법은, 세정액의처리공정의단순화및 환경오염을최소화할수 있다.

2. 发明授权

KR102221906B1 위상 반전 마스크의 표면 개질 방법 및 이를 이용한 세정 방법 有权
公开(公告)号：KR102221906B1
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：KR1020140049159
申请日：2014-04-24
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사 , 연세대학교 산학협력단
发明人： 임상우 , 추혁성 , 서동완
IPC分类号： H01L21/027 , G03F1/26 , H01L21/3065 , H01L21/324
摘要： 본발명은위상반전마스크(phase shift mask; PSM)의표면개질방법및 이를이용한세정방법에관한것으로서, 보다구체적으로는투광기판상에위상반전패턴이형성된위상반전마스크의표면을플라즈마또는어닐링공정을통해개질하는방법및 상기의표면개질방법을이용한세정방법에관한것이다.

3. 发明公开

KR1020150122957A 위상 반전 마스크의 표면 개질 방법 및 이를 이용한 세정 방법 审中-实审
标题翻译：相位切片的表面改性及其清洗方法
公开(公告)号：KR1020150122957A
公开(公告)日：2015-11-03
申请号：KR1020140049159
申请日：2014-04-24
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사 , 연세대학교 산학협력단
发明人： 임상우 , 추혁성 , 서동완
IPC分类号： H01L21/027 , G03F1/26 , H01L21/3065 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/0274
摘要： 본발명은위상반전마스크(phase shift mask; PSM)의표면개질방법및 이를이용한세정방법에관한것으로서, 보다구체적으로는투광기판상에위상반전패턴이형성된위상반전마스크의표면을플라즈마또는어닐링공정을통해개질하는방법및 상기의표면개질방법을이용한세정방법에관한것이다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于修改相移掩模（PSM）的表面的方法，以及一种使用其进行清洁的方法，更具体地，涉及一种用于修改具有相移图案的相移掩模的表面的方法通过等离子体或退火工艺在透明基板上，以及使用改性表面的方法进行清洗的方法。

4. 发明公开

KR1020170124783A 반도체 기판의 산화막 제어방법 및 이를 이용하여 제조된 반도체 기판 审中-实审
标题翻译：用于控制半导体衬底上的氧化物膜的方法
公开(公告)号：KR1020170124783A
公开(公告)日：2017-11-13
申请号：KR1020160054615
申请日：2016-05-03
申请人： 연세대학교 산학협력단
发明人： 임상우 , 서동완
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/67 , C11D11/00 , C11D7/08
CPC分类号： H01L21/02052 , C11D7/08 , C11D11/0047 , H01L21/02057 , H01L21/0223 , H01L21/02554 , H01L21/6704
摘要： 본발명은반도체기판의산화막제어방법및 이에의해산화막에제어된반도체기판에대한것이다. 본발명에따른반도체기판의산화막제어방법은, 산화막두께를목적하는범위내로제어할수 있고, 또한기판표면의손상을최소화할수 있다. 더욱이, 본발명에따른반도체기판의산화막제어방법은, 세정액의처리공정의단순화및 환경오염을최소화할수 있다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于控制半导体衬底的氧化物膜的方法和由该氧化物膜控制的半导体衬底。根据本发明的半导体衬底的氧化物膜控制方法可以将氧化物膜的厚度控制在期望的范围并且可以使对衬底表面的损伤最小化。此外，根据本发明的半导体衬底的氧化膜控制方法可以简化清洗液的过程并且使环境污染最小化。

5. 发明公开

KR1020070000702A 탐색영역 재설정을 이용한 고속 움직임 예측 장치 및 방법 无效
标题翻译：基于减少的搜索范围的快速运动估计的装置和方法
公开(公告)号：KR1020070000702A
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：KR1020050056265
申请日：2005-06-28
申请人： 연세대학교 산학협력단
发明人： 최윤식 , 서동완
IPC分类号： H04N19/51
CPC分类号： H04N19/557 , H04N19/56 , H04N19/57
摘要： An apparatus and a method for estimating high speed motion by using a search area resetting are provided to perform motion estimation only within the set search area. A motion estimation member(170) includes a norm calculation member(210). The norm calculation member calculates the norm of a macro block with 16x16 unit at the entire position within the reference frame and the norm of the present macro block. An SAD(Sum of Absolute Distance) calculation member(220) calculates the SAD at the motion vector of (0,0) and sets the calculated result as the reference SAD. A search area setting member(230) divides the given macro block into nine rectangular search areas and sets the first search area.
摘要翻译：提供了通过使用搜索区域重置来估计高速运动的装置和方法，以仅在设定的搜索区域内执行运动估计。运动估计构件（170）包括范数计算构件（210）。范数计算构件在参考帧内的整个位置和当前宏块的范数内计算具有16×16单位的宏块的范数。 SAD（绝对距离之和）计算构件（220）以（0,0）的运动矢量计算SAD，并将计算结果设置为参考SAD。搜索区域设置构件（230）将给定宏块划分为九个矩形搜索区域并设置第一搜索区域。

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