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31. 发明公开

KR1020080025052A 비휘발성 메모리에서 프로그램 금지 방안들의 선택적인적용 有权
标题翻译：在非易失性存储器中选择性应用程序抑制方案
公开(公告)号：KR1020080025052A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：KR1020077028327
申请日：2006-05-11
申请人： 샌디스크 엘엘씨
发明人： 완준 , 루체제프리 , 히가시타니마사키 , 헤밍크게릿얀 , 오와다켄 , 첸지앙 , 공워조프리에스.
IPC分类号： G11C16/34 , G11C16/10 , G11C16/12
CPC分类号： G11C16/3418 , G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C16/3486
摘要： A non-volatile memory system is programmed so as to reduce or avoid program disturb. In accordance with one embodiment, multiple program inhibit schemes are employed for a single non-volatile memory system. Program inhibit schemes are selected based on the word line being programmed. Certain program inhibit schemes have been discovered to better minimize or eliminate program disturb at select word lines. In one embodiment, selecting a program inhibit scheme includes selecting a program voltage pulse ramp rate. Different ramp rates have been discovered to better minimize program disturb when applied to select word lines. In another embodiment, the temperature of a memory system is detected before or during a program operation. A program inhibit scheme can be selected based on the temperature of the system. ® KIPO & WIPO 2008
摘要翻译：编程非易失性存储器系统以减少或避免编程干扰。根据一个实施例，对于单个非易失性存储器系统采用多个程序禁止方案。基于正在编程的字线选择程序禁止方案。已经发现某些程序禁止方案能够更好地最小化或消除选择字线上的程序干扰。在一个实施例中，选择编程禁止方案包括选择编程电压脉冲斜率。在应用于选择字线时，已经发现了不同的斜率以更好地最小化程序干扰。在另一个实施例中，在程序操作之前或期间检测存储器系统的温度。可以基于系统的温度来选择程序禁止方案。 ®KIPO＆WIPO 2008

32. 发明公开

KR1020070101240A 오버 프로그래밍을 저감하는 고속 프로그래밍 시스템 无效
标题翻译：具有减少编程的高速编程系统
公开(公告)号：KR1020070101240A
公开(公告)日：2007-10-16
申请号：KR1020077011282
申请日：2005-11-03
申请人： 샌디스크 엘엘씨
发明人： 헤밍크게릿잔
IPC分类号： G11C16/34 , G11C16/10
CPC分类号： G11C11/5628 , G11C16/10 , G11C16/3468 , G11C16/3486 , G11C2216/14 , G11C16/0483
摘要： A program pulse is applied to a set of non-volatile storage elements. The magnitude of the program pulse is chosen to be low enough such that no non-volatile storage elements will be over programmed. The non-volatile storage elements are tested to determine whether at least one non-volatile storage element (or some other minimum number) has been programmed past a test threshold. If so, the set of non-volatile memory elements is considered to have one or more fast programming non-volatile storage elements and future programming is performed using a smaller increment value for subsequent program pulses. If the set of non-volatile memory elements is not determined to have one or more fast programming non-volatile storage elements, then a larger increment value is used for subsequent program pulses until one non-volatile storage element (or some other minimum number) has been programmed past the test threshold, at which point the smaller increment value is used for subsequent program pulses.
摘要翻译：将编程脉冲施加到一组非易失性存储元件。选择程序脉冲的幅度足够低，使得不会对非易失性存储元件进行过度编程。测试非易失性存储元件以确定至少一个非易失性存储元件（或一些其他最小数量）是否被编程超过测试阈值。如果是这样，则该组非易失性存储器元件被认为具有一个或多个快速编程非易失性存储元件，并且对于随后的编程脉冲使用较小的增量值来执行将来的编程。如果该组非易失性存储器元件未被确定为具有一个或多个快速编程非易失性存储元件，则对于后续的编程脉冲使用更大的增量值，直到一个非易失性存储元件（或一些其它最小数量）已被编程超过测试阈值，此时较小的增量值用于后续编程脉冲。

33. 发明授权

KR100248689B1 불휘발성 반도체 기억 장치 失效
标题翻译：非易失性半导体存储器件
公开(公告)号：KR100248689B1
公开(公告)日：2000-03-15
申请号：KR1019970019740
申请日：1997-05-21
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 오나카도다카히로 , 다카다히로시 , 하야시기요시
IPC分类号： H01L27/115
CPC分类号： G11C16/3486 , G11C16/0416 , G11C16/3468
摘要： To a column line to which a selected memory cell is connected, a write bias voltage is supplied through a selection gate transistor having different channel conductivity type than the memory cell transistor. Current drivability of the selection gate transistor is adapted to be larger than a leak current of the memory cell and to supply a current smaller than the channel current when a channel is formed in one aspect. When a verifying voltage is applied to the selected word line, a large channel current flows when a channel is formed, potential of a subbit line is changed accordingly, and programming is suppressed. In another aspect, the selection gate transistor serves as a constant current source to make the programming speed of the memory cells constant. Thus distribution of threshold values after programming can be made narrow.

