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1. 发明授权

KR101921335B1 반도체 장치 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101921335B1
公开(公告)日：2018-11-22
申请号：KR1020120021995
申请日：2012-03-02
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 스자와히데오미 , 사사가와신야
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/4908 , H01L29/512 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/66969 , H01L29/78621
摘要： 본발명은, 산화물반도체를사용하는트랜지스터에있어서, 전기적특성이양호한트랜지스터및 그제조방법을제공하는것을과제의하나로한다. 기판위에산화물반도체막및 절연막을갖고, 산화물반도체막의단부는절연막과접하고있고, 산화물반도체막은, 채널형성영역과, 채널형성영역을사이에두고형성된도펀트를포함하는영역을포함하고, 산화물반도체막위에접해서형성된게이트절연막과, 게이트절연막위에형성되고, 사이드월 절연막을갖는게이트전극과, 사이드월 절연막, 산화물반도체막, 및절연막에접해서형성된소스전극및 드레인전극을갖는반도체장치이다.

2. 发明公开

KR20180045090A 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 审中-公开
公开(公告)号：KR20180045090A
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：KR20160138377
申请日：2016-10-24
IPC分类号： H01L27/32 , H01L27/12 , H01L51/00 , H01L51/56
CPC分类号： H01L29/78621 , G02F1/1368 , G02F2001/13685 , H01L21/2253 , H01L21/2652 , H01L21/266 , H01L27/1214 , H01L27/3244 , H01L29/42384 , H01L29/66757 , H01L29/78603 , H01L29/78675 , H01L2029/42388 , H01L2029/7863
摘要： 일실시예에따른표시장치는플렉서블기판, 상기플렉서블기판위에위치하는반도체층, 상기반도체층위에위치하는보호층, 상기보호층위에위치하고, 서로이격되는제1 정렬부재및 제2 정렬부재, 상기보호층, 상기제1 정렬부재및 상기제2 정렬부재위에위치하는제1 절연층, 그리고상기제1 절연층위에위치하는게이트전극, 상기제1 절연층및 상기게이트전극위에위치하는제2 절연층, 그리고상기제2 절연층위에위치하고, 서로이격되는소스전극및 드레인전극을포함하고, 상기제1 정렬부재및 상기제2 정렬부재는동일한층 위에위치하고, 상기게이트전극은상기제1 정렬부재와상기제2 정렬부재사이에대응하는부분에중첩한다.

3. 发明公开

KR20180003302A 백플레인 기판과 이의 제조 방법 및 이를 적용한 유기 발광 표시 장치 审中-公开
标题翻译：用于同样的有机发光显示装置的背板基板制造方法
公开(公告)号：KR20180003302A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：KR20160082946
申请日：2016-06-30
IPC分类号： H01L27/32 , H01L27/12 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/3262 , G09G3/3225 , G09G2320/0242 , G09G2340/0407 , G09G2340/145 , H01L27/1222 , H01L27/1251 , H01L27/1255 , H01L27/1274 , H01L27/3265 , H01L29/42384 , H01L29/78621 , H01L29/78672
摘要： 본발명은초고해상도를갖는구조에서작아진픽셀에서도풍부한계조표현이가능한회로특성을얻고자하는백플레인기판, 이의제조방법및 이를적용한유기발광표시장치에관한것으로, 구동박막트랜지스터와그 외박막트랜지스터의스택구조를달리하여, 상대적으로구동박막트랜지스터의 S-Factor만을향상시킨다.
摘要翻译：公开了一种背板基板，其被设计为即使在超高分辨率结构的较小像素中也能实现足够的灰度级的电路特性，其制造方法以及使用该背板基板的有机发光显示装置，背板基板中，驱动薄膜晶体管具有与其他薄膜晶体管不同的堆叠结构，使得仅驱动薄膜晶体管的S因子增加。

