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31. 发明授权

KR100611886B1 개량된 구조의 트랜지스터를 구비한 화소 회로 및 유기발광 표시장치 失效
标题翻译：像素电路和有机发光显示器具有改进的晶体管结构
公开(公告)号：KR100611886B1
公开(公告)日：2006-08-11
申请号：KR1020040048314
申请日：2004-06-25
申请人： 삼성에스디아이 주식회사
发明人： 최웅식
IPC分类号： H05B33/00 , H01L29/786 , G09G3/30
CPC分类号： H01L29/78696 , H01L27/1255 , H01L27/1296 , H01L27/3262
摘要： 본 발명은 패널 내의 트랜지스터의 균일도를 향상시켜 화질을 개선한 화소 회로 및 이를 채용한 유기 발광 표시장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 화소 회로는 선택 신호에 응답하여 데이터 신호를 전달하는 스위칭 소자와, 전달된 데이터 신호에 상응하는 전압을 저장하는 캐패시터, 그리고 캐패시터에 저장된 전압에 상응하는 전류를 유기 발광 소자에 공급하는 구동 트랜지스터를 포함하며, 구동 트랜지스터는, 사각 링 모양의 채널과 이 채널의 마주하는 두 모서리 부분에 각각 접속되는 소오스 및 드레인을 가지는 반도체층과, 절연층을 사이에 두고 채널과 마주하는 게이트를 구비하는 것을 특징으로 한다.
유기 발광, 표시장치, TFT, 균일도, 채널

32. 发明授权

KR100600341B1 구동 트랜지스터 및 그것을 채용한 유기 발광 표시 장치 有权
标题翻译：驱动晶体管和有机发光二极管显示使用相同
公开(公告)号：KR100600341B1
公开(公告)日：2006-07-18
申请号：KR1020040094182
申请日：2004-11-17
申请人： 삼성에스디아이 주식회사
发明人： 천필근 , 최웅식
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L21/268 , H01L27/124 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L27/3244
摘要： 본 발명은 제조 공정상의 편차에도 불구하고 구동 전류를 비교적 균일하게 출력할 수 있는 트랜지스터와 이러한 트랜지스터를 이용하여 보다 우수한 화질을 표시할 수 있는 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 트랜지스터는 기판 상에 형성되며, 제1 콘택홀 및 제2 콘택홀을 통해 소오스 전극에 접속되는 소오스, 제3 콘택홀 및 제4 콘택홀을 통해 드레인 전극에 접속되는 드레인, 및 소오스와 드레인 사이에 형성되는 채널을 구비하는 반도체층과, 채널에 접하여 형성되는 게이트 절연층, 그리고 게이트 절연층을 사이에 두고 채널과 마주하는 게이트를 포함하되, 제1 내지 제4 콘택홀은 레이저빔의 진행 방향과 직교하는 서로 다른 직선 상에 형성된다.
박막 트랜지스터, 발광 표시 장치, 콘택홀, 결정화

33. 发明公开

KR1020060059920A 반도체 장치를 형성하는 방법 有权
公开(公告)号：KR1020060059920A
公开(公告)日：2006-06-02
申请号：KR1020060031505
申请日：2006-04-06
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 야마자키순페이 , 미야나가아키하루 , 미츠키토루 , 오타니히사시
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/20
CPC分类号： H01L29/78603 , H01L21/02532 , H01L21/02672 , H01L21/3226 , H01L21/8221 , H01L21/84 , H01L27/0688 , H01L27/1277 , H01L27/1281 , H01L27/1296 , H01L29/04 , H01L29/66757 , H01L29/78621
摘要： 석영 또는 반도체 기판(100)상에, 하단 절연층(104)을 이루는 절연막(103)이 형성된다. 절연막(103)의 표면상에는 기판(100)의 오목부(recess)(101a 내지 101d)에 대응하는 오목부(105a 내지 105d)가 형성된다. 이 절연막(103)의 표면은 하단 절연층(104)을 형성하도록 평탄화된다. 이 평탄화 공정에 의해, 하단 절연층(104)의 오목부(106a, 106b, 106d) 간의 거리 L1, L2, ..., Ln는 0.3 ㎛ 이상으로 이루어지고, 각 오목부의 깊이는 10nm 이내로 이루어진다. 하단 절연막(104)의 표면의 제곱 평균(root-mean-square) 표면 거칠기는 0.3 nm 이하로 이루어진다. 이것에 의해, 오목부(106a, 106b, 106d)에서는, 반도체 박막의 결정 성장을 저해하는 것이 방지될 수 있고, 결정 입자 경계가 실질적으로 사라질 수 있다.
반도체 장치, 평탄화된 표면, 게이트 전극, 절연막, 오목부