34. 发明授权

KR100243825B1 불휘발성 반도체 기억 장치 및 그 기입 방법 失效
标题翻译：非挥发性半导体存储器及其写入方法
公开(公告)号：KR100243825B1
公开(公告)日：2000-03-02
申请号：KR1019970018710
申请日：1997-05-15
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 이와따요시히사
IPC分类号： G11C16/00
CPC分类号： G11C16/3486 , G11C16/10 , G11C16/3459 , G11C16/3468
摘要： 검증 동작을 행함으로써 기입 후 또는 소거 후의 메모리 셀의 임계치를 과기입 없이 소정의 범위로 억제하는 것이 가능한 반도체 기억 장치 및 그 기입 방법을 제공한다.
기입은, 최초에 판독할 설정 레벨과 같은가 그보다는 높거나 본래 필요로 하는 판정 레벨보다 낮은 완만한 제1 판정 레벨을 설정하고, 이 제1 판정 레벨에 기초하여 제1 기입 동작을 행하고, 다음에 제2 판정 레벨에 기초하여 제2 기입 동작을 행하여 완만하게 제1 판정 레벨과 본래 필요로 하는 판정 레벨(목적으로 하는 판정 레벨)인 제2 판정 레벨 사이의 임계치를 갖는 메모리 셀의 임계치를 상기 제2 판정 레벨보다 위로 올리는 것, 즉 기입 동작을 2회로 나눠 행한다. 임계치 분포 폭을 좁게 하면 소거 동작에서의 일괄 소거시에 모든 메모리 셀을 확실하게 소거할 수 있다.

35. 发明授权

KR100217917B1 플래쉬 메모리셀의 문턱전압 조정회로 失效
标题翻译：闪存存储单元的阈值电压调节电路
公开(公告)号：KR100217917B1
公开(公告)日：1999-09-01
申请号：KR1019950052513
申请日：1995-12-20
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 홍순원 , 손재현
IPC分类号： G11C17/18
CPC分类号： G11C16/3486 , G11C16/3459 , G11C16/3468
摘要： 본 발명은 플래쉬 메모리셀의 문턱전압(VT)을 정밀하게 조정할 수 있도록 한 플래쉬 메모리셀의 문턱전압 조정회로에 관한 것이다.

36. 发明授权

KR100159458B1 반도체 기억장치 失效
标题翻译：半导体存储器件
公开(公告)号：KR100159458B1
公开(公告)日：1999-02-01
申请号：KR1019950005695
申请日：1995-03-15
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 나카무라히로시 , 미야모토준이치 , 이와타요시히사 , 이마미야케니티
IPC分类号： G11C16/06
CPC分类号： G11C16/3477 , G11C7/00 , G11C16/10 , G11C16/3445 , G11C16/3459 , G11C16/3468 , G11C16/3486
摘要： 본 발명은, 반도체 기판과, 이 반도체 기판에 데이터를 기억하는 메로리셀이 배열 형성된 메모리 셀 어레이, 이 메모리 셀 어레이에 접속되는 각 비트선의 일단부에 설치된 기입 데이터의 래치동작을 행하는 데이터 래치회로, 복수개의 상기 데이터 래치회로로 래치된 복수개의 데이터가 모두 원하는 데이터와 동일한가의 여부를 판정하는 판정수단을 구비하고, 이 판정수단은 직렬 접속된 같은 극성의 제1 및 제2트랜지스터에서 구성되는 회로를 갖추며, 상기 데이터 래치회로의 노드의 일단이 제1 또는 제2트랜지스터의 게이트에 입력되고, 상기 직렬 접속된 트랜지스터의 일단이 전원전위 또는 접지전위의 한쪽의 전위로 설정되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치이다.