4. 发明公开

KR1020170126392A 수평 나노시트 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：水平纳米片场效应晶体管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170126392A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：KR1020170027658
申请日：2017-03-03
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 오브라도빅보르나제이. , 로더마크에스. , 락싯티타시
IPC分类号： H01L29/45
CPC分类号： H01L29/0665 , H01L21/30612 , H01L29/0847 , H01L29/1033 , H01L29/20 , H01L29/205 , H01L29/267 , H01L29/41758 , H01L29/42392 , H01L29/66522 , H01L29/66545 , H01L29/66553 , H01L29/6656 , H01L29/66742 , H01L29/7783 , H01L29/78621 , H01L29/78681
摘要： 수평나노시트전계효과트랜지스터(horizontal nanosheet field effect transistor) 및그 제조방법이제공된다. 수평나노시트전계효과트랜지스터는, 소스전극, 드레인전극, 소스전극과드레인전극사이에배치되는게이트전극, 소스전극을게이트전극으로부터분리시키는제1 스페이서, 드레인전극을게이트전극으로부터분리시키는제2 스페이서, 게이트전극아래에배치되고, 소스전극과게이트전극사이에서연장되는채널영역, 및적어도하나의결정성배리어물질층을포함하고, 소스및 드레인전극은각각확장영역을포함하고, 소스전극의확장영역은제1 스페이서의적어도일부아래에배치되고, 드레인전극의확장영역은제2 스페이서의적어도일부아래에배치되고, 적어도하나의결정성배리어물질층은, 소스및 드레인전극의확장영역에서제1 두께를갖고, 채널영역에서제1 두께보다얇은제2 두께를갖는다.
摘要翻译：提供了一种水平纳米片场效应晶体管及其制造方法。第二间隔与第一间隔物，分离从水平纳米片场效应晶体管的栅电极的漏极电极与栅极电极分离，栅电极设置在源电极之间的源电极，漏电极，源电极和漏电极，在源电极和栅电极之间延伸的沟道区以及设置在栅电极下方的至少一层晶体阻挡材料，源电极和漏电极均包括延伸区，其中至少一层晶体阻挡材料在源电极和漏电极的延伸区域中具有第一厚度，至少一层晶体阻挡材料在源电极和漏电极的延伸区域中具有第一厚度，并且沟道区域中的第二厚度比第一厚度薄。

5. 发明公开

KR1020170007617A 박막트랜지스터 기판의 제조방법 审中-实审
标题翻译：薄膜晶体管基板的制作方法
公开(公告)号：KR1020170007617A
公开(公告)日：2017-01-19
申请号：KR1020150097859
申请日：2015-07-09
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 김종윤 , 김왈준 , 김정현 , 안기완
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/32 , H01L21/027 , H01L21/306 , H01L29/49
CPC分类号： H01L29/66757 , H01L21/0273 , H01L21/266 , H01L21/32134 , H01L27/1288 , H01L29/78621 , H01L2227/323
摘要： 본발명의일 실시예는기판상에반도체패턴층을형성하는단계; 상기반도체패턴층상에제1 절연막을형성하는단계; 상기제1 절연막상에게이트전극및 상기게이트전극의양측으로부터각각이격된한쌍의정렬전극을포함하는금속패턴층을형성하는단계; 상기게이트전극을덮는커버층을형성하고, 상기한쌍의정렬전극을제거하는단계; 상기커버층을마스크로사용하여제1 불순물을상기반도체패턴층에도핑하는제1 도핑단계; 상기커버층을제거하는단계; 및상기게이트전극을마스크로사용하여상기반도체패턴층에상기제1 불순물보다저농도인제2 불순물로도핑하는제2 도핑단계;를포함하는, 박막트랜지스터기판의제조방법을개시한다.
摘要翻译：提供一种制造薄膜晶体管基板的方法，该方法包括在基板上形成半导体图案层。在半导体图案层上形成第一绝缘膜。在第一绝缘膜上形成包括栅电极的金属图案层和分别与栅电极的两侧间隔开的第一和第二取向电极。形成覆盖栅电极的覆盖层。去除第一和第二对准电极。通过使用覆盖层作为掩模，通过用第一杂质掺杂半导体图案层来执行第一掺杂工艺。盖层被去除。通过使用栅电极作为掩模，通过掺杂具有比第一杂质更低的杂质浓度的第二杂质的半导体图案层来进行第二掺杂工艺。

