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1. 发明授权

KR101716998B1 비휘발성 메모리 프로그램 알고리즘 디바이스 및 방법 有权
标题翻译：非易失性存储器程序算法设备和方法
公开(公告)号：KR101716998B1
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：KR1020157021973
申请日：2014-03-14
申请人： 실리콘 스토리지 테크놀로지 인크
发明人： 리우시안 , 쳉제임스 , 바비노브드미트리 , 코토브알렉산더 , 유종원
IPC分类号： G11C16/34 , G11C11/56 , G11C16/04 , G11C16/12
CPC分类号： G11C16/3486 , G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C16/0441 , G11C16/10 , G11C16/12 , G11C16/3459
摘要： 원하는프로그래밍상태가달성될때까지, 판독전류의레벨을판정하도록인터리빙된(interleaved) 판독동작들로프로그램전압들의반복펄스들을이용하여셀들을프로그래밍하기위한비휘발성메모리디바이스및 방법. 각각의연속적인프로그램펄스는이전의펄스에대해소정스텝값만큼증가되는하나이상의프로그램전압들을갖는다. 단일레벨셀 타입의경우, 각각의셀은제1 판독전류임계치에도달한후에프로그래밍펄스들로부터개별적으로제거되고, 스텝값은그 후에하나이상의키커펄스들에대해증가된다. 다중레벨셀 타입의경우, 스텝값은셀들중 하나가제1 판독전류임계치에도달한후에강하하고, 일부셀들은제2 판독전류임계치에도달한후에프로그래밍펄스들로부터개별적으로제거되는한편, 다른셀들은제3 판독전류임계치에도달한후에프로그래밍펄스들로부터개별적으로제거된다.
摘要翻译：一种用于使用编程电压的重复脉冲编程单元的非易失性存储器件和方法，具有交错读取操作以确定读取电流的电平，直到达到期望的编程状态。每个连续的编程脉冲具有相对于先前脉冲增加阶跃值的一个或多个编程电压。对于单级单元类型，在达到第一读取电流阈值之后，每个单元从编程脉冲中单独地移除，并且此后的一个或多个猝发脉冲的步长值增加。对于多级单元类型，步长值在其中一个单元达到第一读取电流阈值后下降，一些单元在达到第二读取电流阈值之后单独地从编程脉冲中移除，而其他单元在编程脉冲之后单独从编程脉冲中移除达到第三个读取电流阈值。

2. 发明公开

KR1020150106956A 비휘발성 메모리 프로그램 알고리즘 디바이스 및 방법 有权
标题翻译：非易失性存储器程序算法设备和方法
公开(公告)号：KR1020150106956A
公开(公告)日：2015-09-22
申请号：KR1020157021973
申请日：2014-03-14
申请人： 실리콘 스토리지 테크놀로지 인크
发明人： 리우시안 , 쳉제임스 , 바비노브드미트리 , 코토브알렉산더 , 유종원
IPC分类号： G11C16/34 , G11C11/56 , G11C16/04 , G11C16/12
CPC分类号： G11C16/3486 , G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C16/0441 , G11C16/10 , G11C16/12 , G11C16/3459
摘要： 원하는 프로그래밍 상태가 달성될 때까지, 판독 전류의 레벨을 판정하도록 인터리빙된(interleaved) 판독 동작들로 프로그램 전압들의 반복 펄스들을 이용하여 셀들을 프로그래밍하기 위한 비휘발성 메모리 디바이스 및 방법. 각각의 연속적인 프로그램 펄스는 이전의 펄스에 대해 소정 스텝 값만큼 증가되는 하나 이상의 프로그램 전압들을 갖는다. 단일 레벨 셀 타입의 경우, 각각의 셀은 제1 판독 전류 임계치에 도달한 후에 프로그래밍 펄스들로부터 개별적으로 제거되고, 스텝 값은 그 후에 하나 이상의 키커 펄스들에 대해 증가된다. 다중 레벨 셀 타입의 경우, 스텝 값은 셀들 중 하나가 제1 판독 전류 임계치에 도달한 후에 강하하고, 일부 셀들은 제2 판독 전류 임계치에 도달한 후에 프로그래밍 펄스들로부터 개별적으로 제거되는 한편, 다른 셀들은 제3 판독 전류 임계치에 도달한 후에 프로그래밍 펄스들로부터 개별적으로 제거된다.
摘要翻译：一种用于使用编程电压的重复脉冲编程单元的非易失性存储器件和方法，具有交错读取操作以确定读取电流的电平，直到达到期望的编程状态。每个连续的编程脉冲具有相对于先前脉冲增加阶跃值的一个或多个编程电压。对于单级单元类型，在达到第一读取电流阈值之后，每个单元从编程脉冲中单独地移除，并且此后的一个或多个猝发脉冲的步长值增加。对于多级单元类型，步长值在其中一个单元达到第一读取电流阈值后下降，一些单元在达到第二读取电流阈值之后单独地从编程脉冲中移除，而其他单元在编程脉冲之后单独从编程脉冲中移除达到第三个读取电流阈值。

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