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热词
    • 1. 发明授权
    • 박막트랜지스터와 그 제조방법 및 이를 구비한유기전계발광표시장치
    • 薄膜晶体管及其制造方法和包括其的有机发光二极管器件显示器
    • KR100810638B1
    • 2008-03-07
    • KR1020060123043
    • 2006-12-06
    • 삼성에스디아이 주식회사
    • 박혜향최병덕김무진김경보이대우정창용
    • H01L29/786
    • H01L29/4908H01L27/1214H01L29/66757
    • A thin film transistor, a method for fabricating the same, and an organic light emitting diode display device comprising the same are provided to obtain excellent characteristics thereof by manufacturing a polycrystalline layer having excellent crystallinity. An amorphous silicon layer is formed on a substrate(200). A polycrystalline silicon layer is formed by crystallizing the amorphous silicon layer. A semiconductor layer(203) is formed by patterning the polycrystalline silicon layer. A thermal oxidation layer(210) is formed by heat-treating the semiconductor layer under H20 atmosphere. A gate electrode(211) is formed on a constant region of the semiconductor layer. An interlayer dielectric(212) is formed on the entire surface of the substrate. Source/drain electrodes(213a,213b) are formed to be electrically connected to the semiconductor layer. The H20 atmosphere is formed under the pressure of 10000 Pa to 2 MPa.
    • 提供薄膜晶体管,其制造方法和包含该薄膜晶体管的有机发光二极管显示装置,以通过制造具有优异结晶度的多晶层来获得优异的特性。 在基板(200)上形成非晶硅层。 通过使非晶硅层结晶来形成多晶硅层。 通过构图多晶硅层形成半导体层(203)。 通过在H 2 O气氛下对半导体层进行热处理,形成热氧化层(210)。 在半导体层的恒定区域上形成栅电极(211)。 在基板的整个表面上形成层间电介质(212)。 源极/漏极(213a,213b)形成为与半导体层电连接。 在10000Pa〜2MPa的压力下形成H 2 O气氛。
    • 3. 发明授权
    • 다결정 실리콘 박막의 제조 방법 및 이를 사용하여 제조된디스플레이 디바이스
    • 制造多晶硅薄膜的方法和由其制造的显示装置
    • KR100600852B1
    • 2006-07-14
    • KR1020030025536
    • 2003-04-22
    • 삼성에스디아이 주식회사
    • 박지용박혜향
    • H01L21/324
    • 본 발명은 다결정 실리콘 박막의 제조 방법 및 이 다결정 실리콘 박막을 사용하여 제조된 디스플레이 디바이스에 관한 것으로, 레이저가 투과하는 패턴 그룹과 레이저가 투과하지 못하는 패턴 그룹이 혼합된 구조를 갖는 마스크를 사용하여 비정질 실리콘을 레이저를 이용하여 결정화하며, 상기 레이저가 투과하지 못하는 패턴 그룹이 규칙적으로 배열되어 있고, 상기 레이저가 투과하지 못하는 패턴 그룹은 스테이지 이동 방향에 수직한 방향에 대하여 서로 각각 일정한 간격만큼 서로 어긋나 있는 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 디스플레이 디바이스용 다결정 실리콘 박막의 제조 방법 및 이에 의하여 제조된 다결정 실리콘 박막을 사용한 디스플레이 디바이스를 제공함으로써, 단결정에 가까운 커다란 결정립을 가지며 이에 따라 이를 사용하여 제조된 디스플레이 디바이스는 우수한 특성을 가지며, 스테이지의 이동 속도가 빨라짐에 따라 기판 전체에 걸쳐 결정화 시간을 줄일 수 있다. 또한 액티브 채널방향에 의존성이 없는 균일하고 우수한 특성의 TFT를 제조할 수 있다.
      다결정 실리콘 박막, 박막 트랜지스터, 마스크 패턴
    • 本发明使用与制造方法的掩模和多晶作为图案组和所述激光是,激光通过使用多晶硅薄膜的无定形的硅薄膜制造的显示设备上发送的不发射图案组混合结构 和使用激光的硅结晶,所述激光器是图案组规则地排列不能渗透,并且激光图案组不传输是相互交替分别由彼此的预定距离相对于沿垂直于载物台的移动方向, 用于通过使用多晶硅薄膜,因此制备通过提供一种显示装置,包括所述结构的显示装置的制造多晶硅薄膜的方法,以及具有接近单晶一个大晶粒因此使用它的 的显示装置具有优异的特性,能够降低结晶化时间在衬底上按照阶段更快的移动速度。 另外,可以制造具有不依赖于有源沟道方向的均匀且优异的特性的TFT。
    • 4. 发明授权
    • 폴리실리콘 박막의 제조 방법 및 이를 사용하여 제조된폴리실리콘을 사용하는 디스플레이 디바이스
    • 用于显示器件制造多晶硅薄膜的方法和使用多晶硅薄膜的显示器件
    • KR100579199B1
    • 2006-05-11
    • KR1020040009385
    • 2004-02-12
    • 삼성에스디아이 주식회사
    • 박지용박혜향
    • H01L29/786
    • 본 발명은 디스플레이 디바이스용 폴리실리콘 박막의 제조 방법 및 이 방법에 의하여 제조된 폴리실리콘을 사용하는 디스플레이 디바이스에 관한 것으로, 레이저가 투과하는 투과 패턴과 레이저가 투과하지 못하는 불투과 패턴이 혼합된 구조를 갖는 마스크를 사용하여 비정질 실리콘을 레이저를 이용하여 결정화하는 디스플레이 디바이스용 폴리실리콘 박막의 제조 방법에 있어서, 상기 마스크는 레이저빔이 조사되는 중심부보다 레이저빔이 조사되는 가장자리의 상기 투과 패턴의 폭이 더 큰 것을 특징으로 하는 디스플레이 디바이스용 폴리실리콘 박막의 제조 방법 및 이 방법에 의하여 제조된 폴리실리콘을 사용하는 디스플레이 디바이스를 제공함으로써 SLS 결정화법으로 결정화시 에너지 밀도가 높은 레이저가 조사되는 영역과 에너지 밀도가 낮은 레이저가 조사되는 영역에 형성되는 결정립의 크기를 서로 다르게 하여 전계 이동도를 제어함으로써 이를 사용하여 디스플레이 디바이스를 제조하는 경우 종래에 발생되는 휘도 불균일을 억제할 수 있다.
      폴리실리콘 박막, 박막 트랜지스터, 마스크 패턴