6. 发明公开

KR1020170000064A 박막 트랜지스터 기판의 제조방법 审中-实审
标题翻译：薄膜晶体管基板的制造方法
公开(公告)号：KR1020170000064A
公开(公告)日：2017-01-02
申请号：KR1020150088716
申请日：2015-06-22
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 안기완 , 김정현 , 조승환
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/32
CPC分类号： H01L27/1288 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L29/78645
摘要： 본발명의일 실시예는기판상에제1영역및 상기제1영역의양측에구비되는제2영역과제3영역을포함하는반도체패턴을형성하는공정, 상기반도체패턴을덮도록상기기판상에제1 절연층을형성하는공정, 제1감광패턴을이용하여상기제1절연층상에금속패턴층을형성하는공정, 상기제1감광패턴을이용하여상기반도체패턴을제1불순물로도핑하는제1도핑공정, 제2감광패턴을이용하여상기금속패턴층을패터닝하여게이트전극을형성하는공정, 및상기반도체패턴을상기제1불순물보다저농도인제2불순물로도핑하는제2도핑공정을포함하는, 박막트랜지스터기판의제조방법을개시한다.
摘要翻译：制造薄膜晶体管基板的方法包括在基板上形成半导体图案，其中半导体图案包括第一区域，第二区域和第三区域，其中第二区域和第三区域位于第一区; 在所述衬底上形成绝缘层以覆盖所述半导体图案; 使用第一感光图案在所述绝缘层上形成金属图案层; 使用第一感光图案，用第一杂质掺杂半导体图案; 通过使用第二感光图案图案化所述金属图案层来形成栅电极; 并且用具有比第一杂质低的浓度的第二杂质来掺杂半导体图案。

7. 发明授权

KR101679252B1 박막 트랜지스터 기판과 그 제조방법 및 그를 이용한 디스플레이 장치 有权
标题翻译：薄膜晶体管基板及其制造方法及使用其的显示装置
公开(公告)号：KR101679252B1
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：KR1020140131762
申请日：2014-09-30
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 김현호 , 김우준
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/12 , H01L29/66
CPC分类号： H01L27/1255 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , G02F2001/133357 , H01L27/3248 , H01L27/3272 , H01L29/41733 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L29/78633 , H01L29/78645
摘要： 본발명의일 실시예에따르면, 기판상의동일한층에차폐층, 소스전극, 및드레인전극이구비되어있고, 상기차폐층, 상기소스전극, 및상기드레인전극과오버랩되도록액티브층이구비되어있고, 상기액티브층상에게이트절연막이구비되어있고, 상기게이트절연막상에제1 게이트전극이구비되어있고, 상기제1 게이트전극상에층간절연막이구비되어있고, 상기층간절연막상에서상기액티브층및 상기소스전극과연결되는제1 연결전극및 상기액티브층및 상기드레인전극과연결되는제2 연결전극이각각구비되어있고, 상기제1 연결전극과상기제2 연결전극상에평탄화층이구비되어있고, 상기평탄화층상에상기제2 연결전극과연결되는화소전극이구비되어있는박막트랜지스터기판과그 제조방법및 그를이용한디스플레이장치가제공된다.
摘要翻译：公开了一种薄膜晶体管（TFT）基板。 TFT基板在基板上的同一层上包括基板，阻挡层，源电极和漏电极，与阻挡层，源电极和漏电极重叠的有源层，有源层，栅极绝缘层上的第一栅极电极，位于第一栅电极上的层间电介质，位于层间电介质上的第一连接电极，并通过第一接触孔连接到有源层和源电极，第二连接电极通过第二接触孔，在第一连接电极和第二连接电极之上的平坦化层和平坦化层上的像素电极连接到有源层和漏电极，并且连接到第二连接电极，通过第三个接触孔。