37. 发明授权

KR101787802B1 비트 라인 전압 스텝 업을 이용한 비휘발성 메모리의 프로그래밍 有权
标题翻译：使用位线电压升压非易失性存储器的编程
公开(公告)号：KR101787802B1
公开(公告)日：2017-10-18
申请号：KR1020137004047
申请日：2011-07-14
申请人： 샌디스크 테크놀로지스 엘엘씨
发明人： 두타디판슈 , 루체제프리더블유.
IPC分类号： G11C16/34 , G11C16/10 , G11C11/56 , G11C16/24
CPC分类号： G11C16/10 , G11C11/5628 , G11C16/0483 , G11C16/24 , G11C16/3454 , G11C16/3486 , G11C2216/14
摘要： 타겟데이터상태(402, 404, 406)를갖는저장소자들에대한비트라인전압이, 프로그램전압에서의스텝업과동일한비율로스텝업되는프로그래밍기법을사용하여, 비휘발성메모리디바이스(196)의임계전압분포들(A, B, C)이좁아지고, 그리고/또는프로그래밍시간이감소된다. 비트라인전압의스텝업은저장소자들의서로다른서브세트들에대해, 이들의타겟데이터상태(402, 404, 406)에따라, 프로그래밍패스에서서로다른시간들에수행된다. 비트라인전압(Vbc)의스텝업의시작및 중지는고정프로그램펄스수에근거하여설정되거나프로그래밍과정에근거하여적응적일수 있다. 변형은고정비트라인스텝, 가변비트랑니스텝, 데이터상태-의존비트라인스텝, 하나이상의데이터상태들에대해비트라인을스텝업하지않을옵션및 추가의비트라인바이어스를부가할옵션을사용하는것을포함한다.
摘要翻译：位线电压对具有目标数据状态（402，404，406）的存储装置中，使用的编程技术是升压到编程电压eseoui升压和相同的速率，非易失性存储器装置196的阈值电压分布，是（A，B，C）和更窄，降低和/或编程时间。用于位线电压的升压存储设备的不同子集，根据它们的目标数据状态（402，404，406），则在不同的时间在该编程遍进行。开始和停止位线电压的升压（VBC）基于设定的固定编程脉冲的，或者可以是天的编程处理的基础上自适应数目。修饰是恒定比特线步骤中，可变位rangni步骤，数据状态 - 包括使用一个选项的添加相关的位线的步骤，选项和加入位线偏压的未升压为所述一个或多个数据状态的位线的。

38. 发明公开

KR1020170098805A 데이터 보안을 위한 이벤트 트리거형 소거 审中-实审
标题翻译：事件触发删除数据安全
公开(公告)号：KR1020170098805A
公开(公告)日：2017-08-30
申请号：KR1020177014406
申请日：2015-11-25
申请人： 인텔 코포레이션
发明人： 나에이미,헬리아 , 도미시마,시게끼 , 루,시-리엔엘.
IPC分类号： G06F12/14 , G06F12/02 , G06F21/79 , G11C11/16 , G11C14/00 , G11C16/10 , G11C16/14 , G11C16/16
CPC分类号： G06F12/1425 , G06F12/0246 , G06F21/79 , G06F2212/1052 , G06F2212/7205 , G06F2212/7209 , G06F2221/2143 , G11C5/148 , G11C7/24 , G11C11/161 , G11C11/1675 , G11C11/1695 , G11C11/1697 , G11C14/0081 , G11C16/105 , G11C16/107 , G11C16/14 , G11C16/16 , G11C16/22 , G11C16/3486
摘要： 본설명의한 양태는, 예를들어, 전력차단또는전력투입프로세스등의검출된이벤트에응답하여, 디바이스의, 예를들어비휘발성메모리등의, 메모리의적어도부분을자동으로소거하는것을제공한다. 한실시예에서, 예를들어전자석등의온보드소거보조디바이스(on-board erasure assistance device)는기밀데이터소거를용이하게한다. 본설명의또 다른양태에따르면, 기밀데이터의모든비트를리셋하는것 대신에기밀데이터의비트들의일부를리셋함으로써만족스러운수준의기밀데이터소거가달성될수 있다. 한실시예에서, 기밀데이터를소거하기위해리셋되는비트들은서브어레이에걸쳐무작위로분포될수 있다. 다른양태들도여기서설명된다.
摘要翻译：本公开的一个方面提供了用于响应于检测到的事件而自动地擦除设备的存储器的至少一部分，诸如例如非易失性存储器，诸如例如，。在一个示例中，例如电子小配件的机载擦除辅助设备便于机密数据擦除。根据本公开的另一方面，通过重置机密数据的一些位而不是重置机密数据的所有位，可以实现令人满意的机密数据取消水平。在一个示例中，被重置以清除机密数据的比特可以随机分布在子阵列中。这里还描述了其他方面。