34. 发明公开

KR1020060054273A 반도체장치 失效
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR1020060054273A
公开(公告)日：2006-05-22
申请号：KR1020060039894
申请日：2006-05-03
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 야마자키순페이 , 고야마준
IPC分类号： H01L27/115 , G09G3/36
CPC分类号： H01L27/105 , G02F1/13454 , G09G3/3688 , G09G3/3696 , G09G2320/0276 , H01L27/11526 , H01L27/11546 , H01L27/1277 , H01L27/1296 , H01L29/04 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/78675 , H01L21/28273
摘要： 본 발명의 반도체장치는 외부로부터 공급되는 신호를 감마 보정하기 위한 제어회로와, 그 감마 보정에 사용되는 데이터를 기억하는 메모리를 포함한다. 제어회로 및 메모리는 TFT로 구성되고, 동일 절연 기판 상에 일체로 형성되어 있다. 본 발명의 반도체 표시장치는 다수의 TFT가 매트릭스 형태로 배치된 화소 영역; 다수의 TFT를 스위칭하는 드라이버; 화상 신호를 공급하는 화상 신호 공급원; 화상 신호를 감마 보정하기 위한 제어회로; 및 화상 신호의 감마 보정에 사용되는 데이터를 기억하는 메모리를 포함한다. 다수의 TFT, 드라이버, 제어회로 및 메모리는 동일 절연 기판 상에 일체로 형성되어 있다.
반도체장치, 메모리, 섬 형상의 반도체층, 플로팅 게이트, 컨트롤 게이트

35. 发明公开

KR1020060053746A 구동 트랜지스터 및 그것을 채용한 유기 발광 표시 장치 有权
标题翻译：驱动晶体管和有机发光二极管显示使用它
公开(公告)号：KR1020060053746A
公开(公告)日：2006-05-22
申请号：KR1020040094182
申请日：2004-11-17
申请人： 삼성에스디아이 주식회사
发明人： 천필근 , 최웅식
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L21/268 , H01L27/124 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L27/3244
摘要： 본 발명은 제조 공정상의 편차에도 불구하고 구동 전류를 비교적 균일하게 출력할 수 있는 트랜지스터와 이러한 트랜지스터를 이용하여 보다 우수한 화질을 표시할 수 있는 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 트랜지스터는 기판 상에 형성되며, 제1 콘택홀 및 제2 콘택홀을 통해 소오스 전극에 접속되는 소오스, 제3 콘택홀 및 제4 콘택홀을 통해 드레인 전극에 접속되는 드레인, 및 소오스와 드레인 사이에 형성되는 채널을 구비하는 반도체층과, 채널에 접하여 형성되는 게이트 절연층, 그리고 게이트 절연층을 사이에 두고 채널과 마주하는 게이트를 포함하되, 제1 내지 제4 콘택홀은 레이저빔의 진행 방향과 직교하는 서로 다른 직선 상에 형성된다.
박막 트랜지스터, 발광 표시 장치, 콘택홀, 결정화

36. 发明公开

KR1020060050852A 광조사장치, 결정화장치, 결정화방법, 반도체 디바이스, 및광변조소자 无效
标题翻译：光照射装置，结晶装置，结晶方法，半导体器件和光调制元件
公开(公告)号：KR1020060050852A
公开(公告)日：2006-05-19
申请号：KR1020050080508
申请日：2005-08-31
申请人： 가부시키가이샤 에키쇼센탄 기쥬쓰 가이하쓰센타
发明人： 마츠무라마사키요 , 타니구치유키오
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/02678 , B23K26/064 , B23K26/0648 , B23K26/0665 , B23K26/123 , G03F1/34 , H01L21/2026 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , Y10T117/1004
摘要： A light irradiation apparatus includes a light modulation element which has a phase modulation area having at least one basic pattern for modulating a light beam, an illumination system which illuminates the phase modulation area of the light modulation element with a light beam, and an image formation optical system which causes a light beam on an irradiation target surface a light intensity distribution having an inverse-peak-shaped pattern formed based on the light beam phase-modulated by the phase modulation element to fall on an irradiation target object. Dimensions of the basic pattern are not greater than a point spread function range of the image formation optical system converted in terms of the light modulation element. The phase modulation area is configured in such a manner that a phase distribution in a light complex amplitude distribution on the irradiation target surface becomes a saw-tooth-like distribution along a line segment in a lateral direction.