8. 发明公开

KR1020160114221A 표시 장치 审中-实审
标题翻译：显示设备
公开(公告)号：KR1020160114221A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：KR1020150040044
申请日：2015-03-23
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 서일훈 , 이지윤 , 김병기
IPC分类号： G02F1/1345 , G02F1/1343 , G02F1/1333
CPC分类号： H01L27/3276 , H01L27/12 , H01L27/3246 , H01L27/3248 , H01L29/78621 , H01L51/0036 , H01L51/0545 , G02F1/13452 , G02F1/133345 , G02F1/1343
摘要： 본발명은화상이표시되는표시영역과상기표시영역을제외한비표시영역을포함하는표시장치로서, 베이스기판과, 베이스기판상에형성된제1 금속층과, 제1 금속층상에형성되되컨택홀을구비한층간절연막과, 층간절연막상에형성되어상기컨택홀을통해상기제1 금속층과연결되는제2 금속층과, 제2 금속층상에형성되어적어도컨택홀을커버하는이방성도전필름및 이방성도전필름상에부착되고, 외부로부터구동신호가전달되는연성회로기판을포함하되, 제1 금속층의비표시영역에는소정의용융패턴이형성된표시장치를제공한다.
摘要翻译：一种显示装置，包括基底基板，形成在基底基板上的第一金属层，形成在第一金属层之上并包括接触孔的层间绝缘层，形成在层间绝缘层上并与第一金属连接的第二金属层层，穿过接触孔，形成在第二金属层上并覆盖接触孔的各向异性导电膜，以及附接到各向异性导电膜并被配置为传输用于像素阵列的驱动信号的柔性电路板。第一金属层包括形成在非显示区域中的熔融部分。

9. 发明公开

KR1020160061553A 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를 구비한 유기 발광 표시 장치 审中-实审
标题翻译：有机发光显示装置
公开(公告)号：KR1020160061553A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：KR1020140163716
申请日：2014-11-21
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 키시모토카츠시
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/32
CPC分类号： H01L29/78675 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L29/78696 , H01L27/3262
摘要： 본발명의일 실시예는, 기판, 상기기판상에형성된활성층, 상기활성층상에형성된게이트절연막, 상기게이트절연막을사이에두고상기활성층상에형성된게이트전극을포함하고, 상기활성층은, 채널영역, 상기채널영역의양측에배치되는소스영역과드레인영역및 상기채널영역과상기소스영역사이, 및상기채널영역과상기드레인영역사이의저농도도핑영역들을포함하고, 상기소스영역과상기드레인영역은제1 원소로도핑되며, 상기저농도도핑영역들은상기제1 원소와상이한제2 원소로도핑된박막트랜지스터를개시한다.
摘要翻译：本发明的薄膜晶体管包括：基板; 衬底上的有源层; 有源层上的栅极绝缘层; 以及位于其间的栅极绝缘层的有源层上的栅电极。有源层包括：信道区; 沟道区两侧的源区和漏区; 以及在沟道区域和源极区域之间以及沟道区域和漏极区域之间的轻掺杂区域。源极和漏极区域掺杂有第一元件，并且轻掺杂区域掺杂有不同于第一元素的第二元素。薄膜晶体管的源极和漏极区域由硅化物制成。薄膜晶体管具有LDD结构，并且可以提高薄膜晶体管的电流特性。

10. 发明授权

KR101613029B1 박막 트랜지스터와 그의 제조 방법, 및 표시 장치 有权
标题翻译：薄膜晶体管及其制造方法及其显示装置
公开(公告)号：KR101613029B1
公开(公告)日：2016-04-15
申请号：KR1020147012935
申请日：2013-10-29
申请人： 보에 테크놀로지 그룹 컴퍼니 리미티드
发明人： 콩,시앙용 , 쳥,쥔 , 왕,동팡 , 위엔,구앙차이
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/445 , H01L27/1288 , H01L29/41733 , H01L29/41758 , H01L29/41775 , H01L29/42384 , H01L29/66969 , H01L29/78618 , H01L29/78621 , H01L29/7869 , H01L2029/42388
摘要： 본발명의실시예들은박막트랜지스터와그의제조방법및 표시장치를제공한다. 박막트랜지스터는게이트전극(502), 게이트절연층(503), 활성층(504), 오믹컨택층(505a-1, 505a-2, 505a-3), 소스전극(507a) 및드레인전극(507b)을포함하고, 소스전극(507a) 및드레인전극(507b)은오믹컨택층(505a-1, 505a-2, 505a-3)에의해서활성층(504)에연결된다. 오믹컨택층(505a-1, 505a-2, 505a-3)은활성층(504)의측면에제공되어활성층(504)의측면과접촉한다.

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