39. 发明授权

KR101716998B1 비휘발성 메모리 프로그램 알고리즘 디바이스 및 방법 有权
标题翻译：非易失性存储器程序算法设备和方法
公开(公告)号：KR101716998B1
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：KR1020157021973
申请日：2014-03-14
申请人： 실리콘 스토리지 테크놀로지 인크
发明人： 리우시안 , 쳉제임스 , 바비노브드미트리 , 코토브알렉산더 , 유종원
IPC分类号： G11C16/34 , G11C11/56 , G11C16/04 , G11C16/12
CPC分类号： G11C16/3486 , G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C16/0441 , G11C16/10 , G11C16/12 , G11C16/3459
摘要： 원하는프로그래밍상태가달성될때까지, 판독전류의레벨을판정하도록인터리빙된(interleaved) 판독동작들로프로그램전압들의반복펄스들을이용하여셀들을프로그래밍하기위한비휘발성메모리디바이스및 방법. 각각의연속적인프로그램펄스는이전의펄스에대해소정스텝값만큼증가되는하나이상의프로그램전압들을갖는다. 단일레벨셀 타입의경우, 각각의셀은제1 판독전류임계치에도달한후에프로그래밍펄스들로부터개별적으로제거되고, 스텝값은그 후에하나이상의키커펄스들에대해증가된다. 다중레벨셀 타입의경우, 스텝값은셀들중 하나가제1 판독전류임계치에도달한후에강하하고, 일부셀들은제2 판독전류임계치에도달한후에프로그래밍펄스들로부터개별적으로제거되는한편, 다른셀들은제3 판독전류임계치에도달한후에프로그래밍펄스들로부터개별적으로제거된다.
摘要翻译：一种用于使用编程电压的重复脉冲编程单元的非易失性存储器件和方法，具有交错读取操作以确定读取电流的电平，直到达到期望的编程状态。每个连续的编程脉冲具有相对于先前脉冲增加阶跃值的一个或多个编程电压。对于单级单元类型，在达到第一读取电流阈值之后，每个单元从编程脉冲中单独地移除，并且此后的一个或多个猝发脉冲的步长值增加。对于多级单元类型，步长值在其中一个单元达到第一读取电流阈值后下降，一些单元在达到第二读取电流阈值之后单独地从编程脉冲中移除，而其他单元在编程脉冲之后单独从编程脉冲中移除达到第三个读取电流阈值。

40. 发明授权

KR101600551B1 고해상도의 가변 초기 프로그램 펄스를 이용한 비휘발성 메모리의 프로그램 有权
标题翻译：编程具有高分辨率可变初始编程脉冲的非易失性存储器
公开(公告)号：KR101600551B1
公开(公告)日：2016-03-21
申请号：KR1020117011839
申请日：2009-09-29
申请人： 샌디스크 테크놀로지스 엘엘씨
发明人： 헤밍크제리트얀
IPC分类号： G11C16/10 , G11C16/34
CPC分类号： G11C16/10 , G11C11/5628 , G11C16/0483 , G11C16/3468 , G11C16/3486 , G11C2211/5621 , G11C2211/5648
摘要： 복수의비휘발성저장소자들에대하여복수의프로그램절차들이수행된다. 프로그램절차들각각은프로그램펄스들을이용하여비휘발성저장소자들의적어도서브세트를각각의목표조건들의세트로프로그램하도록동작한다. 프로그램절차들의적어도서브세트는각각의프로그램절차에대하여특정결과를달성하는것과관련된프로그램펄스를식별하고비휘발성저장소자들에대하여하나이상의대체가능한결과들에서하나이상의감지동작들을수행하는것을포함한다. 하나이상의감지동작들에의해소정의개수보다큰 비휘발성저장소자들의개수가제1 대체가능한결과를달성한것으로판별되었다면제1 대체가능한결과와프로그램펄스의식별정보를기초로하여후속프로그램절차가조정된다. 하나이상의감지동작들에의해요구되는개수보다적은비휘발성저장소자들의개수가대체가능한결과들중 임의의것을달성한것으로판별되었다면프로그램펄스의식별정보를기초로하여후속프로그램절차가조정된다.

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