37. 发明授权

KR100573225B1 비정질 실리콘층의 결정화 방법 有权
标题翻译：非晶硅层的结晶方法
公开(公告)号：KR100573225B1
公开(公告)日：2006-04-24
申请号：KR1020030066130
申请日：2003-09-24
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 김영주
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： H01L21/02675 , H01L21/2026 , H01L21/268 , H01L23/544 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/66757 , H01L29/78675 , H01L2223/5442 , H01L2223/54473 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 본 발명에서는, 불균일한 결정 영역을 감소시키고 공정시간을 단축할 수 있는 비정질 실리콘의 결정화 공정 및 이를 포함하는 스위칭 소자용 반도체층의 제조 방법을 제공하기 위하여, 결정화 공정뿐만 아니라 사진식각 공정용 얼라인 키로 겸용할 수 있는 얼라인 키의 제조 방법 및 이러한 얼라인 키를 이용한 결정화 공정 및 반도체층의 제조 방법을 제공하는 것을 특징으로 하며, 이에 따라 첫째 얼라인 키를 기준으로, 비정질 실리콘층의 결정화 공정을 진행하기 때문에 레이저 빔의 정확한 위치제어를 가능하게 함으로써, 레이저 샷의 오버랩에 의한 불균일성을 해소할 수 있으며, 또한 스위칭 소자 채널 내의 그레인 바운더리 위치제어를 할 수 있기 때문에 소자 특성이 우수한 스위칭 소자 제작이 가능하고, 둘째, 완전 용융 영역대 에너지 밀도보다 큰 에너지 밀도를 가지는 레이저 빔의 조사를 통한 어블레이션(ablation) 반응에 의해 원하는 영역만을 선택적으로 제거하는 방법으로 음각형태의 단차 특성을 가지는 얼라인 키를 제조함으로써, 얼라인 키 제조를 위한 별도의 식각 공정을 생략할 수 있고, 비정질 실리콘층의 선택적 결정화 및 후속 반도체층의 사진식각 공정에 이용할 수 있어, 별도의 사진식각 공정용 얼라인 키 제조 공정을 생략함으로써, 공정수를 줄여 생산수율을 높일 수 있는 장점을 가진다.

38. 发明公开

KR1020050122694A 발광 표시장치와 그의 제조방법 有权
标题翻译：发光显示器及其制造方法
公开(公告)号：KR1020050122694A
公开(公告)日：2005-12-29
申请号：KR1020040048316
申请日：2004-06-25
申请人： 삼성에스디아이 주식회사
发明人： 최웅식
IPC分类号： H05B33/00 , H05B33/26
CPC分类号： H01L27/1285 , G09G2320/0233 , H01L27/1296 , H01L27/3244 , H01L27/3262
摘要： 본 발명은 구동 트랜지스터의 특성 차이로 발생되는 줄무늬를 방지하여 화질을 균일하게 할 수 있는 발광 표시장치와 그의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 발광 표시장치는 데이터선들과 주사선들의 교차 영역에 인접하도록 형성되는 복수의 발광소자와, 상기 데이터선에 공급된 데이터 신호에 대응되는 전류를 상기 발광소자에 공급하기 위한 복수의 구동 트랜지스터를 포함하는 화소회로를 가지며, 상기 복수의 구동 트랜지스터는 열방향 및 행방향 중 적어도 어느 한 방향에서 서로 다른 위치에 형성된다.
이러한 구성에 의하여 본 발명은 엑시머 레이져로부터 조사되는 라인 빔에 따라 엑시머 레이져의 조사방향에 수직한 방향으로 발생되는 줄무늬를 방지할 수 있다.

39. 发明公开

KR1020050122692A 개량된 구조의 트랜지스터를 구비한 화소 회로 및 유기발광 표시장치 失效
标题翻译：一种具有改进的结构晶体管和有机发光显示器的像素电路
公开(公告)号：KR1020050122692A
公开(公告)日：2005-12-29
申请号：KR1020040048314
申请日：2004-06-25
申请人： 삼성에스디아이 주식회사
发明人： 최웅식
IPC分类号： H05B33/00 , H01L29/786 , G09G3/30
CPC分类号： H01L29/78696 , H01L27/1255 , H01L27/1296 , H01L27/3262
摘要： 본 발명은 패널 내의 트랜지스터의 균일도를 향상시켜 화질을 개선한 화소 회로 및 이를 채용한 유기 발광 표시장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 화소 회로는 선택 신호에 응답하여 데이터 신호를 전달하는 스위칭 소자와, 전달된 데이터 신호에 상응하는 전압을 저장하는 캐패시터, 그리고 캐패시터에 저장된 전압에 상응하는 전류를 유기 발광 소자에 공급하는 구동 트랜지스터를 포함하며, 구동 트랜지스터는, 사각 링 모양의 채널과 이 채널의 마주하는 두 모서리 부분에 각각 접속되는 소오스 및 드레인을 가지는 반도체층과, 절연층을 사이에 두고 채널과 마주하는 게이트를 구비하는 것을 특징으로 한다.

40. 发明授权

KR100534579B1 다결정 실리콘 박막, 이의 제조 방법 및 이를 이용하여제조된 액티브 채널 방향 의존성이 없는 박막 트랜지스터 有权
标题翻译：多晶硅薄膜，其制造方法和薄膜晶体管非依赖于主动通道方向
公开(公告)号：KR100534579B1
公开(公告)日：2005-12-07
申请号：KR1020030013829
申请日：2003-03-05
申请人： 삼성에스디아이 주식회사
发明人： 박지용 , 박혜향
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： H01L21/02532 , B23K26/073 , B23K26/0732 , B23K26/0738 , H01L21/0268 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/04 , H01L29/78672 , H01L29/78696 , Y10S438/945
摘要： A polycrystalline silicon thin film to be used in display devices, the thin film comprising adjacent primary grain boundaries that are not parallel to each other and do not contact each other, wherein an area surrounded by the primary grain boundaries is larger than 1 μm2, a fabrication method of the polycrystalline silicon thin film, and a thin film transistor fabricated using the method.

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